JP2010129603A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】プロセスリスクの発生をレシピの作成段階で検知することを可能とする技術を提供する。
【解決手段】オペレータが新たなレシピを作成し、当該レシピを保存する旨の指示を入力すると、妥当性判断処理部９１が当該保存すべきレシピが妥当であるか否かを判断する。具体的には、レシピに記述された一連の処理工程の中に、当該処理工程の並行数を減じることにより、処理部内で基板が待機させられる待ち時間を短縮できる工程が含まれる場合に、当該レシピを妥当性に欠けるレシピと判断する。レシピが妥当でないと判断された場合、報知処理部９２がその旨をオペレータに報知する。また、オペレータからの指示に応じて、最適化処理部９３がレシピを最適化する。
【選択図】図８

Description

この発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板等（以下、単に「基板」という）に対して処理を行う技術に関する。

周知のように、半導体や液晶ディスプレイなどの製品は、上記基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理、ダイシングなどの一連の諸処理を施すことにより製造されている。これらの諸処理のうち、基板にレジスト塗布処理を行ってその基板を露光ユニットに渡すとともに、該露光ユニットから露光後の基板を受け取って現像処理を行う装置がいわゆるコータ＆デベロッパとして広く使用されている。

特許文献１には、このような装置の構成例が開示されている。ここに開示されている基板処理装置においては、複数の処理部（レジスト膜等の各種塗布膜の形成を行う処理部、現像処理を行う処理部、熱処理を行う熱処理部等）と、処理部間で基板を搬送する複数の搬送機構とがそれぞれ所定位置に配置される。制御部は、基板に対する処理の手順および処理の条件が記述された処理レシピ（以下、単に「レシピ」という）にしたがって、装置の各部を制御する。すなわち、各搬送機構にレシピに記述された順序で所定の処理部に基板を搬送させるとともに、各処理部にレシピに記述された処理条件で基板に対する処理を実行させる。これによって、レシピに記述された一連の処理プロセスが基板に施される。

ところで、オペレータが作成したレシピは、それに基づいて実際に基板処理が実行される前に、その妥当性がチェックされるのが一般的である。具体的には、レシピに記述された処理を実行可能な物理条件が揃っているか否か（例えば、指定された薬液が処理部にて使用可能か否か）がチェックされ、そこに記述された処理を物理的に実行できないようなレシピは、妥当性に欠くものとして検出される。

特開２００４−８７５７０号公報

ところが、たとえ、そこに記述された処理を物理的に実行可能な場合であっても、そのレシピが妥当とはいえない場合がある。例えば、当該レシピに基づく基板処理を実際に実行した際に、処理部内で基板が待機させられる時間（待ち時間）が長くなってしまうようなレシピは、プロセスリスクを発生させる可能性が高いレシピであり、妥当なレシピとはいえない。

従来においては、このようなプロセスリスクの観点からのレシピの妥当性チェックは、オペレータのノウハウに頼って行われていた。レシピの作成に熟練したオペレータであれば、レシピの作成段階で当該レシピにプロセスリスク発生の蓋然性があることに気付いてこれを修正することが可能であるが、レシピの作成に不慣れなオペレータにとってこれは容易なことではない。したがって、プロセスリスクの発生がレシピの作成段階で検知できずに見逃されてしまうことも多かった。

この発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、プロセスリスクの発生をレシピの作成段階で確実に検知することを可能とする技術を提供することを目的としている。

請求項１の発明は、処理レシピに記述された一連の処理工程を基板に施す基板処理装置であって、前記一連の処理工程のうちの１以上の処理工程のそれぞれについて、当該処理工程における同一条件の処理を並行して実行可能な複数の並行処理部と、前記処理レシピの妥当性を判断する妥当性判断手段と、を備え、前記処理レシピに、前記一連の処理工程のうちの前記並行処理部によって実行される並行処理のそれぞれについて、その処理工程の実行に用いるべき前記並行処理部の個数である並行数が規定されており、前記妥当性判断手段が、前記並行処理部内で基板が待機させられる待ち時間を算出する待ち時間算出手段と、前記一連の処理工程の中に、その処理工程について前記処理レシピに規定されている並行数より少ない並行数を採用した場合の前記待ち時間が、短くなり、かつ０以上の所定値以上の値を与える処理工程がある場合に、当該処理工程を非妥当処理工程として抽出する非妥当処理工程抽出手段と、前記一連の処理工程の中に前記非妥当工程が含まれる場合に、前記処理レシピを妥当性に欠けるレシピと判定する妥当性判定手段と、を備える。

請求項２の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記処理レシピが妥当性に欠けると判断された場合に、前記非妥当処理工程の並行数を減じる修正を行って前記処理レシピを最適化する最適化手段、を備える。

請求項３の発明は、請求項１または２に記載の基板処理装置であって、前記妥当性判断手段が、オペレータから新たな処理レシピを保存する旨の指示を受け付けた際に、前記新たな処理レシピの妥当性を判断する。

請求項４の発明は、請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記処理レシピが妥当性に欠けると判断された場合に、オペレータにその旨を報知する報知手段、を備える。

請求項１〜４の発明によると、処理レシピに記述された一連の処理工程の中に、処理レシピに規定されている並行数より少ない並行数を採用した場合でも待ち時間が所定値以上残る処理工程が含まれる場合、すなわち、平行数を減じて待ち時間を短縮可能な処理工程が含まれる場合に、当該レシピを妥当性に欠けるレシピと判断することができるので、プロセスリスクの発生をレシピの作成段階で確実に検知することができる。

特に、請求項２の発明によると、妥当性に欠けると判断された処理レシピを最適化して妥当な処理レシピを得ることができるので、プロセスリスクの発生を未然に回避することができる。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。

〈１．全体構成〉
まず、本発明の実施の形態に係る基板処理装置の全体構成について説明する。図１は、本発明に係る基板処理装置１の平面図である。また、図２は基板処理装置１の液処理部の正面図であり、図３は熱処理部の正面図であり、図４は搬送ロボットおよび基板載置部の配置構成を示す図である。なお、図１および以降の各図にはそれらの方向関係を明確にするためＺ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系を適宜付している。

本実施形態の基板処理装置１は、半導体ウェハ等の基板Ｗにフォトレジスト膜を塗布形成するとともに、パターン露光後の基板Ｗに現像処理を行う装置（いわゆるコータ＆デベロッパ）である。なお、本発明に係る基板処理装置１の処理対象となる基板Ｗは半導体ウェハに限定されるものではなく、液晶表示装置用ガラス基板やフォトマスク用ガラス基板等であってもよい。

本実施形態の基板処理装置１は、インデクサブロック１０、バークブロック２０、レジスト塗布ブロック３０、現像処理ブロック４０およびインターフェイスブロック５０の５つの処理ブロックを一方向（Ｘ方向）に連設して構成されている。インターフェイスブロック５０には基板処理装置１とは別体の外部装置である露光ユニット（ステッパ）ＥＸＰが接続配置されている。露光ユニットＥＸＰは、ホストコンピュータ１００とＬＡＮ回線（図示省略）を経由して基板処理装置１と接続されている。

インデクサブロック１０は、装置外から受け取った未処理基板を装置内に搬入するとともに、現像処理の終了した処理済み基板を装置外に搬出するための処理ブロックである。インデクサブロック１０は、複数のキャリアＣ（本実施形態では４個）を並べて載置する載置台１１と、各キャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出すとともに、各キャリアＣに処理済みの基板Ｗを収納するインデクサロボットＩＲと、を備えている。

インデクサロボットＩＲは、載置台１１に沿って（Ｙ軸方向に沿って）水平移動可能であるとともに昇降（Ｚ軸方向）移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能である可動台１２を備えている。可動台１２には、基板Ｗを水平姿勢で保持する２つの保持アーム１３ａ，１３ｂが搭載されている。保持アーム１３ａ，１３ｂは相互に独立して前後にスライド移動可能とされている。よって、保持アーム１３ａ，１３ｂのそれぞれは、Ｙ軸方向に沿った水平移動、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。これにより、インデクサロボットＩＲは、保持アーム１３ａ，１３ｂを個別に各キャリアＣにアクセスさせて未処理の基板Ｗの取り出しおよび処理済みの基板Ｗの収納を行うことができる。なお、キャリアＣの形態としては、基板Ｗを密閉空間に収納するＦＯＵＰ(front opening unified pod)の他に、ＳＭＩＦ(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ(open cassette)であってもよい。

インデクサブロック１０に隣接してバークブロック２０が設けられている。インデクサブロック１０とバークブロック２０との間には、雰囲気遮断用の隔壁１５が設けられている。この隔壁１５にインデクサブロック１０とバークブロック２０との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に積層して設けられている。

上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、インデクサブロック１０からバークブロック２０へ基板Ｗを搬送するために使用される。基板載置部ＰＡＳＳ１は３本の支持ピンを備えており、インデクサブロック１０のインデクサロボットＩＲはキャリアＣから取り出した未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１の３本の支持ピン上に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗを後述するバークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、バークブロック２０からインデクサブロック１０へ基板Ｗを搬送するために使用される。基板載置部ＰＡＳＳ２も３本の支持ピンを備えており、バークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１は処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２の３本の支持ピン上に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板ＷをインデクサロボットＩＲが受け取ってキャリアＣに収納する。なお、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１０の構成も基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同じである。

基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２は、隔壁１５の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて、インデクサロボットＩＲや搬送ロボットＴＲ１が基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。

次に、バークブロック２０について説明する。バークブロック２０は、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、フォトレジスト膜の下地に反射防止膜を塗布形成するための処理ブロックである。バークブロック２０は、基板Ｗの表面に反射防止膜を塗布形成するための下地塗布処理部２１と、反射防止膜の塗布形成に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー２２，２３と、下地塗布処理部２１および熱処理タワー２２，２３に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ１とを備える。

バークブロック２０においては、搬送ロボットＴＲ１を挟んで下地塗布処理部２１と熱処理タワー２２，２３とが対向して配置されている。具体的には、下地塗布処理部２１が装置正面側（（−Ｙ）側）に、２つの熱処理タワー２２，２３が装置背面側（（＋Ｙ）側）に、それぞれ位置している。また、熱処理タワー２２，２３の正面側には図示しない熱隔壁を設けている。下地塗布処理部２１と熱処理タワー２２，２３とを隔てて配置するとともに熱隔壁を設けることにより、熱処理タワー２２，２３から下地塗布処理部２１に熱的影響を与えることを回避しているのである。

図２に示すように、下地塗布処理部２１は同様の構成を備えた４つの塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ４を上下に積層配置して構成されている。塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ４のそれぞれは、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック２６、このスピンチャック２６上に保持された基板Ｗ上に反射防止膜用の塗布液を吐出する塗布ノズル２７、スピンチャック２６を回転駆動させるスピンモータ（図示省略）およびスピンチャック２６上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。

図３に示すように、熱処理タワー２２には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する２個の加熱ユニットＨＰ２２１，ＨＰ２２２、加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持する２個の冷却ユニットＣＰ２２１，ＣＰ２２２およびレジスト膜と基板Ｗとの密着性を向上させるためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の蒸気雰囲気中で基板Ｗを熱処理する３個の密着強化処理ユニットＡＨＬ２２１〜ＡＨＬ２２３が上下に積層配置されている。一方、熱処理タワー２３にも２個の加熱ユニットＨＰ２３１，ＨＰ２３２および２個の冷却ユニットＣＰ２３１，ＣＰ２３２が上下に積層配置されている。なお、図３において「×」印で示した箇所には配管配線部や、予備の空きスペースが割り当てられている（後述する他の熱処理タワーについても同じ）。

図４に示すように、搬送ロボットＴＲ１は、基板Ｗを略水平姿勢で保持する搬送アーム２４ａ，２４ｂを上下２段に近接させて備えている。搬送アーム２４ａ，２４ｂのそれぞれは、先端部が平面視で「Ｃ」字形状になっており、この「Ｃ」字形状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピンで基板Ｗの周縁を下方から支持するようになっている。搬送アーム２４ａ，２４ｂは搬送ヘッド２８に搭載されている。搬送ヘッド２８は、図示省略の駆動機構によって鉛直方向（Ｚ軸方向）に沿った昇降移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能である。また、搬送ヘッド２８は、図示省略のスライド機構によって搬送アーム２４ａ，２４ｂを互いに独立して水平方向に進退移動させることができる。よって、搬送アーム２４ａ，２４ｂのそれぞれは、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。これにより、搬送ロボットＴＲ１は、２個の搬送アーム２４ａ，２４ｂをそれぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２、熱処理タワー２２，２３に設けられた熱処理ユニット（加熱ユニットＨＰ２２１，ＨＰ２２２，ＨＰ２３１，ＨＰ２３２、冷却ユニットＣＰ２２１，ＣＰ２２２，ＣＰ２３１，ＣＰ２３２および密着強化処理ユニットＡＨＬ２２１〜ＡＨＬ２２３）、下地塗布処理部２１に設けられた４つの塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ４および後述する基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。

次に、レジスト塗布ブロック３０について説明する。バークブロック２０と現像処理ブロック４０との間に挟み込まれるようにしてレジスト塗布ブロック３０が設けられている。このレジスト塗布ブロック３０とバークブロック２０との間にも、雰囲気遮断用の隔壁２５が設けられている。この隔壁２５にバークブロック２０とレジスト塗布ブロック３０との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に積層して設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４は、上述した基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同様の構成を備えている。

上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、バークブロック２０からレジスト塗布ブロック３０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、バークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１が基板載置部ＰＡＳＳ３に載置した基板Ｗをレジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、レジスト塗布ブロック３０からバークブロック２０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ４に載置した基板Ｗをバークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１が受け取る。

基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４は、隔壁２５の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４の下側には、基板Ｗを大まかに冷却するための水冷式の２つのクールプレートＷＣＰが隔壁２５を貫通して上下に設けられていてもよい。

レジスト塗布ブロック３０は、反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジストを塗布してレジスト膜を形成するための処理ブロックである。なお、本実施形態では、フォトレジストとして化学増幅型レジストを用いている。レジスト塗布ブロック３０は、下地塗布された反射防止膜の上にレジストを塗布するレジスト塗布処理部３１と、レジスト塗布処理に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー３２，３３と、レジスト塗布処理部３１および熱処理タワー３２，３３に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ２とを備える。

レジスト塗布ブロック３０においては、搬送ロボットＴＲ２を挟んでレジスト塗布処理部３１と熱処理タワー３２，３３とが対向して配置されている。具体的には、レジスト塗布処理部３１が装置正面側に、２つの熱処理タワー３２，３３が装置背面側に、それぞれ位置している。また、熱処理タワー３２，３３の正面側には図示しない熱隔壁を設けている。レジスト塗布処理部３１と熱処理タワー３２，３３とを隔てて配置するとともに熱隔壁を設けることにより、熱処理タワー３２，３３からレジスト塗布処理部３１に熱的影響を与えることを回避しているのである。

図２に示すように、レジスト塗布処理部３１は同様の構成を備えた４つの塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ４を上下に積層配置して構成されている。塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ４のそれぞれは、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック３６、このスピンチャック３６上に保持された基板Ｗ上にフォトレジストの塗布液を吐出する塗布ノズル３７、スピンチャック３６を回転駆動させるスピンモータ（図示省略）およびスピンチャック３６上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。

図３に示すように、熱処理タワー３２には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する３個の加熱ユニットＨＰ３２１，ＨＰ３２２，ＨＰ３２３および加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持する２個の冷却ユニットＣＰ３２１，ＣＰ３２２が上下に積層配置されている。一方、熱処理タワー３３にも３個の加熱ユニットＨＰ３３１，ＨＰ３３２，ＨＰ３３３および２個の冷却ユニットＣＰ３３１，ＣＰ３３２が上下に積層配置されている。

図４に示すように、搬送ロボットＴＲ２は、搬送ロボットＴＲ１と同様の構成を備えており、基板Ｗを略水平姿勢で保持する搬送アーム３４ａ，３４ｂを上下２段に近接させて備えている。搬送アーム３４ａ，３４ｂは、「Ｃ」字形状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピンで基板Ｗの周縁を下方から支持する。搬送アーム３４ａ，３４ｂは搬送ヘッド３８に搭載されている。搬送ヘッド３８は、図示省略の駆動機構によって鉛直方向（Ｚ軸方向）に沿った昇降移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能である。また、搬送ヘッド３８は、図示省略のスライド機構によって搬送アーム３４ａ，３４ｂを互いに独立して水平方向に進退移動させることができる。よって、搬送アーム３４ａ，３４ｂのそれぞれは、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。これにより、搬送ロボットＴＲ２は、２個の搬送アーム３４ａ，３４ｂをそれぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４、熱処理タワー３２，３３に設けられた熱処理ユニット、レジスト塗布処理部３１に設けられた４つの塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ４および後述する基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。

次に、現像処理ブロック４０について説明する。レジスト塗布ブロック３０とインターフェイスブロック５０との間に挟み込まれるようにして現像処理ブロック４０が設けられている。この現像処理ブロック４０とレジスト塗布ブロック３０との間にも、雰囲気遮断用の隔壁３５が設けられている。この隔壁３５にレジスト塗布ブロック３０と現像処理ブロック４０との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に積層して設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６は、上述した基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同様の構成を備えている。

上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、レジスト塗布ブロック３０から現像処理ブロック４０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ５に載置した基板Ｗを現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、現像処理ブロック４０からレジスト塗布ブロック３０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ６に載置した基板Ｗをレジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２が受け取る。

基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６は、隔壁３５の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて、搬送ロボットＴＲ２，ＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６の下側には、基板Ｗを大まかに冷却するための水冷式の２つのクールプレートＷＣＰが隔壁３５を貫通して上下に設けられてもよい。

現像処理ブロック４０は、露光処理後の基板Ｗに対して現像処理を行うための処理ブロックである。現像処理ブロック４０は、パターンが露光された基板Ｗに対して現像液を供給して現像処理を行う現像処理部４１と、現像処理後の熱処理を行う熱処理タワー４２と、露光直後の基板Ｗに熱処理を行う熱処理タワー４３と、現像処理部４１および熱処理タワー４２に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ３とを備える。

図２に示すように、現像処理部４１は、同様の構成を備えた５つの現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５を上下に積層配置して構成されている。現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５のそれぞれは、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック４６、このスピンチャック４６上に保持された基板Ｗ上に現像液を供給するノズル４７、スピンチャック４６を回転駆動させるスピンモータ（図示省略）およびスピンチャック４６上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。

図３に示すように、熱処理タワー４２には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する２個の加熱ユニットＨＰ４２１，ＨＰ４２２および加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持する２個の冷却ユニットＣＰ４２１，ＣＰ４２２が上下に積層配置されている。一方、熱処理タワー４３には６個の加熱ユニットＨＰ４３１〜ＨＰ４３６および２個の冷却ユニットＣＰ４３１，ＣＰ４３２が上下に積層配置されている。熱処理タワー４３の加熱ユニットＨＰ４３１〜ＨＰ４３６は露光直後の基板Ｗに対して露光後加熱処理(Post Exposure Bake)を行う。熱処理タワー４３の加熱ユニットＨＰ４３１〜ＨＰ４３６および冷却ユニットＣＰ４３１，ＣＰ４３２に対してはインターフェイスブロック５０の搬送ロボットＴＲ４が基板Ｗの搬出入を行う。

また、熱処理タワー４３には、現像処理ブロック４０とインターフェイスブロック５０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して組み込まれている。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、現像処理ブロック４０からインターフェイスブロック５０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ７に載置した基板Ｗをインターフェイスブロック５０の搬送ロボットＴＲ４が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、インターフェイスブロック５０から現像処理ブロック４０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、インターフェイスブロック５０の搬送ロボットＴＲ４が基板載置部ＰＡＳＳ８に載置した基板Ｗを現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３が受け取る。なお、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８は、現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３およびインターフェイスブロック５０の搬送ロボットＴＲ４の両側に対して開口している。

搬送ロボットＴＲ３は、基板Ｗを略水平姿勢で保持する搬送アーム４４ａ，４４ｂを上下に近接させて備えている。搬送アーム４４ａ，４４ｂは、「Ｃ」字形状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピンで基板Ｗの周縁を下方から支持する。搬送アーム４４ａ，４４ｂは搬送ヘッド４８に搭載されている。搬送ヘッド４８は、図示省略の駆動機構によって鉛直方向（Ｚ軸方向）に沿った昇降移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能である。また、搬送ヘッド４８は、図示省略のスライド機構によって搬送アーム４４ａ，４４ｂを互いに独立して水平方向に進退移動させることができる。よって、搬送アーム４４ａ，４４ｂのそれぞれは、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。これにより、搬送ロボットＴＲ３は、２個の搬送アーム４４ａ，４４ｂをそれぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６、熱処理タワー４２に設けられた熱処理ユニット、現像処理部４１に設けられた５つの現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５および熱処理タワー４３の基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。

次に、インターフェイスブロック５０について説明する。インターフェイスブロック５０は、現像処理ブロック４０に隣接して配置され、レジスト膜が塗布形成された未露光の基板Ｗを基板処理装置１とは別体の外部装置である露光ユニットＥＸＰに渡すとともに、露光済みの基板Ｗを露光ユニットＥＸＰから受け取って現像処理ブロック４０に渡す処理ブロックである。インターフェイスブロック５０は、露光ユニットＥＸＰとの間で基板Ｗの受け渡しを行うための搬送機構ＩＦＲの他に、レジスト膜が形成された基板Ｗの周縁部を露光する２つのエッジ露光ユニットＥＥＷと、現像処理ブロック４０の熱処理タワー４３およびエッジ露光ユニットＥＥＷに対して基板Ｗを受け渡しする搬送ロボットＴＲ４とを備える。

エッジ露光ユニットＥＥＷは、図２に示すように、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック５６およびスピンチャック５６に保持された基板Ｗの周縁に光を照射して露光する光照射器５７などを備えている。２つのエッジ露光ユニットＥＥＷは、インターフェイスブロック５０の中央部に上下に積層配置されている。また、エッジ露光ユニットＥＥＷの下側には、２つの基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０、基板戻し用のリターンバッファＲＢＦおよび基板送り用のセンドバッファＳＢＦが上下に積層配置されている。上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は搬送ロボットＴＲ４から搬送機構ＩＦＲに基板Ｗを渡すために使用するものであり、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は搬送機構ＩＦＲから搬送ロボットＴＲ４に基板Ｗを渡すために使用するものである。

リターンバッファＲＢＦは、何らかの障害によって現像処理ブロック４０が露光済みの基板Ｗの現像処理を行うことができない場合に、現像処理ブロック４０の熱処理タワー４３で露光後加熱処理を行った後に、その基板Ｗを一時的に収納保管しておくものである。一方、センドバッファＳＢＦは、露光ユニットＥＸＰが未露光の基板Ｗの受け入れをできないときに、露光処理前の基板Ｗを一時的に収納保管するものである。リターンバッファＲＢＦおよびセンドバッファＳＢＦはいずれも複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚によって構成されている。なお、リターンバッファＲＢＦに対しては搬送ロボットＴＲ４がアクセスを行い、センドバッファＳＢＦに対しては搬送機構ＩＦＲがアクセスを行う。

現像処理ブロック４０の露光後ベーク処理部４３に隣接して配置されている搬送ロボットＴＲ４は、基板Ｗを略水平姿勢で保持する搬送アーム５４ａ，５４ｂを上下に近接させて備えており、その構成および動作機構は搬送ロボットＴＲ１〜ＴＲ３と全く同じである。また、搬送機構ＩＦＲは、Ｙ軸方向の水平移動、昇降移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能な可動台５２を備え、その可動台５２に基板Ｗを水平姿勢で保持する２つの保持アーム５３ａ，５３ｂを搭載している。保持アーム５３ａ，５３ｂは相互に独立して前後にスライド移動可能とされている。よって、保持アーム５３ａ，５３ｂのそれぞれは、Ｙ軸方向に沿った水平移動、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。

露光ユニットＥＸＰは、基板処理装置１にてレジスト塗布された露光前の基板Ｗを搬送機構ＩＦＲから受け取って露光処理を行う。露光ユニットＥＸＰにて露光処理の行われた基板Ｗは搬送機構ＩＦＲによって受け取られる。なお、露光ユニットＥＸＰは、投影光学系と基板Ｗとの間に屈折率の大きな液体（例えば、屈折率ｎ＝１．４４の純水）を満たした状態で露光処理を行う、いわゆる「液浸露光処理」に対応したものであってもよい。

以上のインデクサブロック１０、バークブロック２０、レジスト塗布ブロック３０、現像処理ブロック４０およびインターフェイスブロック５０には常に清浄空気がダウンフローとして供給されており、各ブロック内でパーティクルの巻き上がりや気流によるプロセスへの悪影響を回避している。また、各ブロック内は装置の外部環境に対して若干陽圧に保たれ、外部環境からのパーティクルや汚染物質の進入などを防いでいる。

また、上述したインデクサブロック１０、バークブロック２０、レジスト塗布ブロック３０、現像処理ブロック４０およびインターフェイスブロック５０は、基板処理装置１を機構的に分割した単位である。各ブロックは、各々個別のブロック用フレーム（枠体）に組み付けられ、各ブロック用フレームを連結して基板処理装置１が構成されている。

〈２．制御機構〉
基板処理装置１の制御機構について説明する。はじめに、「セル」について説明する。この実施の形態では、基板搬送に係る搬送制御単位（被制御区画）を、機械的に分割した「ブロック」とは別に構成しており、本明細書では、このような基板搬送に係る搬送制御単位を「セル」と称する。１つのセルは、基板搬送を担当する搬送ロボットと、その搬送ロボットによって基板が搬送されうる搬送対象部とを含んで構成されている。そして、上述した各基板載置部が、セル内に基板Ｗを受け入れるための入口基板載置部またはセルから基板Ｗを払い出すための出口基板載置部として機能する。すなわち、セル間の基板Ｗの受け渡しも基板載置部を介して行われる。なお、セルを構成する搬送ロボットとしては、インデクサブロック１０のインデクサロボットＩＲやインターフェイスブロック５０の搬送機構ＩＦＲも含まれる。

基板処理装置１には、インデクサセルＣ１、バークセルＣ２、レジスト塗布セルＣ３、現像処理セルＣ４、露光後ベークセルＣ５およびインターフェイスセルＣ６の６つのセルが含まれている。インデクサセルＣ１は、載置台１１とインデクサロボットＩＲとを含み、機械的に分割した単位であるインデクサブロック１０と結果的に同じ構成となっている。また、バークセルＣ２は、下地塗布処理部２１と２つの熱処理タワー２２，２３と搬送ロボットＴＲ１とを含む。このバークセルＣ２も、機械的に分割した単位であるバークブロック２０と結果として同じ構成になっている。さらに、レジスト塗布セルＣ３は、レジスト塗布処理部３１と２つの熱処理タワー３２，３３と搬送ロボットＴＲ２とを含む。このレジスト塗布セルＣ３も、機械的に分割した単位であるレジスト塗布ブロック３０と結果として同じ構成になっている。

一方、現像処理セルＣ４は、現像処理部４１と熱処理タワー４２と搬送ロボットＴＲ３とを含む。上述したように、搬送ロボットＴＲ３は熱処理タワー４３の加熱ユニットＨＰ４３１〜ＨＰ４３６および冷却ユニットＣＰ４３１，ＣＰ４３２に対してアクセスすることができず、現像処理セルＣ４に熱処理タワー４３は含まれない。この点において、現像処理セルＣ４は機械的に分割した単位である現像処理ブロック４０と異なる。

また、露光後ベークセルＣ５は、現像処理ブロック４０に位置する熱処理タワー４３と、インターフェイスブロック５０に位置するエッジ露光ユニットＥＥＷと搬送ロボットＴＲ４とを含む。すなわち、露光後ベークセルＣ５は、機械的に分割した単位である現像処理ブロック４０とインターフェイスブロック５０とにまたがるものである。このように露光後加熱処理を行う加熱ユニットＨＰ４３１〜ＨＰ４３６と搬送ロボットＴＲ４とを含んで１つのセルを構成しているので、露光後の基板Ｗを速やかに加熱ユニットＨＰ４３１〜ＨＰ４３６のいずれかに搬入して熱処理を行うことができる。このような構成は、パターンの露光を行った後なるべく速やかに加熱処理を行う必要のある化学増幅型レジストを使用した場合に好適である。

なお、熱処理タワー４３に含まれる基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８は現像処理セルＣ４の搬送ロボットＴＲ３と露光後ベークセルＣ５の搬送ロボットＴＲ４との間の基板Ｗの受け渡しのために介在する。

インターフェイスセルＣ６は、外部装置である露光ユニットＥＸＰに対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送機構ＩＦＲを含んで構成されている。このインターフェイスセルＣ６は、搬送ロボットＴＲ４やエッジ露光ユニットＥＥＷを含まない点で、機械的に分割した単位であるインターフェイスブロック５０とは異なる構成となっている。なお、エッジ露光ユニットＥＥＷの下方に設けられた基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０は露光後ベークセルの搬送ロボットＴＲ４とインターフェイスセルＣ６の搬送機構ＩＦＲとの間の基板Ｗの受け渡しのために介在する。

次に、基板処理装置１の制御機構について図５を参照しながら具体的に説明する。図５は、制御機構の概略を示すブロック図である。同図に示すように、この実施の形態の基板処理装置１は、メインコントローラＭＣ、セルコントローラＣＣ、ユニットコントローラの３階層からなる制御階層を備えている。メインコントローラＭＣ、セルコントローラＣＣ、ユニットコントローラのハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、各コントローラは、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用アプリケーションやデータなどを記憶しておく磁気ディスク等を備えている。

第１階層のメインコントローラＭＣは、基板処理装置全体に１つ設けられており、装置全体の管理、メインパネルＭＰの管理およびセルコントローラＣＣの管理を主に担当する。メインパネルＭＰは、メインコントローラＭＣのディスプレイとして機能するものである。また、メインコントローラＭＣに対してはキーボードＫＢから種々のコマンドを入力することができる。なお、メインパネルＭＰをタッチパネルにて構成し、メインパネルＭＰからメインコントローラＭＣに入力作業を行うようにしてもよい。

第２階層のセルコントローラＣＣは、６つのセル（インデクサセルＣ１、バークセルＣ２、レジスト塗布セルＣ３、現像処理セルＣ３、露光後ベークセルＣ５およびインターフェイスセルＣ６）のそれぞれに対して個別に設けられている。各セルコントローラＣＣは、対応するセル内の基板搬送管理およびユニット管理を主に担当する。具体的には、各セルのセルコントローラＣＣは、所定の基板載置部に基板Ｗを置いたという情報を、隣のセルのセルコントローラＣＣに送り、その基板Ｗを受け取ったセルのセルコントローラＣＣは、当該基板載置部から基板Ｗを受け取ったという情報を元のセルのセルコントローラＣＣに返すという情報の送受信を行う。このような情報の送受信はメインコントローラＭＣを介して行われる。そして、各セルコントローラＣＣはセル内に基板Ｗが搬入された旨の情報を搬送ロボットコントローラＴＣに与え、該搬送ロボットコントローラＴＣが搬送ロボットを制御してセル内で基板Ｗを所定の手順にしたがって循環搬送させる。なお、搬送ロボットコントローラＴＣは、セルコントローラＣＣ上で所定のアプリケーションが動作することによって実現される制御部である。

また、第３階層のユニットコントローラとしては、例えばスピンコントローラやベークコントローラが設けられている。スピンコントローラは、セルコントローラＣＣの指示にしたがってセル内に配置されたスピンユニット（塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ４，ＳＣ１〜ＳＣ４および現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５）を直接制御するものである。具体的には、スピンコントローラは、例えばスピンユニットのスピンモータを制御して基板Ｗの回転数を調整する。また、ベークコントローラは、セルコントローラＣＣの指示にしたがってセル内に配置された熱処理ユニット（ホットプレート、クールプレート、加熱部等）を直接制御するものである。上述した現像処理ブロック４０の加熱ユニットＨＰ４３１〜ＨＰ４３６は露光後ベークセルＣ５のベークコントローラによって制御されている。

また、基板処理装置に設けられた３階層からなる制御階層のさらに上位の制御機構として、基板処理装置とＬＡＮ回線を介して接続されたホストコンピュータ１００が位置している（図１参照）。ホストコンピュータ１００は、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用アプリケーションやデータなどを記憶しておく磁気ディスク等を備えており、一般的なコンピュータと同様の構成を有している。また、表示部１０１および操作部１０２を備えており（図８参照）、オペレータは操作部１０２から種々のコマンドを入力することができる。ホストコンピュータ１００には、この実施の形態に係る基板処理装置１が通常複数台接続されている。ホストコンピュータ１００は、接続されたそれぞれの基板処理装置１に処理手順および処理条件を記述したレシピを渡す。ホストコンピュータ１００から渡されたレシピは各基板処理装置１のメインコントローラＭＣの記憶部（例えばメモリ）に記憶される。

なお、露光ユニットＥＸＰには、上記の基板処理装置の制御機構から独立した別個の制御部が設けられている。すなわち、露光ユニットＥＸＰは、基板処理装置のメインコントローラＭＣの制御下で動作しているものではなく、単体で独自の動作制御を行っているものである。もっとも、このような露光ユニットＥＸＰもホストコンピュータ１００から受け取ったレシピにしたがって動作制御を行っており、露光ユニットＥＸＰにおける露光処理と同期した処理を基板処理装置が行うこととなる。

〈３．処理動作〉
上述した通り、基板処理装置１において実行される処理動作は、ホストコンピュータ１００から受け取ったレシピの記述内容にしたがって図５に示す制御機構が各部を制御することにより実行される。

図６には、レシピの構成例が示されている。図６に示されるレシピを以下において「標準レシピＲ−ＳＴＤ」という。ここに例示されるように、レシピには、フローレシピとライブラリレシピとが含まれる。フローレシピとは、プロセスシーケンスを示す情報である。標準レシピＲ−ＳＴＤにおいては、フローレシピとして、処理工程step１〜処理工程step１３が記述されている。ライブラリレシピとは、各処理工程における制御パラメータ（温度、圧力、薬液の種類・流量、ガスの種類・流量、処理時間等の制御目標値）を示す情報である。標準レシピＲ−ＳＴＤにおいては、例えば、反射防止膜の塗布形成処理後の熱処理（処理工程step４）のライブラリレシピとして「２１５Ｃ６０ｓ」と記述されている。これは、当該処理工程で、目標温度が２１５度であり、処理時間が６０秒の加熱処理を実行すべきことを表している。

また、レシピには、各処理工程の「並行数」が記述されている。ただし、「並行数」とは、並行処理（同一処理工程における同一条件の処理を複数の処理部で並行して実行する処理）を行う処理部（並行処理ユニット）の台数である。上述した通り、この実施の形態に係る基板処理装置１には、各種の処理工程について並行処理を実行可能とすべく複数台の並行処理部が設けられており、例えばレジスト膜の塗布形成処理を行う処理部は４台（塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３，ＳＣ４）設けられている。一方、標準レシピＲ−ＳＴＤには、例えばレジスト膜の塗布形成処理（処理工程step６）を、３台の処理ユニットで並行して実行するように規定されている。すなわち、処理工程step６の並行数は「３」と記述されている。並行数が多くなると処理効率が向上するので、一連のプロセスの中でも特にスループットを律速する処理工程（処理に時間がかかる工程）の並行数は、多く設定することが望ましい。

次に、上記の基板処理装置１における基板処理の手順について簡単に説明する。以下においては、図６に例示される標準レシピＲ−ＳＴＤが与えられた場合に実行される処理の流れを説明する。

まず、装置外部から未処理の基板ＷがキャリアＣに収納された状態でＡＧＶ等によってインデクサブロック１０に搬入される。続いて、インデクサブロック１０から未処理の基板Ｗの払い出しが行われる（処理工程step１）。具体的には、インデクサロボットＩＲが所定のキャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出し、上側の基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。基板載置部ＰＡＳＳ１に未処理の基板Ｗが載置されると、バークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１がその基板Ｗを受け取って熱処理タワー２２，２３の冷却ユニットＣＰ２２１，ＣＰ２３１のいずれかに搬送する。冷却ユニットＣＰ２２１，ＣＰ２３１のそれぞれでは、基板Ｗに対する冷却処理（目標温度２２度、処理時間４０秒）が行われる（処理工程step２）。この処理工程step２は、２台の冷却ユニットＣＰ２２１，ＣＰ２３１で並行処理される。すなわち、処理工程step２の並行数は「２」である。

冷却された基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって冷却ユニットから下地塗布処理部２１の塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３のいずれかに搬送される。塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３のそれぞれでは、基板Ｗの表面に反射防止膜の塗布液が供給されて回転塗布される（処理工程step３）。この処理工程step３は、３台の塗布処理ユニットＢＲＣ１，ＢＲＣ２，ＢＲＣ３で並行処理される。すなわち、処理工程step３の並行数は「３」である。

塗布処理が終了した後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって熱処理タワー２２，２３の加熱ユニットＨＰ２２１，ＨＰ２２２，ＨＰ２３１のいずれかに搬送される。加熱ユニットＨＰ２２１，ＨＰ２２２，ＨＰ２３１のそれぞれでは、基板Ｗに対する加熱処理（目標温度２１５度、処理時間６０秒）が行われる（処理工程step４）。この加熱処理によって、塗布液が乾燥されて基板Ｗ上に下地の反射防止膜が焼成される。この処理工程step４は、３台の加熱ユニットＨＰ２２１，ＨＰ２２２，ＨＰ２３１で並行処理される。すなわち、処理工程step４の並行数は「３」である。

その後、搬送ロボットＴＲ１によって加熱ユニットから取り出された基板Ｗは熱処理タワー２２，２３の冷却ユニットＣＰ２２２，ＣＰ２３２のいずれかに搬送される。冷却ユニットＣＰ２２２，ＣＰ２３２では、基板Ｗに対する冷却処理（目標温度２２度、処理時間４０秒）が行われる（処理工程step５）。この処理工程step５は、２台の冷却ユニットＣＰ２２２，ＣＰ２３２で並行処理される。すなわち、処理工程step５の並行数は「２」である。冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって基板載置部ＰＡＳＳ３に載置される。

次に、反射防止膜が形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ３に載置されると、レジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２がその基板Ｗを受け取ってレジスト塗布処理部３１の塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ３のいずれかに搬送する。塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ３のそれぞれでは、基板Ｗにレジスト膜の塗布液が回転塗布される（処理工程step６）。本実施形態においては、レジストとして化学増幅型レジストが使用される。この処理工程step６は、３台の塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３で並行処理される。すなわち、処理工程step６の並行数は「３」である。

レジスト塗布処理が終了した後、塗布処理ユニットから搬出された基板Ｗは搬送ロボットＴＲ２によって熱処理タワー３２，３３の加熱ユニットＨＰ３２１〜ＨＰ３２３，ＨＰ３３１〜ＨＰ３３３のいずれかに搬送される。加熱ユニットＨＰ３２１〜ＨＰ３２３，ＨＰ３３１〜ＨＰ３３３のそれぞれでは、基板Ｗに対する加熱処理（目標温度１４０度、処理時間９０秒）が行われる（処理工程step７）。この加熱処理(Post Applied Bake)によって、塗布液が乾燥されて基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。この処理工程step７は、６台の加熱ユニットＨＰ３２１〜ＨＰ３２３，ＨＰ３３１〜ＨＰ３３３で並行処理される。すなわち、処理工程step７の並行数は「６」である。

その後、搬送ロボットＴＲ２によって加熱ユニットから取り出された基板Ｗは熱処理タワー３２，３３の冷却ユニットＣＰ３２１，ＣＰ３３１のいずれかに搬送される。冷却ユニットＣＰ３２１，ＣＰ３３１のそれぞれでは、基板Ｗに対する冷却処理（目標温度２２度、処理時間が４０秒）が行われる（処理工程step８）。この処理工程step８は、２台の冷却ユニットＣＰ３２１，ＣＰ３３１で並行処理される。すなわち、処理工程step８の並行数は「２」である。冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ２によって基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。

レジスト膜が形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されると、現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３がその基板Ｗを受け取ってそのまま基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗはインターフェイスブロック５０の搬送ロボットＴＲ４によって受け取られ、上下いずれかのエッジ露光ユニットＥＥＷに搬入される（処理工程step９）。エッジ露光ユニットＥＥＷにおいては、基板Ｗの端縁部の露光処理（エッジ露光処理）が行われる。エッジ露光処理が終了した基板Ｗは搬送ロボットＴＲ４によって基板載置部ＰＡＳＳ９に載置される。そして、基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗは搬送機構ＩＦＲによって受け取られ、露光ユニットＥＸＰに搬入され、パターン露光処理に供される。本実施形態では化学増幅型レジストを使用しているため、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜のうち露光された部分では光化学反応によって酸が生成する。

パターン露光処理が終了した露光済みの基板Ｗは露光ユニットＥＸＰから再びインターフェイスブロック５０に戻され、搬送機構ＩＦＲによって基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置される。露光後の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置されると、搬送ロボットＴＲ４がその基板Ｗを受け取って現像処理ブロック４０の熱処理タワー４３の加熱ユニットＨＰ４３１〜ＨＰ４３６のいずれかに搬送する。加熱ユニットＨＰ４３１〜ＨＰ４３６のそれぞれでは、基板Ｗに対する加熱処理（目標温度１０５度、処理時間が９０秒）が行われる（処理工程step１０）。この加熱処理によって、露光時の光化学反応によって生じた生成物を酸触媒としてレジストの樹脂の架橋・重合等の反応を進行させ、現像液に対する溶解度を露光部分のみ局所的に変化させるための露光後加熱処理(Post Exposure Bake)が行われる。この処理工程step１０は、６台の加熱ユニットＨＰ４３１〜ＨＰ４３６で並行処理される。すなわち、処理工程step１０の並行数は「６」である。

露光後加熱処理が終了した基板Ｗは、加熱ユニット内部の機構によって冷却されることにより上記化学反応が停止する。続いて基板Ｗは、搬送ロボットＴＲ４によって熱処理タワー４３の加熱ユニットから取り出され、基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。

基板載置部ＰＡＳＳ８に基板Ｗが載置されると、現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３がその基板Ｗを受け取って熱処理タワー４２の冷却ユニットＣＰ４２１，ＣＰ４２２のいずれかに搬送する。冷却ユニットＣＰ４２１，ＣＰ４２２のそれぞれでは、基板Ｗに対する冷却処理（目標温度２２度、処理時間４０秒）が行われる（処理工程step１１）。この冷却処理によって、露光後加熱処理が終了した基板Ｗがさらに冷却され、所定温度に正確に温調される。この処理工程step１１は、２台の冷却ユニットＣＰ４２１，ＣＰ４２２で並行処理される。すなわち、処理工程step１１の並行数は「２」である。

その後、搬送ロボットＴＲ３は、冷却ユニットから基板Ｗを取り出して現像処理部４１の現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５のいずれかに搬送する。現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５のそれぞれでは、基板Ｗに現像液を供給して現像処理を進行させる（処理工程step１２）。この処理工程step１２は、５台の現像処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４，ＳＤ５で並行処理される。すなわち、処理工程step１２の並行数は「５」である。

やがて現像処理が終了した後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ３によって基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２によってそのまま基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。さらに、基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは、バークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１によってそのまま基板載置部ＰＡＳＳ２に載置されることにより、インデクサブロック１０に格納される。基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された処理済みの基板ＷはインデクサロボットＩＲによって所定のキャリアＣに収納される（処理工程step１３）。その後、所定枚数の処理済み基板Ｗが収納されたキャリアＣが装置外部に搬出されて一連のフォトリソグラフィー処理が完了する。

〈４．レシピ変更〉
〈４−１．新たなレシピの作成〉
上述した通り、基板処理装置１において基板Ｗに対してどのような処理が施されるかは、レシピにより規定される。レシピは、予めオペレータにより作成され、ホストコンピュータ１００の記憶装置に格納されている。ところで、例えば、既存のレシピで示されるフローレシピにおいて新規のプロセスを行う場合（例えば、塗布処理に用いる薬液を変更する場合）、オペレータは、当該新規のプロセスに対応した新たなレシピを作成しなければならない。

一般にオペレータは、このような場合は、既存のレシピに基づいて新たなレシピを作成する。具体的には、ホストコンピュータ１００から元となる既存のレシピを読み出し、これをコピーする。そして、コピーにより得られたレシピに修正を加えることによって新たなプロセスに対応したレシピを作成する。そして、作成した新たなレシピをホストコンピュータ１００に保存する。

例えば、標準レシピＲ−ＳＴＤ（図６）にて示されるフローレシピにおいて、レジスト膜の塗布形成処理（処理工程step６）で使用される薬液を新規の薬液に変更する場合、オペレータは、次の方法で、この新規のプロセスに対応した新たなレシピ（テストレシピＲ−ＴＥＳＴ）を作成する。

まず、オペレータは、ホストコンピュータ１００から標準レシピＲ−ＳＴＤを読み出して、これをコピーする。続いて、３つの塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ３のうち、新規のプロセスにおけるレジスト膜の塗布形成処理（処理工程step６）で使用される新規の薬液がインストールされているものを特定する。新規の薬液がインストールされていない塗布処理ユニットがある場合、それは新規のプロセスには使用できないので、標準レシピＲ−ＳＴＤのコピーにより得られたレシピから削除する。例えば、「塗布処理ユニットＳＣ１」「塗布処理ユニットＳＣ２」「塗布処理ユニットＳＣ３」とナンバリングされた３台の塗布処理ユニットのうち、「塗布処理ユニットＳＣ１」にしか新規の薬液がインストールされていない場合、オペレータは、コピーにより得られたレシピから「塗布処理ユニットＳＣ２」「塗布処理ユニットＳＣ３」を削除する。こうして得られたレシピを、オペレータは、テストレシピＲ−ＴＥＳＴとしてホストコンピュータ１００に保存する。

図７には、上記の方法で作成されたテストレシピＲ−ＴＥＳＴが示されている。テストレシピＲ−ＴＥＳＴにおいては、処理工程step６は、１台の塗布処理ユニットＳＣ１で処理するように記述されている。すなわち、標準レシピＲ−ＳＴＤにおいて「３」であった処理工程step６の並行数は、テストレシピＲ−ＴＥＳＴにおいては「１」に変更されている。

〈４−２．レシピの妥当性〉
ところで、このようにして得られた新たなレシピは、一見、既存のレシピの実績を引き継いだレシピに見えるが、使用できるユニット数（並行数）が変更されているために各処理ユニット内での基板Ｗの待ち時間が大幅に増加している場合がある。

例えば、標準レシピＲ−ＳＴＤ（図６）と、これに基づいて作成された新たなレシピ（テストレシピＲ−ＴＥＳＴ（図７））とを比較してみる。レジスト膜の塗布形成処理（処理工程step６）の並行数は、標準レシピＲ−ＳＴＤでは「３」であるのに対し、テストレシピＲ−ＴＥＳＴでは「１」である。つまり、標準レシピＲ−ＳＴＤでは、処理工程step６を３並行処理で実行するので、当該処理に要する時間が例えば「９０秒」であるとすると、３０秒で１枚の基板Ｗを処理できることになる。一方、テストレシピＲ−ＴＥＳＴでは、９０秒で１枚の基板Ｗを処理することしかできない。したがって、テストレシピＲ−ＴＥＳＴの処理工程step６に係るサイクルタイム（搬送ロボットＴＲ２の１回の搬送サイクルに要する時間）は、標準レシピＲ−ＳＴＤの処理工程step６に係るサイクルタイムの３倍になってしまう。

ところで、この実施の形態に係る基板処理装置１においては、一連の処理プロセスに含まれる各処理工程が、同じサイクルタイム（レシピサイクルタイム）に揃えられることにより、タクト搬送が実現されているものとする。具体的には、レシピに含まれる各処理工程に係るサイクルタイムの中で最も長いサイクルタイムが、レシピサイクルタイムとして採用される。したがって、例えば、上述したレジスト膜の塗布形成処理（処理工程step６）が処理速度を律速している場合、他の処理工程のサイクルタイムも処理工程step６のサイクルタイムに揃えられる。

すなわち、標準レシピＲ−ＳＴＤにおいては、サイクルタイムは３０秒に揃えられる。すると、例えば反射防止膜の塗布形成処理（処理工程step３）は３台のユニット（塗布処理ユニットＢＲＣ１，ＢＲＣ２，ＢＲＣ３）で並行処理されるので、例えば塗布処理ユニットＢＲＣ１に搬入された基板Ｗは、当該ユニットに搬入されてから９０秒後に搬出されることになる。したがって、反射防止膜の塗布形成処理に例えば９０秒要する場合、塗布処理ユニットＢＲＣ１内での基板Ｗの待ち時間（すなわち、基板Ｗに対する反射防止膜の塗布形成処理が完了してから当該基板Ｗを塗布処理ユニットＢＲＣ１から搬出するまでの時間）は、ほぼゼロとなる。

一方、上記の例のテストレシピＲ−ＴＥＳＴにおいては、サイクルタイムは９０秒に揃えられる。すると、例えば、ここでも反射防止膜の塗布形成処理（処理工程step３）は３台のユニットで並行処理されるので、塗布処理ユニットＢＲＣ１に搬入された基板Ｗは、当該ユニットに搬入されてから２７０秒後に搬出されることになる。したがって、反射防止膜の塗布形成処理に例えば９０秒要する場合、塗布処理ユニットＢＲＣ１内での基板Ｗの待ち時間は、１８０秒という極端な長時間にわたってしまう。待ち時間がこのように長くなると、プロセスリスクの発生の危険がある。

このような長時間に及ぶ待ち時間を解消するためには、処理工程に係る並行数を少なくすればよい。

例えば、サイクルタイムが９０秒の場合、反射防止膜の塗布形成処理（処理工程step３）の並行数が「３」であればテストレシピＲ−ＴＥＳＴにおける基板Ｗの待ち時間は１８０秒もの長時間に及ぶ。しかしながら、当該処理に用いるユニットを「塗布処理ユニットＢＲＣ１」、「塗布処理ユニットＢＲＣ２」および「塗布処理ユニットＢＲＣ３」の３台から「塗布処理ユニットＢＲＣ１」および「塗布処理ユニットＢＲＣ２」の２台にして、並行数を「２」とすると、塗布処理ユニットＢＲＣ１に搬入された基板Ｗは、当該ユニットに搬入されてから１８０秒後に搬出されることになるので、サイクルタイムが同じでも、基板Ｗの待ち時間は９０秒まで短縮される。

このように、新たに作成されたレシピにおいては、使用できるユニット数が変更された結果、そこに記述された一連の処理プロセスに含まれる処理工程の中に、当該処理工程の並行数が不適当であるために、基板Ｗの待ち時間が不当に長期化しているもの（すなわち、その処理工程の並行数を減じることにより、処理ユニット内での基板Ｗの待ち時間を短縮できる処理工程）が含まれている可能性がある。以下において、このような処理工程を「非妥当処理工程」という。また、非妥当処理工程を含むレシピを「非妥当レシピ」という。

この実施の形態に係る基板処理装置１は、新たに作成されたレシピが非妥当レシピであるか否かを判断する機能部（妥当性判断処理部９１）を有している。また、新たに作成されたレシピが非妥当レシピである場合に、それをオペレータに報知する機能部（報知処理部９２）を有している。さらに、非妥当レシピを最適化して妥当なレシピに修正する機能部（最適化処理部９３）を有している。以下において、これら各部について図８を参照しながら具体的に説明する。図８は、レシピの妥当性チェックに関する機能部を示すブロック図である。なお、これら各部は、ホストコンピュータ１００において、記憶媒体等に記憶されている所定のプログラムが実行されることにより実現されてもよいし、専用のハードウェアによって実現されてもよい。

〈妥当性判断処理部９１〉
妥当性判断処理部９１は、レシピが妥当であるか否かを判断する。妥当性判断処理部９１は、待ち時間算出部９１１と、非妥当処理工程抽出部９１２と、妥当性判定部９１３とを備える。

待ち時間算出部９１１は、判定対象となるレシピに含まれる各処理工程について、基板Ｗの待ち時間を算出する。例えば、テストレシピＲ−ＴＥＳＴ（図７）の反射防止膜の塗布形成処理（処理工程step３）において基板Ｗが塗布処理ユニットＢＲＣ１内で待機させられる待ち時間は、「（基板Ｗが塗布処理ユニットＢＲＣ１に搬入されてから搬出されるまでの時間）−（処理に要する時間）」で算出できる。ただし、「（基板Ｗが塗布処理ユニットＢＲＣ１に搬入されてから搬出されるまでの時間）」は、「（レシピサイクルタイム）＊（並行数）」で算出される。例えばレシピサイクルタイムが「９０秒」であり、処理に要する時間が「９０秒」であるとする。この場合、テストレシピＲ−ＴＥＳＴに記述された反射防止膜の塗布形成処理（処理工程step３）の並行数は「３」であるので、この工程の待ち時間は「１８０秒」と算出される。

非妥当処理工程抽出部９１２は、判定対象となるレシピに記述された一連の処理プロセスに含まれる処理工程のそれぞれが、非妥当処理工程であるか否かを判断し、非妥当処理工程であると判断した場合にこれを抽出する。処理工程が非妥当処理工程であるか否かの判断は、具体的には、当該処理工程の並行数（判定対象となるレシピに記述された並行数）を１つ減らした場合の待ち時間が、所定値（ただし、所定値は「０」以上の値であり、例えば「０」）以上であるか否かを判断することによって行う。すなわち、並行数を１つ減らしても待ち時間が所定値以上（例えば、「０」以上）ある場合（これは、並行数を１つ減らすことによって待ち時間を短縮可能であることを意味している）、非妥当処理工程抽出部９１２は、当該処理工程は非妥当工程であると判断する。逆に、並行数を減らした場合の待ち時間が所定値より少なくなる場合（例えばマイナスの値になる場合）（これは、並行数を１つ減らすことが不可能であることを意味している）、非妥当処理工程抽出部９１２は、当該処理工程は妥当工程であると判断する。

例えば、テストレシピＲ−ＴＥＳＴ（図７）の反射防止膜の塗布形成処理（処理工程step３）は、並行数が「３」と規定されている。この場合、非妥当処理工程抽出部９１２は、並行数を１つ減らして「２」とした場合の待ち時間を待ち時間算出部９１１に算出させる。レシピサイクルタイムが「９０秒」、処理に要する時間が「９０秒」であるとすると、待ち時間算出部９１１は、並行数が「２」の場合の待ち時間を「９０秒」と算出する。したがってこの場合、非妥当処理工程であるか否かの判断に係る閾値が「０」であるとすると、非妥当処理工程抽出部９１２は、処理工程step３を非妥当処理工程と判断する。

妥当性判定部９１３は、判定対象となるレシピが非妥当レシピであるか否かを判定する。具体的には、判定対象となるレシピに非妥当処理工程が含まれている場合に、当該レシピを非妥当レシピと判定する。

〈報知処理部９２〉
報知処理部９２は、判定対象となるレシピが非妥当レシピと判断された場合に、その旨をオペレータに報知する。報知の方法はどのようなものであってもよいが、例えば、所定の警告メッセージ（例えば、「保存しようとしているレシピには長い待ち時間の処理工程が含まれます」とのメッセージ）を表示部１０１に表示する。報知処理部９２は、さらに、非妥当レシピと判断されたレシピを最適化して妥当なレシピに修正する処理（最適化処理）を実行するか否かを、オペレータに選択させるメッセージ（例えば、「レシピを最適化しますか？」とのメッセージ）を併せて表示する。

〈最適化処理部９３〉
最適化処理部９３は、非妥当レシピに対して最適化処理を実行する。最適化処理は、レシピに含まれる非妥当処理工程の並行数を適切な数（適正並行数）に修正することによって行われる。ただし、適正並行数とは、所定値（ただし、所定値は「０」以上の値であり、例えば「０」）以上であって、最小の待ち時間を与える並行数である。

例えば、上記の例においては、テストレシピＲ−ＴＥＳＴ（図７）の反射防止膜の塗布形成処理（処理工程step３）が非妥当処理工程と判断されている。この場合、処理工程step３の適正並行数が「２」とされる場合は、最適化処理部９３は、処理工程step３の並行数を「３」から「２」に減らす。具体的には、テストレシピＲ−ＴＥＳＴの「step３」の処理工程に用いられるユニットが「塗布処理ユニットＢＲＣ１」、「塗布処理ユニットＢＲＣ２」および「塗布処理ユニットＢＲＣ３」とされているところを、「塗布処理ユニットＢＲＣ３」を削除して「塗布処理ユニットＢＲＣ１」と「塗布処理ユニットＢＲＣ２」とのみを「step３」の処理工程に用いるユニットとして残す。これによって、処理工程step３の並行数が適正化され、基板Ｗの待ち時間が短縮される。つまり、処理工程step３が妥当な処理工程に修正される。

なお、処理工程step３の適正並行数が「１」とされる場合は、最適化処理部９３は、テストレシピＲ−ＴＥＳＴの「step３」の処理工程に用いられるユニットから「塗布処理ユニットＢＲＣ２」および「塗布処理ユニットＢＲＣ３」を削除して、処理工程step３の並行数を「３」から「１」に減らすことになる。

〈４−３．処理の流れ〉
次に、上記の各機能部により実行される処理の流れについて、図９を参照しながら説明する。図９は、レシピの妥当性チェックに関する処理の流れを示す図である。

オペレータが、新たなレシピを作成し、当該レシピを保存する旨の指示を操作部１０２を介して入力すると（ステップＳ１でＹＥＳ）、妥当性判断処理部９１が、当該保存すべきレシピを判定対象レシピとし、これが妥当であるか否かを判断する（ステップＳ２）。

ステップＳ２の判断処理の流れについて、図１０を参照しながら説明する。図１０は、レシピの妥当性を判断する処理の流れを示す図である。まず、非妥当処理工程抽出部９１２が、判定対象レシピに記述された一連の処理プロセスに含まれる処理工程の中から１個の処理工程を抽出し（ステップＳ２１）、これが非妥当処理工程であるか否かを判断する（ステップＳ２２）。

ステップＳ２１で抽出された処理工程が非妥当処理工程であると判断された場合（ステップＳ２２でＹＥＳ）、妥当性判定部９１３は、判定対象レシピは妥当でない（非妥当レシピである）と判定する（ステップＳ２３）。

ステップＳ２１で抽出された処理工程が非妥当処理工程ではないと判断され（ステップＳ２２でＮＯ）、判定対象レシピに記述された一連の処理プロセスに含まれる処理工程の中に、非妥当処理工程であるか否かの判断をまだされていない処理工程が残っている場合は、再びステップＳ２１の処理に戻り、その処理工程を抽出する。そして、抽出された処理工程が非妥当処理工程であるか否かを判断する（ステップＳ２２）。

判定対象レシピに記述された一連の処理プロセスに含まれる処理工程の全てが、非妥当処理工程でないと判断された場合（ステップＳ２４でＹＥＳ）、妥当性判定部９１３は、判定対象レシピは妥当であると判断する（ステップＳ２５）。

再び図９を参照する。ステップＳ２で妥当性判断処理部９１が判定対象レシピが妥当でない（非妥当レシピである）と判断した場合（ステップＳ３でＮＯ）、報知処理部９２が、オペレータに、その旨を報知するとともに、最適化処理を実行するか否かの選択を促す（ステップＳ４）。例えば、「保存しようとしているレシピには長い待ち時間の処理工程が含まれます、最適化しますか？」とのメッセージを表示部１０１に表示する。

ステップＳ４で表示されたメッセージに応じて、オペレータが最適化処理の実行を指示入力した場合（ステップＳ５でＹＥＳ）、最適化処理部９３が判定対象レシピに対して最適化処理を実行する（ステップＳ６）。具体的には、判定対象レシピに記述された一連の処理プロセスに含まれる処理工程のうちで、非妥当処理工程であると判断された処理工程の全てについて、それぞれの並行数を、それぞれの処理工程について個別に規定される適正並行数まで減じる。最適化処理が終了すると、ホストコンピュータ１００は、最適化されたレシピを記憶装置に格納する（ステップＳ７）。これにより、一連の処理が終了する。

一方、ステップＳ４で表示されたメッセージに応じて、オペレータが最適化処理の実行を指示しなかった場合（ステップＳ５でＮＯ）、ホストコンピュータ１００は、ステップＳ６の処理をスキップして、最適化していない判定対象レシピをそのまま記憶装置に格納する（ステップＳ７）。これにより、一連の処理が終了する。

また、ステップＳ２で妥当性判断処理部９１が判定対象レシピが妥当であると判断した場合（ステップＳ３でＹＥＳ）、ホストコンピュータ１００は、判定対象レシピをそのまま記憶装置に格納する（ステップＳ７）。これにより、一連の処理が終了する。

〈５．効果〉
上記の実施の形態に係る基板処理装置１によると、妥当性判断処理部９１が、レシピに記述された一連の処理工程の中に非妥当処理工程が含まれる場合に当該レシピを非妥当レシピとして検出する。長い待ち時間はプロセスリスクの発生につながるところ、不当に長い待ち時間を発生させるレシピが非妥当レシピとして検出されるので、オペレータは、プロセスリスクの発生をレシピの作成段階（より具体的には、作成したレシピを保存する段階）で確実に検知することができる。したがって、非妥当レシピで基板Ｗに対する一連の処理が実行されてプロセスリスクが発生するといった事態を未然に回避することができる。

また、レシピが非妥当レシピである場合に、最適化処理部９３が最適化処理を実行してレシピを妥当なものに修正するので、妥当なレシピを得ることができる。したがって、プロセスリスクが発生しにくい適切なレシピで基板Ｗに対する一連の処理を実行することができる。

また、妥当性判断処理部９１は、オペレータがレシピを保存する旨の指示を入力した場合に、当該保存すべきレシピの妥当性を判断する。したがって、無駄な判断処理が実行されることがない。

〈６．変形例〉
上記の実施の形態においては、オペレータからの指示に応じて最適化処理を実行する構成としていたが、非妥当レシピに対してはオペレータからの指示の有無に関係なく最適化処理を実行してから保存する構成としてもよい。

また、上記の実施の形態に係るステップＳ２（図９）以降の処理に先だって、判定対象レシピの物理的なチェック（レシピに記述された処理を実行可能な物理条件が揃っているか否かのチェック）を行い、物理的に妥当と判断されたレシピに対してのみ、ステップＳ２以降の処理を行う構成としてもよい。

また、この発明に係る基板処理装置の構成は図１から図４に示したような形態に限定されるものではなく、種々の配置構成を採用することが可能である。

また、この発明に係る基板処理装置の処理対象となる基板Ｗは半導体ウエハに限定されるものではなく、液晶ガラス基板であってもよい。

本発明に係る熱処理装置を組み込んだ基板処理装置の平面図である。 図１の基板処理装置の液処理部の正面図である。 図１の基板処理装置の熱処理部の正面図である。 図１の基板処理装置の搬送ロボットおよび基板載置部の配置構成を示す図である。 基板処理装置の制御機構を示すブロック図である。 レシピの構成例を示す図である。 レシピの構成例を示す図である。 レシピの妥当性チェックに関する機能部を示すブロック図である。 レシピの妥当性チェックに関する処理の流れを示す図である。 レシピの妥当性を判断する処理の流れを示す図である。

符号の説明

１ 基板処理装置
１０ インデクサブロック
２０ バークブロック
３０ レジスト塗布ブロック
４０ 現像処理ブロック
５０ インターフェイスブロック
ＢＲＣ１〜ＢＲＣ４，ＳＣ１〜ＳＣ４ 塗布処理ユニット
ＩＦＲ 搬送機構
ＩＲ インデクサロボット
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０ 基板載置部
ＳＤ１〜ＳＤ５ 現像処理ユニット
ＴＲ１，ＴＲ２，ＴＲ３，ＴＲ４ 搬送ロボット
９１ 妥当性判断処理部
９２ 報知処理部
９３ 最適化処理部
Ｗ 基板

Claims (4)

1. 処理レシピに記述された一連の処理工程を基板に施す基板処理装置であって、
   前記一連の処理工程のうちの１以上の処理工程のそれぞれについて、当該処理工程における同一条件の処理を並行して実行可能な複数の並行処理部と、
   前記処理レシピの妥当性を判断する妥当性判断手段と、
   を備え、
   前記処理レシピに、
   前記一連の処理工程のうちの前記並行処理部によって実行される並行処理のそれぞれについて、その処理工程の実行に用いるべき前記並行処理部の個数である並行数が規定されており、
   前記妥当性判断手段が、
   前記並行処理部内で基板が待機させられる待ち時間を算出する待ち時間算出手段と、
   前記一連の処理工程の中に、その処理工程について前記処理レシピに規定されている並行数より少ない並行数を採用した場合の前記待ち時間が、短くなり、かつ０以上の所定値以上の値を与える処理工程がある場合に、当該処理工程を非妥当処理工程として抽出する非妥当処理工程抽出手段と、
   前記一連の処理工程の中に前記非妥当工程が含まれる場合に、前記処理レシピを妥当性に欠けるレシピと判定する妥当性判定手段と、
   を備えることを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記処理レシピが妥当性に欠けると判断された場合に、前記非妥当処理工程の並行数を減じる修正を行って前記処理レシピを最適化する最適化手段、
   を備えることを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項１または２に記載の基板処理装置であって、
   前記妥当性判断手段が、
   オペレータから新たな処理レシピを保存する旨の指示を受け付けた際に、前記新たな処理レシピの妥当性を判断することを特徴とする基板処理装置。
4. 請求項１から３のいずれかに記載の基板処理装置であって、
   前記処理レシピが妥当性に欠けると判断された場合に、オペレータにその旨を報知する報知手段、
   を備えることを特徴とする基板処理装置。

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