JP5936853B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Description

本発明は、半導体ウェハーや液晶表示装置用ガラス基板等の薄板状の精密電子基板（以下、単に「基板」と称する）を順次に投入して所定時間加熱処理した後に冷却処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。

周知のように、半導体や液晶ディスプレイなどの製品は、上記基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理、ダイシングなどの一連の諸処理を施すことにより製造されている。これらの諸処理のうち例えばレジスト塗布処理、現像処理およびそれらに付随する熱処理のそれぞれを行う処理ユニットを複数組み込み、搬送ロボットによってそれら各処理ユニット間で基板の循環搬送を行うことにより基板に一連のフォトリソグラフィー処理を施す基板処理装置がいわゆるコータ＆デベロッパとして広く用いられている。

このような基板処理装置においては、予め指定された処理フローに従って基板を複数の処理ユニットに順次に搬送し、各処理ユニットにて所定の処理を行うようにしている。かかる処理を行う場合に、各処理工程での処理時間が異なると、最も処理時間の長い処理工程が全体を律速することとなり、その処理工程以外の処理ユニットでは基板の滞留（搬出待ち状態）が発生することになる。仮に、最も処理時間の長い処理工程の前工程が加熱処理であった場合には、加熱ユニット内に基板が滞留することとなる。基板が加熱ユニット内に滞留すると、規定の処理時間を超えて加熱される（いわゆるオーバーベーク）こととなり、処理結果に重大な支障を及ぼすという問題が生じる。

特に、近年のフォトリソグラフィー処理では、ＫｒＦやＡｒＦのエキシマレーザに対応した化学増幅型レジストを用いることが主流となっている。化学増幅型レジストを用いた場合には、エキシマレーザの露光強度が弱いため、露光後の基板に対して露光後ベーク処理（Post-Exposure-Bake）を行い、露光時に光化学反応によってレジスト膜中に生じた生成物（酸）を触媒としてレジスト樹脂の連鎖反応を進行させる。このような露光後ベーク処理においてオーバーベークが生じると、現像後のパターンの線幅均一性が著しく低下することとなる。

このようなオーバーベークを防止するためには、オーバーベークが許されない加熱ユニット（例えば、露光後ベークユニット）での処理時間が最も長くなるように、装置内の処理ユニットを構成、或いは処理フローを定義することが考えられる。このようにすれば、例えば露光後ベーク処理の次工程である冷却処理を行うユニットには空きが多くなるため、露光後ベークユニット内での基板の滞留を防止することができる。

また、特許文献１，２には、加熱処理後の基板を直ちに冷却するための専用の機構を設けてオーバーベークを防止する技術が開示されている。このような専用の冷却機構を設ければ、各処理工程での処理時間や処理フローの内容にかかわらず、オーバーベークを確実に防止することができる。

特開２００４−３１９６２６号公報 特開平６−１５１２９３号公報

しかしながら、オーバーベークが許されない加熱ユニットの処理時間を最も長くするようにすると、装置全体としてのスループットの向上を抑制することとなる。また、処理フローにおいてその加熱ユニットよりも下流側にてトラブルが発生した場合には、当該加熱ユニットでの基板の滞留は避けられず、オーバーベークを完全に防止することは困難となる。

一方、オーバーベークが許されない加熱ユニットに１対１で対応して専用の冷却機構を設けるようにすれば、処理フローにおいて当該加熱ユニットよりも下流側にてトラブルが発生したような場合であっても、専用冷却機構を用いて加熱処理後の基板を冷却することによりオーバーベークを防止することはできる。しかし、そのような専用冷却機構を設けるために装置のサイズが大型化するとともに、装置の製造コストも増大するという問題が生じる。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、専用の冷却機構を設けることなくオーバーベークを確実に防止することができる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、請求項１の発明は、順次投入される基板を所定時間加熱処理した後に冷却処理を行う基板処理装置において、基板に加熱処理を行う少なくとも１つ以上の加熱処理部と、基板に冷却処理を行う複数の冷却処理部と、前記少なくとも１つ以上の加熱処理部と前記複数の冷却処理部との間で基板を搬送する基板搬送部と、順次投入される基板のそれぞれについて加熱処理後の冷却処理を行う冷却処理部を予め前記複数の冷却処理部から選択して予約済冷却処理部として記憶し、前記基板を前記１つ以上の加熱処理部のうちのいずれかの加熱処理部に搬送させて所定時間の加熱処理を行わせた後、直ちに前記基板を前記加熱処理部から前記予約済冷却処理部に搬送させて冷却処理を行わせるように前記基板搬送部を制御する搬送制御部と、を備え、前記搬送制御部は、前記加熱処理部にて前記基板に加熱処理が行われている間、前記基板に後続する基板の前記予約済冷却処理部への搬入を禁止することを特徴とする。

また、請求項２の発明は、順次投入される基板を所定時間加熱処理した後に冷却処理を行う基板処理装置において、基板に加熱処理を行う少なくとも１つ以上の加熱処理部と、基板に冷却処理を行う複数の冷却処理部と、前記少なくとも１つ以上の加熱処理部と前記複数の冷却処理部との間で基板を搬送する基板搬送部と、順次投入される基板のそれぞれを前記複数の冷却処理部のうちのいずれかに搬送させて当該冷却処理部を前記基板についての予約済冷却処理部として記憶した後、前記基板を前記予約済冷却処理部から前記１つ以上の加熱処理部のうちのいずれかの加熱処理部に搬送させて所定時間の加熱処理を行わせた後、直ちに前記基板を前記加熱処理部から前記予約済冷却処理部に搬送させて冷却処理を行わせるように前記基板搬送部を制御する搬送制御部と、を備え、前記搬送制御部は、前記加熱処理部にて前記基板に加熱処理が行われている間、前記基板に後続する基板の前記予約済冷却処理部への搬入を禁止することを特徴とする。

また、請求項３の発明は、請求項１または請求項２の発明に係る基板処理装置において、前記加熱処理部は、化学増幅型レジストが塗布された後に露光処理が行われた基板に対して露光後加熱処理を行うことを特徴とする。

また、請求項４の発明は、順次投入される基板を少なくとも１つ以上の加熱処理部のいずれかにて所定時間加熱処理した後に複数の冷却処理部のいずれかにて冷却処理を行う基板処理方法において、順次投入される基板のそれぞれについて加熱処理後の冷却処理を行う冷却処理部を予め前記複数の冷却処理部から選択して予約済冷却処理部として記憶する予約工程と、前記基板を前記１つ以上の加熱処理部のうちのいずれかの加熱処理部に搬送して所定時間の加熱処理を行う加熱工程と、前記加熱工程の後、直ちに前記基板を前記加熱処理部から前記予約済冷却処理部に搬送して冷却処理を行う冷却工程と、を備え、前記加熱処理部にて前記基板に加熱処理が行われている間、前記基板に後続する基板の前記予約済冷却処理部への搬入を禁止することを特徴とする。

また、請求項５の発明は、順次投入される基板を少なくとも１つ以上の加熱処理部のいずれかにて所定時間加熱処理した後に複数の冷却処理部のいずれかにて冷却処理を行う基板処理方法において、順次投入される基板のそれぞれを前記複数の冷却処理部のうちのいずれかに搬送して当該冷却処理部を前記基板についての予約済冷却処理部として記憶する予約工程と、前記基板を前記予約済冷却処理部から前記１つ以上の加熱処理部のうちのいずれかの加熱処理部に搬送して所定時間の加熱処理を行う加熱工程と、前記加熱工程の後、直ちに前記基板を前記加熱処理部から前記予約済冷却処理部に搬送して冷却処理を行う冷却工程と、を備え、前記加熱処理部にて前記基板に加熱処理が行われている間、前記基板に後続する基板の前記予約済冷却処理部への搬入を禁止することを特徴とする。

また、請求項６の発明は、請求項４または請求項５の発明に係る基板処理方法において、前記加熱工程では、化学増幅型レジストが塗布された後に露光処理が行われた基板に対して露光後加熱処理を行うことを特徴とする。

請求項１から請求項３の発明によれば、順次投入される基板のそれぞれについて加熱処理後の冷却処理を行う冷却処理部を予め予約済冷却処理部として記憶し、その基板をいずれかの加熱処理部に搬送させて所定時間の加熱処理を行わせた後、直ちにその基板を加熱処理部から予約済冷却処理部に搬送させて冷却処理を行わせ、加熱処理部にてその基板に加熱処理が行われている間、その基板に後続する基板の予約済冷却処理部への搬入を禁止するため、加熱処理後の基板を直ちに予約済冷却処理部に搬送して冷却処理を開始することができ、専用の冷却機構を設けることなくオーバーベークを確実に防止することができる。

また、請求項４から請求項６の発明によれば、順次投入される基板のそれぞれについて加熱処理後の冷却処理を行う冷却処理部を予め予約済冷却処理部として記憶し、その基板をいずれかの加熱処理部に搬送して所定時間の加熱処理を行い、加熱処理後直ちにその基板を加熱処理部から予約済冷却処理部に搬送して冷却処理を行い、加熱処理部にてその基板に加熱処理が行われている間、その基板に後続する基板の予約済冷却処理部への搬入を禁止するため、加熱処理後の基板を直ちに予約済冷却処理部に搬送して冷却処理を開始することができ、専用の冷却機構を設けることなくオーバーベークを確実に防止することができる。

本発明に係る基板処理装置の斜視図である。 図１の基板処理装置における処理ユニットの配置構成を示す図である。 制御部の構成を示すブロック図である。 図１の基板処理装置における処理動作の手順を示すフローチャートである。 基板の搬送経路を示すタイミングチャートである。 制御部に記憶された予約情報の一例を示す図である。 基板の搬送経路を示すタイミングチャートである。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。

まず、本発明に係る基板処理装置の全体構成について説明する。図１は、本発明に係る基板処理装置１の斜視図である。また、図２は、基板処理装置１における処理ユニットの配置構成を示す図である。なお、図１および図２にはそれらの方向関係を明確にするためＺ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系を付している。

この基板処理装置１は、別途設置されている露光装置（ステッパ）にて露光処理が終了した半導体ウェハー等の基板に対して現像処理を行う装置である。基板処理装置１にて処理対象となる基板には化学増幅型レジストのレジスト膜が塗布形成されており、そのレジスト膜に露光装置にてエキシマレーザを用いたパターン露光が行われた後の基板Ｗが基板処理装置１に投入される。なお、本発明に係る基板処理装置１の処理対象となる基板Ｗは半導体ウェハーに限定されるものではなく、液晶表示装置用ガラス基板やフォトマスク用ガラス基板等であっても良い。

本実施形態の基板処理装置１は、インデクサ１０、基板搬送部２０、第１処理部群３０および第２処理処理部群４０を備える。平面視長尺形状の基板搬送部２０は、その長手方向をＹ軸方向に沿わすように配置されている。基板搬送部２０を挟み込むようにして装置正面側（（＋Ｘ）側）に第１処理部群３０が設けられ、背面側（（−Ｘ）側）に第２処理部群４０が設けられている。また、基板搬送部２０の長手方向に沿った一端側（（−Ｙ）側）にはインデクサ１０が接続されている。

インデクサ１０は、装置外から受け取った未処理基板（露光済み基板）を装置内に搬入するとともに、現像処理の終了した処理済み基板を装置外に搬出する機能を有する。インデクサ１０は、複数のキャリアＣ（本実施形態では４個）を並べて載置する載置台１１と、各キャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出すとともに、各キャリアＣに処理済みの基板Ｗを収納するインデクサロボット１２と、を備えている。各キャリアＣは、複数枚の基板Ｗを多段に収納する棚構造を有している。なお、本実施形態のキャリアＣは収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ(open cassette)であるが、キャリアＣの形態はこれに限定されるものではなく、基板Ｗを密閉空間に収納するＦＯＵＰ(front opening unified pod)やＳＭＩＦ(Standard Mechanical Inter Face)ポッドであっても良い。

インデクサロボット１２は、４個のキャリアＣの配列方向（Ｘ軸方向）に沿って水平移動可能であるとともに昇降（Ｚ軸方向）移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能である。インデクサロボット１２は、基板Ｗを水平姿勢（基板Ｗの法線が鉛直方向に向く姿勢）にて保持する保持アーム１２ａを搭載している。保持アーム１２ａは前後にスライド移動可能とされている。よって、保持アーム１２ａは、Ｘ軸方向に沿った水平移動、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。これにより、インデクサロボット１２は、保持アーム１２ａを個別に各キャリアＣにアクセスさせて未処理の基板Ｗの取り出しおよび処理済みの基板Ｗの収納を行うとともに、保持アーム１２ａを基板搬送部２０との基板受渡位置Ｐに移動させて搬送ロボット２２との間で基板Ｗの受け渡しを行うことができる。

基板搬送部２０は、Ｙ軸方向に沿って延びる搬送路２１に搬送ロボット２２を配置している。搬送ロボット２２は、搬送路２１の長手方向（Ｙ軸方向）に沿って水平移動可能であるとともに昇降（Ｚ軸方向）移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能である可動台２２ｂを備えている。可動台２２ｂには、基板Ｗを水平姿勢で保持する２つの搬送アーム２２ａ，２２ａが上下２段に近接されて搭載されている。搬送アーム２２ａ，２２ａは、可動台２２ｂに内蔵された駆動機構によって相互に独立して前後にスライド移動可能とされている。よって、搬送アーム２２ａ，２２ａのそれぞれは、Ｙ軸方向に沿った水平移動、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。これにより、搬送ロボット２２は、２個の搬送アーム２２ａ，２２ａをそれぞれ個別に第１処理部群３０の処理ユニット、第２処理部群４０の処理ユニットおよびインデクサ１０との基板受渡位置Ｐにアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。そして、搬送ロボット２２が第１処理部群３０または第２処理部群４０のいずれかの処理ユニットから取り出した基板Ｗを保持して他の処理ユニットに搬送することにより、処理ユニット間での基板Ｗの循環搬送が実行される。

第１処理部群３０は、３つの現像処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３を搬送路２１に接するようにＹ軸方向に沿って並設して構成されている。現像処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３のそれぞれは、基板Ｗを水平姿勢で吸着保持して水平面内にて回転させるスピンチャック、このスピンチャック上に保持された基板Ｗ上に現像液を供給するノズル、スピンチャックを回転駆動させるスピンモータおよびスピンチャック上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ等を備えている。３つの現像処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３は、同一処理工程における同一条件の処理を行う並行処理部であり、その並行処理数は”３”である。

一方、第２処理部群４０は、Ｙ軸方向に沿って３つの熱処理ユニットを並設したユニット層を４段積層して構成されている。すなわち、第２処理部群４０は、合計１２個の熱処理ユニットを備える。なお、図２においては、図示の便宜上Ｚ方向の積層をＸ方向に配列して平面的に示している。

下から順に第１段のユニット層には、加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持する３個の冷却ユニットＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３が設けられている。第２段のユニット層には、同様に３個の冷却ユニットＣＰ４，ＣＰ５，ＣＰ６が設けられている。これら冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ６は、筐体内に基板Ｗを載置して冷却するクーリングプレートを備えている。なお、冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３は、露光後ベーク処理後の基板Ｗを冷却する。また、冷却ユニットＣＰ４〜ＣＰ６は、現像処理後に加熱された基板Ｗを冷却する。

下から順に第３段のユニット層には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する３個の加熱ユニットＨＰ１，ＨＰ２，ＨＰ３が設けられている。そして、最上段のユニット層には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱して露光後ベーク処理を行う３個の加熱ユニットＰＥＢ１，ＰＥＢ２，ＰＥＢ３が設けられている。３個の加熱ユニットＨＰ１，ＨＰ２，ＨＰ３および３個の加熱ユニットＰＥＢ１，ＰＥＢ２，ＰＥＢ３は、筐体内に基板Ｗを載置して加熱するホットプレートを備えている。なお、加熱ユニットＨＰ１〜ＨＰ３は、現像処理後の基板Ｗに加熱処理を行う。これら３個の冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３、３個の冷却ユニットＣＰ４〜ＣＰ６、３個の加熱ユニットＰＥＢ１〜ＰＥＢ３および３個の加熱ユニットＨＰ１〜ＨＰ３のそれぞれも並行処理部であり、各並行処理部の並行処理数はいずれも”３”である。

また、基板処理装置１には、上記の種々の動作機構および処理ユニットを制御する制御部９が設けられている。図３は、制御部９の構成を示すブロック図である。制御部９のハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、制御部９は、各種演算処理を行うＣＰＵ９１、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ９２、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭ９３および制御用プログラムやデータなどを記憶しておく磁気ディスク９４をバスライン９９に接続して構成されている。

また、バスライン９９には、基板処理装置１に設けられた上記の搬送ロボット２２、加熱ユニットＰＥＢ１〜ＰＥＢ３，ＨＰ１〜ＨＰ３、冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ６および現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ３等が電気的に接続されている。制御部９のＣＰＵ９１は、磁気ディスク９４に格納された制御用プログラムを実行することにより、これらの各動作機構および処理ユニットを制御して基板処理装置１における熱処理および現像処理を行わせる。

さらに、バスライン９９には、コンソール１０ａが電気的に接続されている。コンソール１０ａは、インデクサ１０の側壁面に設けられており（図１参照）、各種情報の表示およびコマンドやパラメータの入力を受け付けるタッチパネル等を備える。なお、図２においては、インデクサ１０内部に制御部９を示しているが、制御部９の物理的は設置箇所はインデクサ１０内部に限定されるものではなく、基板処理装置１内の任意の箇所とすることができる。

次に、上記の構成を有する基板処理装置１における処理動作について説明する。図４は、基板処理装置１における処理動作の手順を示すフローチャートである。同図には、ロットに含まれる１枚の基板Ｗについての処理手順を示している。同図に示す処理手順は、処理フローを示すフローレシピに従って制御部９が基板処理装置１の各動作機構および処理ユニットを制御することによって進行される。本実施形態のフローレシピに示された処理フローは、露光処理が終了して投入された基板Ｗに対して露光後ベーク処理を行った後に冷却し、その基板Ｗに現像処理を行ってから加熱および冷却を行うというものである。

また、図５は、基板Ｗの搬送経路を示すタイミングチャートである。同図および以下の説明において、ロットの最初の基板を基板Ｗ１とし、２番目の基板を基板Ｗ２とし、３番目の基板を基板Ｗ３とし、以降同様にして順番に符号を付している。なお、特段に投入の順番を問題としないときには単に基板Ｗと総称する。

まず、基板処理装置１の外部から露光処理が終了した基板ＷがキャリアＣに収納された状態でＡＧＶ等によってインデクサ１０に搬入され、載置台１１に載置される。露光処理が行われる前に基板Ｗの表面には化学増幅型レジストのレジスト膜が塗布形成されており、そのレジスト膜にエキシマレーザを用いたパターン露光処理が行われ、レジスト膜のうち露光された部分には光化学反応によって酸が生成している。

次に、インデクサ１０から冷却ユニットＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３のいずれかに基板Ｗを搬送する（ステップＳ１）。具体的には、インデクサロボット１２が所定のキャリアＣから基板Ｗを取り出し、基板受渡位置Ｐにてその基板Ｗを搬送ロボット２２に渡す。そして、搬送ロボット２２が受け取った基板Ｗを冷却ユニットＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３のいずれかに搬送する。基板Ｗは冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３のうちポートが開放されている（空きフラグが立っている）ユニットに搬送されるが、通常はシリアル番号の小さい順から選択されて搬送される。例えば、ロットの最初の基板Ｗ１は冷却ユニットＣＰ１に搬送され、２番目の基板Ｗ２は冷却ユニットＣＰ２に搬送される。

ここで、冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３は、本来基板Ｗに対して冷却処理を行うユニットであるが、ステップＳ１の段階では冷却処理は行われない。基板Ｗは搬送ロボット２２によって冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３のいずれかに搬入され、クーリングプレートに対して昇降するリフトピンに渡された後、直ちに搬送ロボット２２によって搬出される。

また、基板Ｗが冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３のいずれかに搬入された時点で、その冷却ユニットを当該基板Ｗについて後述の露光後ベーク処理後の冷却処理を行うユニットとして予約し、予約済冷却ユニットとして制御部９の記憶部（ＲＡＭ９３または磁気ディスク９４）に記憶する（ステップＳ２）。例えば、最初の基板Ｗ１が冷却ユニットＣＰ１に搬入された時点で、冷却ユニットＣＰ１が基板Ｗ１についての露光後ベーク処理後の予約済冷却ユニットとして予約され、その予約情報が制御部９の記憶部に格納される。同様に、２番目の基板Ｗ２が冷却ユニットＣＰ２に搬入された時点で、冷却ユニットＣＰ２が基板Ｗ２についての予約済冷却ユニットとして予約され、その予約情報が制御部９の記憶部に格納される。さらに、３番目の基板Ｗ３が冷却ユニットＣＰ３に搬入された時点で、冷却ユニットＣＰ３が基板Ｗ３についての予約済冷却ユニットとして予約され、その予約情報が制御部９の記憶部に格納される。

図６は、制御部９に記憶された予約情報の一例を示す図である。順次投入される基板Ｗのそれぞれについて冷却ユニットＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３のいずれかが予約されて対応付けられている。例えば、最初の基板Ｗ１については冷却ユニットＣＰ１が対応付けられて記憶されており、２番目の基板Ｗ２については冷却ユニットＣＰ２が対応付けられて記憶されている。

このように、ステップＳ１での冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３への搬送は、基板Ｗに冷却処理を行うためのものではなく、露光後ベーク処理後の冷却処理を行う冷却ユニットを予約するための動作である。予約が行われた時点で、その予約済冷却ユニットのポートが予約中に変更される（予約済みフラグが立てられる）。例えば、冷却ユニットＣＰ１が基板Ｗ１についての予約済冷却ユニットとして予約された時点で、冷却ユニットＣＰ１のポートが予約中に変更される。図５において、実線にて示すのは実際の基板Ｗの搬送経路であり、点線にて示すのは予約中の冷却ユニットである。

次に、冷却ユニットＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３のいずれかに搬入された基板Ｗを搬送ロボット２２が当該冷却ユニットから加熱ユニットＰＥＢ１，ＰＥＢ２，ＰＥＢ３のいずれかに搬送する（ステップＳ３）。このときには、空いている加熱ユニットＰＥＢ１，ＰＥＢ２，ＰＥＢ３のうちシリアル番号の小さいものが順に選択され、その加熱ユニットに基板Ｗが搬送される。例えば、本実施形態では、最初の基板Ｗ１が冷却ユニットＣＰ１から加熱ユニットＰＥＢ１に搬送され、２番目の基板Ｗ２が冷却ユニットＣＰ２から加熱ユニットＰＥＢ２に搬送される。

加熱ユニットＰＥＢ１〜ＰＥＢ３では、基板Ｗの露光後ベーク処理が所定時間行われる（ステップＳ４）。露光後ベーク処理は、露光時の光化学反応によって化学増幅型レジストの膜中に生じた生成物を触媒としてレジスト樹脂の架橋等の連鎖反応を進行させ、現像液に対する溶解度を露光部分のみ局所的に変化させるための加熱処理である。レジスト膜中の連鎖反応は、露光後のレジスト膜が所定温度以上に昇温することによって進行し、レジスト膜が当該所定温度未満にまで降温すると停止する。レジスト膜中における連鎖反応の進行の程度は、現像処理後のパターン線幅に影響を与えるため、順次投入される基板間の線幅均一性を維持するためには所定時間の露光後ベーク処理が終了した基板Ｗを速やかに反応温度未満にまで冷却することが要求される。すなわち、露光後ベーク処理を行う加熱ユニットＰＥＢ１〜ＰＥＢ３におけるオーバーベークは許されない。

本実施形態においては、所定時間の露光後ベーク処理が終了した後、搬送ロボット２２が基板Ｗを加熱ユニットＰＥＢ１〜ＰＥＢ３からステップＳ２にて予約した冷却ユニットに搬送する（ステップＳ５）。このときには、露光後ベーク処理が終了した時点で他に空いている冷却ユニットが存在していたとしても、必ずその基板Ｗについて予約した予約済冷却ユニットに基板Ｗを搬送する。例えば、最初の基板Ｗ１の加熱ユニットＰＥＢ１における露光後ベーク処理が終了した時点では、冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３の全てが物理的には空いているが、基板Ｗ１はステップＳ２にて予約した冷却ユニットＣＰ１に必ず搬送する。同様に、露光後ベーク処理が終了した基板Ｗ２，Ｗ３はそれぞれステップＳ２で予約した冷却ユニットＣＰ２，ＣＰ３に必ず搬送する。具体的には、制御部９が記憶部内に格納されている予約情報（図６）を参照し、露光後ベーク処理が終了した基板Ｗを当該基板Ｗに対応付けられている予約済冷却ユニットに搬送するように搬送ロボット２２を制御する。

ここで、図５に示すように、基板Ｗ１の露光後ベーク処理が終了した時点においては、冷却ユニットＣＰ１の他に冷却ユニットＣＰ２，ＣＰ３も空いてはいるものの、これら冷却ユニットＣＰ２，ＣＰ３のポートは予約中である。ポートが予約中の冷却ユニットに対する他の基板の搬送は禁止されている。このため、露光後ベーク処理が終了した基板Ｗ１が後続の基板Ｗ２，Ｗ３について予約されている冷却ユニットＣＰ２，ＣＰ３に搬送されることは確実に防止される。

逆に、ポートが予約中の冷却ユニットＣＰ１に対する基板Ｗ１以外の基板搬送も禁止されているため、加熱ユニットＰＥＢ１にて基板Ｗ１に露光後ベーク処理が行われている間、後続の基板Ｗ２，Ｗ３やインデクサ１０からの基板Ｗ４が、基板Ｗ１について予約されている冷却ユニットＣＰ１に搬入されることも防止される。従って、基板Ｗ１の露光後ベーク処理が終了した時点において、基板Ｗ１について予約されている冷却ユニットＣＰ１が他の基板Ｗによって占有または予約されていることはあり得ず、露光後ベーク処理後の基板Ｗ１を直ちに予約済冷却ユニットに搬送することができる。

ステップＳ５での冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３への搬送は、露光後ベーク処理後の基板Ｗに冷却処理を行うためのものである。すなわち、ステップＳ５にて冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３に搬送された基板Ｗには、当該冷却ユニットにて冷却処理が行われる（ステップＳ６）。ステップＳ５にて冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３に基板Ｗが搬送されてステップＳ６の冷却処理が開始された時点で、その冷却ユニットのポートが使用中に変更される（使用中フラグが立てられる）。例えば、露光後ベーク処理後の基板Ｗ１が冷却ユニットＣＰ１に搬送されて冷却処理が開始された時点で、冷却ユニットＣＰ１のポートが使用中に変更される。この冷却処理によってレジスト膜が所定温度未満にまで降温し、レジスト膜中における連鎖反応が停止する。また、冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３において基板Ｗは現像処理前に一定温度に温調されることとなる。

所定時間の冷却処理が終了した後、搬送ロボット２２が基板Ｗを冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３から現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ３のいずれかに搬送する（ステップＳ７）。このときには、空いている現像処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３のうちのいずれかを選択し、その現像処理ユニットに基板Ｗを搬送すれば良い。例えば、本実施形態では、最初の基板Ｗ１が冷却ユニットＣＰ１から現像処理ユニットＳＤ１に搬送され、２番目の基板Ｗ２が冷却ユニットＣＰ２から現像処理ユニットＳＤ２に搬送される。冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３での冷却処理が終了した時点で、その冷却ユニットのポートが開放される（空きフラグが立てられる）。例えば、冷却ユニットＣＰ１における基板Ｗ１の冷却処理が終了した時点で、冷却ユニットＣＰ１のポートが開放される。冷却ユニットＣＰ１のポートが開放されることによって、後続の基板Ｗ４を冷却ユニットＣＰ１に搬送し、その冷却ユニットＣＰ１を基板Ｗ４についての露光後ベーク処理後の冷却処理を行うユニットとして予約することが可能となる（図５参照）。なお、ステップＳ７で基板Ｗ１を冷却ユニットＣＰ１から取り出す際、２個の搬送アーム２２ａ，２２ａを使って基板Ｗ１と基板Ｗ４とを入れ替える。図５中の３つの下向き矢印は、基板Ｗ１と基板Ｗ４、基板Ｗ２と基板Ｗ５、基板Ｗ３と基板Ｗ６の入れ替えタイミングをそれぞれ示している。

現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ３では、基板Ｗに現像液を供給して現像処理を進行させる（ステップＳ８）。現像処理では、パターン露光時におけるレジスト膜の露光部分または非露光部分のみが現像液によって溶解される。やがて現像処理が終了した後、搬送ロボット２２が基板Ｗを現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ３から空いている加熱ユニットＨＰ１〜ＨＰ３のいずれかに搬送する。加熱ユニットＨＰ１〜ＨＰ３では、現像処理後にレジスト膜中に微量に残留している水分を完全に乾燥させるための加熱処理（ハードベーク）が行われる（ステップＳ９）。そして、所定時間の加熱処理が終了した後、搬送ロボット２２が基板Ｗを加熱ユニットＨＰ１〜ＨＰ３から空いている冷却ユニットＣＰ４〜ＣＰ６のいずれかに搬送する。冷却ユニットＣＰ４〜ＣＰ６では、ステップＳ９で加熱された基板Ｗの冷却処理が行われる（ステップＳ１０）。なお、図５においては、図示の便宜上、ステップＳ８の現像処理工程までを示しており、ステップＳ９の加熱処理以降の処理については省略している。

所定時間の冷却処理が終了した後、搬送ロボット２２が冷却ユニットＣＰ４〜ＣＰ６から基板Ｗを搬出して基板受渡位置Ｐにてその基板Ｗをインデクサロボット１２に渡す。そして、インデクサロボット１２が受け取った基板Ｗを処理済み基板として所定のキャリアＣに収納する。その後、所定枚数の処理済み基板Ｗが収納されたキャリアＣが装置外部に搬出されて基板処理装置１における一連の処理が完了する。

本実施形態においては、順次に投入される基板Ｗのそれぞれを空いている（ポートが開放されている）冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３のいずれかに搬送し、その冷却ユニットを当該基板Ｗについて露光後ベーク処理後の冷却処理を行うユニットとして予約し、その予約情報を制御部９の記憶部に記憶している。そして、冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３のいずれかを露光後ベーク処理前に事前予約した後に、基板Ｗをその冷却ユニットから加熱ユニットＰＥＢ１〜ＰＥＢ３のいずれかに搬送して露光後ベーク処理を行う。露光後ベーク処理の終了後は、基板Ｗをその加熱ユニットから事前予約しておいた予約済冷却ユニットに搬送して冷却処理を行う。

予め事前予約された予約済冷却ユニットについては、物理的には空いているもののポートが予約中となっているため、予約対象の基板Ｗ以外の基板の搬入および予約が禁止される。従って、露光後ベーク処理が終了した時点において、予約済冷却ユニットは確実に空いており、露光後ベーク処理後の基板Ｗを直ちにその予約済冷却ユニットに搬送して冷却処理を開始することが可能となる。これにより、露光後ベーク処理後の基板Ｗのオーバーベークを確実に防止することができる。

また、本実施形態において事前予約の対象となる冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３は、通常の処理フローにおいても露光後ベーク処理後の冷却処理を行うユニットである。すなわち、本実施形態では、露光後ベーク処理後の通常の冷却処理を行う冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３を露光後ベーク処理前に事前予約しているのであり、これら冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３は別途専用に設けた冷却機構ではない。従って、本実施形態のようにすれば、専用の冷却機構を設けて基板処理装置１のサイズを大型化することなくオーバーベークを確実に防止することができる。

また、露光後ベーク処理後の基板Ｗを冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３に設けられたクーリングプレートによって冷却することとなるため、現像処理前に基板Ｗを高い精度にて一定温度に温調することができる。

上述したような露光後ベーク処理後の冷却ユニットの事前予約を確実に実行するためには、予約対象となる冷却ユニットの数を露光後ベーク処理を行う加熱ユニットの数以上とする必要がある。本実施形態においては、露光後ベーク処理を行う３個の加熱ユニットＰＥＢ１，ＰＥＢ２，ＰＥＢ３と同数の３個の冷却ユニットＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３を設けているが、４個以上の冷却ユニットを設けていても良い。

また、第１処理部群３０および第２処理部群４０に含まれる全ての処理ユニット間の基板搬送を搬送ロボット２２によって行っているため、複数の搬送要求が同じタイミングで出されることもある。このような場合、制御部９は、ステップＳ５の加熱ユニットＰＥＢ１〜ＰＥＢ３から予約済冷却ユニットへの基板搬送を最優先して搬送ロボット２２に実行させる。このため、露光後ベーク処理後の基板Ｗを迅速に予約済冷却ユニットに搬送して冷却処理を開始することができ、露光後ベーク処理後の基板Ｗのオーバーベークを確実に防止することができる。また、露光後ベーク処理が終了してから冷却処理を開始するまでの時間を一定にすることができ、順次投入される複数の基板Ｗ間における線幅均一性のバラツキを抑制することができる。なお、ステップＳ５の基板搬送の次に優先度が高いのは、ステップＳ３の冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３から加熱ユニットＰＥＢ１〜ＰＥＢ３への基板搬送である。

ところで、基板処理装置１における基板処理のサイクル時間は、処理フローに含まれる各工程のサイクル時間（各工程を実行する処理ユニットの処理時間／当該処理ユニットの並行処理数）および（（加熱ユニットＰＥＢ１〜ＰＥＢ３での処理時間＋冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３での処理時間）／冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３の並行処理数）のうちの最も長いものとなる。サイクル時間とは、基板１枚当たりの見かけの処理時間であり、実質の処理時間に並行処理数を考慮した値である。例えば、本実施形態の例では、現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ３での現像処理に約１２０秒を必要とするが、これらは同一処理工程における同一条件の処理を行う並行処理部であって、その並行処理数は３であるため、現像処理工程のサイクル時間は１２０／３＝４０秒となる。すなわち、１つの現像処理ユニットでは１枚の基板Ｗの現像処理に１２０秒を要するが、装置全体としては３つの現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ３があるために、基板Ｗ１枚当たりの見かけの現像処理時間は４０秒となるのである（換言すれば、平均４０秒ごとに１枚の基板Ｗが現像処理される）。単位時間（例えば、１時間＝３６００秒）をこのサイクル時間で除した値が、単位時間当たりに装置が処理できる基板Ｗの枚数を示すスループットとなる。

基板処理装置１のサイクル時間として（（加熱ユニットＰＥＢ１〜ＰＥＢ３での処理時間＋冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３での処理時間）／冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３の並行処理数）を考慮するのは、冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３については実際の処理時間に加えて予約中の時間も使用中と同様に扱わなければならないためである。例えば、本実施形態の例では、加熱ユニットＰＥＢ１〜ＰＥＢ３における露光後ベーク処理の処理時間は約６０秒であり、冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３における冷却処理の処理時間も約６０秒である。従って、上記の値は、（６０＋６０）／３＝４０秒となる。

基板処理装置１のスループットを高めるためには、サイクル時間を短くすれば良い。サイクル時間を短くするには、各処理工程の並行処理数を増やせば良い。従来においては、オーバーベークが許されない露光後ベーク処理を実行する加熱ユニットのサイクル時間を最も長くする必要があったために、その並行処理数を安易に増やすことができなかったが、本発明によれば露光後ベーク処理後の基板Ｗを事前予約した冷却ユニットに直ちに搬送して迅速に冷却処理を開始することができるため、加熱ユニットＰＥＢ１〜ＰＥＢ３の並行処理数をも容易に増加することができる。もっとも、上述したように、予約対象となる冷却ユニットの数は露光後ベーク処理を行う加熱ユニットの数以上とする必要があるため、露光後ベーク処理を行う加熱ユニットの並行処理数を増加したときには、その後の冷却処理を行う冷却ユニットの並行処理数も増加する必要がある。これら露光後ベーク処理を行う加熱ユニットおよびその後の冷却処理を行う冷却ユニットの並行処理数を増加することにより、基板処理装置１のサイクル時間を短くしてスループットを高めることができる。

また、各処理ユニットの待機時間（処理を行っていない時間）をなるべく短くして処理効率を高めるためには、各処理工程におけるサイクル時間をなるべく均一にすれば良い。本実施形態においては、（（加熱ユニットＰＥＢ１〜ＰＥＢ３での処理時間＋冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３での処理時間）／冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３の並行処理数）と現像処理工程のサイクル時間とがともに４０秒であるため、これらの処理ユニットに無駄な待機時間がほとんど生じない。

以上、本発明の実施の形態について説明したが、この発明はその趣旨を逸脱しない限りにおいて上述したもの以外に種々の変更を行うことが可能である。例えば、上記各実施形態においては、露光後ベーク処理前の基板Ｗを実際に冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３のいずれかに搬送し、その冷却ユニットを当該基板Ｗについて露光後ベーク処理後の冷却処理を行うユニットとして事前予約していたが、基板Ｗを実際に搬送することなく事前予約のみ行うようにしても良い。すなわち、ステップＳ１にて基板Ｗを実際に冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３のいずれかに搬送するのは、冷却処理を行うためではなく、事前予約のためであるため、必ずしも実際に搬送する必要性は無い。このため、基板Ｗを実際に搬送することなく、冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３のいずれかを選択して当該基板Ｗについての露光後ベーク処理後の冷却処理を行うユニットとして事前予約のみ行うようにしても良い。

具体的には、ポートが開放されている冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３のいずれかを制御部９が選択し、基板Ｗをその冷却ユニットに仮想的に搬送し、その冷却ユニットを当該基板Ｗについての露光後ベーク処理後の冷却処理を行うユニットとして予約すれば良い。そして、上記実施形態と同様に、予約済冷却ユニットを含む予約情報は制御部９の記憶部に格納される。その後、実際の搬送動作としてインデクサ１０から加熱ユニットＰＥＢ１，ＰＥＢ２，ＰＥＢ３のいずれかに基板Ｗが搬送されて露光後ベーク処理が行われる。露光後ベーク処理が終了した後、加熱ユニットＰＥＢ１〜ＰＥＢ３から事前予約した冷却ユニットに当該基板Ｗが搬送される。以降の処理は上記実施形態と同様である。このようにしても、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。

集約すると、順次投入される基板Ｗのそれぞれについて露光後ベーク処理後の冷却処理を行う冷却ユニットを予め冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３から選択し、実際に基板Ｗをその冷却ユニットに搬送するか否かに関わらず、当該冷却ユニットを予約済冷却ユニットとして記憶すれば良い。そして、その基板Ｗを加熱ユニットＰＥＢ１〜ＰＥＢ３のいずれかに搬送して所定時間の露光後ベーク処理を行った後、当該基板Ｗを加熱ユニットから上記の予約済冷却ユニットに搬送して冷却処理を行うようにすれば良い。このようにしても、露光後ベーク処理後の基板Ｗを予約済冷却ユニットに直ちに搬送して迅速に冷却処理を開始することができるため、露光後ベーク処理後の基板Ｗのオーバーベークを確実に防止することができる。

また、本発明の適用対象は、露光後ベーク処理を行う加熱ユニットＰＥＢ１〜ＰＥＢ３とその後の冷却処理を行う冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３に限定されるものでは無く、オーバーベークが問題となる他の加熱処理に適用するようにしても良い。例えば、現像処理後の加熱処理を行う加熱ユニットＨＰ１〜ＨＰ３とその後の冷却処理を行う冷却ユニットＣＰ４〜ＣＰ６とに本発明を適用し、上記実施形態と同様に冷却ユニットＣＰ４〜ＣＰ６の事前予約を行うようにしても良い。このようにすれば、ハードベーク処理後の基板Ｗのオーバーベークを確実に防止することができる。

また、上記実施形態の基板処理装置１の構成は一例であり、異なる構成であっても良い。例えば、基板処理装置１をインターフェイスを介して露光装置（ステッパ）と連結し、露光処理後の基板Ｗを直接インターフェイスから順次に投入するようにしても良い。また、基板処理装置１に搭載する露光後ベーク処理用の加熱ユニットは３個に限定されるものではなく、少なくとも１個以上であれば良い。基板処理装置１に搭載する露光後ベーク処理後の冷却処理を行う冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ３も３個に限定されるものではないが、露光後ベーク処理を行う加熱ユニットの数以上とする必要があるため、複数であることが好ましい。

図７は、冷却ユニットが４個（ＣＰ１〜ＣＰ４）、加熱ユニットが２個（ＰＥＢ１〜ＰＥＢ２）、現像処理ユニットが２個（ＳＤ１〜ＳＤ２）の場合の基板の搬送経路を示すタイミングチャートである。図４のフローチャートに従って、基板ＷにはステップＳ１からステップＳ１０の処理が行われる。図５に示したタイミングチャートと同様に、基板Ｗはインデクサ１０から予約されていない空きのある冷却ユニットＣＰ１〜ＣＰ４のいずれかに順次搬送され、当該冷却ユニットが予約される。そして、その基板Ｗは加熱ユニットＰＥＢ１，ＰＥＢ２のいずれかに搬送されて露光後ベーク処理が行われた後、先に予約した予約済冷却ユニットに搬送されて冷却処理が行われる。図７中の２個の下向き矢印は、基板Ｗの入れ替えタイミングを示している。

また、基板処理装置１にレジスト塗布処理を行う塗布処理ユニット並びに塗布処理後の加熱処理を行う加熱ユニットおよびその後の冷却処理を行う冷却ユニットを搭載するようにしても良い。このような装置構成においては、レジスト塗布処理によってレジスト膜が形成された基板Ｗに加熱処理を行ってレジスト中の溶媒成分を蒸発させる塗布後ベーク処理(Post-Applied-Bake)に本発明を適用するようにしても良い。

また、本発明に係る基板処理技術によって処理対象となる基板Ｗは半導体ウェハーに限定されるものではなく、液晶表示装置などに用いるガラス基板や太陽電池用の基板であっても良い。

１ 基板処理装置
９ 制御部
１０ インデクサ
１２ インデクサロボット
２０ 基板搬送部
２２ 搬送ロボット
３０ 第１処理部群
４０ 第２処理部群
Ｃ キャリア
ＣＰ１，ＣＰ２，ＣＰ３，ＣＰ４，ＣＰ５，ＣＰ６ 冷却ユニット
ＨＰ１，ＨＰ２，ＨＰ３ 加熱ユニット
ＰＥＢ１，ＰＥＢ２，ＰＥＢ３ 加熱ユニット
ＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３ 現像処理ユニット
Ｗ 基板

Claims (6)

1. 順次投入される基板を所定時間加熱処理した後に冷却処理を行う基板処理装置であって、
   基板に加熱処理を行う少なくとも１つ以上の加熱処理部と、
   基板に冷却処理を行う複数の冷却処理部と、
   前記少なくとも１つ以上の加熱処理部と前記複数の冷却処理部との間で基板を搬送する基板搬送部と、
   順次投入される基板のそれぞれについて加熱処理後の冷却処理を行う冷却処理部を予め前記複数の冷却処理部から選択して予約済冷却処理部として記憶し、前記基板を前記１つ以上の加熱処理部のうちのいずれかの加熱処理部に搬送させて所定時間の加熱処理を行わせた後、直ちに前記基板を前記加熱処理部から前記予約済冷却処理部に搬送させて冷却処理を行わせるように前記基板搬送部を制御する搬送制御部と、
   を備え、
   前記搬送制御部は、前記加熱処理部にて前記基板に加熱処理が行われている間、前記基板に後続する基板の前記予約済冷却処理部への搬入を禁止することを特徴とする基板処理装置。
2. 順次投入される基板を所定時間加熱処理した後に冷却処理を行う基板処理装置であって、
   基板に加熱処理を行う少なくとも１つ以上の加熱処理部と、
   基板に冷却処理を行う複数の冷却処理部と、
   前記少なくとも１つ以上の加熱処理部と前記複数の冷却処理部との間で基板を搬送する基板搬送部と、
   順次投入される基板のそれぞれを前記複数の冷却処理部のうちのいずれかに搬送させて当該冷却処理部を前記基板についての予約済冷却処理部として記憶した後、前記基板を前記予約済冷却処理部から前記１つ以上の加熱処理部のうちのいずれかの加熱処理部に搬送させて所定時間の加熱処理を行わせた後、直ちに前記基板を前記加熱処理部から前記予約済冷却処理部に搬送させて冷却処理を行わせるように前記基板搬送部を制御する搬送制御部と、
   を備え、
   前記搬送制御部は、前記加熱処理部にて前記基板に加熱処理が行われている間、前記基板に後続する基板の前記予約済冷却処理部への搬入を禁止することを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項１または請求項２に記載の基板処理装置において、
   前記加熱処理部は、化学増幅型レジストが塗布された後に露光処理が行われた基板に対して露光後加熱処理を行うことを特徴とする基板処理装置。
4. 順次投入される基板を少なくとも１つ以上の加熱処理部のいずれかにて所定時間加熱処理した後に複数の冷却処理部のいずれかにて冷却処理を行う基板処理方法であって、
   順次投入される基板のそれぞれについて加熱処理後の冷却処理を行う冷却処理部を予め前記複数の冷却処理部から選択して予約済冷却処理部として記憶する予約工程と、
   前記基板を前記１つ以上の加熱処理部のうちのいずれかの加熱処理部に搬送して所定時間の加熱処理を行う加熱工程と、
   前記加熱工程の後、直ちに前記基板を前記加熱処理部から前記予約済冷却処理部に搬送して冷却処理を行う冷却工程と、
   を備え、
   前記加熱処理部にて前記基板に加熱処理が行われている間、前記基板に後続する基板の前記予約済冷却処理部への搬入を禁止することを特徴とする基板処理方法。
5. 順次投入される基板を少なくとも１つ以上の加熱処理部のいずれかにて所定時間加熱処理した後に複数の冷却処理部のいずれかにて冷却処理を行う基板処理方法であって、
   順次投入される基板のそれぞれを前記複数の冷却処理部のうちのいずれかに搬送して当該冷却処理部を前記基板についての予約済冷却処理部として記憶する予約工程と、
   前記基板を前記予約済冷却処理部から前記１つ以上の加熱処理部のうちのいずれかの加熱処理部に搬送して所定時間の加熱処理を行う加熱工程と、
   前記加熱工程の後、直ちに前記基板を前記加熱処理部から前記予約済冷却処理部に搬送して冷却処理を行う冷却工程と、
   を備え、
   前記加熱処理部にて前記基板に加熱処理が行われている間、前記基板に後続する基板の前記予約済冷却処理部への搬入を禁止することを特徴とする基板処理方法。
6. 請求項４または請求項５に記載の基板処理方法において、
   前記加熱工程では、化学増幅型レジストが塗布された後に露光処理が行われた基板に対して露光後加熱処理を行うことを特徴とする基板処理方法。

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