JP5275058B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

この発明は、半導体基板、液晶表示装置用ガラス基板、プラズマディスプレイ用基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用ガラス基板等（以下、単に「基板」という）に対して処理を行う技術に関する。

周知のように、半導体や液晶ディスプレイなどの製品は、上記基板に対して洗浄、レジスト塗布、露光、現像、エッチング、層間絶縁膜の形成、熱処理、ダイシングなどの一連の諸処理を施すことにより製造されている。これらの諸処理のうち、基板にレジスト塗布処理を行ってその基板を露光ユニットに渡すとともに、該露光ユニットから露光後の基板を受け取って現像処理を行う装置がいわゆるコータ＆デベロッパとして広く使用されている。

このような基板処理装置においては、複数の処理部（レジスト膜等の各種塗布膜の形成を行う処理部、現像処理を行う処理部、熱処理を行う熱処理部等）と、処理部間で基板を搬送する複数の搬送機構とがそれぞれ所定位置に配置される。制御部は、基板に対する処理の手順および処理の条件が記述された処理レシピ（以下、単に「レシピ」という）にしたがって装置の各部を制御する。

レシピには、一般に、一連の処理プロセス（プロセスシーケンス）を示す情報（フローレシピ）と、各処理工程における処理条件、より具体的には、制御パラメータ（温度、圧力、薬液の種類・流量、ガスの種類・流量、処理時間等の制御目標値）を示す情報（ライブラリレシピ）とが記述される。制御部は、各搬送機構にレシピに記述された順序で所定の処理部に基板を搬送させるとともに、各処理部にレシピに記述された処理条件で基板に対する処理を実行させる。これによって、レシピに記述された一連の処理プロセスが基板に施される。

このような基板処理装置においては、搬送スケジュールの組み方によって装置の稼働率が変わってくる。そこで、搬送スケジュールの作成方法を工夫することによって装置の稼働率を向上させる技術が各種提案されている。例えば特許文献１，２には、施すべき処理工程が互いに異なる複数個のロットを基板処理装置にて連続して処理する場合に、ロットの処理順序を工夫することによって装置の稼働率を向上させることを可能としている。

特開２００２−３４１９２３号公報 特開２００５−９４０１０号公報

このような基板処理装置においては、搬送機構は所定のサイクルタイムで複数の処理部間における一連の循環動作（サイクル動作）を行うように制御されることが多い。搬送機構が１サイクルタイム毎にサイクル動作を反復して行うことによって、各処理部において所定の処理を施された被処理基板が１サイクルタイム毎に１枚得られることになる。換言すると、搬送機構のサイクルタイムは、１枚の被処理基板が得られる時間間隔となる。

ところで、基板処理装置における単位時間当たりの処理枚数を増やすためには、搬送機構のサイクルタイムをなるべく短く設定することが望ましい。このため、通常は、搬送機構のサイクルタイムはレシピから規定されるレシピサイクルタイムに設定される。レシピサイクルタイムとは、当該レシピに係る１枚の被処理基板が得られる時間間隔の最小値としてレシピから規定される値であり、レシピに記述されているプロセスシーケンスや処理条件等から規定される。

例えば、レシピサイクルタイムが「２４秒」のレシピＡに係る基板を処理する場合、搬送機構のサイクルタイムは「２４秒」に設定され、搬送機構は所定のサイクル動作を２４秒サイクルで反復して行う。この場合、レシピＡに係る被処理基板が２４秒に１枚ずつ得られていくことになる。

ところで、例えば互いに異なる２つのレシピを連続して処理する場合等においては、搬送機構が行うサイクル動作の中に、あるレシピに係る基板を搬送する動作と、これとは異なる別のレシピに係る基板を搬送する動作とが含まれる状態（併存状態）が発生することがある。

従来の一般的な制御態様においては、併存状態が発生すると、搬送機構のサイクルタイムは、レシピサイクルタイムが長い方のレシピのレシピサイクルタイムに切り換えられる。ところが、このような制御態様の下では、他方のレシピ（レシピサイクルタイムが短い方のレシピ）に係る基板に不当に長い待ち時間が発生する可能性が高い。

例えば、レシピサイクルタイムが「２４秒」のレシピＡとレシピサイクルタイムが「８１秒」のレシピＢとのそれぞれに係る基板が併存状態になる場合を考える。この場合、従来の一般的な制御態様においては、搬送機構のサイクルタイムは「８１秒」に切り換えられる。すると、レシピＡに係る基板とレシピＢに係る基板との両方が８１秒に１枚ずつ得られていく。この状況においては、本来であれば２４秒に１枚ずつ得ることができるレシピＡに係る被処理基板が、８１秒に１枚ずつしか得られていないことになる。つまり、レシピＡに係る基板には、５７秒（＝８１秒−２４秒）もの無駄な待ち時間が発生していることになる。

このように、従来の一般的な制御態様では、複数の処理レシピのそれぞれに係る基板が併存状態におかれた場合、いずれか一方のレシピのレシピサイクルタイムで両方のレシピに係る基板が処理されるために、他方のレシピに係る基板に不当に長い待ち時間が発生する可能性が高かった。待ち時間の増加はプロセスリスクの発生に直結する深刻な問題であり、このような事態を回避するための技術が求められていた。

この発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、複数の処理レシピに係る基板が併存状態になる場合であっても、基板に不当に長い待ち時間が発生することを回避して、プロセスリスクの発生を未然に防止することができる技術を提供することを目的としている。

請求項１の発明は、処理レシピに記述された一連の処理工程を基板に施す基板処理装置であって、所定の被制御区画内に配置され、それぞれが基板に所定の処理を施す複数の処理部と、１サイクルタイムで、前記複数の処理部間における一連の循環動作を行う搬送機構と、前記搬送機構の搬送動作を制御する制御手段と、を備え、前記制御手段が、前記被制御区画内に複数の処理レシピのそれぞれに係る基板が併存する併存状態となった場合に、前記搬送機構のサイクルタイムを、所定のベースサイクルタイムに切り換えるサイクルタイム切り換え手段と、前記サイクルタイムが前記ベースサイクルタイムに切り換えられた場合に、前記搬送機構が前記ベースサイクルタイムに従って前記一連の循環動作をｎ回（ただし、ｎは、前記複数の処理レシピのそれぞれについて固有に規定された自然数値）行ううちの１回の動作においてのみ、前記複数の処理レシピのそれぞれに係る基板を搬送するように、前記搬送機構を制御する搬送頻度調整手段と、を備える。

請求項２の発明は、請求項１に記載の基板処理装置であって、前記制御手段が、前記ベースサイクルタイムを算出するベースサイクルタイム算出手段、を備え、前記ベースサイクルタイム算出手段が、複数個のベースサイクルタイム候補値を取得するベースサイクルタイム候補値取得手段と、前記複数個のベースサイクルタイム候補値のそれぞれについて、当該ベースサイクルタイム候補値をベースサイクルタイムとして採用した場合に前記処理レシピに係る１枚の被処理基板が得られる時間間隔であるサイクルタイムと、当該処理レシピに係る１枚の被処理基板が得られる時間間隔の最小値として前記処理レシピから規定されるレシピサイクルタイムとの差を、当該処理レシピの仮の待ち時間増加量として取得し、さらに、前記複数の処理レシピのそれぞれについて取得された前記仮の待ち時間増加量を総和して、仮のトータル待ち時間増加量として取得する仮のトータル待ち時間増加量取得手段と、前記複数個のベースサイクルタイム候補値のうちで、前記仮のトータル待ち時間増加量が最も小さいベースサイクルタイム候補値を、前記ベースサイクルタイムに決定するベースサイクルタイム決定手段と、を備える。

請求項３の発明は、請求項２に記載の基板処理装置であって、前記ベースサイクルタイム候補値取得手段が、前記複数の処理レシピのそれぞれのレシピサイクルタイムを自然数で割った値を、前記ベースサイクルタイム候補値として取得する。

請求項４の発明は、請求項２または３に記載の基板処理装置であって、前記ベースサイクルタイム候補値取得手段が、前記搬送機構が取りうる最小のサイクルタイムを、前記ベースサイクルタイム候補値として取得する。

請求項５の発明は、請求項１から４のいずれかに記載の基板処理装置であって、前記併存状態において、後続するレシピに係る基板が先行するレシピに係る基板を追い越す状況が発生すると予測される場合に、前記後続するレシピに係る基板を外部から前記基板処理装置へ受け入れるタイミングを所定時間遅らせるタイミング調整手段、を備える。

請求項１の発明によると、被制御区画内に複数の処理レシピのそれぞれに係る基板が併存する併存状態となった場合に、搬送機構のサイクルタイムをベースサイクルタイムに切り換えるとともに、複数の処理レシピのそれぞれに係る基板を搬送する頻度を調整する。具体的には、搬送機構が一連の循環動作をｎ回（ただし、ｎは、複数の処理レシピのそれぞれについて固有に規定された自然数値）行ううちの１回の動作においてのみ、当該処理レシピに係る基板を搬送するように、搬送機構を制御する。この構成によると、併存状態にある複数の処理レシピのそれぞれに係る基板を、互いに異なるサイクルタイムで処理することが可能となる。これにより、併存状態が発生した場合に、いずれかのレシピに係る基板に不当に長い待ち時間が発生することを回避することができる。したがって、プロセスリスクの発生を未然に防止することができる。また、生産性の低下を防止することができる。

請求項２の発明によると、複数個のベースサイクルタイム候補値のうち、仮のトータル待ち時間増加量が最も小さいベースサイクルタイム候補値をベースサイクルタイムに決定するので、併存状態におけるトータル待ち時間増加量を小さく抑えることができる。

請求項３の発明によると、複数の処理レシピのそれぞれのレシピサイクルタイムを整数で割った値を、ベースサイクルタイム候補値として取得するので、簡易な処理でベースサイクルタイム候補値を取得することができる。

請求項４の発明によると、搬送機構が取りうる最小のサイクルタイムをベースサイクルタイム候補値として取得する。ベースサイクルタイムの値はなるべく小さい方が好ましいところ、この構成によると、搬送機構が取りうる最小のサイクルタイムをベースサイクルタイムとして採用することができる場合がある。

請求項５の発明によると、併存状態において、後続するレシピに係る基板が先行するレシピに係る基板を追い越す状況が発生すると予測される場合に、後続するレシピに係る基板を外部から受け入れるタイミングを所定時間遅らせるので、追い越しが発生する状況を未然に防ぐことができる。したがって、追い越しに伴って基板に不当に長い待ち時間が生じるといった事態を未然に回避することができる。

本発明に係る熱処理装置を組み込んだ基板処理装置の平面図である。 図１の基板処理装置の液処理部の正面図である。 図１の基板処理装置の熱処理部の正面図である。 図１の基板処理装置の搬送ロボットおよび基板載置部の配置構成を示す図である。 基板処理装置の制御機構を示すブロック図である。 レシピの構成例を示す図である。 従来の制御態様を説明するための図である。 本願発明に係る制御態様を説明するための図である。 併存状態対応部の機能構成を示すブロック図である。 ベースサイクルタイムを算出する処理の流れを示す図である。 ベースサイクルタイムの算出例を示す図である。 併存状態が生じた場合の具体的な処理の流れを示す図である。 変形例に係る基板処理装置の制御機構を示すブロック図である。

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について詳細に説明する。

〈１．全体構成〉
まず、本発明の実施の形態に係る基板処理装置の全体構成について説明する。図１は、本発明に係る基板処理装置１の平面図である。また、図２は基板処理装置１の液処理部の正面図であり、図３は熱処理部の正面図であり、図４は搬送ロボットおよび基板載置部の配置構成を示す図である。なお、図１および以降の各図にはそれらの方向関係を明確にするためＺ軸方向を鉛直方向とし、ＸＹ平面を水平面とするＸＹＺ直交座標系を適宜付している。

本実施形態の基板処理装置１は、半導体ウェハ等の基板Ｗにフォトレジスト膜を塗布形成するとともに、パターン露光後の基板Ｗに現像処理を行う装置（いわゆるコータ＆デベロッパ）である。なお、本発明に係る基板処理装置１の処理対象となる基板Ｗは半導体ウェハに限定されるものではなく、液晶表示装置用ガラス基板やフォトマスク用ガラス基板等であってもよい。

本実施形態の基板処理装置１は、インデクサブロック１０、バークブロック２０、レジスト塗布ブロック３０、現像処理ブロック４０およびインターフェイスブロック５０の５つの処理ブロックを一方向（Ｘ方向）に連設して構成されている。インターフェイスブロック５０には基板処理装置１とは別体の外部装置である露光ユニット（ステッパ）ＥＸＰが接続配置されている。露光ユニットＥＸＰは、ホストコンピュータ１００とＬＡＮ回線（図示省略）を経由して基板処理装置１と接続されている。

インデクサブロック１０は、装置外から受け取った未処理基板を装置内に搬入するとともに、現像処理の終了した処理済み基板を装置外に搬出するための処理ブロックである。インデクサブロック１０は、複数のキャリアＣ（本実施形態では４個）を並べて載置する載置台１１と、各キャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出すとともに、各キャリアＣに処理済みの基板Ｗを収納するインデクサロボットＩＲと、を備えている。

インデクサロボットＩＲは、載置台１１に沿って（Ｙ軸方向に沿って）水平移動可能であるとともに昇降（Ｚ軸方向）移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能である可動台１２を備えている。可動台１２には、基板Ｗを水平姿勢で保持する２つの保持アーム１３ａ，１３ｂが搭載されている。保持アーム１３ａ，１３ｂは相互に独立して前後にスライド移動可能とされている。よって、保持アーム１３ａ，１３ｂのそれぞれは、Ｙ軸方向に沿った水平移動、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。これにより、インデクサロボットＩＲは、保持アーム１３ａ，１３ｂを個別に各キャリアＣにアクセスさせて未処理の基板Ｗの取り出しおよび処理済みの基板Ｗの収納を行うことができる。なお、キャリアＣの形態としては、基板Ｗを密閉空間に収納するＦＯＵＰ(front opening unified pod)の他に、ＳＭＩＦ(Standard Mechanical Inter Face)ポッドや収納基板Ｗを外気に曝すＯＣ(open cassette)であってもよい。

インデクサブロック１０に隣接してバークブロック２０が設けられている。インデクサブロック１０とバークブロック２０との間には、雰囲気遮断用の隔壁１５が設けられている。この隔壁１５にインデクサブロック１０とバークブロック２０との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２が上下に積層して設けられている。

上側の基板載置部ＰＡＳＳ１は、インデクサブロック１０からバークブロック２０へ基板Ｗを搬送するために使用される。基板載置部ＰＡＳＳ１は３本の支持ピンを備えており、インデクサブロック１０のインデクサロボットＩＲはキャリアＣから取り出した未処理の基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ１の３本の支持ピン上に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ１に載置された基板Ｗを後述するバークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ２は、バークブロック２０からインデクサブロック１０へ基板Ｗを搬送するために使用される。基板載置部ＰＡＳＳ２も３本の支持ピンを備えており、バークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１は処理済みの基板Ｗを基板載置部ＰＡＳＳ２の３本の支持ピン上に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された基板ＷをインデクサロボットＩＲが受け取ってキャリアＣに収納する。なお、後述する基板載置部ＰＡＳＳ３〜ＰＡＳＳ１０の構成も基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同じである。

基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２は、隔壁１５の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて、インデクサロボットＩＲや搬送ロボットＴＲ１が基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。

次に、バークブロック２０について説明する。バークブロック２０は、露光時に発生する定在波やハレーションを減少させるために、フォトレジスト膜の下地に反射防止膜を塗布形成するための処理ブロックである。バークブロック２０は、基板Ｗの表面に反射防止膜を塗布形成するための下地塗布処理部２１と、反射防止膜の塗布形成に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー２２，２３と、下地塗布処理部２１および熱処理タワー２２，２３に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ１とを備える。

バークブロック２０においては、搬送ロボットＴＲ１を挟んで下地塗布処理部２１と熱処理タワー２２，２３とが対向して配置されている。具体的には、下地塗布処理部２１が装置正面側（（−Ｙ）側）に、２つの熱処理タワー２２，２３が装置背面側（（＋Ｙ）側）に、それぞれ位置している。また、熱処理タワー２２，２３の正面側には図示しない熱隔壁を設けている。下地塗布処理部２１と熱処理タワー２２，２３とを隔てて配置するとともに熱隔壁を設けることにより、熱処理タワー２２，２３から下地塗布処理部２１に熱的影響を与えることを回避しているのである。

図２に示すように、下地塗布処理部２１は同様の構成を備えた４つの塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ４を上下に積層配置して構成されている。塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ４のそれぞれは、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック２６、このスピンチャック２６上に保持された基板Ｗ上に反射防止膜用の塗布液を吐出する塗布ノズル２７、スピンチャック２６を回転駆動させるスピンモータ（図示省略）およびスピンチャック２６上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。

図３に示すように、熱処理タワー２２には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する２個の加熱ユニットＨＰ２２１，ＨＰ２２２、加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持する２個の冷却ユニットＣＰ２２１，ＣＰ２２２およびレジスト膜と基板Ｗとの密着性を向上させるためにＨＭＤＳ（ヘキサメチルジシラザン）の蒸気雰囲気中で基板Ｗを熱処理する３個の密着強化処理ユニットＡＨＬ２２１〜ＡＨＬ２２３が上下に積層配置されている。一方、熱処理タワー２３にも２個の加熱ユニットＨＰ２３１，ＨＰ２３２および２個の冷却ユニットＣＰ２３１，ＣＰ２３２が上下に積層配置されている。なお、図３において「×」印で示した箇所には配管配線部や、予備の空きスペースが割り当てられている（後述する他の熱処理タワーについても同じ）。

図４に示すように、搬送ロボットＴＲ１は、基板Ｗを略水平姿勢で保持する搬送アーム２４ａ，２４ｂを上下２段に近接させて備えている。搬送アーム２４ａ，２４ｂのそれぞれは、先端部が平面視で「Ｃ」字形状になっており、この「Ｃ」字形状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピンで基板Ｗの周縁を下方から支持するようになっている。搬送アーム２４ａ，２４ｂは搬送ヘッド２８に搭載されている。搬送ヘッド２８は、図示省略の駆動機構によって鉛直方向（Ｚ軸方向）に沿った昇降移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能である。また、搬送ヘッド２８は、図示省略のスライド機構によって搬送アーム２４ａ，２４ｂを互いに独立して水平方向に進退移動させることができる。よって、搬送アーム２４ａ，２４ｂのそれぞれは、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。これにより、搬送ロボットＴＲ１は、２個の搬送アーム２４ａ，２４ｂをそれぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２、熱処理タワー２２，２３に設けられた熱処理ユニット（加熱ユニットＨＰ２２１，ＨＰ２２２，ＨＰ２３１，ＨＰ２３２、冷却ユニットＣＰ２２１，ＣＰ２２２，ＣＰ２３１，ＣＰ２３２および密着強化処理ユニットＡＨＬ２２１〜ＡＨＬ２２３）、下地塗布処理部２１に設けられた４つの塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ４および後述する基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。

次に、レジスト塗布ブロック３０について説明する。バークブロック２０と現像処理ブロック４０との間に挟み込まれるようにしてレジスト塗布ブロック３０が設けられている。このレジスト塗布ブロック３０とバークブロック２０との間にも、雰囲気遮断用の隔壁２５が設けられている。この隔壁２５にバークブロック２０とレジスト塗布ブロック３０との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４が上下に積層して設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４は、上述した基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同様の構成を備えている。

上側の基板載置部ＰＡＳＳ３は、バークブロック２０からレジスト塗布ブロック３０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、バークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１が基板載置部ＰＡＳＳ３に載置した基板Ｗをレジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ４は、レジスト塗布ブロック３０からバークブロック２０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ４に載置した基板Ｗをバークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１が受け取る。

基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４は、隔壁２５の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて、搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４の下側には、基板Ｗを大まかに冷却するための水冷式の２つのクールプレートＷＣＰが隔壁２５を貫通して上下に設けられていてもよい。

レジスト塗布ブロック３０は、反射防止膜が塗布形成された基板Ｗ上にレジストを塗布してレジスト膜を形成するための処理ブロックである。なお、本実施形態では、フォトレジストとして化学増幅型レジストを用いている。レジスト塗布ブロック３０は、下地塗布された反射防止膜の上にレジストを塗布するレジスト塗布処理部３１と、レジスト塗布処理に付随する熱処理を行う２つの熱処理タワー３２，３３と、レジスト塗布処理部３１および熱処理タワー３２，３３に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ２とを備える。

レジスト塗布ブロック３０においては、搬送ロボットＴＲ２を挟んでレジスト塗布処理部３１と熱処理タワー３２，３３とが対向して配置されている。具体的には、レジスト塗布処理部３１が装置正面側に、２つの熱処理タワー３２，３３が装置背面側に、それぞれ位置している。また、熱処理タワー３２，３３の正面側には図示しない熱隔壁を設けている。レジスト塗布処理部３１と熱処理タワー３２，３３とを隔てて配置するとともに熱隔壁を設けることにより、熱処理タワー３２，３３からレジスト塗布処理部３１に熱的影響を与えることを回避しているのである。

図２に示すように、レジスト塗布処理部３１は同様の構成を備えた４つの塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ４を上下に積層配置して構成されている。塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ４のそれぞれは、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック３６、このスピンチャック３６上に保持された基板Ｗ上にフォトレジストの塗布液を吐出する塗布ノズル３７、スピンチャック３６を回転駆動させるスピンモータ（図示省略）およびスピンチャック３６上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。

図３に示すように、熱処理タワー３２には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する３個の加熱ユニットＨＰ３２１，ＨＰ３２２，ＨＰ３２３および加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持する２個の冷却ユニットＣＰ３２１，ＣＰ３２２が上下に積層配置されている。一方、熱処理タワー３３にも３個の加熱ユニットＨＰ３３１，ＨＰ３３２，ＨＰ３３３および２個の冷却ユニットＣＰ３３１，ＣＰ３３２が上下に積層配置されている。

図４に示すように、搬送ロボットＴＲ２は、搬送ロボットＴＲ１と同様の構成を備えており、基板Ｗを略水平姿勢で保持する搬送アーム３４ａ，３４ｂを上下２段に近接させて備えている。搬送アーム３４ａ，３４ｂは、「Ｃ」字形状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピンで基板Ｗの周縁を下方から支持する。搬送アーム３４ａ，３４ｂは搬送ヘッド３８に搭載されている。搬送ヘッド３８は、図示省略の駆動機構によって鉛直方向（Ｚ軸方向）に沿った昇降移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能である。また、搬送ヘッド３８は、図示省略のスライド機構によって搬送アーム３４ａ，３４ｂを互いに独立して水平方向に進退移動させることができる。よって、搬送アーム３４ａ，３４ｂのそれぞれは、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。これにより、搬送ロボットＴＲ２は、２個の搬送アーム３４ａ，３４ｂをそれぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ３，ＰＡＳＳ４、熱処理タワー３２，３３に設けられた熱処理ユニット、レジスト塗布処理部３１に設けられた４つの塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ４および後述する基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。

次に、現像処理ブロック４０について説明する。レジスト塗布ブロック３０とインターフェイスブロック５０との間に挟み込まれるようにして現像処理ブロック４０が設けられている。この現像処理ブロック４０とレジスト塗布ブロック３０との間にも、雰囲気遮断用の隔壁３５が設けられている。この隔壁３５にレジスト塗布ブロック３０と現像処理ブロック４０との間で基板Ｗの受け渡しを行うために基板Ｗを載置する２つの基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６が上下に積層して設けられている。基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６は、上述した基板載置部ＰＡＳＳ１，ＰＡＳＳ２と同様の構成を備えている。

上側の基板載置部ＰＡＳＳ５は、レジスト塗布ブロック３０から現像処理ブロック４０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、レジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２が基板載置部ＰＡＳＳ５に載置した基板Ｗを現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ６は、現像処理ブロック４０からレジスト塗布ブロック３０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ６に載置した基板Ｗをレジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２が受け取る。

基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６は、隔壁３５の一部に部分的に貫通して設けられている。また、基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６には、基板Ｗの有無を検出する光学式のセンサ（図示省略）が設けられており、各センサの検出信号に基づいて、搬送ロボットＴＲ２，ＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６に対して基板Ｗを受け渡しできる状態にあるか否かが判断される。基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６の下側には、基板Ｗを大まかに冷却するための水冷式の２つのクールプレートＷＣＰが隔壁３５を貫通して上下に設けられてもよい。

現像処理ブロック４０は、露光処理後の基板Ｗに対して現像処理を行うための処理ブロックである。現像処理ブロック４０は、パターンが露光された基板Ｗに対して現像液を供給して現像処理を行う現像処理部４１と、現像処理後の熱処理を行う熱処理タワー４２と、露光直後の基板Ｗに熱処理を行う熱処理タワー４３と、現像処理部４１および熱処理タワー４２に対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送ロボットＴＲ３とを備える。

図２に示すように、現像処理部４１は、同様の構成を備えた５つの現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５を上下に積層配置して構成されている。現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５のそれぞれは、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック４６、このスピンチャック４６上に保持された基板Ｗ上に現像液を供給するノズル４７、スピンチャック４６を回転駆動させるスピンモータ（図示省略）およびスピンチャック４６上に保持された基板Ｗの周囲を囲繞するカップ（図示省略）等を備えている。

図３に示すように、熱処理タワー４２には、基板Ｗを所定の温度にまで加熱する２個の加熱ユニットＨＰ４２１，ＨＰ４２２および加熱された基板Ｗを冷却して所定の温度にまで降温するとともに基板Ｗを当該所定の温度に維持する２個の冷却ユニットＣＰ４２１，ＣＰ４２２が上下に積層配置されている。一方、熱処理タワー４３には６個の加熱ユニットＨＰ４３１〜ＨＰ４３６および２個の冷却ユニットＣＰ４３１，ＣＰ４３２が上下に積層配置されている。熱処理タワー４３の加熱ユニットＨＰ４３１〜ＨＰ４３６は露光直後の基板Ｗに対して露光後加熱処理(Post Exposure Bake)を行う。熱処理タワー４３の加熱ユニットＨＰ４３１〜ＨＰ４３６および冷却ユニットＣＰ４３１，ＣＰ４３２に対してはインターフェイスブロック５０の搬送ロボットＴＲ４が基板Ｗの搬出入を行う。

また、熱処理タワー４３には、現像処理ブロック４０とインターフェイスブロック５０との間で基板Ｗの受け渡しを行うための２つの基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８が上下に近接して組み込まれている。上側の基板載置部ＰＡＳＳ７は、現像処理ブロック４０からインターフェイスブロック５０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３が基板載置部ＰＡＳＳ７に載置した基板Ｗをインターフェイスブロック５０の搬送ロボットＴＲ４が受け取る。一方、下側の基板載置部ＰＡＳＳ８は、インターフェイスブロック５０から現像処理ブロック４０へ基板Ｗを搬送するために使用される。すなわち、インターフェイスブロック５０の搬送ロボットＴＲ４が基板載置部ＰＡＳＳ８に載置した基板Ｗを現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３が受け取る。なお、基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８は、現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３およびインターフェイスブロック５０の搬送ロボットＴＲ４の両側に対して開口している。

搬送ロボットＴＲ３は、基板Ｗを略水平姿勢で保持する搬送アーム４４ａ，４４ｂを上下に近接させて備えている。搬送アーム４４ａ，４４ｂは、「Ｃ」字形状のアームの内側から内方に突き出た複数本のピンで基板Ｗの周縁を下方から支持する。搬送アーム４４ａ，４４ｂは搬送ヘッド４８に搭載されている。搬送ヘッド４８は、図示省略の駆動機構によって鉛直方向（Ｚ軸方向）に沿った昇降移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能である。また、搬送ヘッド４８は、図示省略のスライド機構によって搬送アーム４４ａ，４４ｂを互いに独立して水平方向に進退移動させることができる。よって、搬送アーム４４ａ，４４ｂのそれぞれは、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。これにより、搬送ロボットＴＲ３は、２個の搬送アーム４４ａ，４４ｂをそれぞれ個別に基板載置部ＰＡＳＳ５，ＰＡＳＳ６、熱処理タワー４２に設けられた熱処理ユニット、現像処理部４１に設けられた５つの現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５および熱処理タワー４３の基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８に対してアクセスさせて、それらとの間で基板Ｗの授受を行うことができる。

次に、インターフェイスブロック５０について説明する。インターフェイスブロック５０は、現像処理ブロック４０に隣接して配置され、レジスト膜が塗布形成された未露光の基板Ｗを基板処理装置１とは別体の外部装置である露光ユニットＥＸＰに渡すとともに、露光済みの基板Ｗを露光ユニットＥＸＰから受け取って現像処理ブロック４０に渡す処理ブロックである。インターフェイスブロック５０は、露光ユニットＥＸＰとの間で基板Ｗの受け渡しを行うための搬送機構ＩＦＲの他に、レジスト膜が形成された基板Ｗの周縁部を露光する２つのエッジ露光ユニットＥＥＷと、現像処理ブロック４０の熱処理タワー４３およびエッジ露光ユニットＥＥＷに対して基板Ｗを受け渡しする搬送ロボットＴＲ４とを備える。

エッジ露光ユニットＥＥＷは、図２に示すように、基板Ｗを略水平姿勢で吸着保持して略水平面内にて回転させるスピンチャック５６およびスピンチャック５６に保持された基板Ｗの周縁に光を照射して露光する光照射器５７などを備えている。２つのエッジ露光ユニットＥＥＷは、インターフェイスブロック５０の中央部に上下に積層配置されている。また、エッジ露光ユニットＥＥＷの下側には、２つの基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０、基板戻し用のリターンバッファＲＢＦおよび基板送り用のセンドバッファＳＢＦが上下に積層配置されている。上側の基板載置部ＰＡＳＳ９は搬送ロボットＴＲ４から搬送機構ＩＦＲに基板Ｗを渡すために使用するものであり、下側の基板載置部ＰＡＳＳ１０は搬送機構ＩＦＲから搬送ロボットＴＲ４に基板Ｗを渡すために使用するものである。

リターンバッファＲＢＦは、何らかの障害によって現像処理ブロック４０が露光済みの基板Ｗの現像処理を行うことができない場合に、現像処理ブロック４０の熱処理タワー４３で露光後加熱処理を行った後に、その基板Ｗを一時的に収納保管しておくものである。一方、センドバッファＳＢＦは、露光ユニットＥＸＰが未露光の基板Ｗの受け入れをできないときに、露光処理前の基板Ｗを一時的に収納保管するものである。リターンバッファＲＢＦおよびセンドバッファＳＢＦはいずれも複数枚の基板Ｗを多段に収納できる収納棚によって構成されている。なお、リターンバッファＲＢＦに対しては搬送ロボットＴＲ４がアクセスを行い、センドバッファＳＢＦに対しては搬送機構ＩＦＲがアクセスを行う。

現像処理ブロック４０の露光後ベーク処理部４３に隣接して配置されている搬送ロボットＴＲ４は、基板Ｗを略水平姿勢で保持する搬送アーム５４ａ，５４ｂを上下に近接させて備えており、その構成および動作機構は搬送ロボットＴＲ１〜ＴＲ３と全く同じである。また、搬送機構ＩＦＲは、Ｙ軸方向の水平移動、昇降移動および鉛直方向に沿った軸心周りの回転動作が可能な可動台５２を備え、その可動台５２に基板Ｗを水平姿勢で保持する２つの保持アーム５３ａ，５３ｂを搭載している。保持アーム５３ａ，５３ｂは相互に独立して前後にスライド移動可能とされている。よって、保持アーム５３ａ，５３ｂのそれぞれは、Ｙ軸方向に沿った水平移動、昇降移動、水平面内の旋回動作および旋回半径方向に沿った進退移動を行う。

露光ユニットＥＸＰは、基板処理装置１にてレジスト塗布された露光前の基板Ｗを搬送機構ＩＦＲから受け取って露光処理を行う。露光ユニットＥＸＰにて露光処理の行われた基板Ｗは搬送機構ＩＦＲによって受け取られる。なお、露光ユニットＥＸＰは、投影光学系と基板Ｗとの間に屈折率の大きな液体（例えば、屈折率ｎ＝１．４４の純水）を満たした状態で露光処理を行う、いわゆる「液浸露光処理」に対応したものであってもよい。

以上のインデクサブロック１０、バークブロック２０、レジスト塗布ブロック３０、現像処理ブロック４０およびインターフェイスブロック５０には常に清浄空気がダウンフローとして供給されており、各ブロック内でパーティクルの巻き上がりや気流によるプロセスへの悪影響を回避している。また、各ブロック内は装置の外部環境に対して若干陽圧に保たれ、外部環境からのパーティクルや汚染物質の進入などを防いでいる。

また、上述したインデクサブロック１０、バークブロック２０、レジスト塗布ブロック３０、現像処理ブロック４０およびインターフェイスブロック５０は、基板処理装置１を機構的に分割した単位である。各ブロックは、各々個別のブロック用フレーム（枠体）に組み付けられ、各ブロック用フレームを連結して基板処理装置１が構成されている。

〈２．制御機構〉
基板処理装置１の制御機構について説明する。はじめに、「セル」について説明する。この実施の形態では、基板搬送に係る搬送制御単位（被制御区画）を、機械的に分割した「ブロック」とは別に構成しており、本明細書では、このような基板搬送に係る搬送制御単位を「セル」と称する。１つのセルは、基板搬送を担当する搬送ロボットと、その搬送ロボットによって基板が搬送されうる搬送対象部とを含んで構成されている。そして、上述した各基板載置部が、セル内に基板Ｗを受け入れるための入口基板載置部またはセルから基板Ｗを払い出すための出口基板載置部として機能する。すなわち、セル間の基板Ｗの受け渡しも基板載置部を介して行われる。なお、セルを構成する搬送ロボットとしては、インデクサブロック１０のインデクサロボットＩＲやインターフェイスブロック５０の搬送機構ＩＦＲも含まれる。

基板処理装置１には、インデクサセルＣ１、バークセルＣ２、レジスト塗布セルＣ３、現像処理セルＣ４、露光後ベークセルＣ５およびインターフェイスセルＣ６の６つのセルが含まれている。インデクサセルＣ１は、載置台１１とインデクサロボットＩＲとを含み、機械的に分割した単位であるインデクサブロック１０と結果的に同じ構成となっている。また、バークセルＣ２は、下地塗布処理部２１と２つの熱処理タワー２２，２３と搬送ロボットＴＲ１とを含む。このバークセルＣ２も、機械的に分割した単位であるバークブロック２０と結果として同じ構成になっている。さらに、レジスト塗布セルＣ３は、レジスト塗布処理部３１と２つの熱処理タワー３２，３３と搬送ロボットＴＲ２とを含む。このレジスト塗布セルＣ３も、機械的に分割した単位であるレジスト塗布ブロック３０と結果として同じ構成になっている。

一方、現像処理セルＣ４は、現像処理部４１と熱処理タワー４２と搬送ロボットＴＲ３とを含む。上述したように、搬送ロボットＴＲ３は熱処理タワー４３の加熱ユニットＨＰ４３１〜ＨＰ４３６および冷却ユニットＣＰ４３１，ＣＰ４３２に対してアクセスすることができず、現像処理セルＣ４に熱処理タワー４３は含まれない。この点において、現像処理セルＣ４は機械的に分割した単位である現像処理ブロック４０と異なる。

また、露光後ベークセルＣ５は、現像処理ブロック４０に位置する熱処理タワー４３と、インターフェイスブロック５０に位置するエッジ露光ユニットＥＥＷと搬送ロボットＴＲ４とを含む。すなわち、露光後ベークセルＣ５は、機械的に分割した単位である現像処理ブロック４０とインターフェイスブロック５０とにまたがるものである。このように露光後加熱処理を行う加熱ユニットＨＰ４３１〜ＨＰ４３６と搬送ロボットＴＲ４とを含んで１つのセルを構成しているので、露光後の基板Ｗを速やかに加熱ユニットＨＰ４３１〜ＨＰ４３６のいずれかに搬入して熱処理を行うことができる。このような構成は、パターンの露光を行った後なるべく速やかに加熱処理を行う必要のある化学増幅型レジストを使用した場合に好適である。

なお、熱処理タワー４３に含まれる基板載置部ＰＡＳＳ７，ＰＡＳＳ８は現像処理セルＣ４の搬送ロボットＴＲ３と露光後ベークセルＣ５の搬送ロボットＴＲ４との間の基板Ｗの受け渡しのために介在する。

インターフェイスセルＣ６は、外部装置である露光ユニットＥＸＰに対して基板Ｗの受け渡しを行う搬送機構ＩＦＲを含んで構成されている。このインターフェイスセルＣ６は、搬送ロボットＴＲ４やエッジ露光ユニットＥＥＷを含まない点で、機械的に分割した単位であるインターフェイスブロック５０とは異なる構成となっている。なお、エッジ露光ユニットＥＥＷの下方に設けられた基板載置部ＰＡＳＳ９，ＰＡＳＳ１０は露光後ベークセルの搬送ロボットＴＲ４とインターフェイスセルＣ６の搬送機構ＩＦＲとの間の基板Ｗの受け渡しのために介在する。

次に、基板処理装置１の制御機構について図５を参照しながら具体的に説明する。図５は、制御機構の概略を示すブロック図である。同図に示すように、この実施の形態の基板処理装置１は、メインコントローラＭＣ、セルコントローラＣＣ、ユニットコントローラの３階層からなる制御階層を備えている。メインコントローラＭＣ、セルコントローラＣＣ、ユニットコントローラのハードウェアとしての構成は一般的なコンピュータと同様である。すなわち、各コントローラは、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用アプリケーションやデータなどを記憶しておく磁気ディスク等を備えている。

第１階層のメインコントローラＭＣは、基板処理装置全体に１つ設けられており、装置全体の管理、メインパネルＭＰの管理およびセルコントローラＣＣの管理を主に担当する。メインパネルＭＰは、メインコントローラＭＣのディスプレイとして機能するものである。また、メインコントローラＭＣに対してはキーボードＫＢから種々のコマンドを入力することができる。なお、メインパネルＭＰをタッチパネルにて構成し、メインパネルＭＰからメインコントローラＭＣに入力作業を行うようにしてもよい。

第２階層のセルコントローラＣＣは、６つのセル（インデクサセルＣ１、バークセルＣ２、レジスト塗布セルＣ３、現像処理セルＣ３、露光後ベークセルＣ５およびインターフェイスセルＣ６）のそれぞれに対して個別に設けられている。各セルコントローラＣＣは、対応するセル内の基板搬送管理およびユニット管理を主に担当する。具体的には、各セルのセルコントローラＣＣは、所定の基板載置部に基板Ｗを置いたという情報を、隣のセルのセルコントローラＣＣに送り、その基板Ｗを受け取ったセルのセルコントローラＣＣは、当該基板載置部から基板Ｗを受け取ったという情報を元のセルのセルコントローラＣＣに返すという情報の送受信を行う。このような情報の送受信はメインコントローラＭＣを介して行われる。そして、各セルコントローラＣＣはセル内に基板Ｗが搬入された旨の情報を搬送ロボットコントローラＴＣに与え、該搬送ロボットコントローラＴＣが搬送ロボットを制御してセル内で基板Ｗを所定の手順にしたがって循環搬送させる。なお、搬送ロボットコントローラＴＣは、セルコントローラＣＣ上で所定のアプリケーションが動作することによって実現される制御部である。

また、第３階層のユニットコントローラとしては、例えばスピンコントローラやベークコントローラが設けられている。スピンコントローラは、セルコントローラＣＣの指示にしたがってセル内に配置されたスピンユニット（塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ４，ＳＣ１〜ＳＣ４および現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５）を直接制御するものである。具体的には、スピンコントローラは、例えばスピンユニットのスピンモータを制御して基板Ｗの回転数を調整する。また、ベークコントローラは、セルコントローラＣＣの指示にしたがってセル内に配置された熱処理ユニット（ホットプレート、クールプレート、加熱部等）を直接制御するものである。上述した現像処理ブロック４０の加熱ユニットＨＰ４３１〜ＨＰ４３６は露光後ベークセルＣ５のベークコントローラによって制御されている。

また、基板処理装置に設けられた３階層からなる制御階層のさらに上位の制御機構として、基板処理装置とＬＡＮ回線を介して接続されたホストコンピュータ１００が位置している（図１参照）。ホストコンピュータ１００は、各種演算処理を行うＣＰＵ、基本プログラムを記憶する読み出し専用のメモリであるＲＯＭ、各種情報を記憶する読み書き自在のメモリであるＲＡＭおよび制御用アプリケーションやデータなどを記憶しておく磁気ディスク等を備えており、一般的なコンピュータと同様の構成を有している。また、表示部および操作部を備えており、オペレータは操作部から種々のコマンドを入力することができる。ホストコンピュータ１００には、この実施の形態に係る基板処理装置１が通常複数台接続されている。ホストコンピュータ１００は、接続されたそれぞれの基板処理装置１に処理手順および処理条件を記述したレシピを渡す。ホストコンピュータ１００から渡されたレシピは各基板処理装置１のメインコントローラＭＣの記憶部（例えばメモリ）に記憶される。

なお、露光ユニットＥＸＰには、上記の基板処理装置の制御機構から独立した別個の制御部が設けられている。すなわち、露光ユニットＥＸＰは、基板処理装置のメインコントローラＭＣの制御下で動作しているものではなく、単体で独自の動作制御を行っているものである。もっとも、このような露光ユニットＥＸＰもホストコンピュータ１００から受け取ったレシピにしたがって動作制御を行っており、露光ユニットＥＸＰにおける露光処理と同期した処理を基板処理装置が行うこととなる。

〈３．処理動作〉
上述した通り、基板処理装置１において実行される処理動作は、ホストコンピュータ１００から受け取ったレシピの記述内容にしたがって図５に示す制御機構が各部を制御することにより実行される。

図６には、レシピの構成例が示されている。ここに例示されるように、レシピには、フローレシピとライブラリレシピとが含まれる。

フローレシピとは、プロセスシーケンスを示す情報である。図６に例示されるレシピにおいては、フローレシピとして、処理工程step１〜処理工程step１４が記述されている。なお、図６に例示されるレシピにおいて、「ＣＰ」は冷却処理を、「ＢＲＣ」は反射防止膜の塗布形成処理を、「ＨＰ」は加熱処理を、「ＳＣ」はレジスト膜の塗布形成処理を、「ＥＥＷ」はエッジ露光処理を、「ＳＤ」は現像処理を、それぞれ表している。また、「ＩＤ」は、インデクサブロック１０に対する基板Ｗの搬送工程を、「ＩＦＢ」は露光ユニットＥＸＰに対する基板Ｗの搬送工程を、それぞれ表している。

ライブラリレシピとは、各処理工程における制御パラメータ（温度、圧力、薬液の種類・流量、ガスの種類・流量、処理時間等の制御目標値）を示す情報である。図６に例示されるレシピにおいては、例えば、反射防止膜の塗布形成処理後の熱処理（処理工程step４）のライブラリレシピとして「２１５ｃ６０ｓ」と記述されている。これは、当該処理工程で、目標温度が２１５度であり、処理時間が６０秒の加熱処理を実行すべきことを表している。

また、レシピには、各処理工程の「並行数」が記述されている。ただし、「並行数」とは、並行処理（同一処理工程における同一条件の処理を複数の処理部で並行して実行する処理）を行う処理部（並行処理ユニット）の台数である。上述した通り、この実施の形態に係る基板処理装置１には、各種の処理工程について並行処理を実行可能とすべく複数台の並行処理部が設けられており、例えばレジスト膜の塗布形成処理を行う処理部は４台（塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３，ＳＣ４）設けられている。一方、図６に例示されるレシピには、例えばレジスト膜の塗布形成処理（処理工程step６）を、３台の処理ユニットで並行して実行するように規定されている。すなわち、処理工程step６の並行数は「３」と記述されている。並行数が多くなると処理効率が向上するので、一連のプロセスの中でも特にスループットを律速する処理工程（処理に時間がかかる工程）の並行数は、多く設定することが望ましい。

また、レシピには、各処理工程を実行する処理ユニットが指定されている。図６に例示されるレシピにおいては、例えば、レジスト膜の塗布形成処理（処理工程step６）を、装置に搭載された４個の塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３，ＳＣ４のうち、「塗布処理ユニットＳＣ１」、「塗布処理ユニットＳＣ２」および「塗布処理ユニットＳＣ３」を用いて実行するように指定されている。

次に、上記の基板処理装置１における基板処理の手順について簡単に説明する。以下においては、図６に例示されるレシピが与えられた場合に実行される処理の流れを説明する。

まず、装置外部から未処理の基板ＷがキャリアＣに収納された状態でＡＧＶ等によってインデクサブロック１０に搬入される。続いて、インデクサブロック１０から未処理の基板Ｗの払い出しが行われる（処理工程step１）。具体的には、インデクサロボットＩＲが所定のキャリアＣから未処理の基板Ｗを取り出し、上側の基板載置部ＰＡＳＳ１に載置する。基板載置部ＰＡＳＳ１に未処理の基板Ｗが載置されると、バークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１がその基板Ｗを受け取って熱処理タワー２２，２３の冷却ユニットＣＰ２２１，ＣＰ２３１のいずれかに搬送する。冷却ユニットＣＰ２２１，ＣＰ２３１のそれぞれでは、基板Ｗに対する冷却処理（目標温度２２度、処理時間４０秒）が行われる（処理工程step２）。この処理工程step２は、２台の冷却ユニットＣＰ２２１，ＣＰ２３１で並行処理される。すなわち、処理工程step２の並行数は「２」である。

冷却された基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって冷却ユニットから下地塗布処理部２１の塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３のいずれかに搬送される。塗布処理ユニットＢＲＣ１〜ＢＲＣ３のそれぞれでは、基板Ｗの表面に反射防止膜の塗布液が供給されて回転塗布される（処理工程step３）。この処理工程step３は、３台の塗布処理ユニットＢＲＣ１，ＢＲＣ２，ＢＲＣ３で並行処理される。すなわち、処理工程step３の並行数は「３」である。

塗布処理が終了した後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって熱処理タワー２２，２３の加熱ユニットＨＰ２２１，ＨＰ２２２，ＨＰ２３１のいずれかに搬送される。加熱ユニットＨＰ２２１，ＨＰ２２２，ＨＰ２３１のそれぞれでは、基板Ｗに対する加熱処理（目標温度２１５度、処理時間６０秒）が行われる（処理工程step４）。この加熱処理によって、塗布液が乾燥されて基板Ｗ上に下地の反射防止膜が焼成される。この処理工程step４は、３台の加熱ユニットＨＰ２２１，ＨＰ２２２，ＨＰ２３１で並行処理される。すなわち、処理工程step４の並行数は「３」である。

その後、搬送ロボットＴＲ１によって加熱ユニットから取り出された基板Ｗは熱処理タワー２２，２３の冷却ユニットＣＰ２２２，ＣＰ２３２のいずれかに搬送される。冷却ユニットＣＰ２２２，ＣＰ２３２では、基板Ｗに対する冷却処理（目標温度２２度、処理時間４０秒）が行われる（処理工程step５）。この処理工程step５は、２台の冷却ユニットＣＰ２２２，ＣＰ２３２で並行処理される。すなわち、処理工程step５の並行数は「２」である。冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ１によって基板載置部ＰＡＳＳ３に載置される。

次に、反射防止膜が形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ３に載置されると、レジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２がその基板Ｗを受け取ってレジスト塗布処理部３１の塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ３のいずれかに搬送する。塗布処理ユニットＳＣ１〜ＳＣ３のそれぞれでは、基板Ｗにレジスト膜の塗布液が回転塗布される（処理工程step６）。本実施形態においては、レジストとして化学増幅型レジストが使用される。この処理工程step６は、３台の塗布処理ユニットＳＣ１，ＳＣ２，ＳＣ３で並行処理される。すなわち、処理工程step６の並行数は「３」である。

レジスト塗布処理が終了した後、塗布処理ユニットから搬出された基板Ｗは搬送ロボットＴＲ２によって熱処理タワー３２，３３の加熱ユニットＨＰ３２１〜ＨＰ３２３，ＨＰ３３１〜ＨＰ３３３のいずれかに搬送される。加熱ユニットＨＰ３２１〜ＨＰ３２３，ＨＰ３３１〜ＨＰ３３３のそれぞれでは、基板Ｗに対する加熱処理（目標温度１４０度、処理時間９０秒）が行われる（処理工程step７）。この加熱処理(Post Applied Bake)によって、塗布液が乾燥されて基板Ｗ上にレジスト膜が形成される。この処理工程step７は、６台の加熱ユニットＨＰ３２１〜ＨＰ３２３，ＨＰ３３１〜ＨＰ３３３で並行処理される。すなわち、処理工程step７の並行数は「６」である。

その後、搬送ロボットＴＲ２によって加熱ユニットから取り出された基板Ｗは熱処理タワー３２，３３の冷却ユニットＣＰ３２１，ＣＰ３３１のいずれかに搬送される。冷却ユニットＣＰ３２１，ＣＰ３３１のそれぞれでは、基板Ｗに対する冷却処理（目標温度２２度、処理時間が４０秒）が行われる（処理工程step８）。この処理工程step８は、２台の冷却ユニットＣＰ３２１，ＣＰ３３１で並行処理される。すなわち、処理工程step８の並行数は「２」である。冷却後の基板Ｗは搬送ロボットＴＲ２によって基板載置部ＰＡＳＳ５に載置される。

レジスト膜が形成された基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ５に載置されると、現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３がその基板Ｗを受け取ってそのまま基板載置部ＰＡＳＳ７に載置する。そして、基板載置部ＰＡＳＳ７に載置された基板Ｗはインターフェイスブロック５０の搬送ロボットＴＲ４によって受け取られ、上下いずれかのエッジ露光ユニットＥＥＷに搬入される（処理工程step９）。エッジ露光ユニットＥＥＷにおいては、基板Ｗの端縁部の露光処理（エッジ露光処理）が行われる。エッジ露光処理が終了した基板Ｗは搬送ロボットＴＲ４によって基板載置部ＰＡＳＳ９に載置される。そして、基板載置部ＰＡＳＳ９に載置された基板Ｗは搬送機構ＩＦＲによって受け取られ、露光ユニットＥＸＰに搬入され、パターン露光処理に供される（処理工程step１０）。本実施形態では化学増幅型レジストを使用しているため、基板Ｗ上に形成されたレジスト膜のうち露光された部分では光化学反応によって酸が生成する。

パターン露光処理が終了した露光済みの基板Ｗは露光ユニットＥＸＰから再びインターフェイスブロック５０に戻され、搬送機構ＩＦＲによって基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置される。露光後の基板Ｗが基板載置部ＰＡＳＳ１０に載置されると、搬送ロボットＴＲ４がその基板Ｗを受け取って現像処理ブロック４０の熱処理タワー４３の加熱ユニットＨＰ４３１〜ＨＰ４３６のいずれかに搬送する。加熱ユニットＨＰ４３１〜ＨＰ４３６のそれぞれでは、基板Ｗに対する加熱処理（目標温度１０５度、処理時間が９０秒）が行われる（処理工程step１１）。この加熱処理によって、露光時の光化学反応によって生じた生成物を酸触媒としてレジストの樹脂の架橋・重合等の反応を進行させ、現像液に対する溶解度を露光部分のみ局所的に変化させるための露光後加熱処理(Post Exposure Bake)が行われる。この処理工程step１１は、６台の加熱ユニットＨＰ４３１〜ＨＰ４３６で並行処理される。すなわち、処理工程step１１の並行数は「６」である。

露光後加熱処理が終了した基板Ｗは、加熱ユニット内部の機構によって冷却されることにより上記化学反応が停止する。続いて基板Ｗは、搬送ロボットＴＲ４によって熱処理タワー４３の加熱ユニットから取り出され、基板載置部ＰＡＳＳ８に載置される。

基板載置部ＰＡＳＳ８に基板Ｗが載置されると、現像処理ブロック４０の搬送ロボットＴＲ３がその基板Ｗを受け取って熱処理タワー４２の冷却ユニットＣＰ４２１，ＣＰ４２２のいずれかに搬送する。冷却ユニットＣＰ４２１，ＣＰ４２２のそれぞれでは、基板Ｗに対する冷却処理（目標温度２２度、処理時間４０秒）が行われる（処理工程step１２）。この冷却処理によって、露光後加熱処理が終了した基板Ｗがさらに冷却され、所定温度に正確に温調される。この処理工程step１２は、２台の冷却ユニットＣＰ４２１，ＣＰ４２２で並行処理される。すなわち、処理工程step１２の並行数は「２」である。

その後、搬送ロボットＴＲ３は、冷却ユニットから基板Ｗを取り出して現像処理部４１の現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５のいずれかに搬送する。現像処理ユニットＳＤ１〜ＳＤ５のそれぞれでは、基板Ｗに現像液を供給して現像処理を進行させる（処理工程step１３）。この処理工程step１３は、５台の現像処理ユニットＳＤ１，ＳＤ２，ＳＤ３，ＳＤ４，ＳＤ５で並行処理される。すなわち、処理工程step１３の並行数は「５」である。

やがて現像処理が終了した後、基板Ｗは搬送ロボットＴＲ３によって基板載置部ＰＡＳＳ６に載置される。基板載置部ＰＡＳＳ６に載置された基板Ｗは、レジスト塗布ブロック３０の搬送ロボットＴＲ２によってそのまま基板載置部ＰＡＳＳ４に載置される。さらに、基板載置部ＰＡＳＳ４に載置された基板Ｗは、バークブロック２０の搬送ロボットＴＲ１によってそのまま基板載置部ＰＡＳＳ２に載置されることにより、インデクサブロック１０に格納される。基板載置部ＰＡＳＳ２に載置された処理済みの基板ＷはインデクサロボットＩＲによって所定のキャリアＣに収納される（処理工程step１４）。その後、所定枚数の処理済み基板Ｗが収納されたキャリアＣが装置外部に搬出されて一連のフォトリソグラフィー処理が完了する。

〈４．セル内の搬送制御〉
〈４−１．原理説明〉
上述した通り、基板処理装置１においては、セルコントローラＣＣが、対応するセル内における基板の搬送を管理する。具体的には、セルコントローラＣＣの管理の下で、搬送ロボットコントローラＴＣが搬送ロボットを制御してセル内での一連の循環動作（サイクル動作）を反復して実行させる。ところで、各セル内の搬送ロボットは、サイクル動作を所定のサイクルタイムで反復して行うように制御される。以下において、搬送ロボットがサイクル動作を１回行う時間（サイクルタイム）を「装置サイクルタイムＭＣ」という。

〈従来の搬送制御〉
一般に、セル内に１つのレシピに係る基板Ｗだけが存在する状態（以下において「単独状態」という）においては、当該セルのセルコントローラは、装置サイクルタイムＭＣを、当該レシピのレシピサイクルタイムに設定する。ただし、上述した通り、レシピサイクルタイムとは、当該レシピに係る１枚の被処理基板が得られる時間間隔の最小値としてレシピから規定される値であり、レシピに記述されているプロセスシーケンスや処理条件等から規定される。

例えば、レシピサイクルタイムＴ（Ａ）が「２４秒」のレシピ（レシピＡ）に係る基板Ｗが単独状態で処理される場合を考える。従来のセルコントローラはこの場合、図７（ａ）に示すように、装置サイクルタイムＭＣを２４秒に設定する。すると、当該セルの搬送ロボットは、２４秒サイクルで処理部間におけるサイクル動作を行う。この状態においては、セル内のある処理部別の処理部へ２４秒に１枚ずつ基板Ｗが移動されていく。すなわち、各処理部においては、レシピＡに係る基板Ｗ（Ａ１，Ａ２，・・）が２４秒に１枚ずつ処理されていく。

ところで、レシピサイクルタイムが異なる２つのレシピを連続して処理する場合には、セル内にレシピサイクルタイムが異なる２つのレシピのそれぞれに係る基板Ｗが併存する状態（換言すると、搬送ロボットが行うサイクル動作の中に、あるレシピに係る基板を搬送する動作と、別のレシピに係る基板を搬送する動作とが含まれる状態であり、以下において「併存状態」という）が発生することがある。併存状態が発生した場合、従来のセルコントローラは、装置サイクルタイムＭＣを、併存状態に係る２つのレシピのうち、レシピサイクルタイムが長い方のレシピのレシピサイクルタイムに設定する。

例えば、レシピサイクルタイムＴ（Ａ）が「２４秒」のレシピＡに係る基板Ｗが単独状態で処理される状態から、レシピＡに係る基板Ｗに引き続いてレシピサイクルタイムＴ（Ｂ）が「８１秒」のレシピ（レシピＢ）に係る基板Ｗがセル内に搬入され、併存状態が発生した場合を考える。従来のセルコントローラはこの場合、図７（ｂ）に示すように、装置サイクルタイムＭＣを、２４秒から８１秒に切り換える。すなわち、レシピサイクルタイムが長い方のレシピのレシピサイクルタイムに切り換える。すると、当該セルの搬送ロボットは、８１秒サイクルで処理部間におけるサイクル動作を行う。この状態においては、セル内のある処理部から別の処理部へ８１秒に１枚ずつ基板Ｗが移動されていく。すなわち、各処理部においては、８１秒に１枚ずつ基板Ｗ（レシピＡに係る基板Ｗ（・・，Ａ２４，２５）、および、レシピＢに係る基板Ｗ（Ｂ１，Ｂ２，・・））が処理されていく。

ここで、図７（ｂ）に示される併存状態における「トータル待ち時間増加量」を考える。ただし、「トータル待ち時間増加量」とは、併存状態に係る複数のレシピのそれぞれについての「待ち時間増加量」を総和した値である。ただし、レシピに係る基板Ｗの「待ち時間増加量」とは、当該レシピの「実サイクルタイム」と当該レシピのレシピサイクルタイムとの差である。「実サイクルタイム」とは、当該レシピに係る１枚の被処理基板が実際に得られる時間間隔であり、基板Ｗを処理する際の搬送ロボットの装置サイクルタイムＭＣと搬送ロボットが当該基板Ｗを搬送する頻度から規定される。例えば、搬送ロボットが全てのサイクル動作において基板Ｗを搬送するように制御されている場合、実サイクルタイムは装置サイクルタイムＭＣと一致する。また、搬送ロボットがｎ回のサイクル動作のうちの１回においてのみ基板Ｗを搬送するように制御されている場合、実サイクルタイムは装置サイクルタイムＭＣのｎ倍になる。

例えば、２つのレシピＡ，Ｂが併存状態にある場合、レシピＡに係る基板Ｗの待ち時間増加量（待ち時間増加量ΔＱ（Ａ））は、レシピＡの実サイクルタイム（実サイクルタイムＤ（Ａ））と、レシピＡのレシピサイクルタイムＴ（Ａ）との差によって与えられる（ΔＱ（Ａ）＝Ｄ（Ａ）−Ｔ（Ａ））。レシピＢに係る基板Ｗの待ち時間増加量（待ち時間増加量ΔＱ（Ｂ））も同様に得ることができる（ΔＱ（Ｂ）＝Ｄ（Ｂ）−Ｔ（Ｂ））。そして、トータル待ち時間増加量（トータル待ち時間増加量ΔＱ（Ａ＋Ｂ））は、レシピＡに係る基板Ｗの待ち時間増加量ΔＱ（Ａ）と、レシピＢに係る基板Ｗの待ち時間増加量ΔＱ（Ｂ）との和によって与えられる（ΔＱ（Ａ＋Ｂ）＝ΔＱ（Ａ）＋ΔＱ（Ｂ））。

図７（ｂ）に例示される併存状態の場合、装置サイクルタイムＭＣは「８１秒」である。したがって、レシピＡ，Ｂそれぞれの実サイクルタイムＤ（Ａ），Ｄ（Ｂ）はいずれも「８１秒」となる。ここで、レシピＡのレシピサイクルタイムＴ（Ａ）は「２４秒」であるので、レシピＡに係る基板Ｗの待ち時間増加量ΔＱ（Ａ）は「５７秒（８１秒−２４秒）」となる。一方、レシピＢのレシピサイクルタイムＴ（Ｂ）は「８１秒」であるので、レシピＢに係る基板Ｗの待ち時間増加量ΔＱ（Ｂ）は「０秒（８１秒−８１秒）」となる。したがって、トータル待ち時間増加量ΔＱ（Ａ＋Ｂ）は、「５７秒（５７秒＋０秒）」となる。つまり、併存状態においては、レシピＡ，Ｂに係る基板Ｗについて、トータルで５７秒もの余分な待ち時間が発生しており、プロセスリスクの発生の可能性が極めて高いことがわかる。

〈この発明の実施の形態に係る搬送制御〉
あるレシピに係る基板Ｗが単独状態で処理される場合、この発明の実施の形態に係る基板処理装置１が備えるセルコントローラＣＣは、従来と同様、装置サイクルタイムＭＣを当該レシピのレシピサイクルタイムに設定する。一方、併存状態が発生すると、セルコントローラＣＣは、装置サイクルタイムＭＣを、予め算出されている「ベースサイクルタイムＢＣ」に設定する。「ベースサイクルタイムＢＣ」の具体的な算出方法については後に詳述する。

例えば、レシピサイクルタイムＴ（Ａ）が「２４秒」のレシピＡに係る基板Ｗが単独状態で処理される状態（図７（ａ）に示される状態）から、レシピＡに係る基板Ｗに引き続いてレシピサイクルタイムＴ（Ｂ）が「８１秒」のレシピＢに係る基板Ｗがセル内に搬入され、併存状態が発生した場合を考える。この発明の実施の形態に係るセルコントローラＣＣはこの場合、図８に示すように、装置サイクルタイムＭＣを、２４秒から所定のベースサイクルタイムＢＣ（ここでは「２７秒」）に切り換える。すると、当該セルの搬送ロボットは、２７秒サイクルで処理部間におけるサイクル動作を行う。

ただし、セルコントローラＣＣは、レシピＡに係る基板Ｗについては、搬送ロボットが行う全てのサイクル動作において当該基板Ｗを搬送するように制御する一方で、レシピＢに係る基板Ｗについては、搬送ロボットが３回のサイクル動作を行ううちの１回においてのみ、当該基板Ｗを搬送するように制御する。つまり、搬送ロボットは、レシピＢに係る基板Ｗを実際に搬送しながらのサイクル動作を１回行った後は、レシピＢに係る基板Ｗを保持せずに搬送動作のみを行うサイクル動作（空搬送動作）を２回行うことになる。

この状態においては、レシピＡに係る基板Ｗ（・・，Ａ２４，Ａ２５）については、セル内のある処理部から別の処理部へ２７秒に１枚ずつ基板Ｗが移動されていく。すなわち、各処理部においては、２７秒に１枚ずつレシピＡに係る基板Ｗ（・・，Ａ２４，２５）が処理されていく。一方、レシピＢに係る基板Ｗ（Ｂ１，Ｂ２，・・）については、３回に１回しか処理部間で基板Ｗは移動されないので、セル内のある処理部から別の処理部へ８１秒（２７秒×３）に１枚ずつ基板Ｗが移動されていく。すなわち、各処理部においては、８１秒に１枚ずつレシピＢに係る基板Ｗ（Ｂ１，Ｂ２，・・）が処理されていく。

図８に示される併存状態におけるトータル待ち時間増加量ΔＱ（Ａ＋Ｂ）を考える。この場合、装置サイクルタイムＭＣは「２７秒」である。また、レシピＡに係る基板Ｗは搬送ロボットが行う全てのサイクル動作において当該基板Ｗを搬送するように制御され、レシピＢに係る基板Ｗは搬送ロボットが３回のサイクル動作を行ううちの１回においてのみ、当該基板Ｗを搬送するように制御されている。したがって、レシピＡの実サイクルタイムＤ（Ａ）は「２７秒」となり、レシピＢの実サイクルタイムＤ（Ｂ）は「８１秒（＝２７秒×３）」となる。ここで、レシピＡのレシピサイクルタイムＴ（Ａ）は「２４秒」であるので、レシピＡに係る基板Ｗの待ち時間増加量ΔＱ（Ａ）は「３秒（２７秒−２４秒）」となる。一方、レシピＢのレシピサイクルタイムＴ（Ｂ）は「８１秒」であるので、レシピＢに係る基板Ｗの待ち時間増加量ΔＱ（Ｂ）は「０秒（８１秒−８１秒）」となる。したがって、トータル待ち時間増加量ΔＱ（Ａ＋Ｂ）は、「３秒（３秒＋０秒）」となる。つまり、従来の搬送制御では、５７秒もの長時間にわたっていた余分な待ち時間が、３秒まで短縮されており、プロセスリスクの発生の可能性が大きく低減されていることがわかる。

以下において、このような搬送制御を実現するセルコントローラＣＣの機能構成について具体的に説明する。

〈４−２．機能構成〉
この実施の形態に係る基板処理装置１は、各セルコントローラＣＣにおいて、併存状態が発生した場合のセル内の搬送制御に関する機能部（併存状態対応部９０）を備える。併存状態対応部９０の構成について、図９を参照しながら説明する。図９は、セルコントローラＣＣにて実現される併存状態対応部９０の機能構成を示すブロック図である。なお、併存状態対応部９０は、セルコントローラＣＣのそれぞれにおいて、記憶媒体等に記憶されている所定のプログラムが実行されることにより実現されてもよいし、専用のハードウェアによって実現されてもよい。

併存状態対応部９０は、ベースサイクルタイム算出部９１と、サイクルタイム切り換え部９２と、搬送頻度調整部９３とを備える。

〈ベースサイクルタイム算出部９１〉
ベースサイクルタイム算出部９１は、併存状態にある２つの処理レシピ（以下において「対象レシピＲ（Ａ）」「対象レシピＲ（Ｂ）」と示す）のそれぞれのレシピサイクルタイムＴ（Ａ），Ｔ（Ｂ）に基づいて、ベースサイクルタイムＢＣを算出する。

ベースサイクルタイム算出部９１は、ベースサイクルタイム候補値取得部９１１と、仮の実サイクルタイム算出部９１２と、仮のトータル待ち時間増加分算出部９１３と、ベースサイクルタイム決定部９１４とを備える。

〈ベースサイクルタイム候補値取得部９１１〉
ベースサイクルタイム候補値取得部９１１は、ベースサイクルタイムＢＣの候補となる複数個の値（ベースサイクルタイム候補値ＢＣｉ（ｉ＝１，２，・・））を取得する。ベースサイクルタイム候補値ＢＣｉ（ｉ＝１，２，・・）として取得されるのは、第１に、一方の対象レシピＲ（Ａ）のレシピサイクルタイムＴ（Ａ）を、「１」から所定の最大整数値（最大整数値ａ（ｍaｘ））までの各整数で割って得られる値（Ｔ（Ａ）／１，Ｔ（Ａ）／２，・・Ｔ（Ａ）／ａ（ｍaｘ））である。また、第２に、他方の対象レシピＲ（Ｂ）のレシピサイクルタイムＴ（Ｂ）を、「１」から所定の最大整数値（最大整数値ｂ（ｍaｘ））までの各整数で割って得られる値（Ｔ（Ｂ）／１，Ｔ（Ｂ）／２，・・Ｔ（Ｂ）／ｂ（ｍaｘ））である。また、第３に、装置サイクルタイムＭＣとして設定可能な最小の値（搬送律速値Ｔｒ）である。

ただし、レシピサイクルタイムＴ（Ａ），Ｔ（Ｂ）のそれぞれを割る整数値として取りうる最大の値（最大整数値ａ（ｍaｘ），ｂ（ｍaｘ））は、レシピサイクルタイムＴ（Ａ），Ｔ（Ｂ）、および、搬送律速Ｔｒに基づいて、下記（式１）（式２）から求められる。

ａ（ｍaｘ）＝［Ｔ（Ａ）／Ｔｒ］ ・・・（式１）
ｂ（ｍaｘ）＝［Ｔ（Ｂ）／Ｔｒ］ ・・・（式２）
ただし、［Ｘ］は、Ｘを超えない最大の整数を表す（すなわち、小数点を切り下げた値を表す）。

〈仮の実サイクルタイム算出部９１２〉
仮の実サイクルタイム算出部９１２は、ベースサイクルタイム候補値取得部９１１が取得したベースサイクルタイム候補値ＢＣｉ（ｉ＝１，２，・・）のそれぞれについて、当該ベースサイクルタイム候補値ＢＣｉをベースサイクルタイムＢＣとして採用した場合の対象レシピＲ（Ａ），Ｒ（Ｂ）それぞれの実サイクルタイム（以下において「仮の実サイクルタイムＤ'ｉ（Ａ），Ｄ'ｉ（Ｂ）」という）を算出する。

ただし、実サイクルタイムＤ（Ａ），Ｂ（Ｂ）は、ベースサイクルタイムＢＣに所定の整数値を乗じた値で規定される。すなわち、実サイクルタイムＤ（Ａ），Ｄ（Ｂ）の値は、ベースサイクルタイムＢＣと、そこに乗じられる所定の自然数値により規定される（以下において、この自然数値を「倍数値Ｎ」と示し、特に、対象レシピＲ（Ａ）の実サイクルタイムＤ（Ａ）を規定する倍数値を「倍数値Ｎ（Ａ）」と、対象レシピＲ（Ｂ）の実サイクルタイムＤ（Ｂ）を規定する倍数値を「倍数値Ｎ（Ｂ）」と示す）。すなわち、実サイクルタイムＤ（Ａ），Ｄ（Ｂ）は、下記（式３）（式４）で与えられる。

Ｄ（Ａ）＝ＢＣ＊Ｎ（Ａ） ・・・（式３）
Ｄ（Ｂ）＝ＢＣ＊Ｎ（Ｂ） ・・・（式４）
ただし、この倍数値Ｎ（Ａ），Ｎ（Ｂ）は、下記（式５）（式６）によって与えられる。

Ｎ（Ａ）＝｛ＴＡ／ＢＣ｝ ・・・（式５）
Ｎ（Ｂ）＝｛ＴＢ／ＢＣ｝ ・・・（式６）
ただし、｛Ｘ｝は、Ｘ以上の最小の整数を表す（すなわち、小数点を切り上げた値を表す）。

仮の実サイクルタイムＤ'ｉ（Ａ），Ｄ'ｉ（Ｂ）は、ベースサイクルタイム候補値ＢＣｉをベースサイクルタイムＢＣとして採用した場合の対象レシピＲ（Ａ），Ｒ（Ｂ）それぞれの実サイクルタイムであるので、上記式中のベースサイクルタイムＢＣの値をベースサイクルタイム候補値ＢＣｉに置き換えて得ることができる。すなわち、仮の実サイクルタイムＤ'ｉ（Ａ），Ｄ'ｉ（Ｂ）は、ベースサイクルタイム候補値ＢＣｉに仮の倍数値（仮の倍数値Ｎ'ｉ（Ａ），Ｎ'ｉ（Ｂ））をそれぞれ乗じた値で規定される（下記（式３'）（式４'））。

Ｄ'ｉ（Ａ）＝ＢＣｉ＊Ｎ'ｉ（Ａ） ・・・（式３'）
Ｄ'ｉ（Ｂ）＝ＢＣｉ＊Ｎ'ｉ（Ｂ） ・・・（式４'）
ただし、仮の倍数値Ｎ'ｉ（Ａ），Ｎ'ｉ（Ｂ）は、下記（式５'）（式６'）によって与えられる。

Ｎ'ｉ（Ａ）＝｛ＴＡ／ＢＣｉ｝ ・・・（式５'）
Ｎ'ｉ（Ｂ）＝｛ＴＢ／ＢＣｉ｝ ・・・（式６'）
ただし、｛Ｘ｝は、Ｘ以上の最小の整数を表す（すなわち、小数点を切り上げた値を表す）。

〈仮のトータル待ち時間増加量算出部９１３〉
仮のトータル待ち時間増加量算出部９１３は、ベースサイクルタイム候補値取得部９１１が取得したベースサイクルタイム候補値ＢＣｉ（ｉ＝１，２，・・）のそれぞれについて、当該ベースサイクルタイム候補値ＢＣｉをベースサイクルタイムＢＣとして採用した場合のトータル待ち時間増加量（以下において「仮のトータル待ち時間増加量ΔＱ'ｉ（Ａ＋Ｂ）」という）を算出する。

上述した通り、トータル待ち時間増加量ΔＱ（Ａ＋Ｂ）は、対象レシピＲ（Ａ）に係る基板Ｗの待ち時間増加量ΔＱ（Ａ）と、対象レシピＲ（Ｂ）に係る基板Ｗの待ち時間増加量ΔＱ（Ｂ）との和によって与えられる（ΔＱ（Ａ＋Ｂ）＝ΔＱ（Ａ）＋ΔＱ（Ｂ））。

また、対象レシピＲ（Ａ），Ｒ（Ｂ）それぞれの待ち時間増加量ΔＱ（Ａ），ΔＱ（Ｂ）は、対象レシピＲ（Ａ），Ｒ（Ｂ）それぞれの実サイクルタイムＤ（Ａ），Ｄ（Ｂ）とレシピサイクルタイムＴ（Ａ），Ｔ（Ｂ）とを用いて、下記（式７）（式８）で与えられる。

ΔＱ（Ａ）＝Ｄ（Ａ）−Ｔ（Ａ） ・・・（式７）
ΔＱ（Ｂ）＝Ｄ（Ｂ）−Ｔ（Ｂ） ・・・（式８）
仮のトータル待ち時間増加分ΔＱ'ｉ（Ａ＋Ｂ）は、ベースサイクルタイム候補値ＢＣｉをベースサイクルタイムＢＣとして採用した場合のトータル待ち時間増加量であるので、ベースサイクルタイム候補値ＢＣｉをベースサイクルタイムＢＣとして採用した場合の対象レシピＲ（Ａ），Ｒ（Ｂ）それぞれの仮の待ち時間増加量（以下において「仮の待ち時間増加量ΔＱ'ｉ（Ａ），Ｑ'（Ｂ）」という）の和によって与えられる（ΔＱ'（Ａ＋Ｂ）＝ΔＱ'（Ａ）＋ΔＱ'（Ｂ））。

ただし、仮の待ち時間増加量ΔＱ'ｉ（Ａ），Ｑ'（Ｂ）は、仮の実サイクルタイム算出部９１２が算出した仮の実サイクルタイムＤ'ｉ（Ａ），Ｄ'ｉ（Ｂ）を用いて、下記（式７'）（式８'）で与えられる。

ΔＱ'ｉ（Ａ）＝Ｄ'ｉ（Ａ）−Ｔ（Ａ） ・・・（式７'）
ΔＱ'ｉ（Ｂ）＝Ｄ'ｉ（Ｂ）−Ｔ（Ｂ） ・・・（式８'）

〈ベースサイクルタイム決定部９１４〉
ベースサイクルタイム決定部９１４は、ベースサイクルタイム候補値取得部９１１が取得したベースサイクルタイム候補値ＢＣｉ（ｉ＝１，２，・・）のうちから、１つの値を選択して、ベースサイクルタイムＢＣに決定する。

具体的には、ベースサイクルタイム候補値ＢＣｉ（ｉ＝１，２，・・）のそれぞれについて仮のトータル待ち時間増加量算出部９１３が算出した仮のトータル待ち時間増加量ΔＱ'ｉ（Ａ＋Ｂ）（ｉ＝１，２，・・）を比較して、最も小さい値の仮のトータル待ち時間増加量ΔＱ'ｉ（Ａ＋Ｂ）を与えるベースサイクルタイム候補値ＢＣｉを、ベースサイクルタイムＢＣに決定する。

ただし、最も小さい値の仮のトータル待ち時間増加量ΔＱ'ｉ（Ａ＋Ｂ）を与えるベースサイクルタイム候補値ＢＣｉが複数個ある場合は、そのようなベースサイクルタイム候補値ＢＣｉのうちで最小の値のものを、ベースサイクルタイムＢＣに決定する。ベースサイクルタイムＢＣの値はなるべく小さい方が望ましいからである。

ベースサイクルタイム決定部９１４がベースサイクルタイムＢＣを決定すると、当該ベースサイクルタイムＢＣについて算出されていた仮の実サイクルタイムＤ'ｉ（Ａ），Ｄ'ｉ（Ｂ）が、それぞれ、対象レシピＲ（Ａ）の実サイクルタイムＤ（Ａ）、対象レシピＲ（Ｂ）の実サイクルタイムＤ（Ｂ）となる。同様に、当該ベースサイクルタイムＢＣについて算出されていた仮の倍数値Ｎ'ｉ（Ａ），Ｎ'ｉ（Ｂ）が、それぞれ、対象レシピＲ（Ａ）の倍数値Ｎ（Ａ）、対象レシピＲ（Ｂ）の倍数値Ｎ（Ｂ）となる。

〈サイクルタイム切り換え部９２〉
サイクルタイム切り換え部９２は、装置サイクルタイムＭＣの切り換えを行う。具体的には、セル内で併存状態が生じている間は、搬送ロボットの装置サイクルタイムＭＣが、ベースサイクルタイム算出部９１が算出したベースサイクルタイムＢＣとなるように、装置サイクルタイムＭＣを切り換える。

〈搬送頻度調整部９３〉
搬送頻度調整部９３は、装置サイクルタイムＭＣがベースサイクルタイムＢＣに切り換えられた場合に、搬送ロボットが各処理レシピに係る基板Ｗを搬送する頻度を調整する。ただし、対象レシピＲ（Ａ）に係る基板Ｗを搬送する頻度は対象レシピＲ（Ａ）の倍数値Ｎ（Ａ）により規定され、対象レシピＲ（Ｂ）に係る基板Ｗを搬送する頻度は対象レシピＲ（Ｂ）の倍数値Ｎ（Ｂ）により規定される。すなわち、搬送頻度調整部９３は、倍数値Ｎ（Ａ）をｎとした場合、ｎ回のサイクル動作のうちの１回の動作においてのみ、対象レシピＲ（Ａ）に係る基板Ｗを搬送させるように、対象レシピＲ（Ａ）に係る基板Ｗを搬送する頻度を調整する。同様に、倍数値Ｎ（Ｂ）をｍとした場合、ｍ回のサイクル動作のうちの１回の動作においてのみ、対象レシピＲ（Ｂ）に係る基板Ｗを搬送させるように、対象レシピＲ（Ｂ）に係る基板Ｗを搬送する頻度を調整する。

〈４−３．処理の流れ〉
次に、併存状態対応部９０が行う処理の流れについて説明する。

〈ベースサイクルタイムを算出する処理の流れ〉
はじめに、ベースサイクルタイム算出部９１が、ベースサイクルタイムＢＣを算出する処理について、図１０を参照しながら説明する。

まず、ベースサイクルタイム候補値取得部９１１が、ベースサイクルタイム候補値ＢＣｉ（ｉ＝１，２，・・）を取得する（ステップＳ１１）。具体的には、まず、一方の対象レシピＲ（Ａ）のレシピサイクルタイムＴ（Ａ）を「１」〜「最大整数値ａ（ｍaｘ）」の各整数値で割って得られる値を、ベースサイクルタイム候補値ＢＣｉとして取得する（ステップＳ１１１）。また、他方の対象レシピＲ（Ｂ）のレシピサイクルタイムＴ（Ｂ）を「１」〜「最大整数値ｂ（ｍaｘ）」の各整数値で割って得られる値を、ベースサイクルタイム候補値ＢＣｉとして取得する（ステップＳ１１２）。さらに、搬送律速値Ｔｒを、ベースサイクルタイム候補値ＢＣｉとして取得する（ステップＳ１１３）。

続いて、仮の実サイクルタイム算出部９１２が、ステップＳ１１で取得されたベースサイクルタイム候補値ＢＣｉ（ｉ＝１，２，・・）のそれぞれについて、当該ベースサイクルタイム候補値ＢＣｉをベースサイクルタイムＢＣとして採用した場合の仮の実サイクルタイムＤｉ（Ａ），Ｄｉ（Ｂ）を算出する（ステップＳ１２）。

続いて、仮のトータル待ち時間増加量算出部９１３が、ステップＳ１１で取得されたベースサイクルタイム候補値ＢＣｉ（ｉ＝１，２，・・）のそれぞれについて、当該ベースサイクルタイム候補値ＢＣｉをベースサイクルタイムＢＣとして採用した場合の仮のトータル待ち時間増加量ΔＱｉ（Ａ＋Ｂ）を算出する（ステップＳ１３）。

続いて、ベースサイクルタイム決定部９１４が、ステップＳ１１で取得されたベースサイクルタイム候補値ＢＣｉ（ｉ＝１，２，・・）のうちから、１つの値を選択して、ベースサイクルタイムＢＣに決定する（ステップＳ１４）。具体的には、ステップＳ１３で取得された仮のトータル待ち時間増加量ΔＱｉ（Ａ＋Ｂ）（ｉ＝１，２，・・）を比較して、最も小さい値の仮のトータル待ち時間増加量ΔＱ'ｉ（Ａ＋Ｂ）を与えるベースサイクルタイム候補値ＢＣｉを、ベースサイクルタイムＢＣに決定する。最も小さい仮のトータル待ち時間増加量ΔＱ'（Ａ＋Ｂ）を与えるベースサイクルタイム候補値ＢＣｉが複数個ある場合は、そのようなベースサイクルタイム候補値ＢＣｉのうちで最小の値のものを、ベースサイクルタイムＢＣに決定する。

以上の処理によって、ベースサイクルタイムＢＣが特定される。

ここで、図１１を参照しながら、上述した処理の流れを具体例に沿って説明する。いま、対象レシピＲ（Ａ）のレシピサイクルタイムＴ（Ａ）が「２４秒」、対象レシピＲ（Ｂ）のレシピサイクルタイムＴ（Ｂ）が「８１秒」、搬送律速Ｔｒが「２４」で与えられたとする。

まず、ベースサイクルタイム候補値取得部９１１が、ベースサイクルタイム候補値ＢＣｉ（ｉ＝１，２，・・）を取得する（ステップＳ１１）。

具体的には、まず、一方の対象レシピＲ（Ａ）のレシピサイクルタイムＴ（Ａ）「２４」を整数「１」（レシピサイクルタイムＴ（Ａ）を割る整数値として取りうる最大の値ｍ（ｍaｘ）は、「１（＝［２４／２４］）」であるので、レシピサイクルタイムＴ（Ａ）を割る整数値は「１」となる。）で割って得られる値「２４」を、第１のベースサイクルタイム候補値ＢＣ１として取得する（ステップＳ１１１）。

また、他方の対象レシピＲ（Ｂ）のレシピサイクルタイムＴ（Ｂ）「８１」を整数「１」「２」「３」（レシピサイクルタイムＴ（Ｂ）を割る整数値として取りうる最大の値ｍ（ｍaｘ）は、「３（＝［８１／２４］）」であるので、レシピサイクルタイムＴ（Ａ）を割る整数値は「１」「２」「３」となる。）で割って得られる値「８１」「４０．５」「２７」を、第２のベースサイクルタイム候補値ＢＣ２、第３のベースサイクルタイム候補値ＢＣ３、第４のベースサイクルタイム候補値ＢＣ３としてそれぞれ取得する（ステップＳ１１２）。

さらに、搬送律速値Ｔｒ「２４」を、第５のベースサイクルタイム候補値ＢＣ４として取得する（ステップＳ１１３）。

続いて、仮の実サイクルタイム算出部９１２が、ステップＳ１１で取得されたベースサイクルタイム候補値ＢＣｉ（ｉ＝１〜５）のそれぞれをベースサイクルタイムＢＣとして採用した場合の仮の実サイクルタイムＤ'ｉ（Ａ），Ｄ'ｉ（Ｂ）（ｉ＝１〜５）を算出する（ステップＳ１２）。

ベースサイクルタイム候補値ＢＣ１「２４」をベースサイクルタイムＢＣとして採用した場合を考える。この場合、対象レシピＲ（Ａ）の仮の倍数値Ｎ'１（Ａ）は、（式５'）より「１（＝｛２４／２４｝）」となる。したがって、仮の実サイクルタイムＤ'１（Ａ）は、（式３'）より「２４（＝２４＊１）」となる。また、対象レシピＲ（Ｂ）の仮の倍数値Ｎ'１（Ｂ）は、（式６'）より「４（＝｛８１／２４｝）」となる。したがって、仮の実サイクルタイムＤ'１（Ｂ）は、（式４'）より「９６（＝２４＊４）」となる。

同様に、ベースサイクルタイム候補値ＢＣ２「８１」をベースサイクルタイムＢＣとして採用した場合の仮の倍数値Ｎ'２（Ａ），Ｎ'２（Ｂ）はそれぞれ「１」「１」となり、仮の実サイクルタイムＤ'２（Ａ），Ｄ'２（Ｂ）はそれぞれ「８１」「８１」となる。

また、ベースサイクルタイム候補値ＢＣ３「４０．５」をベースサイクルタイムＢＣとして採用した場合の仮の倍数値Ｎ'３（Ａ），Ｎ'３（Ｂ）はそれぞれ「１」「２」となり、仮の実サイクルタイムＤ'３（Ａ），Ｄ'３（Ｂ）はそれぞれ「４０．５」「８１」となる。

また、ベースサイクルタイム候補値ＢＣ４「２７」をベースサイクルタイムＢＣとして採用した場合の仮の倍数値Ｎ'４（Ａ），Ｎ'４（Ｂ）はそれぞれ「１」「３」となり、仮の実サイクルタイムＤ'４（Ａ），Ｄ'４（Ｂ）はそれぞれ「２７」「８１」となる。

また、ベースサイクルタイム候補値ＢＣ５「２４」をベースサイクルタイムＢＣとして採用した場合の仮の倍数値Ｎ'５（Ａ），Ｎ'５（Ｂ）はそれぞれ「１」「４」となり、仮の実サイクルタイムＤ'５（Ａ），Ｄ'５（Ｂ）はそれぞれ「２４」「９６」となる。

続いて、仮のトータル待ち時間増加量算出部９１３が、ステップＳ１１で取得されたベースサイクルタイム候補値ＢＣｉ（ｉ＝１〜５）のそれぞれをベースサイクルタイムＢＣとして採用した場合の仮のトータル待ち時間増加量ΔＱ'ｉ（Ａ＋Ｂ）（ｉ＝１〜５）を算出する（ステップＳ１３）。

ベースサイクルタイム候補値ＢＣ１「２４」をベースサイクルタイムＢＣとして採用した場合を考える。この場合、対象レシピＲ（Ａ）の仮の実サイクルタイムＤ'１（Ａ）は「２４」であるので、仮の待ち時間増加量ΔＱ'１（Ａ）は、（式７'）より「０（＝２４−２４）」となる。また、対象レシピＲ（Ｂ）の仮の実サイクルタイムＤ'１（Ｂ）は「９６」であるので、仮の待ち時間増加量ΔＱ'１（Ｂ）は、（式８'）より「１５（＝９６−８１）」となる。したがって、仮のトータル待ち時間増加量ΔＱ'１（Ａ＋Ｂ）は、「１５（＝０＋１５）」となる。

同様に、ベースサイクルタイム候補値ＢＣ２「８１」をベースサイクルタイムＢＣとして採用した場合の仮のトータル待ち時間増加量ΔＱ'２（Ａ＋Ｂ）は「５７」となる。また、ベースサイクルタイム候補値ＢＣ３「４０．５」をベースサイクルタイムＢＣとして採用した場合の仮のトータル待ち時間増加量ΔＱ'３（Ａ＋Ｂ）は「１６．５」となる。また、ベースサイクルタイム候補値ＢＣ４「２７」をベースサイクルタイムＢＣとして採用した場合の仮のトータル待ち時間増加量ΔＱ'４（Ａ＋Ｂ）は「３」となる。また、ベースサイクルタイム候補値ＢＣ５「２４」をベースサイクルタイムＢＣとして採用した場合の仮のトータル待ち時間増加量ΔＱ'５（Ａ＋Ｂ）は「１５」となる。

続いて、ベースサイクルタイム決定部９１４が、ステップＳ１３で取得された仮のトータル待ち時間増加量ΔＱ'ｉ（Ａ＋Ｂ）（ｉ＝１〜５）を比較して、最も小さい値を与えるベースサイクルタイム候補値ＢＣｉを、ベースサイクルタイムＢＣに決定する。すなわち、仮のトータル待ち時間増加量ΔＱ'４（Ａ＋Ｂ）「３」を与えるベースサイクルタイム候補値ＢＣ４「２７」を、ベースサイクルタイムＢＣに決定する。

この場合、当該ベースサイクルタイムＢＣについて算出されていた仮の実サイクルタイムＤ'４（Ａ）「２７」，Ｄ'４（Ｂ）「８１」が、それぞれ、対象レシピＲ（Ａ）の実サイクルタイムＤ（Ａ）、対象レシピＲ（Ｂ）の実サイクルタイムＤ（Ｂ）となる。また、当該ベースサイクルタイムＢＣについて算出されていた仮の倍数値Ｎ'４（Ａ）「１」，Ｎ'４（Ｂ）「３」が、それぞれ、対象レシピＲ（Ａ）の倍数値Ｎ（Ａ）、対象レシピＲ（Ｂ）の倍数値Ｎ（Ｂ）となる。

〈併存状態が生じた場合の処理動作〉
続いて、サイクルタイム切り換え部９２、搬送頻度調整部９３が、併存状態が生じた場合に行う処理について、図１２を参照しながら説明する。

あるレシピに係る基板Ｗが単独状態で処理されている場合、サイクルタイム切り換え部９２は、装置サイクルタイムＭＣを当該レシピ（単独レシピ）のレシピサイクルタイムに設定している（ステップＳ２１）。

例えば、レシピサイクルタイムＴ（Ａ）が「２４秒」のレシピＡに係る基板Ｗが単独状態で処理されている場合、サイクルタイム切り換え部９２は、装置サイクルタイムＭＣを「２４」に設定している。

ここで、セルコントローラＣＣより併存状態がはじまる旨の通知を受け取ると（ステップＳ２２でＹＥＳ）、サイクルタイム切り換え部９２は、装置サイクルタイムＭＣを、所定のベースサイクルタイムＢＣ（予めベースサイクルタイム算出部９１が算出していたベースサイクルタイムＢＣ）に切り換える（ステップＳ２３）。

例えば、レシピサイクルタイムＴ（Ａ）が「２４秒」のレシピＡに係る基板Ｗに引き続いて、レシピサイクルタイムＴ（Ｂ）が「８１秒」のレシピＢに係る基板Ｗが処理される場合、併存状態がはじまるまでに、ベースサイクルタイム算出部９１が、これら２つのレシピＡ，Ｂを対象レシピとしてベースサイクルタイムＢＣ「２７」を算出している（図１０、図１１参照）。したがって、この場合、セルコントローラＣＣよりレシピＡ，Ｂのそれぞれに係る基板Ｗの併存状態がはじまる旨の通知を受け取ると、サイクルタイム切り換え部９２は、装置サイクルタイムＭＣを「２４秒」から「２７秒」に切り換える。

装置サイクルタイムＭＣがベースサイクルタイムＢＣに切り換えられると、搬送頻度調整部９３が、対象レシピＲ（Ａ），Ｒ（Ｂ）のそれぞれに係る基板Ｗを搬送する頻度を、各対象レシピＲ（Ａ），Ｒ（Ｂ）の倍数値Ｎ（Ａ），Ｎ（Ｂ）に基づいて調整する（ステップＳ２４）。具体的には、倍数値Ｎ（Ａ）をｎとした場合、ｎ回のサイクル動作のうちの１回の動作においてのみ、対象レシピＲ（Ａ）に係る基板Ｗを搬送させるように、対象レシピＲ（Ａ）に係る基板Ｗを搬送する頻度を調整する。同様に、倍数値Ｎ（Ｂ）をｍとした場合、ｍ回のサイクル動作のうちの１回の動作においてのみ、対象レシピＲ（Ｂ）に係る基板Ｗを搬送させるように、対象レシピＲ（Ａ）に係る基板Ｗを搬送する頻度を調整する。

上記の例の場合、対象レシピＲ（Ａ）の倍数値Ｎ（Ａ）は「１」と、対象レシピＲ（Ｂ）の倍数値Ｎ（Ｂ）は「３」と、それぞれ決定されている（図１０、図１１参照）。したがって、この場合、装置サイクルタイムＭＣがベースサイクルタイムＢＣ「２７」に切り換えられると、搬送頻度調整部９３は、毎回のサイクル動作において対象レシピＲ（Ａ）に係る基板Ｗを搬送させるように、対象レシピＲ（Ａ）に係る基板Ｗを搬送する頻度を調整する。また、３回のサイクル動作のうちの１回の動作においてのみ対象レシピＲ（Ｂ）に係る基板Ｗを搬送させるように、対象レシピＲ（Ｂ）に係る基板Ｗを搬送する頻度を調整する。

セルコントローラＣＣより併存状態が終了する旨の通知を受け取ると（ステップＳ２５でＹＥＳ）、サイクルタイム切り換え部９２は、装置サイクルタイムＭＣを、単独レシピのレシピサイクルタイムに切り換える（ステップＳ２６）。

上記の例の場合、セルコントローラＣＣより併存状態が終了する旨の通知を受け取ると、サイクルタイム切り換え部９２は、装置サイクルタイムＭＣを、単独レシピとなるレシピＢのレシピサイクルタイムＴ（Ｂ）「８１」に切り換える。

装置サイクルタイムＭＣが単独レシピのレシピサイクルタイムに切り換られると、搬送頻度調整部９３が、対象レシピＲ（Ｂ）に係る基板Ｗを搬送する頻度を再調整して、毎回のサイクル動作において、対象レシピＲ（Ｂ）に係る基板Ｗを搬送させる（ステップＳ２７）。

上記の例の場合、搬送ロボットに対象レシピＲ（Ｂ）に係る基板Ｗを搬送させる頻度を再調整する。すなわち、３回のサイクル動作のうちの１回の動作においてのみ対象レシピＲ（Ｂ）に係る基板Ｗを搬送させるように対象レシピＲ（Ｂ）に係る基板Ｗを搬送する頻度を調整していたところを、毎回のサイクル動作において対象レシピＲ（Ｂ）に係る基板Ｗを搬送させるように再調整する。

〈５．効果〉
上記の実施の形態によると、セルに対象レシピＲ（Ａ），Ｒ（Ｂ）のそれぞれに係る基板が併存する併存状態となった場合に、装置サイクルタイムＭＣをベースサイクルタイムＢＣに切り換えるとともに、対象レシピＲ（Ａ），Ｒ（Ｂ）のそれぞれに係る基板を搬送する頻度を調整する。具体的には、対象レシピＲ（Ａ）に係る基板については、搬送ロボットがサイクル動作をｎ回（ただし、ｎ＝倍数値Ｎ（Ａ））行ううちの１回の動作においてのみ搬送させるように、搬送ロボットが対象レシピＲ（Ａ）に係る基板を搬送する頻度を調整する。また、対象レシピＲ（Ｂ）に係る基板については、搬送ロボットがサイクル動作をｎ回（ただし、ｎ＝倍数値Ｎ（Ｂ））行ううちの１回の動作においてのみ搬送させるように、搬送ロボットが対象レシピＲ（Ｂ）に係る基板を搬送する頻度を調整する。

この構成によると、対象レシピＲ（Ａ）に係る被処理基板を「Ｄ（Ａ）＝ＢＣ＊Ｎ（Ａ）」により規定される実サイクルタイムＤ（Ａ）につき１枚得ることができ、対象レシピＲ（Ｂ）に係る被処理基板を「Ｄ（Ｂ）＝ＢＣ＊Ｎ（Ｂ）」により規定される実サイクルタイムＤ（Ｂ）につき１枚得ることができる。つまり、ベースサイクルタイムＢＣに任意の自然数値を乗じた値により規定される時間を、各対象レシピに係る基板Ｗを処理する際の実サイクルタイムとすることができる。すなわち、併存状態にある複数の対象レシピのそれぞれに係る基板を、互いに異なる実サイクルタイムで処理することが可能となる。これにより、併存状態が発生した場合にいずれかのレシピに係る基板Ｗに不当に長い待ち時間が発生することを回避することができる。待ち時間が短縮されることによってプロセスリスクの発生が未然に防止される。また、生産性も向上する。

また、上記の実施の形態によると、複数個のベースサイクルタイム候補値ＢＣｉ（ｉ＝１，２，・・）のうち、最小の仮のトータル待ち時間増加量ΔＱ'ｉ（Ａ＋Ｂ）を与えるものをベースサイクルタイムＢＣに決定するので、併存状態におけるトータル待ち時間増加量ΔＱ（Ａ＋Ｂ）を小さく抑えることができる。

また、上記の実施の形態によると、対象レシピＲ（Ａ），Ｒ（Ｂ）のそれぞれのレシピサイクルタイムＴ（Ａ），Ｔ（Ｂ）を整数で割った値を、ベースサイクルタイム候補値として取得するので、簡易な処理でベースサイクルタイム候補値を取得することができる。

また、上記の実施の形態によると、搬送律速値Ｔｒをベースサイクルタイム候補値として取得する。ベースサイクルタイムＢＣの値はなるべく小さい方が好ましいところ、この構成によると、搬送ロボットが取りうる最小のサイクルタイムをベースサイクルタイムＢＣとして採用することができる場合がある。

〈６．変形例〉
〈追い越し回避の制御〉
併存状態の発生が予想される場合において、先行するレシピの実サイクルタイムが、後続するレシピの実サイクルタイムよりも大きい場合、基板Ｗの追い越しという問題が発生する可能性がある。

例えば、レシピサイクルタイムＴ（Ａ）が「２４秒」の対象レシピＲ（Ａ）、レシピサイクルタイムＴ（Ｂ）が「８１秒」の対象レシピＲ（Ｂ）を、搬送律速Ｔｒが「２４」との条件下で連続して処理する場合を考える。この場合、上述した通り、サイクルタイム切り換え部９２は、併存状態における装置サイクルタイムＭＣを、ベースサイクルタイムＢＣ「２７秒」に設定し（図１１参照）、搬送頻度調整部９３は、対象レシピＲ（Ａ）に係る基板Ｗについては、搬送ロボットが行う全てのサイクル動作において当該基板Ｗを搬送するように制御する一方で、対象レシピＲ（Ｂ）に係る基板Ｗについては、搬送ロボットが３回のサイクル動作を行ううちの１回においてのみ、当該基板Ｗを搬送するように制御する。したがって、対象レシピＲ（Ａ）の実サイクルタイムＤ（Ａ）は「２７秒」となり、対象レシピＲ（Ｂ）の実サイクルタイムＤ（Ｂ）は「８１秒」となる。

対象レシピＲ（Ａ）が先行し、対象レシピＲ（Ｂ）が後続する場合は、対象レシピＲ（Ｂ）に係る基板Ｗは３回に１回しか実際に搬送されないので、対象レシピＲ（Ｂ）に係る基板Ｗが対象レシピＲ（Ａ）に係る基板Ｗを追い越すことはない。これに対し、対象レシピＲ（Ｂ）が先行し、対象レシピＲ（Ａ）が後続する場合は、対象レシピＲ（Ａ）に係る基板Ｗが対象レシピＲ（Ｂ）に係る基板Ｗを追い越す可能性が出てくる。このような追い越しが発生する状況においては、後続する対象レシピＲ（Ａ）に係る基板Ｗを搬入すべき処理ユニットが先行する対象レシピＲ（Ｂ）に係る基板Ｗの処理に用いられており、対象レシピＲ（Ａ）に係る基板Ｗを対象レシピＲ（Ｂ）に係る基板Ｗの処理が終了するまで待機させないといけない状態が生じる。これでは、対象レシピＲ（Ａ）に係る基板Ｗの待ち時間が長くなり、プロセスリスクの発生の危険がある。

そこで、上記の実施の形態に係る併存状態対応部９０に、このような基板Ｗの追い越しの発生を回避すべく、基板Ｗの装置内への搬入（すなわち、キャリアＣからの払い出し）を所定時間停止する制御を行う機能部（払い出し調整部９４）をさらに備えさせる構成としてもよい（図１３）。

払い出し調整部９４は、具体的には、併存状態の発生が予想される場合において、先行するレシピの実サイクルタイムが後続するレシピの実サイクルタイムよりも大きく、基板Ｗの追い越しが発生する可能性があると判断した場合に、後続するレシピに係る基板Ｗを装置内に払い出すタイミングを所定時間だけ遅らせる旨の要求をメインコントローラＭＣに通知する。当該要求を受けたメインコントローラＭＣは、インデクサセルＣ１のセルコントローラＣＣに対して、当該レシピに係る基板Ｗの装置内への払い出しを所定時間遅らせるように指示する。インデクサセルＣ１のセルコントローラＣＣは、当該指示に応じて、所定時間が経過するまで当該レシピに係る基板Ｗの装置内への払い出しを行わない。これによって、当該レシピに係る基板Ｗが装置内に払い出される時間を所定時間だけ遅らせることができる。

払い出し調整部９４を備える構成によると、追い越しが発生する状況を未然に防ぐことが可能となり、追い越しに伴って基板に不当に長い待ち時間が生じるといった事態を未然に回避することができる。その結果、プロセスリスクの発生を未然に回避することができる。

なお、払い出し調整部９４が上記の制御を行った場合、上記の効果を得ることができる半面、装置の生産能力が低下するという不都合も生じてしまう。そこで、払い出し調整部９４を設ける構成とした場合、その機能を能動化させるか否かをオペレータに選択させる構成とすることが好ましい。すなわち、オペレータからの指示に応じて、払い出し調整部９４を能動化／非能動化させる機能部（能動化指示部９４１）を備えることが好ましい。

〈ベースサイクルタイムＢＣの算出方法の変形例〉
ベースサイクルタイムＢＣの算出方法は、上記に説明した方法に限られず、各種の方法でも算出することができる。例えば、次の方法によってベースサイクルタイムＢＣを算出してもよい。

まず、与えられた２つのレシピのうちで、レシピサイクルタイムが長い方のレシピ（例えば、対象レシピＲ（Ａ））のレシピサイクルタイムＴ（Ａ）と、他方の対象レシピＲ（Ｂ）のレシピサイクルタイムＴ（Ｂ）との比Ｋ（Ｋ＝Ｔ（Ａ）／Ｔ（Ｂ））が、ある係数α（例えば、α＝１．５）よりも大きいか否かを判断する。

比Ｋが係数α以下の場合（すなわち、「Ｔ（Ａ）≦Ｔ（Ｂ）＊α」の場合）は、２つのレシピサイクルの差があまり大きくないので、ベースサイクルタイムＢＣの値として、対象レシピＲ（Ａ）のレシピサイクルタイムＴ（Ａ）（すなわち、２つの対象レシピのうちで、レシピサイクルタイムが長い方のレシピのレシピサイクルタイム）を採用する。

一方、比Ｋが係数αよりも大きい場合（すなわち、「Ｔ（Ａ）＞Ｔ（Ｂ）＊α」の場合）は、ベースサイクルタイムＢＣの値として、対象レシピＲ（Ｂ）のレシピサイクルタイムＴ（Ｂ）（すなわち、２つの対象レシピのうちで、レシピサイクルタイムが短い方のレシピのレシピサイクルタイム）に所定の値βを加算した値（Ｔ（Ｂ）＋β）を採用する。ただし、値βは、ベースサイクルタイムＢＣとして「Ｔ（Ｂ）＋β」を採用した場合に、トータル待ち時間増加量ΔＱ（Ａ＋Ｂ）が最小となるような値が選ばれる。

〈３以上のレシピを同時に流す場合の変形例〉
上記の実施の形態においては、２つのレシピのそれぞれに係る基板Ｗがセル内に併存する状態の搬送制御の態様について説明したが、これを、３以上のレシピのそれぞれに係る基板Ｗがセル内に併存する場合に適用することができる。

例えば、３つの対象レシピ（対象レシピＲ（Ａ），対象レシピＲ（Ｂ），対象レシピＲ（Ｃ））が併存状態におかれる場合の、ベースサイクルタイムＢＣ値は次の態様で特定することができる。

まず、２つの対象レシピ（例えば、対象レシピＲ（Ａ）および対象レシピＲ（Ｂ））が併存状態におかれる場合のベースサイクルタイムＢＣ（ベースサイクルタイムＢＣ（Ａ＋Ｂ））を、対象レシピＲ（Ａ）のレシピサイクルタイムＴ（Ａ）、対象レシピＲ（Ｂ）のレシピサイクルタイムＴ（Ｂ）および搬送律速Ｔｒから、上述した態様によって特定する。

続いて、取得されたベースサイクルタイムＢＣ（Ａ＋Ｂ）をレシピサイクルタイムとして持つレシピを仮想的に想定する（仮想レシピＲ（Ａ＋Ｂ））。そして、この仮想レシピＲ（Ａ＋Ｂ）と、対象レシピＲ（Ｃ）とのそれぞれに係る基板Ｗが併存状態におかれる場合のベースサイクルタイムＢＣ（ベースサイクルタイムＢＣ（Ａ＋Ｂ＋Ｃ））を、仮想レシピＲ（Ａ＋Ｂ）のレシピサイクルタイム（すなわち、ベースサイクルタイムＢＣ（Ａ＋Ｂ））、対象レシピＲ（Ｃ）のレシピサイクルタイムＴ（Ｃ）および搬送律速Ｔｒから、上述した態様によって特定する。ここで得られたベースサイクルタイムＢＣ（Ａ＋Ｂ＋Ｃ）が、３つの対象レシピＲ（Ａ），対象レシピＲ（Ｂ），対象レシピＲ（Ｃ）が併存状態におかれる場合の、ベースサイクルタイムＢＣとなる。

ベースサイクルタイムＢＣが決定されると、上述した通り、各対象レシピＲ（Ａ），Ｒ（Ｂ）の実サイクルタイムＤ（Ａ），Ｄ（Ｂ），Ｄ（Ｃ）、および、倍数値Ｎ（Ａ），Ｎ（Ｂ）、Ｎ（Ｃ）も一意に決定される。

〈その他の変形例〉
この発明に係る基板処理装置の構成は図１から図４に示したような形態に限定されるものではなく、種々の配置構成を採用することが可能である。

１ 基板処理装置
１０ インデクサブロック
２０ バークブロック
３０ レジスト塗布ブロック
４０ 現像処理ブロック
５０ インターフェイスブロック
ＢＲＣ１〜ＢＲＣ４，ＳＣ１〜ＳＣ４ 塗布処理ユニット
ＩＦＲ 搬送機構
ＩＲ インデクサロボット
ＰＡＳＳ１〜ＰＡＳＳ１０ 基板載置部
ＳＤ１〜ＳＤ５ 現像処理ユニット
ＴＲ１，ＴＲ２，ＴＲ３，ＴＲ４ 搬送ロボット
９０ 併存状態対応部
９１ ベースサイクルタイム算出部
９２ サイクルタイム切り換え部
９３ 搬送頻度調整部
９１１ ベースサイクルタイム候補値取得部
９１２ 仮の実サイクルタイム算出部
９１３ 仮のトータル待ち時間増加量算出部
９１４ ベースサイクルタイム決定部
Ｗ 基板

Claims (5)

1. 処理レシピに記述された一連の処理工程を基板に施す基板処理装置であって、
   所定の被制御区画内に配置され、それぞれが基板に所定の処理を施す複数の処理部と、
   １サイクルタイムで、前記複数の処理部間における一連の循環動作を行う搬送機構と、
   前記搬送機構の搬送動作を制御する制御手段と、
   を備え、
   前記制御手段が、
   前記被制御区画内に複数の処理レシピのそれぞれに係る基板が併存する併存状態となった場合に、前記搬送機構のサイクルタイムを、所定のベースサイクルタイムに切り換えるサイクルタイム切り換え手段と、
   前記サイクルタイムが前記ベースサイクルタイムに切り換えられた場合に、前記搬送機構が前記ベースサイクルタイムに従って前記一連の循環動作をｎ回（ただし、ｎは、前記複数の処理レシピのそれぞれについて固有に規定された自然数値）行ううちの１回の動作においてのみ、前記複数の処理レシピのそれぞれに係る基板を搬送するように、前記搬送機構を制御する搬送頻度調整手段と、
   を備えることを特徴とする基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置であって、
   前記制御手段が、
   前記ベースサイクルタイムを算出するベースサイクルタイム算出手段、
   を備え、
   前記ベースサイクルタイム算出手段が、
   複数個のベースサイクルタイム候補値を取得するベースサイクルタイム候補値取得手段と、
   前記複数個のベースサイクルタイム候補値のそれぞれについて、当該ベースサイクルタイム候補値をベースサイクルタイムとして採用した場合に前記処理レシピに係る１枚の被処理基板が得られる時間間隔であるサイクルタイムと、当該処理レシピに係る１枚の被処理基板が得られる時間間隔の最小値として前記処理レシピから規定されるレシピサイクルタイムとの差を、当該処理レシピの仮の待ち時間増加量として取得し、
   さらに、前記複数の処理レシピのそれぞれについて取得された前記仮の待ち時間増加量を総和して、仮のトータル待ち時間増加量として取得する仮のトータル待ち時間増加量取得手段と、
   前記複数個のベースサイクルタイム候補値のうちで、前記仮のトータル待ち時間増加量が最も小さいベースサイクルタイム候補値を、前記ベースサイクルタイムに決定するベースサイクルタイム決定手段と、
   を備えることを特徴とする基板処理装置。
3. 請求項２に記載の基板処理装置であって、
   前記ベースサイクルタイム候補値取得手段が、
   前記複数の処理レシピのそれぞれのレシピサイクルタイムを自然数で割った値を、前記ベースサイクルタイム候補値として取得することを特徴とする基板処理装置。
4. 請求項２または３に記載の基板処理装置であって、
   前記ベースサイクルタイム候補値取得手段が、
   前記搬送機構が取りうる最小のサイクルタイムを、前記ベースサイクルタイム候補値として取得することを特徴とする基板処理装置。
5. 請求項１から４のいずれかに記載の基板処理装置であって、
   前記併存状態において、後続するレシピに係る基板が先行するレシピに係る基板を追い越す状況が発生すると予測される場合に、前記後続するレシピに係る基板を外部から前記基板処理装置へ受け入れるタイミングを所定時間遅らせるタイミング調整手段、
   を備えることを特徴とする基板処理装置。

Images