KR20060115617A - 도포 처리 방법 및 도포 처리 장치 - Google Patents

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KR20060115617A
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Abstract

본 발명은 도포처리방법 및 도포처리장치에 관한 것으로서 도포·현상 장치는 기판의 반송 경로를 따라 처리측내에 반송 상류단으로부터 차례로 재치대 모듈 기판의 온도를 설정 온도로 조정하는 온조모듈 ; 온도 조정된 기판에 도포액을 도포하는 도포 모듈 및 도포액이 도포된 기판을 가열하는 가열 모듈을 배치하고 상하에 설치되어 서로 독립해 진퇴 자유로운 상부 아암 및 하부 아암을 가지는 기판 반송 기구에 의해 상부 아암 및 하부 아암을 교대로 동작시켜 상류측의 모듈로부터 차례로 기판을 한개씩 하류측의 모듈에 반송하는 것에 있어서 온조모듈로부터 도포 모듈에 반송하는 아암과 가열 모듈로부터 기판을 수취하는 아암을 다르게 하기 위해서 도포 모듈과 가열 모듈의 사이에 더미 재치대를 배치하고 상류단의 재치대 모듈을 1번째의 모듈로서 하류측의 모듈에 차례로 번호를 할당해 온조모듈이 우수 번째의 모듈이 될 때는 1번째의 재치대 모듈상의 기판을 상기 상부 아암에 의해 수취하도록 하고 온조모듈이 기수 번째의 모듈이 될 때는 1번째의 재치대 모듈상의 기판을 하부 아암에 의해 수취하도록 하는 기술을 제공한다.

Description

도포 처리 방법 및 도포 처리 장치{COATING METHOD AND COATING APPARATUS}
도 1은 종래의 도포·현상 장치를 나타내는 평면도이다.
도 2는 종래의 도포·현상 장치에 있어서의 기판의 흐름과 반송 수단의 움직임을 나타내는 설명도이다.
도 3은 종래의 도포 현상 장치에 이용되는 기판 반송 수단의 일례를 나타내는 사시도이다.
도 4는 본 발명과 관련되는 도포 처리 방법으로 이용되는 모듈의 배열을 나타내는 모식도이다.
도 5는 본 발명과 관련되는 도포 처리 방법으로 이용되는 기판 반송 수단을 나타내는 사시도이다.
도 6A ·6B는 본 발명과 관련되는 도포 처리 방법의 개요를 설명하기 위한 모듈의 배열 및 기판 반송 기구의 사용 아암을 설명하는 도이다.
도 7은 본 발명의 제 1의 실시 형태에 적용되는 도포·현상 장치를 나타내는 평면도 도 8은 도 7의 도포·현상 장치의 전체 구성을 나타내는 개략 사시도이다.
도 9는 도 7의 도포·현상 장치의 개략 수직 단면도이다.
도 10은 도 7의 도포·현상 장치의 제 4의 단위 블럭(COT층)을 나타내는 개략 사시도이다.
도 11은 도 7의 도포·현상 장치에 있어서의 웨이퍼의 흐름 및 각 기판 기구의 반송 영역 및 제어부를 나타내는 모식도이다.
도 12는 도포막형성용의 단위 블럭에 있어서의 웨이퍼의 반송 스케쥴의 일례를 나타내는 설명도이다.
도 13은 도포막형성용의 단위 블럭에 있어서의 웨이퍼의 반송 플로우를 나타내는 플로차트이다.
도 14는 도포막형성용의 단위 블럭에 있어서의 웨이퍼의 반송 스케쥴의 일례를 나타내는 설명도이다.
도 15는 본 발명의 제 1의 실시 형태에 있어서 이용되는 다른 모듈 배열을 나타내는 모식도이다.
도 16은 본 발명의 제 2의 실시 형태에 있어서 이용되는 모듈 배열을 나타내는 모식도이다.
도 17A ·17B는 본 발명의 제 2의 실시 형태에 있어서 적용되는 도포·현상 장치를 모식적으로 나타내는 평면도이다.
도 18A ·18B는 본 발명의 제 2의 실시 형태에 있어서 적용되는 도포·현상 장치내의 모듈의 배열과 기판 반송 기구의 사용 아암을 설명하는 도이다.
*주요부위를 나타내는 도면부호의 설명*
2 기판 반송 수단
6 제어 기구
21 상부 아암
22 하부 아암
30 캐리어
41 도포 모듈
51 제 1의 전달 기구
52 제 2의 전달 기구
53 인터페이스 블럭 반송 기구
A1~A5 메인 아암
S1·71·75 캐리어 블럭
S2·76 처리 블럭
S3·73·78 인터페이스 블럭
S4·74·79 노광 장치
TRS1~TRS10 전달 스테이지
DUM 더미 재치대
W 반도체 웨이퍼
본 발명은 예를 들면 반도체 웨이퍼나 LCD 기판(액정 디스플레이용 유리 기판) 등의 기판에 대해서 레지스트액의 도포 처리나 노광후의 현상액의 도포 처리등을 실시하는 도포 처리 방법 및 도포 처리 장치에 관하여 더욱 자세하게는 기판 반 송 수단에 의한 기판의 반송을 위한 기술에 관한다.
반도체 디바이스나 LCD 기판의 제조 프로세스의 하나로서 기판에 레지스트막을 형성해 포토마스크를 이용해 상기 레지스트막을 노광한 다음 현상 처리를 행하는 것으로 원하는 패턴을 구하는 일련의 공정이 있고 이러한 처리는 일반적으로 레지스트액의 도포나 현상을 실시하는 도포 현상 장치에 노광 장치를 접속한 레지스트 패턴 형성 장치를 이용해 행해진다. 이러한 장치로서는 예를 들면 일본국 특개2002-050668호 공보에 나타내는 것이 알려져 있다. 이 장치에서는 예를 들면 도 1에 나타나는 바와 같이 다수매의 웨이퍼 (W)를 수납한 캐리어 (10)이 캐리어 블럭 (1A)의 캐리어 스테이지 (11)에 반입되어 캐리어 (10)내의 반도체 웨이퍼 (W)(이하 「웨이퍼 (W)」라고 한다)는 전달 아암 (12)에 의해 처리 블럭 (1·B)에 전달된다. 그리고 처리 블럭 (1·B)에서는 도포 유니트 (13A)등에 의해 레지스트막을 형성하기 위한 일련의 처리를 행하고 그 다음에 인터페이스 블럭 (1C)를 개재하여 노광 장치 (1D)에 반송된다.
노광 처리후의 웨이퍼는 다시 처리 블럭 (1·B)에 되돌려져 현상 유니트 (13B)에서 현상 처리를 행하고 원래의 캐리어 (10)내에 되돌려지게 되어 있다. 도 1중 (14A~14C)는 도포 유니트 (13A)나 현상 유니트 (13B)의 처리 전후에 웨이퍼 (W)에 대해서 소정의 가열 처리나 냉각 처리를 행하기 위한 가열 유니트(HP·PEB ·POST) 냉각 유니트 (CPL1~CPL4)나 전달 스테이지(TRS) 등을 구비한 선반 유니트이다.
이 장치에 있어서 웨이퍼 (W)는 처리 블럭 (1·B)에 설치된 메인 아암 (15) 에 의해 도포 유니트 (13A)와 현상 유니트 (13B)와 선반 유니트 (14A~14C)의 각부등의 처리 블럭 (1·B)내에 있어서 웨이퍼 (W)가 놓여지는 모듈간을 반송된다. 이 때 웨이퍼 (W)는 상기 처리가 가해질 때 상기 일본국 특개2002-050668호 공보에 개시된 기술에 나타나는 바와 같이 처리 예정의 모든 웨이퍼 (W)에 대해서 미리 각각이 어느 타이밍에 어느 모듈에 반송될지를 정한 반송 스케쥴에 따라서 반송되고 있다. 또한도 1중 참조 부호 (16)은 처리 블럭 (1·B)와 노광 장치 (1D)의 사이에 웨이퍼 (W)의 반송을 실시하는 인터페이스 아암이다.
도 2는 이 시스템에 있어서의 웨이퍼 (W)의 반송 경로를 나타내는 설명도이다. 전달 기구 (12)는 캐리어 스테이지 (11)에 재치된 캐리어 (10)내의 처리전의 웨이퍼 (W)를 전달유니트(TRS)에 반송하고 현상을 끝내 냉각 유니트(CPL4)에 놓여진 처리후의 웨이퍼 (W)를 상기 캐리어 (10)에 반송하는 역할을 가진다. 메인 반송 기구 (15)는 전달유니트(TRS1) 상부 아암의 웨이퍼 (W)를 냉각 유니트(CPL1)· 도포 유니트(COT)· 가열 유니트(HP)· 냉각 유니트(CPL2)의 순서로 반송하고 또한 인터페이스블럭 (1C)로부터 반출되어 가열 유니트(PEB) 내에 재치된 웨이퍼 (W)를 냉각 유니트(CPL3) ·현상 유니트(DEV) ·가열 유니트(POST) ·냉각 유니트(CPL4)의 순서로 반송하는 역할을 가진다.
메인 반송 기구 (15)는 예를 들면 도 3에 나타나는 바와 같이 예를 들면 기초대 (17)을 따라 진퇴 자유롭게 설치된 3매의 아암 (15A·15b 15c)를 구비하고 있고 기초대 (17)은 도시하지 않는 승강기구 및 회전 기구에 의해 승강 자유 또한 수직축 주위에 회전 자유롭게 구성되고 있다. 그리고 예를 들면 하나의 아암 (15B)에 의해 앞유니트에 놓여져 있는 웨이퍼 (W)를 수취한 다음 다른 아암 (15c)에 의해 다음 유니트에 놓여져 있는 웨이퍼 (W)를 수취하고 그 다음에 상기 하나의 아암 (15B)상의 웨이퍼 (W)를 다음 유니트에 전달 동작하도록 구성되고 있다.
이 때 메인 반송 기구 (15)와 냉각 유니트 (CPL1~CPL4)나 가열 유니트(HP·PEB·POST)의 사이로는 아암 (15B·15c)가 유니트의 내부에 진입해 상기 유니트와의 사이에 웨이퍼 (W)의 전달을 실시하므로 가열 유니트로부터 웨이퍼 (W)를 수취할 때에는 아암 자신이 가열되어 승온하게 된다.
그리고 이 축열한 아암을 이용해 도포 유니트(COT)의 앞공정의 냉각 유니트(CPL1)로부터 웨이퍼 (W)를 수취하고 도포 유니트(COT)에 반송하면 냉각 유니트(CPL1)로 냉각된 웨이퍼 (W)에 아암으로부터 전열해 반송중에 웨이퍼 (W)의 온도가 상승해 버려 웨이퍼 온도의 면내 균일성이 악화된다. 여기서 도포 처리시의 웨이퍼 온도는 막두께에 큰 영향을 주므로 반송중에 웨이퍼 온도가 변화하면 이 온도 변화에 의존해 막두께의 면내 균일성이 낮아져 버린다.
이 때문에 종래에서는 상기 메인 반송 기구 (15)의 하나의 아암 (15A)를 웨이퍼 (W)를 냉각 유니트(CPL1)로부터 도포 유니트(COT)에 반송할 때의 전용의 아암으로서 준비해 온도 변화가 생기지 않는 다른 아암을 이용해 냉각 유니트(CPL1)로부터 도포 유니트 (COT)으로 웨이퍼 (W)를 반송함으로써 냉각 유니트(CPL1)에서 냉각된 웨이퍼 (W)의 반송중의 온도 변화를 억제하여 막두께의 면내 균일성의 향상을 도모하고 있다. 그렇지만 이 아암 (15A)는 통상의 반송에는 이용하고 있지 않기 때문에 사용 빈도가 낮고 이러한 사용 빈도가 낮은 아암 (15A)에도 구동계가 필요하 다기때문에 코스트 퍼포먼스가 낮게 되고 장치의 저렴화를 조장하는 원인이 되어 버린다. 또 이와 같이 3개의 아암을 이용하면 메인 반송 기구의 대형화에도 연결된다.
본 발명의 목적은 상부 아암과 하부 아암의 2개의 아암만을 구비한 기판 반송 수단을 이용해 온조모듈로부터 도포 모듈로의 반송중의 기판의 온도 변화를 억제할 수 있는 도포 처리 방법 및 도포 처리 장치를 제공하는 것에 있다.
또 다른 목적은 이러한 도포 처리 방법을 실행하기 위한 컴퓨터 프로그램을 제공하는 것에 있다.
본 발명의 제 1의 관점에 의하면 기판의 반송 경로를 따라 반송 상류단으로부터 차례로 배치된 재치대 모듈 기판의 온도를 설정 온도로 조정하는 온조모듈 ·온도 조정된 기판에 도포액을 도포하는 도포 모듈 및 도포액이 도포된 기판을 가열하는 가열 모듈을 가지는 도포 처리부와;
상하에 설치되어 서로 독립하여 진퇴 자유로운 상부 아암 및 하부 아암을 가짐과 동시에 기판의 반송 경로를 따라 상류측으로부터 하류 측에 기판을 반송하도록 동작하는 기판 반송 기구를 구비한 도포 처리 장치를 이용해 도포 처리를 실시하는 도포 처리 방법으로서,
상기 재치대 모듈상의 기판을 상부 아암 및 하부 아암 중 한쪽 아암에 의해 수취하는 것과,
다음 모듈에 놓여져 있는 기판을 상부 아암 및 하부 아암 가운데 다른쪽의 아암에 의해 수취하는 것과,
또한 상기 한쪽의 아암상의 기판을 상기 다음 모듈에 전달하는 것과,
이와 같이 상부 아암 및 하부 아암을 교대로 동작시켜서 상류측의 모듈로부터 차레로 기판을 하나씩 하류측의 모듈에 반송하는 것을 갖고,
온조모듈로부터 도포모듈에 반송하는 아암과 가열모듈로부터 기판을 수취하는 아암을 다르게 하기 위하여 상기 반송경로에 있어서의 도포모듈과 가열모듈 사이에 더미 재치대를 배치하고,
상류단의 재치대 모듈을 1번째의 모듈로서 하류측의 모듈에 차례로 번호를 할당하여 온조모듈이 우수 번째의 모듈이 될 때는 1번째의 재치대 모듈상의 기판을 상기 상부 아암에 의해 수취하도록 해 온조모듈이 기수 번째의 모듈이 될 때는 1번째의 재치대 모듈상의 기판을 하부 아암에 의해 수취하도록 하고 온조모듈로부터 도포 모듈로의 기판의 반송을 항상 하부 아암에 의해 실시하는 도포 처리 방법이 제공된다.
상기 제 1의 관점의 도포 처리 방법에 있어서, 기판에 도포액을 도포하기 전에 기판을 가열하면서 기판의 표면에 대해서 소수화 처리를 실시하는 소수화 모듈이 반송 경로를 따라 배치되어 기판에 따라 소수화 모듈을 사용하는 반송 경로와 소수화 모듈을 사용하지 않는 반송 경로와의 사이에 반송 경로를 바꾸어 처리를 실시하도록 해도 좋다. 또 반송 경로의 상류단에 위치하는 재치대 모듈은 기판의 전달용의 전달대 모듈로 할 수가 있다. 이 경우에 상기 전달대 모듈은 기판의 냉각 플레이트로서도 기능하도록 해도 좋다. 또한 도포 모듈은 기판에 레지스트액 또는 반사 방지막용의 약액을 도포하기 위한 것으로서 좋다. 더 한층 도포 모듈은 기판에 현상액을 도포하기 위한 것이고 반송 경로의 상류단에 위치하는 재치대 모듈은 노광되고 또한 가열된 기판이 재치되는 모듈로서 좋다. 더 한층 도포 모듈은 기판에 현상액을 도포하기 위한 것이고 반송 경로의 상류단에 위치하는 재치대 모듈은 노광된 기판이 재치되는 모듈이고 반송 경로에 있어서의 재치대 모듈과 온조모듈의 사이에 기판을 가열하고 또한 냉각하기 위한 모듈이 배치되어 있어 좋다. 더 한층 기판의 반송 경로를 인식하는 것으로 상류단의 재치대 모듈을 1번째의 모듈로서 하류측의 모듈에 차례로 번호를 할당하는 것과 온조모듈이 우수 번째의 모듈인지 기수 번째의 모듈인지를 인식하는 것을 더 포함해도 괜찮다.
본 발명의 제 2의 관점에 의하면 기판의 반송 경로를 따라 반송 상류단으로부터 차례로 배치된 재치대 모듈 기판의 온도를 설정 온도로 조정하는 제 1의 온조모듈· 온도 조정된 기판에 제 1의 도포액을 도포하는 제 1의 도포 모듈· 제 1의 도포액이 도포된 기판을 가열하는 제 1의 가열 모듈 ·기판을 냉각해 설정 온도로 조정하는 제 2의 온조모듈 ·온도 조정된 기판에 제 2의 도포액을 도포하는 제 2의 도포 모듈 및 제 2의 도포액이 도포된 기판을 가열하는 제 2의 가열 모듈을 가지는 도포 처리부와;
상하에 설치되어 서로 독립하여 진퇴 자유로운 상부 아암 및 하부 아암을 가짐과 동시에 기판의 반송 경로를 따라 상류측으로부터 하류 측에 기판을 반송하도록 동작하는 기판 반송 기구를 구비한 도포 처리 장치를 이용해 도포 처리를 실시하는 도포 처리 방법으로서,
상기 재치대 모듈상의 기판을 상부 아암 및 하부 아암 중 한쪽의 아암에 의해 수취하는 것과,
다음 모듈에 놓여져 있는 기판을 상부 아암 및 하부 아암 중 한쪽 아암에 의해 수취하는 것과,
또한 상기 한쪽 아암상의 기판을 상기 다음 모듈에 전달하는 것과,
이와 같이 상부 아암 및 하부 아암을 교대로 동작시켜 상류측의 모듈로부터 차례로 기판을 한개씩 하류측의 모듈에 반송하는 것을 갖고,
제 1의 온조모듈로부터 제 1의 도포 모듈에 반송하는 아암과 제 1의 가열 모듈로부터 기판을 수취하는 아암을 다르게 하기 위해서 상기 반송 경로에 있어서의 제 1의 도포 모듈과 제 1의 가열 모듈의 사이에 제 1의 더미 재치대를 배치하고,
제 2의 온조모듈로부터 제 2의 도포 모듈에 반송하는 아암과 제 2의 가열 모듈로부터 기판을 수취하는 아암을 다르게 하기 위해서 상기 반송 경로에 있어서의 제 2의 도포 모듈과 제 2의 가열 모듈과의 사이에 제 2의 더미 재치대를 배치하고,
상류단의 재치대 모듈을 1번째의 모듈로서 하류측의 모듈에 차례로 번호를 할당해 제 1의 온조모듈 및 제 2의 온조모듈이 우수 번째의 모듈이 될 때는 1번째의 재치대 모듈상의 기판을 상기 상부 아암에 의해 수취하도록 하고 제 1의 온조모듈 및 제 2의 온조모듈이 기수 번째의 모듈이 될 때는 1번째의 재치대 모듈상의 기판을 하부 아암에 의해 수취하도록 하고 온조모듈로부터 도포 모듈로의 기판의 반송을 항상 하부 아암에 의해 실시하는 도포 처리 방법이 제공된다.
상기 제 1의 관점의 도포 처리 방법에 있어서, 제 1의 도포 모듈은 반사 방 지막용의 약액을 기판에 도포하기 위한 모듈이고 제 2의 도포 모듈은 레지스트액을 기판에 도포하기 위한 모듈로서 좋다. 또 기판에 대해서 앞으로 기판을 가열하면서 기판의 표면에 대해서 소수화 처리를 실시하는 소수화 모듈이 반송 경로에 있어서의 제 1의 온조모듈의 상류 측에 배치되어 기판에 따라 제 1의 온조모듈· 제 1의 도포 모듈· 제 1의 더미 재치대 및 제 1의 가열 모듈을 사용하는 반송 경로와 이들 모듈을 사용하는 대신에 소수화 모듈을 사용하는 반송 경로의 사이에 반송 경로를 전환하여 처리를 실시하도록 해도 좋다. 또한 반송 경로의 상류단에 위치하는 재치대 모듈은 기판의 전달용의 전달대 모듈로 할 수가 있어 이 경우에 상기 전달대 모듈은 기판의 냉각 플레이트로서도 기능하여 좋다. 또한 또 기판의 반송 경로를 인식하는 것으로 상류단의 재치대 모듈을 1번째의 모듈로서 하류측의 모듈에 차례로 번호를 할당하는 것으로 온조모듈이 우수 번째의 모듈인지 기수 번째의 모듈인지를 인식하는 것을 더 포함해도 괜찮다.
본 발명의 제 3의 관점에 의하면 기판의 반송 경로를 따라 반송 상류단으로부터 차례로 배치된 재치대 모듈 기판의 온도를 설정 온도로 조정하는 온조모듈 ·온도 조정된 기판에 도포액을 도포하는 도포 모듈 및 도포액이 도포된 기판을 가열하는 가열 모듈을 가지는 도포 처리부와;
상하에 설치되어 서로 독립하여 진퇴 자유로운 상부 아암 및 하부 아암을 가짐과 동시에 기판의 반송 경로를 따라 상류측으로부터 하류 측에 기판을 반송하도록 동작하는 기판 반송 기구와;
상기 재치대 모듈상의 기판을 상부 아암 및 하부 아암 중 한쪽의 아암에 의 해 수취하고 다음 모듈에 놓여져 있는 기판을 상부 아암 및 하부 아암 중 한쪽의 아암에 의해 수취하고 또한 상기 한편의 아암상의 기판을 상기 다음 모듈에 전달하고 와 같이 상부 아암 및 하부 아암을 교대로 동작시켜 상류측의 모듈로부터 차례로 기판을 한개씩 하류측의 모듈에 반송하도록 상기 기판 반송 기구를 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 도포 처리부는 상기 온조모듈로부터 도포 모듈에 반송하는 아암과 가열 모듈로부터 기판을 수취하는 아암을 다르게 하기 위해서 상기 반송 경로에 있어서의 도포 모듈과 가열 모듈의 사이에 배치된 더미 재치대를 갖고,
상기 제어부는 상류단의 재치대 모듈을 1번째의 모듈로서 하류측의 모듈에 차례로 번호를 할당하면 온조모듈이 우수 번째의 모듈이 될 때는 1번째의 재치대 모듈상의 기판을 상기 상부 아암에 의해 수취하고 온조모듈이 기수 번째의 모듈이 될 때는 1번째의 재치대 모듈상의 기판을 하부 아암에 의해 수취하도록 기판 반송 수단을 제어하는 도포 처리 장치가 제공된다.
상기 제 3의 관점과 관련되는 도포 처리 장치에 있어서 상기 처리부는 상기 반송 경로를 따라 배치된 기판에 도포액을 도포하기 전에 기판을 가열하면서 기판의 표면에 대해서 소수화 처리를 실시하는 소수화 모듈을 갖고; 상기 제어부는 기판에 따라 소수화 모듈을 사용하는 반송 경로와 소수화 모듈을 사용하지 않는 반송 경로의 사이에 반송 경로를 전환하도록 상기 기판 반송 기구를 제어하도록 해도 좋다. 또 상기 반송 경로의 상류단에 위치하는 상기 재치대 모듈은 기판의 전달용의 전달대 모듈로 할 수가 있어 이 경우에 상기 전달대 모듈은 기판의 냉각 플레이트 로서 기능해도 좋다. 또한 상기 도포 모듈은 기판에 레지스트액 또는 반사 방지막용의 약액을 도포하기 위한 것으로서 좋다. 또한 상기 도포 모듈은 기판에 현상액을 도포하기 위한 것이고 상기 반송 경로의 상류단에 위치하는 상기 재치대 모듈은 노광되고 또한 가열된 기판이 재치되는 모듈로서 좋다. 또한 상기 도포 모듈은 기판에 현상액을 도포하기 위한 것이고 상기 반송 경로의 상류단에 위치하는 상기 재치대 모듈은 노광된 기판이 재치되는 모듈이고 상기 반송 경로에 있어서의 상기 재치대 모듈과 상기 온조모듈의 사이에 기판을 가열 하고 또한 냉각하기 위한 모듈이 배치되어 있어 좋다.
본 발명의 제 4의 관점에 의하면 기판의 반송 경로를 따라 반송 상류단으로부터 차례로 배치된 재치대 모듈 기판의 온도를 설정 온도로 조정하는 제 1의 온조모듈 ;온도 조정된 기판에 제 1의 도포액을 도포하는 제 1의 도포 모듈 ;제 1의 도포액이 도포된 기판을 가열하는 제 1의 가열 모듈 ; 기판을 냉각해 설정 온도로 조정하는 제 2의 온조모듈; 온도 조정된 기판에 제 2의 도포액을 도포하는 제 2의 도포 모듈 및 제 2의 도포액이 도포된 기판을 가열하는 제 2의 가열 모듈을 가지는 도포 처리부와;
상하에 설치되어 서로 독립해 진퇴 자유로운 상부 아암 및 하부 아암을 가짐과 동시에 기판의 반송 경로를 따라 상류측으로부터 하류 측에 기판을 반송하도록 동작하는 기판 반송 기구와;
상기 재치대 모듈상의 기판을 상부 아암 및 하부 아암 중 한쪽의 아암에 의해 수취하고 다음 모듈에 놓여져 있는 기판을 상부 아암 및 하부 아암 중 한쪽의 아암에 의해 수취하고 또한 상기 한쪽의 아암상의 기판을 해 당 다음 모듈에 전달하고 이와 같이 상부 아암 및 하부 아암을 교대로 동작시켜 상류측의 모듈로부터 차례로 기판을 한개씩 하류측의 모듈에 반송하도록 상기 기판 반송 기구를 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 도포 처리부는 제 1의 온조모듈로부터 제 1의 도포 모듈에 반송하는 아암과 제 1의 가열 모듈로부터 기판을 수취하는 아암을 다르게 하기 위해서 상기 반송 경로에 있어서의 제 1의 도포 모듈과 제 1의 가열 모듈의 사이에 배치된 제 1의 더미 재치대와,
제 2의 온조모듈로부터 제 2의 도포 모듈에 반송하는 아암과 제 2의 가열 모듈로부터 기판을 수취하는 아암을 다르게 하기 위해서 상기 반송 경로에 있어서의 제 2의 도포 모듈과 제 2의 가열 모듈의 사이에 배치된 제 2의 더미 재치대를 갖고,
상기 제어부는 상류단의 재치대 모듈을 1번째의 모듈로서 하류측의 모듈에 차례로 번호를 할당하면 제 1의 온조모듈 및 제 2의 온조모듈이 우수 번째의 모듈이 될 때는 1번째의 재치대 모듈상의 기판을 상기 상부 아암에 의해 수취하고 제 1의 온조모듈 및 제 2의 온조모듈이 기수 번째의 모듈이 될 때는 1번째의 재치대 모듈상의 기판을 하부 아암에 의해 수취하도록 기판 반송 기구를 제어하는 도포 처리 장치가 제공된다.
상기 제 4의 관점의 도포 처리 장치에 있어서 상기 제 1의 도포 모듈은 반사 방지막용의 약액을 기판에 도포하기 위한 모듈이고 ; 상기 제 2의 도포 모듈은 레지스트액을 기판에 도포하기 위한 모듈로서 좋다. 또 상기 처리부는 상기 반송 경로에 있어서의 상기 제 1의 온조모듈의 상류 측에 배치된 기판에 도포액을 도포하기 전에 기판을 가열하면서 기판의 표면에 대해서 소수화 처리를 실시하는 소수화 모듈을 갖고 상기 제어부는 기판에 따라 제 1의 온조모듈 ;제 1의 도포 모듈;제 1의 더미 재치대 및 제 1의 가열 모듈을 사용하는 반송 경로와 이들 모듈을 사용하는 대신에 소수화 모듈을 사용하는 반송 경로와의 사이에 반송 경로를 전환하도록 기판 반송 수단을 제어하도록 해도 좋다. 또한 상기 반송 경로의 상류단에 위치하는 상기 재치대 모듈은 기판의 전달용의 전달대 모듈로 할 수가 있어 이 경우에 상기 전달대 모듈은 기판의 냉각 플레이트로 하여 기능하도록 해도 좋다.
본 발명의 제 5의 관점에 의하면 기판의 반송 경로를 따라 반송 상류단으로부터 차례로 배치된 재치대 모듈 기판의 온도를 설정 온도로 조정하는 온조모듈 ;온도 조정된 기판에 도포액을 도포하는 도포 모듈 및 도포액이 도포된 기판을 가열하는 가열 모듈을 갖고 또한 온조모듈로부터 도포 모듈에 반송하는 아암과 가열 모듈로부터 기판을 수취하는 아암을 다르게 하기 위해서 상기 반송 경로에 있어서의 도포 모듈과 가열 모듈의 사이에 더미 재치대를 가지는 도포 처리부와;
상하에 설치되어 서로 독립해 진퇴 자유로운 상부 아암 및 하부 아암을 가짐과 동시에 기판의 반송 경로를 따라 상류측으로부터 하류 측에 기판을 반송하도록 동작하는 기판 반송 기구를 구비한 도포 처리 장치를 컴퓨터에 제어시키는 컴퓨터 프로그램으로서 실행시에 상기 재치대 모듈상의 기판을 상부 아암 및 하부 아암 중 한쪽의 아암에 의해 수취하고 다음 모듈에 놓여져 있는 기판을 상부 아암 및 하부 아암 중 한쪽의 아암에 의해 수취하고 또한 상기 한편의 아암상의 기판을 상기 다음 모듈에 전달하고 이와 같이 상부 아암 및 하부 아암을 교대로 동작시켜 상류측의 모듈로부터 차례로 기판을 한개씩 하류측의 모듈에 반송시켜 상류단의 재치대 모듈을 1번째의 모듈로서 하류측의 모듈에 차례로 번호를 할당해 온조모듈이 우수 번째의 모듈이 될 때는 1번째의 재치대 모듈상의 기판을 상기 상부 아암에 의해 수취하도록 하고 ; 온조모듈이 기수 번째의 모듈이 될 때는 1번째의 재치대 모듈상의 기판을 하부 아암에 의해 수취하도록 하고; 온조모듈로부터 도포 모듈로의 기판의 반송을 항상 하부 아암에 의해 실시하도록 상기 도포 처리 장치를 제어시키는 컴퓨터 프로그램이 제공된다.
본 발명의 제 6의 관점에 의하면 기판의 반송 경로를 따라 반송 상류단으로부터 차례로 배치된 재치대 모듈 기판의 온도를 설정 온도로 조정하는 제 1의 온조모듈 ; 온도 조정된 기판에 제 1의 도포액을 도포하는 제 1의 도포 모듈 ; 제 1의 도포액이 도포된 기판을 가열하는 제 1의 가열 모듈 기판을 냉각해 설정 온도로 조정하는 제 2의 온조모듈; 온도 조정된 기판에 제 2의 도포액을 도포하는 제 2의 도포 모듈 및 제 2의 도포액이 도포된 기판을 가열하는 제 2의 가열 모듈을 갖고 또한 제 1의 온조모듈로부터 제 1의 도포 모듈에 반송하는 아암과 제 1의 가열 모듈로부터 기판을 수취하는 아암을 다르게 하기 위해서 상기 반송 경로에 있어서의 제 1의 도포 모듈과 제 1의 가열 모듈의 사이에 배치된 제 1의 더미 재치대와 제 2의 온조모듈로부터 제 2의 도포 모듈에 반송하는 아암과 제 2의 가열 모듈로부터 기판을 수취하는 아암을 다르게 하기 위해서 상기 반송 경로에 있어서의 제 2의 도포 모듈과 제 2의 가열 모듈의 사이에 배치된 제 2의 더미 재치대를 가지는 도포 처리부와; 상하에 설치되어 서로 독립하여 진퇴 자유로운 상부 아암 및 하부 아암을 가짐과 동시에 기판의 반송 경로를 따라 상류측으로부터 하류 측에 기판을 반송하도록 동작하는 기판 반송 기구를 구비한 도포 처리 장치를 컴퓨터에 제어시키는 컴퓨터 프로그램으로서 실행시에 상기 재치대 모듈상의 기판을 상부 아암 및 하부 아암 중 한쪽의 아암에 의해 수취하고 다음 모듈에 놓여져 있는 기판을 상부 아암 및 하부 아암 중 한쪽의 아암에 의해 수취하고 또한 상기 한편의 아암상의 기판을 상기 다음 모듈에 전달하고 이와 같이 상부 아암 및 하부 아암을 교대로 동작시켜 상류측의 모듈로부터 차례로 기판을 한개씩 하류측의 모듈에 반송시키고 상류단의 재치대 모듈을 1번째의 모듈로서 하류측의 모듈에 차례로 번호를 할당하고 제 1의 온조모듈 및 제 2의 온조모듈이 우수 번째의 모듈이 될 때는 1번째의 재치대 모듈상의 기판을 상기 상부 아암에 의해 수취하도록 하고 제 1의 온조모듈 및 제 2의 온조모듈이 기수 번째의 모듈이 될 때는 1번째의 재치대 모듈상의 기판을 하부 아암에 의해 수취하도록 하여 온조모듈로부터 도포 모듈로의 기판의 반송을 항상 하부 아암에 의해 실시하도록 상기 도포 처리 장치를 제어시키는 컴퓨터 프로그램이 제공된다.
본 발명에 의하면 온조모듈로부터 도포 모듈로의 기판의 반송을 항상 하부 아암에 의해 실시하고 도포 모듈 뒤에 반송되는 가열 모듈로부터의 기판의 수취를 항상 상부 아암에 의해 실시하도록 하고 있으므로 가열 모듈로부터 기판을 수취할 때 가열된 상부 아암을 이용해 온조모듈로부터 도포 모듈로 기판을 반송하는 경우 가 없다. 이 때문에 온조모듈로 높은 정밀도로 온도 조정된 기판이 온도 변화가 적은 하부 아암에 의해 온조모듈로부터 도포 모듈까지 반송되므로 아암으로부터의 열영향을 억제한 상태로 기판의 반송을 실시할 수가 있고 그 때 기판의 면내 온도의 변화를 억제할 수가 있다. 이것에 의해 도포 모듈에서는 기판의 면내 온도의 균일성이 높고 기판 온도가 적절한 상태로 도포액의 도포 처리를 실시할 수가 있어 면내 균일성이 높은 양호한 도포 처리를 실시할 수가 있다.
또 가열 모듈로부터의 기판의 수취를 상부 아암에 의해 행하고 있고 상부 아암의 열은 윗쪽 측으로 전파 해 가기 쉽기 때문에 가열 모듈로부터의 기판의 수취를 하부 아암에 의해 실시하는 경우에 비해 다른쪽의 아암으로의 열영향을 작게 할 수가 있다.
또한 본 발명에 있어서 온조모듈이라는 것은 온조기구가 설치되고 있는 것에 한정되지 않고 예를 들면 실온으로 조정하기 위한 단순한 플레이트도 포함되는 것으로 한다. 또 기판의 반송 경로를 인식하는 공정은 예를 들면 기판을 반송하려고 하는 재치대 모듈이나 도포 모듈 등의 모듈이나 더미 재치대와 이들도 모듈이나 더미 재치대로의 기판의 반송 순서를 지정한 반송 레시피를 선택함으로써 행해진다.
먼저 본 발명의 도포 처리 방법의 개요에 대해서 본 발명 방법을 레지스트액의 도포 처리에 적용한 경우를 예로 해 설명한다. 도 4에 나타나는 바와 같이 도포 처리 장치내에 기판인 웨이퍼 (W)의 반송 경로에 있어서 예를 들면 상류단에 위치 하는 재치대 모듈 (TRS); 웨이퍼 (W)를 가열해 웨이퍼 (W)의 표면에 대해서 소수화 처리를 실시하는 소수화 모듈 (ADH); 웨이퍼 (W)의 온도를 설정 온도로 조정하는 온조모듈 (CPL1); 온도 조정된 기판에 도포액 예를 들면 레지스트액의 도포 처리를 실시하는 도포 모듈 (COT) ;도포액이 도포된 기판을 가열하는 가열 모듈 (HP) 및 기판을 냉각하는 냉각 모듈 (CPL2)이 상류측으로부터 차례로 배치되고 있다.
이 장치에 있어서 도 5에 나타나는 바와 같은 상부 아암 (21)과 하부 아암 (22)의 2매의 아암을 구비한 기판 반송 기구 (2)에 의해 웨이퍼 (W)를 상기 반송 경로를 따라 상류측으로부터 하류 측에 반송한다. 반사 방지막이 형성된 웨이퍼 (W)에 대해서 레지스트액의 도포 처리를 실시하는 경우에는 소수화 모듈 (ADH)을 이용하지 않는 반송 경로 즉 재치대 모듈 (TRS) →온조모듈 (CPL1) →도포 모듈 (COT) →가열 모듈 (HP) →냉각 모듈 (CPL2)의 순서로 반송한다. 또 반사 방지막이 형성되어 있지 않은 웨이퍼 (W)에 대해서 레지스트액의 도포 처리를 실시하는 경우에는 소수화 모듈 (ADH)을 이용하는 반송 경로 즉 재치대 모듈 (TRS) →소수화 모듈 (ADH) →온조모듈 (CPL1) → 도포 모듈 (COT) → 가열 모듈 (HP) → 냉각 모듈 (CPL2)의 순서로 반송한다.
여기서 기판 반송 기구 (2)는 서로 상하에 설치된 상기 상부 아암 (21)과 하부 아암 (22)가 기초대 (23)을 따라 독립하여 진퇴 자유롭게 구성되고 있고 이 기판 반송 기구 (2)에서는 상기 재치대 모듈 (TRS) 상의 웨이퍼 (W)를 상부 아암 (21) 및 하부 아암 (22) 중 한쪽의 아암에 의해 수취하고 다음 모듈에 놓여져 있는 웨이퍼 (W)를 상부 아암 (21) 및 하부 아암 (22) 중 한쪽의 아암에 의해 수취하고 또한 상기 한쪽의 아암상의 웨이퍼 (W)를 상기 다음 모듈에 전달하고 이와 같이 상부 아암 (21) 및 하부 아암 (22)를 교대로 동작시켜 상류측의 모듈로부터 차례로 웨이퍼 (W)를 한개씩 하류측의 모듈에 반송하도록 동작한다.
그리고 도 6A에 나타내는 소수화 모듈 (ADH)을 이용하지 않는 반송 경로에서 웨이퍼 (W)의 반송을 실시할 때와 같이 재치대 모듈 (TRS)을 1번째의 모듈로서 하류측의 모듈에 차례로 번호를 할당하면 온조모듈 (CPL1)이 우수 번째 (2번째 )의 모듈이 될 때는 1번째의 재치대 모듈 (TRS)상의 웨이퍼 (W)를 상기 상부 아암 (21)에 의해 취하러 가고 다음의 온조모듈 (CPL1)에 놓여져 있는 웨이퍼 (W)를 하부 아암 (22)에 의해 수취하고 상부 아암 (21)상의 웨이퍼 (W)를 온조모듈 (CPL1)로 전달한다. 이와 같이 하면 온조모듈 (CPL1)상의 웨이퍼 (W)를 하부 아암 (22)에 의해 수취하고 다음의 도포 모듈 (COT)에 놓여져 있는 웨이퍼 (W)를 상부 아암 (21)에 의해 수취하고 하부 아암 (22)상의 웨이퍼 (W)를 도포 모듈 (COT)에 전달하게 된다.
여기서 온조모듈 (CPL1)을 1번째의 모듈로서 하류측의 모듈에 차례로 번호를 할당했을 때에 기수 번째의 모듈에 대해서는 상기 모듈상의 웨이퍼 (W)는 온조모듈 (CPL1)상의 웨이퍼 (W)를 취하러 가는 아암과 동일하게 되므로 도포 모듈 (COT)의 다음에 가열 모듈 (HP)에 웨이퍼 (W)를 반송하면 온조모듈 (CPL)로부터 도포 모듈 (COT)에 반송하는 아암과 가열 모듈 (HP)로부터 웨이퍼 (W)를 수취하는 아암이 같아진다.
이 때문에 본 발명에서는 도 6A에 나타나는 바와 같이 상기 반송 경로에 있 어서의 도포 모듈 (COT)과 가열 모듈 (HP)의 사이에 더미 재치대 (DUM)를 배치해 온조모듈 (CPL1)로부터 도포 모듈 (COT)에 반송하는 아암(하부 아암 (22))과 가열 모듈 (HP)로부터 웨이퍼 (W)를 수취하는 아암(상부 아암(21))을 다르게 하고 있다.
또 도 6B에 나타내는 소수화 모듈 (ADH)을 이용하는 반송 경로에서 웨이퍼 (W)를 반송할 때와 같이 상기 재치대 모듈 (TRS)을 1번째의 모듈로서 하류측의 모듈에 차례로 번호를 할당하면 온조모듈 (CPL1)이 기수 번째 (3번째)의 모듈이 될 때는 1번째의 재치대 모듈 (TRS) 상의 웨이퍼 (W)를 상기 하부 아암 (22)에 의해 취하러 가고 다음의 소수화 모듈 (ADH)에 놓여져 있는 웨이퍼 (W)를 상부 아암 (21)에 의해 수취하고 상기 하부 아암 (22)상의 웨이퍼 (W)를 소수화 모듈 (ADH)에 전달한다. 이와 같이 하면 온조모듈 (CPL1)상의 웨이퍼 (W)를 하부 아암 (22)에 의해 수취하고 다음의 도포 모듈 (COT)에 놓여져 있는 웨이퍼 (W)를 상부 아암 (21)에 의해 수취하고 상기 하부 아암 (22)상의 웨이퍼 (W)를 도포 모듈 (COT)에 전달하게 된다.
이 경우에 있어서 도 도포 모듈 (COT)과 가열 모듈 (HP)의 사이에 더미 재치대(DUM)를 설치하지 않는 경우에는 온조모듈 (CPL1)로부터 도포 모듈 (COT)에 반송하는 아암과 가열 모듈 (HP)로부터 웨이퍼 (W)를 수취하는 아암이 동일하게 되므로 상기 반송 경로에 있어서의 도포 모듈 (COT)과 가열 모듈 (HP)의 사이에 더미 재치대(DUM)를 배치하고 온조모듈 (CPL1)로부터 도포 모듈 (COT)에 반송하는 아암(하암 (22))과 가열 모듈 (HP)로부터 웨이퍼 (W)를 수취하는 아암(상부 아암(21))을 다르게 하고 있다.
다음에 본 발명의 실시 형태에 대해서 설명한다.
우선 제 1의 실시 형태에 대해서 설명한다. 도 7은 본 발명의 제 1의 실시 형태에 적용되는 도포·현상 장치를 나타내는 평면도이고; 도 8은 동개략 사시도 ;도 9는 동개략 수직 단면도이다. 도포·현상 장치는 기판인 웨이퍼 (W)가 예를 들면 13매 밀폐 수납된 캐리어 (30)을 반입출하기 위한 캐리어 블럭 (S1)와 캐리어 블럭 (S1)에 인접하여 설치된 5개의 단위 블럭 (B1~B5)를 구비한 처리 블럭 (S2)와 처리 블럭 (S2)의 캐리어 블럭 (S1)은 반대 측에 인접해 설치된 인터페이스블럭 (S3)을 구비하고 있다. 그리고 인터페이스 블럭 (S3)에 노광 장치 (S4)가 접속된 상태로 레지스트 패턴 형성 장치가 구성된다. 이 레지스트 패턴 형성 장치의 동작은 컴퓨터로부터 되는 제어장치 (6)에 의해 제어된다.
캐리어 블럭 (S1)은 캐리어 (30)을 복수 재치 가능한 재치대 (31)과 이 재치대 (31)로부터 볼때 전방의 벽면에 설치되는 개폐부 (32)와 개폐부 (32)를 개재하여 캐리어 (30)으로부터 웨이퍼 (W)를 취출하기 위한 캐리어 블럭 반송 기구 (C)를 가지고 있다. 이 캐리어 블럭 반송 기구 (C)는 후술하는 단위 블럭 (B2)의 전달 스테이지 (TRS1·TRS2·TRS-F)의 사이에 웨이퍼 (W)의 전달을 실시하도록 진퇴 자유 ;승강 자유;수직축 주위에 회전 자유 캐리어 (30)의 배열 방향으로 이동 자유롭게 구성되고 있다.
상기 처리 블럭 (S2)는 캐리어 블럭 (S1)에 접속되고 있어 프레임체 (33)에서 주위를 둘러싸고 있다. 처리 블럭 (S2)는 다단 구조로 되어 있어 하단측의 2단이 현상 처리를 행하기 위한 제 1 및 제 2의 단위 블럭(DEV층; (B1·B2))이고 그 위에 레지스트막의 상부 아암층 측에 형성되는 반사 방지막(이하 제 2의 반사 방지막이라고 한다)의 형성 처리를 행하기 위한 제 3의 단위 블럭(TCT층·B3); 레지스트액의 도포 처리를 행하기 위한 제 4의 단위 블럭(COT층·B4) ; 레지스트막의 하층 측에 형성되는 반사 방지막(이하 제 1의 반사 방지막이라고 한다)의 형성 처리를 행하기 위한 제 5의 단위 블럭(BCT층·B5)가 차례차례 형성되고 있다. 여기서 DEV층( (B1·B2))가 현상 처리용의 단위 블럭 TCT층 (B3) ; COT층 (B4); BCT층 (B5)가 도포막형성용의 단위 블럭에 해당한다.
또 처리 블럭 (S2)는 그 캐리어 블럭 (S1)측 부분에 단위 블럭 (B1~B5)를 관통해 복수의 전달 스테이지가 적층되어 구성된 선반 유니트 (U5)를 가지고 있고 또 인터페이스 블럭 (S3)측 부분에 단위 블럭 (B1~B5)를 관통해 복수의 전달 스테이지가 적층되어 구성된 선반 유니트 (U6)를 가지고 있다.
다음에 제 1~ 제 5의 단위 블럭 (B1~B5)의 구성에 대해서 설명한다.
이들 각 단위 블럭 (B1~B5)는 웨이퍼 (W)에 대해서 약액을 도포하기 위한 액처리 유니트와 액처리 유니트에서 행해지는 처리의 사전 처리 및 다음 처리를 행하기 위한 각종의 가열·냉각계의 복수의 처리 유니트를 구비하고 있다. 그리고 제 1~ 제 5의 단위 블럭 (B1~B5)는 각각 상기 액처리 유니트와 가열·냉각계의 처리 유니트의 사이에 웨이퍼 (W)의 전달을 행하기 위한 전용의 메인 반송 아암 (A1~A5)를 구비하고 있다.
이들 단위 블럭 (B1~B5)는 거의 동일한 레이아웃으로 구성되고 있으므로 도 7에 나타내는 제 4의 단위 블럭(COT층·B4)를 예로 해 설명한다.
이 COT층 (B4)의 거의 중앙에는 캐리어 블럭 (S1)측으로부터 인터페이스 블럭 (S3)측에 도달하도록 도안 Y방향을 따라 웨이퍼 (W)의 반송 영역 (R1)이 형성되고 있다. 이 반송 영역 (R1)의 캐리어 블럭 (S1)측에서 본 우측에는 상기 액처리 유니트로서 레지스트의 도포 처리를 행하기 위한 복수(도에서는 3개)의 도포부 (40)과 도포부 (40)을 수용하는 프레임체 (42)를 구비한 도포 모듈 (41)이 설치되고 있다. 도포부 (40)은 웨이퍼를 보지해 회전시키는 웨이퍼 보지부와(도시하지 않음) 이 웨이퍼 보지부를 둘러싸는 컵 (43)을 구비하고 있고 노즐 등을 이용해 레지스트액을 웨이퍼의 중심부에 공급해 웨이퍼 보지부를 회전시켜 레지스트액을 확산시켜서 도포 처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 도포 처리 방법이다.
또 반송 영역 (R1)의 캐리어 블럭 (S1)측에서 본 좌측에는 가열 냉각 섹션 (48)이 설치되고 있다. 가열 냉각 섹션 (48)은 캐리어 블럭 (S1)측으로부터 차례로 설치된 가열·냉각계의 유니트를 다단화한 4개의 선반 유니트 (U1; U2 ;U3 ;U4)를 가지고 있다. 이들 선반 유니트 (U1; U2 ;U3 ;U4)는 도포 모듈 (41)에서 행해지는 처리의 사전 처리 또는 다음 처리를 행하기 위한 각종 유니트를 복수단 예를 들면 2단에 적층한 구성으로 되어 있다.
상술의 가열 냉각 섹션 (48)을 구성하는 사전 처리 및 다음 처리를 행하기 위한 복수의 각종 모듈로서는 예를 들면 도 10에 나타나는 바와 같이 레지스트액의 도포전에 웨이퍼 (W)를 설정 온도로 조정하기 위한 온조모듈 (CPL41);레지스트액의 도포후에 웨이퍼 (W)를 가열하는 처리를 행하기 위한 예를 들면 프리 베이킹 유니트등으로 불리고 있는 가열 모듈 (HP4) ; 레지스트액의 도포후에 예를 들면 웨이퍼 (W)를 노광 장치 (S4)내의 온도에 미리 고정밀도로 조정하기 위해서 웨이퍼를 냉각하는 처리를 행하기 위한 냉각 모듈 (CPL42); 레지스트액의 도포후에 레지스트액과 웨이퍼 (W)의 밀착성을 향상시키기 위해서 웨이퍼 (W)를 가열해 웨이퍼 (W)표면에 대해서 소수화 처리를 실시하는 소수화 모듈 (ADH) ;웨이퍼 (W)의 엣지부만을 선택적으로 노광하기 위한 주변 노광 장치(WEE) 등이 포함되어 있다. 또 온조모듈 (CPL41)이나 가열 모듈 (HP4) 등의 각 처리 유니트는 각각 처리 용기 (44)내에 수납되고 있고 선반 유니트 (U1~U4)는 처리 용기 (44)가 2단으로 적층되어 구성되어 각 처리 용기 (44)의 반송 영역 (R1)에 임하는 면에는 웨이퍼 반출 입구 (45)가 형성되고 있다.
상기 반송 영역 (R1)에는 상기 메인 반송 기구 (A4)가 설치되고 있다. 이 메인 반송 기구 (A4)는 상기 제 4의 단위 블럭(COT층·B4)내의 모든 모듈과 선반 유니트 (U5) 및 선반 유니트 (U6)의 각 전달 스테이지의 사이에 웨이퍼의 전달을 실시하도록 구성되고 있어 이 때문에 진퇴 자유; 승강 자유; 수직축 주위에 회전 자유; Y축 방향으로 이동 자유롭게 구성되고 있다.
메인 반송 기구 (A4)는 예를 들면 도 10에 나타나는 바와 같이 웨이퍼 (W)의 이면측 주변 영역을 지지하기 위한 서로 상하로 배치된 상부 아암 (21)과 하부 아암 (22)의 2개의 아암을 구비하고 있고 이들 상부 아암(21) ·하부 아암 (22)는 기초대 (23)을 따라 서로 독립하여 진퇴 자유롭게 구성되고 있다. 또 이 기초대 (23)은 회전 기구 (24)에 의해 수직축 주위에 회전 자유롭게 구성되는 동시에 이동 기구 (25)에 의해 선반 유니트 (U1~U4)를 지지하는 받침부 (26)의 반송 영역 (R1)에 임하는 면에 장착된 Y축 레일 (27)을 따라 Y축 방향으로 이동 자유 또한 승강 레일 (28)을 따라 승강 자유롭게 구성되고 있다. 이렇게 하여 상부 아암 (21)· 하부 아암 (22)는 진퇴 자유; Y축방향으로 이동 자유 ; 승강 자유 ; 수직축 주위에 회전 자유롭게 구성되어 선반 유니트 (U1~U4)의 각 모듈이나 후술하는 선반 유니트 (U5·U6)의 제 1 및 제 2의 전달 스테이지나 더미 재치대(DUM) ·도포 모듈 (COT)의 사이에 웨이퍼 (W)의 전달을 실시할 수가 있게 되어 있다. 또한 다른 단위 블럭의 메인 반송 기구 (A1·A2·A3·A5) 모두 동일하게 구성되고 있다.
반송 영역 (R1)의 캐리어 블럭 (S1)와 인접하는 영역은 제 1의 웨이퍼 전달 영역 (R2)로 되어 있다. 도 7 및 도 9에 나타나는 바와 같이 이 영역 (R2)의 캐리어 블럭 반송 기구 (C)와 메인 반송 기구 (A4)를 액세스 할 수 있는 위치에 상기 선반 유니트 (U5)가 설치되고 있다. 또 영역 (R2)는 선반 유니트 (U5)에 대해서 웨이퍼 (W)의 전달을 행하기 위한 제 1의 전달 기구 (51)이 통과 가능하게 되어 있다. 제 1의 전달 기구 (51)은 선반 유니트 (U5)를 따라 제 1~ 제 5의 단위 블럭 (B1~B5)를 관통해 상하로 이동 가능하게 되어 있다.
반송 영역 (R1)의 인터페이스 블럭 (S3)과 인접하는 영역은 제 2의 웨이퍼 전달 영역 (R3)으로 되어 있다. 도 7 및 도 9에 나타나는 바와 같이 이 영역 (R3)의 메인 반송 기구 (A4)를 액세스 할 수 있는 위치에 상기 선반 유니트 (U6)가 설치되고 있다. 또 영역 (R3)은 선반 유니트 (U6)에 대해서 웨이퍼 (W)의 전달을 행하기 위한 제 2의 전달 기구 (52)가 통과 가능하게 되어 있다. 제 2의 전달 기구 (52)는 선반 유니트 (U6)를 따라 제 1~ 제 5의 단위 블럭 (B1~B5)를 관통하여 상하 에 이동 가능하게 되어 있다.
상기 선반 유니트 (U5)는 도 9에 나타나는 바와 같이 각 단위 블럭 (B1~B5)에 각각 대응하는 위치에 2개씩의 제 1의 전달 스테이지 (TRS1~TRS5)를 가지고 있고 이것에 의해 제 1의 전달 스테이지가 다단으로 적층된 제 1의 전달 스테이지군을 구성하고 있다. 이들 제 1의 전달 스테이지 (TRS1~TRS5) 에 있어서 각각 단위 블럭 (B1~B5)의 메인 반송 기구(A1~A5)의 사이에 웨이퍼 (W)의 전달을 실시한다. 또 제 1의 전달 기구 (51)은 제 1의 전달 스테이지 (TRS1~TRS5)에 대해서 웨이퍼 (W)의 전달을 실시할 수가 있도록 진퇴 자유 및 승강 자유롭게 구성되고 있다. 또한 이 예에서는 제 1의 전달 스테이지 (TRS1~TRS5)가 2 개씩 설치되고 있지만 이들은 1 개씩으로서도 3개 이상씩으로서도 좋다.
상기 제 1 및 제 2의 단위 블럭 (B1·B2)의 제 1의 전달 스테이지 ((TRS1·TRS2))는 캐리어 블럭 (S1)의 캐리어 블럭 반송 기구 (C)의 사이에 웨이퍼 (W)의 전달가 행해지도록 구성되고 있다. 또 선반 유니트 (U5)는 제 2의 단위 블럭 (B2)에 대응하는 부분에 또한 2개의 전달 스테이지 (TRS-F)를 구비하고 있고 이 전달 스테이지 (TRS-F)는 캐리어 블럭 반송 기구 (C)에 의해 웨이퍼 (W)를 처리 블럭 (S2)에 반입하기 위한 전용의 전달 스테이지로서 이용된다. 이 전달 스테이지 (TRS-F)는 제 1의 단위 블럭 (B1)에 설치하도록 해도 괜찮고 이 전달 스테이지 (TRS-F)를 별개로 설치하지 않고 캐리어 블럭 반송 기구 (C)로부터 웨이퍼 (W)를 처리 블럭 (S2)에 반입할 때에 전달 스테이지 (TRS1·TRS2)를 이용해 행하도록 해도 괜찮다.
상기 선반 유니트 (U6)은 도 5 및 도 9에 나타나는 바와 같이 각 단위 블럭 (B1~B5)에 각각 대응하는 위치에 2개씩의 제 2의 전달 스테이지 (TRS6~TRS10)를 가지고 있고 이것에 의해 제 2의 전달 스테이지가 다단으로 적층된 제 2의 전달 스테이지군을 구성하고 있다. 이들 제 2의 전달 스테이지 (TRS6~TRS10) 에 있어서 각각 단위 블럭 (B1~B5)의 메인 반송 기구(A1~A5)의 사이에 웨이퍼 (W)의 전달을 실시한다. 또 상기 제 2의 전달 기구 (52)는 제 2의 전달 스테이지 (TRS6~TRS10)에 대해서 웨이퍼 (W)의 전달을 실시할 수가 있도록 진퇴 자유 및 승강 자유롭게 구성되고 있다. 또한 이 예에서는 제 2의 전달 스테이지 (TRS6~TRS10)가 2 개씩 설치되고 있지만 이들은 1 개씩으로서도 3개 이상씩으로서도 좋다.
이와 같이 본 실시 형태에서는 5단으로 적층된 각 단위 블럭 (B1~B5)의 사이로 상술의 제 1의 전달 아암 (51)과 제 2의 전달 아암 (52)에 의해 각각 제 1의 전달 스테이지 (TRS1~TRS5 와 TRS-F); 제 2의 전달 스테이지 (TRS6~TRS10)를 개재하여 자유롭게 웨이퍼 (W)의 전달을 행할 수가 있도록 구성되고 있다.
또 COT층 (B4)에서는 예를 들면 제 1의 전달 스테이지 (TRS4) ; 제 2의 전달 스테이지 (TRS9)중 한쪽이 상기 COT층 (B4)내의 웨이퍼 (W)의 반송 경로에 있어서 상류단에 위치하는 재치대 모듈을 이루는 전달대 모듈로서 이용된다. 또한 선반 유니트 (U5 ·U6)의 어느 쪽에는 예를 들면 각 단위 블럭 (B1~B5)의 메인 아암(A1~A5)가 각각 액세스 할 수 있는 위치에 1개 이상 예를 들면 1개의 더미 재치대(DUM1~DUM5)가 설치되고 있다.
이어서 다른 단위 블럭에 대해서 설명하면 TCT층 (B3) 및 BCT층 (B5)는 도포 모듈에 있어서의 약액이 레지스트액 대신에 반사 방지막용의 약액으로서 반사 방지막 형성용의 도포 모듈인 반사 방지막 모듈이 설치되고 있는 것을 제외하면 실질 COT층 (B4)의 구성과 같다. 예를 들면 TCT층 (B3)에는 선반 유니트 (U5) 또는 선반 유니트 (U6)에 재치대 모듈을 이루는 제 1의 전달 스테이지 (TRS3·TRS8)와 더미 재치대 (DUM3)가 설치되는 것과 동시에 선반 유니트 (U1~U4)에는 레지스트막의 상부 아암부측의 반사 방지막을 형성하기 위한 반사 방지막모듈 (BARC2); 상기 반사 방지막용의 약액의 도포전에 웨이퍼 (W)를 설정 온도로 조정하기 위한 온조모듈 (CPL31) ;약액의 도포후에 웨이퍼 (W)를 가열하는 처리를 행하기 위한 가열 모듈 (HP3); 약액의 도포후에 웨이퍼 (W)를 냉각하는 처리를 행하기 위한 냉각 모듈 (CPL32) 등이 설치되고 있다. 또 그것과 함께 이들 모듈과 더미 재치대(DUM3)의 사이에 웨이퍼 (W)를 반송하는 기판 반송 수단을 이루는 메인 아암 (A3)이 설치되고 있다.
또 예를 들면 BCT층 (B5)에는 선반 유니트 (U5 또는 U6)에 재치대 모듈을 이루는 제 1의 전달 스테이지 (TRS5 ·TRS10)와 더미 재치대 (DUM5)가 설치되는 것과 동시에 선반 유니트 (U1~U4)에는 레지스트막의 하부측의 반사 방지막을 형성하기 위한 반사 방지막모듈 (BARC1) ;상기 반사 방지막용의 약액의 도포전에 웨이퍼 (W)를 설정 온도로 조정하기 위한 온조모듈 (CPL51); 상기 약액의 도포후에 웨이퍼 (W)를 가열하는 처리를 행하기 위한 가열 모듈 (HP5) ; 상기 약액의 도포후에 웨이퍼 (W)를 냉각하는 처리를 행하기 위한 냉각 모듈 (CPL52) 등이 설치되고 있다. 그것과 함께 이들 모듈과 더미 재치대 (DUM5)의 사이에 웨이퍼 (W)를 반송하는 기판 반송 수단을 이루는 메인 아암 (A5)가 설치되고 있다.
또 DEV층 (B1·B2)는 동일하게 구성되어 웨이퍼 (W)에 대해서 현상액의 도포 처리를 행하기 위한 도포 모듈인 현상 모듈 (DEV)이 설치되고 선반 유니트 (U1~U4)에는 노광후의 웨이퍼 (W)를 가열 처리하는 포스트 익스포져 베이킹 유니트 등으로 불리고 있는 노광후의 기판에 대해서 가열 처리를 실시하는 가열 모듈 (PEB1·PEB2)이나 이 가열 모듈 (PEB1·PEB2)에 있어서의 처리의 뒤에 웨이퍼 (W)를 설정 온도로 조정하기 위한 온조모듈 (CPL11·CPL21) ; 현상 처리후의 웨이퍼 (W)를 수분을 날리기 위해서 가열 처리하는 포스트베이킹 유니트 등으로 불리고 있는 가열 모듈 (POST1·POST2)을 구비하고 있는 이외는 COT층 (B4)와 동일하게 구성되고 있다. 또한 현상 유니트는 컵으로 둘러싸인 웨이퍼 보지부에 웨이퍼를 보지해 약액 노즐로부터 현상액을 액활성하여 현상을 실시하고 그 후 세정액으로 웨이퍼 표면을 세정해 웨이퍼 보지부를 회전시켜 건조하는 것이고 그 구성은 도 4에 나타내는 도포 유니트와 거의 동일하다.
그리고 이들 DEV층 (B1·B2) 에 있어서 선반 유니트 (U5)에는 제 1의 전달 스테이지((TRS1·TRS2·TRS-F)와 더미 재치대(DUM1)이 설치되고 선반 유니트 (U6)에는 제 2의 전달 스테이지(TRS6·TRS7)와 더미 재치대 (DUM1)이 설치되고 있다. 그리고 이들 DEV층 (B1·B2) 에 있어서 는 각각 기판 반송 수단 (2)를 이루는 메인 아암(A1·A2)에 의해 각각 제 1의 전달 스테이지 (TRS1·TRS2·TRS-F); 제 2의 전달 스테이지 (TRS6·TRS7)와 더미 재치대 (DUM1· DUM2)와 현상 모듈 (DEV)과 선반 유니트 (U1~U4)의 각 모듈에 대해서 웨이퍼 (W)의 전달을 하게 되어 있다.
여기서 상기 온조모듈 (CPL11·CPL21·CPL31·CPL41·CPL51) 및 냉각 모듈 (CPL32·CPL42·CPL52) 로써는 소정의 온도로 조정된 온조플레이트(냉각 플레이트) 상에 웨이퍼 (W)를 재치하여 온도 조정을 행하는 구성의 장치가 이용되어 가열 모듈 (HP3·HP4·HP5) 로써는 가열 플레이트상에 웨이퍼 (W)를 재치 해 웨이퍼를 가열하는 구성의 장치가 이용된다.
또 가열 모듈 (PEB1·PEB2·POST1·POST2) 로써는 가열 플레이트와 반송 아암을 겸용하는 냉각 플레이트를 구비하고 메인 아암 (A1~A5)와 가열 플레이트 사이의 웨이퍼 (W)의 전달을 냉각 플레이트에 의해 행하는 가열 냉각을 1개의 유니트에서 실시할 수가 있는 구성의 장치가 이용되어 이들 가열 모듈 (PEB1·PEB2·POST1 POST2)은 기판을 가열하고 또한 냉각하기 위한 모듈에 해당한다.
한편 처리 블럭 (S2)에 있어서의 선반 유니트 (U6)측에는 인터페이스 블럭 (S3)를 개재하여 노광 장치 (S4)가 접속되고 있다. 인터페이스 블럭 (S3)은 처리 블럭 (S2)의 선반 유니트 (U6)와 노광 장치 (S4)에 대해서 웨이퍼 (W)의 전달을 행하기 위한 인터페이스 블럭 반송 기구 (53)을 구비하고 있다. 이 인터페이스 아암 (53)은 이 예에서는 제 1~ 제 4의 단위 블럭 (B1~B4)의 제 2의 전달 스테이지 (TRS6~TRS9)에 대해서 웨이퍼 (W)의 전달을 실시하도록) 진퇴 자유;승강 자유;수직축 주위에 회전 자유롭게 구성되고 있다. 또 상기 인터페이스 블럭 반송 기구 (53)은 모든 단위 블럭 (B1~B5)의 제 2의 전달 스테이지 (TRS6~TRS10)에 대해서 웨이퍼 (W)의 전달을 실시하도록 구성해도 괜찮다.
도 11은 처리 블럭 (S2) 가운데 레지스트막을 형성하기 위한 단위 블럭(B4· COT층)과 현상을 행하기 위한 단위 블럭 (B1·DEV층)와 인터페이스 블럭 (S3)과 노광 장치 (S4)를 웨이퍼 (W)의 반송계 및 웨이퍼 (W)의 반송의 차례에 맞추어 나타낸 설명도이고 또 제어장치 (6)의 구성도 나타나 있다. 여기에 나타내는 COT층 (B4)내의 웨이퍼 (W)의 반송 경로는 소수화 모듈 (ADH)을 사용하지 않는 반송 경로이다. 또한 이 도 11에 나타나는 바와 같이 노광 장치 (S4)는 반입 스테이지 (54)및 반출 스테이지 (55)를 구비하고 있다.
제어장치 (6)은 도포 현상 장치의 반송계 전체를 제어하는 것이지만 여기에서는 이 실시 형태의 주요부에 관련하는 부위에 대해서만 나타내고 있다. 제어장치 (6)은 메인 반송 기구 제어 프로그램 (61)과 반송 스케쥴 기억부 (62)와 아암 관리부 (63)을 가지고 있다.
메인 반송 기구 제어 프로그램 (61)은 반송 스케쥴 기억부 (62)에 기억된 반송 스케쥴을 참조해 도포막 형성용의 단위 블럭 (B1~B3)의 메인 반송 기구 (A1~A3)과 현상 처리용의 단위 블럭 (B1·B2)의 메인 반송 기구(A1·A2)를 제어함과 동시에 아암 관리부 (63)으로부터의 정보에 근거해 상기 메인 반송 기구(A1~A5)를 제어하는 프로그램이다.
반송 스케쥴 기억부 (62)는 웨이퍼 (W)가 놓여지는 개소를 모듈이라고 부르면 각 모듈과 웨이퍼 (W)의 대응 관계를 시계열에 나타낸 스케쥴 테이블을 기억하는 것이다. 도 12는 상기 소수화 모듈 (ADH)을 사용하지 않는 반송 경로를 이용해 웨이퍼 (W)에 대해서 레지스트액의 도포 처리를 행할 때의 반송 스케쥴 테이블의 일부(COT층 B4의 반송 스케쥴)를 나타내고 있고 페이즈 1·2 ······는 어느 반송 사이클에 있어서의 모듈과 웨이퍼( (A01)~A10)의 대응 관계를 나타내고 상측란에는 각 모듈의 배열을 나타내고 있다. 옆으로 배열한 모듈은 모듈 및 더미 재치대(DUM4)의 어느 한쪽이고 COT층 (B4)내에 배치되고 있는 TRS4 (재치대 모듈); CPL41 (온조모듈) ; COT (도포 모듈) ; DUM4 (더미 재치대) ; HP (가열 모듈) CPL42 (냉각 모듈); TRS9 (전달 스테이지)이다. 이 모듈의 배열은 웨이퍼의 흐름의 차례이고 도 8의 모듈의 배열에 대응한다.
예를 들면 페이즈 (1)은 로트의 선두의 웨이퍼인 1매째의 웨이퍼 (A01)이 TRS4에 위치하고 있는 것을 나타내고 있다. 또 페이즈 (3)은 TRS4에 웨이퍼 (A03); CPL41에 웨이퍼 (A02); COT에 웨이퍼 (A01)이 각각 위치하고 있는 것을 나타내고 있다. 메인 반송 기구 제어 프로그램 (61)은 이 반송 스케쥴 (62)의 페이즈를 차례로 독출하고 독출한 페이즈에 대응하는 상태가 되도록 웨이퍼의 반송을 실시하는 것을 특징으로 하는 도포 처리 방법. 따라서 페이즈를 차례로 읽어내 웨이퍼의 반송을 실시하면 웨이퍼를 1매씩 1개 차례가 뒤의 모듈로 옮기도록 차례차례 반송을 실시하는 것을 특징으로 하는 도포 처리 방법.
또 아암 관리부 (63)에 있어서 는 온조모듈 (CPL41)로부터 도포 모듈 (COT)에의 웨이퍼 (W)의 반송을 항상 하부 아암 (22)에 의해 실시하도록 반송 경로의 상류단의 1번째의 재치대 모듈 (TRS4); 상부 아암의 웨이퍼 (W)의 수취를 상부 아암 (21) 및 하부 아암 (22)의 어느쪽으로 실시할지를 판단하는 프로그램을 구비하고 있다.
다음에 이상과 같이 구성되는 본 실시 형태와 관련되는 장치의 작용에 대해 서 도 13에 나타내는 플로차트를 참조해 설명한다. 이 장치에서는 레지스트막의 상하에 각각 반사 방지막을 형성하는 것; 레지스트막의 상하의 한쪽에만 반사 방지막을 형성하는 것 ; 혹은 반사 방지막을 형성하지 않고 COT층(단위 블럭B4)만을 이용해 레지스트막을 형성하는 것의 어느 처리도 실시할 수가 있지만 여기에서는 설명을 가능한 한 간단하게 하기 위해서 COT층(단위 블럭B4)만을 이용해 레지스트막을 형성하고 그리고 단위 블럭 (B1)인 DEV층을 이용해 현상 처리를 실시하는 경우에 대해서 말한다.
먼저 오퍼레이터가 반사 방지막이 형성된 웨이퍼 (W)에 대해서 레지스트액의 도포 처리를 행하는 반송 레시피 즉 소수화 모듈 (ADH)을 사용하지 않는 반송 경로에서 웨이퍼 (W)를 반송하는 반송 레시피를 선택한다(스텝 S1). 이 반송 레시피는 사용하는 모듈이나 더미 재치대(DUM4)와 이들을 사용하는 차례(웨이퍼 (W)가 반송되는 차례)가 기재되는 것이고 예를 들면 COT층 (B4)내에 있어서 도 12에 나타내는 반송 스케쥴에 따라서 웨이퍼 (W)를 반송하는 레시피이다. 이와 같이 반송 레시피가 선택되면 아암 관리부 (63)에서는 재치대 모듈 (TRS4)을 1번째의 모듈로서 하류측의 모듈에 차례로 번호를 할당했을 때에 온조모듈 (CPL41)이 우수 번째의 모듈이 되는지 아닌지를 판단한다(스텝 S2). 우수 번째의 모듈이 된다고 판단되었을 경우에는 스텝 S3에 진행되어 재치대 모듈 (TRS4)의 웨이퍼 (W)를 상부 아암 (21)이 가도록 메인 반송 기구 (A4)에 지령을 출력한다. 또 기수 번째의 모듈이 될 때는 스텝 S4에 진행되어 재치대 모듈 (TRS4)의 웨이퍼 (W)를 하부 아암 (22)가 수취하러 가도록 메인 반송 기구 (A4)에 지령을 출력 한다. 이 경우에는 온조모 듈 (CPL41)이 2번째의 모듈이므로 재치대 모듈 (TRS4)의 웨이퍼 (W)를 상부 아암 (21)이 취하러 가도록 지령을 출력한다.
한편 장치에서는 외부로부터 캐리어 (30)이 캐리어 블럭 (31)에 반입되어 트랜스퍼 아암 (C)에 의해 이 캐리어 (30)내로부터 웨이퍼 (W)가 꺼내진다. 웨이퍼 (W)는 트랜스퍼 아암 (C)로부터 먼저 제 2의 단위 블럭 (B2)의 선반 유니트 (U5)의 제 1의 전달 스테이지 (TRS-F)에 전달되고 그 다음에 제 1의 전달 아암 (51)에 의해 제 1의 전달부 (TRS4·재치대 모듈)에 전달된다.
다음에 스텝 S5에서는 메인 반송 기구 (A4)의 결정된 아암(상부 아암(21))에 의해 재치대 모듈 (TRS4) 상의 웨이퍼 (W)를 수취하러 가고 이후는 반송 스케쥴에 따라 웨이퍼 (W)를 반송해 레지스트액의 도포 처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 도포 처리 방법. 즉 도 6A·도 11에 나타나는 바와 같이 메인 반송 기구 (A4)에 의해 웨이퍼 (W)를 온조모듈 (CPL41) →도포 모듈 (COT)→더미 재치대(DUM4)→가열 모듈 (HP4) → 냉각 모듈 (CPL42)→선반 유니트 (U6)의 전달 스테이지 (TRS9)의 순서로 반송해 화학 증폭형의 레지스트막을 형성한다. 이어서 전달 스테이지 (TRS9)의 웨이퍼 (W)는 인터페이스 아암 (53)에 의해 노광 장치 (S4)의 반입 스테이지 (54)에 반송되어 노광 장치 (S4)에서 노광 처리를 한다.
노광 처리후의 웨이퍼 (W)는 반출 스테이지 (55)에 반출되어 인터페이스 아암 (53)에 의해 DEV층 (B1)의 전달 스테이지 (TRS6)에 반송된다. 그리고 이 스테이지 (TRS6)상의 웨이퍼 (W)는 DEV층 (B1)의 메인 반송 기구 (A1)에 수취되어 가열 모듈 (PEB1) →온조모듈 (CPL11)→ 현상 모듈 (DEV) →가열 모듈 (POST1)→ 전 달 스테이지 (TRS1)의 순서로 반송되어 소정의 현상 처리를 한다. 이렇게 해 현상 처리를 한 웨이퍼 (W)는 전달 스테이지 (TRS1)로부터 캐리어 블럭 반송 기구 (C)에 의해 캐리어 블럭 (S1)에 재치되어 있는 원래의 캐리어 (30)에 되돌려진다. 처리 블럭 (S2)에 있어서의 웨이퍼의 반송에 대해서는 DEV층에 있어서 도 이와 같이 해 반송 스케쥴에 따라서 웨이퍼를 1매씩 1하나의 순번이 다음 모듈로 옮기도록 차례차례 반송을 실시하는 것을 특징으로 하는 도포 처리 방법.
또 로트의 변환시등에 오퍼레이터가 반사 방지막을 형성하고 있지 않는 웨이퍼 (W)에 대해서 레지스트액의 도포 처리를 하는 반송 레시피 즉 소수화 모듈 (ADH)을 사용하는 반송 경로에서 웨이퍼 (W)를 반송하는 반송 레시피를 선택했을 경우에는 이 때의 반송 스케쥴은 도 14에 나타내는 것이고 상술한 도 13에 나타내는 플로차트에 따라서 재치대 모듈 (TRS4)을 1번째의 모듈로서 하류측의 모듈에 차례로 번호를 할당했을 때 온조모듈 (CPL41)이 3번째의 모듈이 되므로 재치대 모듈 (TRS4)의 웨이퍼 (W)를 하부 아암 (22)가 수취하러 가도록 메인 반송 기구 (A4)에 지령을 출력한다.
그리고 하부 아암 (22)에 의해 재치대 모듈 (TRS4) 상의 웨이퍼 (W)를 수취하러 가고 이후는 반송 스케쥴에 따라 웨이퍼 (W)를 반송해 레지스트액의 도포 처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 도포 처리 방법. 즉 도 6B에 나타나는 바와 같이 메인 반송 기구 (A4)에 의해 소수화 모듈 (ADH) →온조모듈 (CPL41)→ 도포 모듈 (COT)→더미 재치대(DUM4)→가열 모듈 (HP4)→냉각 모듈 (CPL42)→선반 유니트 (U6)의 전달 스테이지 (TRS9)의 순서로 반송해 화학 증폭형의 레지스트막을 형성한 다.
이와 같이 하여 행해지는 일련의 도포 처리는 제어부 (6)에 격납되어 이들의 처리를 실시하도록 스텝이 짜여진 컴퓨터 프로그램에 따라서 행해진다.
이상과 같은 실시의 형태에 의하면 아암 관리부 (63)에 의해 반송 경로의 상류단의 1번째의 재치대 모듈 (TRS4) 상의 웨이퍼 (W)의 수취를 상부 아암 (21) 및 하부 아암 (22)의 어느 한쪽으로 실시할지를 판단하는 것과 동시에 도포 모듈 (COT)과 가열 모듈 (HP)의 사이에 더미 재치대 (DUM4)를 배치하고 있으므로 도 6A ·6B에 나타나는 바와 같이 반송 레시피가 달라 소수화 모듈 (ADH)을 사용하는 경우와 사용하지 않는 경우에 있어서 웨이퍼 (W)의 반송 경로가 다른 경우에서도 온조모듈 (CPL)로부터 도포 모듈 (COT)로의 웨이퍼 (W)의 반송을 항상 하부 아암 (22)에 의해 실시하고 가열 모듈 (HP)로부터 항상 상부 아암 (21)에 의해 웨이퍼 (W)가 수취된다.
이 때문에 가열 모듈 (HP4)로부터 웨이퍼 (W)를 수취할 때 가열된 상부 아암 (21)을 이용해 온조모듈 (CPL41)로부터 도포 모듈 (COT)으로 웨이퍼 (W)를 반송하는 경우가 없다. 이것에 의해 온조모듈 (CPL41)로 높은 정밀도로 온도 조정된 웨이퍼 (W)가 가열되지 않고 온도 변화가 적은 하부 아암 (22)에 의해 온조모듈 (CPL41)로부터 도포 모듈 (COT)까지 반송되므로 아암으로부터의 열영향을 억제한 상태로 상기 반송을 실시할 수가 있다.
이와 같이 하면 상기 반송 시에 웨이퍼 (W)의 아암이 접촉하고 있는 곳과 접촉하고 있지 않는 곳에서 아암으로부터의 전열에 의해 웨이퍼 온도가 달라 웨이 퍼 온도의 면내 균일성이 악화된다고 한 웨이퍼 (W)의 기판의 면내 온도의 변화를 억제할 수가 있다. 이것에 의해 도포 모듈 (COT)에서는 웨이퍼 (W)의 면내 온도의 균일성이 높고 웨이퍼 온도가 적절한 상태로 레지스트액의 도포 처리를 실시할 수가 있어 막두께 등의 면내 균일성이 높은 양호한 도포 처리를 실시할 수가 있다.
또 상기 가열 모듈 (HP)로부터의 웨이퍼 (W)의 수취를 상부 아암 (21)에 의해 실시하도록 하면 열은 윗쪽 측에 전파하여 가기 쉽기 때문에 가열 모듈 (HP4)로부터의 웨이퍼 (W)의 수취를 하부 아암 (22)에 의해 실시하는 경우에 비해 다른쪽의 아암으로의 열영향을 작게 할 수가 있다.
이 예에서는 웨이퍼 (W)에 따른 소수화 모듈 (ADH)을 사용하는 반송 경로와 소수화 모듈 (ADH)을 사용하지 않는 반송 경로의 사이에서의 반송 경로의 변환은 기술과 같이 소수화 모듈 (ADH)을 사용하는 반송 경로에서 웨이퍼 (W)를 반송하는 반송 레시피와 소수화 모듈 (ADH)을 사용하지 않는 반송 경로에서 웨이퍼 (W)를 반송하는 반송 레시피의 어느쪽을 선택함으로써 행해진다.
이상에 있어서 본 실시의 형태에서는 도포 모듈이 웨이퍼 (W)에 도포액인 현상액을 도포하는 현상 모듈 (DEV)로서도 용이하고 이 경우에는 반송 경로의 상류단에 위치하는 재치대 모듈은 노광되고 한편 가열된 기판이 재치되는 모듈 예를 들면 제 2의 전달 스테이지 (TRS6·TRS7)나 가열 모듈 (PEB) 등의 상기 DEV층 (B1·B2) 내의 웨이퍼 (W)의 반송 경로에 있어서 온조모듈 (CPL11)의 상류 측에 배열되는 모듈로 할 수가 있다.
이 경우에 대해서 도 15를 이용해 DEV층 (B1)의 모듈을 예로 해 설명하면 예 를 들면 가열 모듈 (PEB1)을 반송 경로의 상류단에 위치하는 재치대 모듈로 하는 경우에는 웨이퍼 (W)는 가열 모듈 (PEB1) →온조모듈 (CPL11)→현상 모듈 (DEV)→더미 재치대(DUM1) →가열 모듈 (POST1)의 순서로 반송된다. 또한 이 경우에는 가열 모듈 (PEB1)을 1번째의 모듈로서 하류측의 모듈에 차례로 번호를 할당하면 온조모듈 (CPL11)이 우수 번째 (2번째 )의 모듈이 되므로 1번째의 가열 모듈 (PEB1) 상의 웨이퍼 (W)를 상기 상부 아암 (21)에 의해 수취하도록 메인 반송 기구 (A1) (A2)를 제어한다. 또 상기 반송 경로에 있어서의 현상 모듈 (DEV)과 가열 모듈 (HP)의 사이에 더미 재치대(DUM1)를 배치하고 있으므로 온조모듈 (CPL11)로부터 현상 모듈 (DEV)에 반송하는 아암(하암 (22))과 가열 모듈 (POST1)로부터 웨이퍼 (W)를 수취하는 아암(상부 아암(21))이 다른 것이 된다.
따라서 이 경우에 있어서 도 온조모듈 (CPL11)로부터 현상 모듈 (DEV)에 가열되어 있지 않은 아암을 이용해 웨이퍼 (W)를 반송함으로써 상기 반송시의 웨이퍼 (W)의 온도 변화를 억제하고 있으므로 높은 온도의 면내 균일성을 유지한 상태로 웨이퍼 (W)에 현상 처리를 실시할 수가 있어 현상 처리의 면내 균일성을 높일 수가 있다. 또한 이 예에서는 가열 모듈 (POST1)로서 가열 플레이트와 냉각 플레이트를 구비한 구성의 장치를 이용하고 있지만 가열 모듈 (POST1) 대신에 가열 플레이트만을 구비하는 가열 모듈 (HP)과 냉각 플레이트만을 구비하는 냉각 모듈 (CPL)을 조합해 이용하도록 해도 괜찮다.
또 이러한 본 실시 형태의 방법은 TCT층 (B3) 이나 BCT층 (B5)에 있어서 도 적용할 수가 있어 예를 들면 TCT층 (B3)에서는 도포 모듈이 반사 방지막모듈 (BARC2)이고 반송 경로의 상류단에 위치하는 재치대 모듈은 전달유니트 (TRS3 또는 TRS8) 으로서 전달유니트 (TRS3 또는 TRS8) →온조모듈 (CPL31) →반사 방지막모듈 (BARC2)→더미 재치대(DUM3)→가열 모듈 (HP3)→냉각 모듈 (CPL32)→전달유니트 (TRS8 또는 TRS3)의 순서로 반송된다.
이 경우에 있어서 는 상기 재치대 모듈 (TRS3 또는 TRS8)을 1번째의 모듈로 하면 온조모듈 (CPL)이 우수 번째 (2번째 )의 모듈이 되므로 1번째의 재치대 모듈 (TRS3 또는 TRS8) 상부 아암의 웨이퍼 (W)를 상기 상부 아암 (21)에 의해 수취하도록 메인 반송 기구 (A3)를 제어한다. 또 상기 반송 경로에 있어서의 반사 방지막 모듈 (BARC2)과 가열 모듈 (HP)의 사이에 더미 재치대(DUM3)를 배치하고 있으므로 온조모듈 (CPL31)로부터 반사 방지막모듈 (BARC2)에 반송하는 아암(하암 (22))과 가열 모듈 (HP3)로부터 웨이퍼 (W)를 수취하는 아암(상부 아암(21))이 다른 것이 된다. 또BCT층 (B5)에 있어서 도 반사 방지막모듈 (BARC1)이 되는 이외는 TCT층 (B3)과 동일하게 웨이퍼 (W)가 반송된다.
따라서 이들의 경우에 있어서 도 온조모듈 (CPL31·CPL51)로부터 반사 방지막모듈 (BARC1· BARC2)에 웨이퍼 (W)를 반송할 때의 웨이퍼 (W)의 온도 변화가 억제되므로 높은 온도의 면내 균일성을 유지한 상태로 웨이퍼 (W)에 반사 방지막의 형성 처리를 실시할 수가 있어 상기 처리의 면내 균일성을 높일 수가 있다.
이어서 본 발명의 제 2의 실시 형태에 대해서 설명한다.
이 실시의 형태는 도포 처리 장치로서 예를 들면 도 16에 나타나는 바와 같이 재치대 모듈 (TRS)과 웨이퍼 (W)의 온도를 설정 온도로 조정하는 제 1의 온조모 듈 (CPL)과 온도 조정된 웨이퍼 (W)에 제 1의 도포액인 반사 방지막용의 약액을 도포하는 제 1의 도포 모듈을 이루는 반사 방지막 모듈 (BARC)과 제 1의 더미 재치대(DUM1)와 웨이퍼 (W)에 대해서 도포액을 도포하기 전에 웨이퍼 (W)를 가열하면서 웨이퍼 (W)의 표면에 대해서 소수화 처리를 실시하는 소수화 모듈 (ADH)과 제 1의 도포액이 도포된 웨이퍼 (W)를 가열하는 제 1의 가열 모듈 (HP1)과 웨이퍼 (W)를 냉각해 설정 온도로 조정하는 제 2의 온조모듈 (CPL2)과 온도 조정된 웨이퍼 (W)에 제 2의 도포액을 도포하는 제 2의 도포 모듈을 이루는 도포 모듈 (COT)과 제 2의 도포액이 도포된 웨이퍼 (W)를 가열하는 제 2의 가열 모듈 (HP2)과 웨이퍼 (W)를 냉각하는 냉각 모듈 (CPL3)을 같은 처리 블럭내에 배설해 공통의 기판 반송 수단 (2)에 의해 각 모듈에 대해서 웨이퍼 (W)의 반송을 행하는 장치를 이용한 예이다.
이러한 장치로서는 도 17A ·17B에 나타내는 장치가 이용된다. 도 17A에 나타내는 장치에서는 다수매의 웨이퍼 (W)가 수납된 캐리어가 반입출되는 캐리어 블럭 (71)과 반사 방지막의 형성이나 레지스트액의 도포·현상 처리 등을 실시하는 처리 블럭 (72)와 인터페이스 블럭 (73)과 노광 장치 (74)가 캐리어 블럭 (71)으로부터 차례로 서로 인접하도록 횡방향으로 병렬로 배치되고 있다. 상기 처리 블럭 (72)는 도 16에 나타내는 각 모듈 등과 현상 처리를 행하기 위한 모듈 (재치대 모듈인 전달대 모듈이나 가열 모듈 (PEB) ; 현상 모듈 (DEV); 온조모듈 (CPL);가열 모듈 (POST); 더미 재치대(DUM) 등)과 이들에 대해서 웨이퍼 (W)의 전달을 행하기 위한 기판 반송 기구 (2)를 가지고 있다. 이 장치에서는 캐리어 블럭 (71)으로부터 반송된 웨이퍼 (W)에 대해서 처리 블럭 (72)에서 반사 방지막의 형성이나 레지 스트액의 도포 처리를 한 다음 인터페이스 블럭 (73)을 개재하여 노광 장치 (74)에서 노광 처리가 행해지고 그 다음에 다시 처리 블럭 (72)에서 현상 처리가 행해져 캐리어 블럭 (71)에 되돌려지게 되어 있다.
또 도 17B에 나타내는 장치는 캐리어 블럭 (75)와 레지스트액의 도포 처리를 실시하는 도포 블럭 (76)과 현상 처리를 실시하는 현상 블럭 (77)과 인터페이스 블럭 (78)과 노광 장치 (79)가 캐리어 블럭 (75)로부터 순서에 서로 인접하도록 횡방향에 병렬로 배치된 것이고 상기 도포 블럭 (76)에는 예를 들면 도 16에 나타내는 모듈과 이들에 대해서 웨이퍼 (W)의 전달을 행하는 기판 반송 기구 (2)가 설치되어 반사 방지막의 형성이나 레지스트액의 도포 처리가 행해지게 되어 있다. 또 상기 현상 블럭 (77)에는 현상 처리를 행하기 위한 모듈 (재치대 모듈인 전달대 모듈이나 가열 모듈 (PEB) ; 현상 모듈 (DEV); 온조모듈 (CPL); 가열 모듈 (POST) 더미 재치대(DUM) 등)과 이들에 대해서 웨이퍼 (W)의 전달을 행하기 위한 기판 반송 수단이 배치되어 노광후의 웨이퍼 (W)에 대해서 현상 처리를 하게 되어 있다.
이 장치에서는 캐리어 블럭 (75)로부터 반송된 웨이퍼 (W)에 대해서 도포 블럭 (76)에서 반사 방지막의 형성이나 레지스트액의 도포 처리를 한 다음 인터페이스 블럭 (78)을 개재하여 노광 장치 (79)에서 노광 처리가 행해지고 그 다음에 현상 블럭 (77)에서 현상 처리가 행해져 캐리어 블럭 (75)에 되돌려지게 되어 있다.
그리고 이러한 장치에서는 예를 들면 도 18A에 나타나는 바와 같이 웨이퍼 (W)에 반사 방지막을 형성하고 소수화 모듈 (ADH)을 사용하지 않는 처리에서는 웨이퍼 (W)는 상류단에 위치하는 재치대 모듈 (TRS)→ 제 1의 온조모듈 (CPL1)→반사 방지막모듈 (BARC) →제 1의 더미 재치대(DUM1)→제 1의 가열 모듈 (HP1)→제 2의 온조모듈 (CPL2)→도포 유니트(COT)→제 2의 더미 재치대(DUM2)→제 2의 가열 모듈 (HP2)→냉각 모듈 (CPL3)의 반송 경로로 반송된다.
그리고 제 1의 온조모듈 (CPL1) 및 제 2의 온조모듈 (CPL2)은 상류단의 재치대 모듈 (TRS)을 1번째의 모듈로서 하류측의 모듈에 차례로 번호를 할당하면 각각 2번째 및 6번째의 모듈이 되므로 1번째의 재치대 모듈 (TRS)상의 웨이퍼 (W)를 상기 상부 아암 (22)에 의해 수취하러 간다. 도중 각 모듈 아래에 기재한 「상」 「하」의 문자는 상기 모듈내의 웨이퍼 (W)를 수취하러 가는 아암이 상부 아암 (21)인지 하부 아암 (22)인지를 나타내고 있다.
또 제 1의 도포 모듈인 반사 방지막모듈 (BARC)과 제 1의 가열 모듈 (HP1)과의 사이 및 상기 제 2의 도포 모듈인 도포 모듈 (COT)과 제 2의 가열 모듈 (HP2)과의 사이에 각각 제 1의 더미 재치대(DUM1) 및 제 2의 더미 재치대(DUM2)를 배치하고 있으므로 제 1 및 제 2의 가열 모듈 (HP1·HP2)로부터 웨이퍼 (W)를 수취하는 아암이 상부 아암 (22)가 되어 제 1의 온조모듈 (CPL1)로부터 반사 방지막모듈 (BARC)에 반송하는 아암 및 제 2의 온조모듈 (CPL2)로부터 도포 모듈 (COT)에 반송하는 아암과 제 1 및 제 2의 가열 모듈 (HP1·HP2)로부터 웨이퍼 (W)를 수취하는 아암이 다른 것이 된다.
또 예를 들면 도 18B에 나타나는 바와 같이 웨이퍼 (W)에 반사 방지막을 형성하지 않고 소수화 모듈 (ADH)을 사용하는 처리에서는 웨이퍼 (W)는 상류단에 위치하는 재치대 모듈 (TRS)→소수화 모듈 (ADH)→제 2의 온조모듈 (CPL2)→도포 유 니트(COT)→제 2의 더미 재치대(DUM2)→제 2의 가열 모듈 (HP2)→냉각 모듈 (CPL3)의 반송 경로에서 반송된다.
그리고 이 경우 제 2의 온조모듈 (CPL2)은 상류단의 재치대 모듈을 1번째의 모듈로서 하류측의 모듈에 차례로 번호를 할당하면 3번째의 모듈이 되므로 1번째의 재치대 모듈 (TRS) 상의 웨이퍼 (W)를 상기 하부 아암 (22)에 의해 수취하러 간다.
또 도포 모듈 (COT)과 제 2의 가열 모듈 (HP2)의 사이에 제 2의 더미 재치대(DUM2)를 배치하고 있으므로 제 2의 가열 모듈 (HP2)로부터 웨이퍼 (W)를 수취하는 아암이 상부 아암 (22)가 되고 제 2의 온조모듈 (CPL2)로부터 도포 모듈 (COT)에 반송하는 아암과 제 2의 가열 모듈 (HP2)로부터 웨이퍼 (W)를 수취하는 아암이 다른 것이 된다.
이들의 장치에 있어서 는 제 1의 온조모듈 (CPL1)과 제 2의 온조모듈 (CPL2)이라는 것은 상류단의 재치대 모듈 (TRS)을 1번째의 모듈로서 하류측의 모듈에 차례로 번호를 할당했을 때에 미리 양모듈 모두 기수 번째의 모듈이 되던지 양모듈 모두 우수 번째의 모듈이 되도록 모듈의 반송 경로를 작성해 둘 필요가 있다.
그리고 웨이퍼 (W)에 반사 방지막을 형성해 소수화 모듈 (ADH)을 사용하지 않는 반송 경로에서 웨이퍼 (W)를 반송하는 반송 레시피와 웨이퍼 (W)에 반사 방지막을 형성하지 않고 소수화 모듈 (ADH)을 사용하는 반송 경로에서 웨이퍼 (W)를 반송하는 반송 레시피를 용의하고 웨이퍼 (W)에 따라 반송 레시피를 선택함으로써 웨이퍼 (W)에 따라 제 1의 온조모듈 (CHP1) ; 제 1의 도포 모듈 (BARC) ; 제 1의 더미 재치대(DUM1) 및 제 1의 가열 모듈 (HP1)을 사용하는 반송 경로와 이들 모듈 을 사용하는 대신에 소수화 모듈 (ADH)을 사용하는 반송 경로의 사이에 반송 경로가 교체되도록 기판 반송 기구 (2)를 제어하도록 되어 있다. 또 이들의 장치에 있어서 도 현상 처리에 대해서는 도 15를 이용해 설명한 수법과 동일한 수법이 적용된다.
또한 본 발명은 상기 실시 형태로 한정되는 경우 없이 본 발명의 사상의 범위내에서 여러 가지 변형 가능하다. 예를 들면 상기 실시 형태에서는 반송 경로의 상류 측에 위치하는 재치대 모듈로서 이용되는 전달대 모듈을 단지 전달을 위해서 이용한 예를 나타냈지만 이것에 부가하여 웨이퍼 (W)의 냉각 플레이트의 기능을 가지는 것으로서도 좋다. 또 재치대 모듈은 웨이퍼 (W)의 가열 플레이트와 냉각 플레이트를 구비한 가열 모듈 (PEB·POST) 으로서도 좋다.
또 상기 실시 형태에서는 도포 모듈 (COT)의 하류 측에는 가열 플레이트를 구비한 가열 모듈 (HP)과 냉각 플레이트를 구비한 냉각 모듈 (CPL)을 차례로 배열하도록 했지만 이들 가열 모듈 (HP) ; 냉각 모듈 (CPL)에 대신해 웨이퍼 (W)의 가열 플레이트나 냉각 플레이트를 구비한 타입의 가열 모듈을 설치하도록 해도 괜찮다.
또 이상의 실시 형태에 있어서 온조모듈로서 온조기구가 설치되고 있는 것으로서 설명했지만 이것으로 한정되지 않고 예를 들면 실온으로 조정하기 위한 단순한 플레이트으로서도 좋다.
본 발명에 의하면 상부 아암과 하부 아암의 2개의 아암만을 구비한 기판 반 송 수단을 이용해 온조모듈로부터 도포 모듈로의 반송중의 기판의 온도 변화를 억제할 수가 있어 이것에 의해 도포 모듈에서는 기판의 면내 온도의 균일성이 높고 기판 온도가 적절한 상태로 도포액의 도포 처리를 실시할 수가 있어 면내 균일성이 높은 양호한 도포 처리를 실시할 수가 있다.

Claims (28)

  1. 기판의 반송 경로를 따라 반송 상류단으로부터 차례로 배치된 재치대 모듈 ; 기판의 온도를 설정 온도로 조정하는 온조모듈 ; 온도 조정된 기판에 도포액을 도포하는 도포 모듈 및 도포액이 도포된 기판을 가열하는 가열 모듈을 가지는 도포 처리부와,
    상하에 설치되어 서로 독립해 진퇴 자유로운 상부 아암 및 하부 아암을 가짐과 동시에 기판의 반송 경로를 따라 상류측으로부터 하류 측에 기판을 반송하도록 동작하는 기판 반송 기구를 구비한 도포 처리 장치를 이용해 도포 처리를 실시하는 도포 처리 방법으로서,
    상기 재치대 모듈상의 기판을 상부 아암 및 하부 아암 중 한쪽의 아암에 의해 수취하는 것과,
    다음 모듈에 놓여져 있는 기판을 상부 아암 및 하부 아암 중 한쪽의 아암에 의해 수취하는 것과,
    또한 상기 한쪽의 아암상의 기판을 상기 다음 모듈에 전달하는 것과,
    이와 같이 상부 아암 및 하부 아암을 교대로 동작시켜 상류측의 모듈로부터 차례로 기판을 한개씩 하류측의 모듈에 반송하는 것을 갖고,
    온조모듈로부터 도포 모듈에 반송하는 아암과 가열 모듈로부터 기판을 수취하는 아암을 다르게 하기 때문에 상기 반송 경로에 있어서의 도포 모듈과 가열 모듈의 사이에 더미 재치대를 배치하고,
    상류단의 재치대 모듈을 1번째의 모듈로서 하류측의 모듈에 차례로 번호를 할당하여 온조모듈이 우수 번째의 모듈이 될 때는 1번째의 재치대 모듈상의 기판을 상기 상부 아암에 의해 수취하도록 하고 온조모듈이 기수 번째의 모듈이 될 때는 1번째의 재치대 모듈상의 기판을 하부 아암에 의해 수취하도록 하여 온조모듈로부터 도포 모듈로의 기판의 반송을 항상 하부 아암에 의해 실시하는 것을 특징으로 하는 도포 처리 방법.
  2. 청구항 1의 도포 처리 방법에 있어서, ,
    기판에 도포액을 도포하기 전에 기판을 가열하면서 기판의 표면에 대해서 소수화 처리를 실시하는 소수화 모듈이 반송 경로를 따라 배치되어 기판에 따라 소수화 모듈을 사용하는 반송 경로와 소수화 모듈을 사용하지 않는 반송 경로의 사이에 반송 경로를 전환하여 처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 도포 처리 방법.
  3. 청구항 1의 도포 처리 방법에 있어서,
    반송 경로의 상류단에 위치하는 재치대 모듈은 기판의 전달용의 전달대 모듈인 것을 특징으로 하는 도포처리방법.
  4. 청구항 3의 도포 처리 방법에 있어서,
    상기 전달대 모듈은 기판의 냉각 플레이트로서도 기능하는 것을 특징으로 하는 도포처리방법.
  5. 청구항 1의 도포 처리 방법에 있어서,
    도포 모듈은 기판에 레지스트액 또는 반사 방지막용의 약액을 도포하기 위한 것을 특징으로 하는 도포처리방법.
  6. 청구항 1의 도포 처리 방법에 있어서,
    도포 모듈은 기판에 현상액을 도포하기 위한 것이고 반송 경로의 상류단에 위치하는 재치대 모듈은 노광되고 또한 가열된 기판이 재치되는 모듈인 것을 특징으로 하는 도포처리방법.
  7. 청구항 1의 도포 처리 방법에 있어서,
    도포 모듈은 기판에 현상액을 도포하기 위한 것이고 반송 경로의 상류단에 위치하는 재치대 모듈은 노광된 기판이 재치되는 모듈이고 반송 경로에 있어서의 재치대 모듈과 온조모듈의 사이에 기판을 가열하고 또한 냉각하기 위한 모듈이 배치되어 있는 것을 특징으로하는 도포 처리 방법.
  8. 청구항 1의 도포 처리 방법에 있어서,
    또한 기판의 반송 경로를 인식하는 것과,
    상류단의 재치대 모듈을 1번째의 모듈로서 하류측의 모듈에 차례로 번호를 할당하는 것과,
    온조모듈이 우수 번째의 모듈인지 기수 번째의 모듈인지를 인식하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 도포 처리 방법.
  9. 기판의 반송 경로를 따라 반송 상류단으로부터 차례로 배치된 재치대 모듈 기판의 온도를 설정 온도로 조정하는 제 1의 온조모듈 ; 온도 조정된 기판에 제 1의 도포액을 도포하는 제 1의 도포 모듈 ; 제 1의 도포액이 도포된 기판을 가열하는 제 1의 가열 모듈; 기판을 냉각해 설정 온도로 조정하는 제 2의 온조모듈 ; 온도 조정된 기판에 제 2의 도포액을 도포하는 제 2의 도포 모듈 및 제 2의 도포액이 도포된 기판을 가열하는 제 2의 가열 모듈을 가지는 도포 처리부와,
    상하에 설치되어 서로 독립하여 진퇴 자유로운 상부 아암 및 하부 아암을 가짐과 동시에 기판의 반송 경로를 따라 상류측으로부터 하류 측에 기판을 반송하도록 동작하는 기판 반송 기구를 구비한 도포 처리 장치를 이용해 도포 처리를 실시하는 도포 처리 방법으로서,
    상기 재치대 모듈상의 기판을 상부 아암 및 하부 아암 중 한쪽의 아암에 의해 수취하는 것과,
    다음 모듈에 놓여져 있는 기판을 상부 아암 및 하부 아암 중 한쪽의 아암에 의해 수취하는 것과,
    또한 상기 한쪽의 아암상의 기판을 상기 다음 모듈에 전달하는 것과,
    이와 같이 상부 아암 및 하부 아암을 교대로 동작시켜 상류측의 모듈로부터 차례로 기판을 한개씩 하류측의 모듈에 반송하는 것을 갖고,
    제 1의 온조모듈로부터 제 1의 도포 모듈에 반송하는 아암과 제 1의 가열 모듈로부터 기판을 수취하는 아암을 다르게 하기 위해서 상기 반송 경로에 있어서의 제 1의 도포 모듈과 제 1의 가열 모듈의 사이에 제 1의 더미 재치대를 배치하고,
    제 2의 온조모듈로부터 제 2의 도포 모듈에 반송하는 아암과 제 2의 가열 모듈로부터 기판을 수취하는 아암을 다르게 하기 위해서 상기 반송 경로에 있어서의 제 2의 도포 모듈과 제 2의 가열 모듈의 사이에 제 2의 더미 재치대를 배치하고,
    상류단의 재치대 모듈을 1번째의 모듈로 하여 하류측의 모듈에 차례로 번호를 할당하고 제 1의 온조모듈 및 제 2의 온조모듈이 우수 번째의 모듈이 될 때는 1번째의 재치대 모듈상의 기판을 상기 상부 아암에 의해 수취하도록 하여 제 1의 온조모듈 및 제 2의 온조모듈이 기수 번째의 모듈이 될 때는 1번째의 재치대 모듈상의 기판을 하부 아암에 의해 수취하도록 하여 온조모듈로부터 도포 모듈로의 기판의 반송을 항상 하부 아암에 의해 실시하는 것을 특징으로 하는 도포 처리 방법.
  10. 청구항 9의 도포 처리 방법에 있어서,
    제 1의 도포 모듈은 반사 방지막용의 약액을 기판에 도포하기 위한 모듈이고 제 2의 도포 모듈은 레지스트액을 기판에 도포하기 위한 모듈인 것을 특징으로 하는 도포 처리 방법.
  11. 청구항 9의 도포 처리 방법에 있어서,
    기판에 대해서 앞에 기판을 가열하면서 기판의 표면에 대해서 소수화 처리를 실시하는 소수화 모듈이 반송 경로에 있어서의 제 1의 온조모듈의 상류 측에 배치되고 기판에 따라 제 1의 온조모듈 ; 제 1의 도포 모듈 ; 제 1의 더미 재치대 및 제 1의 가열 모듈을 사용하는 반송 경로와 이들 모듈을 사용하는 대신에 소수화 모듈을 사용하는 반송 경로의 사이에 반송 경로를 전환하여 처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 도포 처리 방법.
  12. 청구항 9의 도포 처리 방법에 있어서,
    반송 경로의 상류단에 위치하는 재치대 모듈은 기판의 전달용의 전달대 모듈인 것을 특징으로 하는 도포 처리 방법.
  13. 청구항 12의 도포 처리 방법에 있어서,
    상기 전달대 모듈은 기판의 냉각 플레이트로서도 기능하는 것을 특징으로 하는 도포 처리 방법.
  14. 청구항 9의 도포 처리 방법에 있어서,
    또한 기판의 반송 경로를 인식하는 것과,
    상류단의 재치대 모듈을 1번째의 모듈로서 하류측의 모듈에 차례로 번호를 할당하는 것과,
    온조모듈이 우수 번째의 모듈인지 기수 번째의 모듈인지를 인식하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 도포 처리 방법.
  15. 기판의 반송 경로를 따라 반송 상류단으로부터 차례로 배치된 재치대 모듈 기판의 온도를 설정 온도로 조정하는 온조모듈 ; 온도 조정된 기판에 도포액을 도포하는 도포 모듈 및 도포액이 도포된 기판을 가열하는 가열 모듈을 가지는 도포 처리부와,
    상하에 설치되어 서로 독립해 진퇴 자유로운 상부 아암 및 하부 아암을 가짐과 동시에 기판의 반송 경로를 따라 상류측으로부터 하류 측에 기판을 반송하도록 동작하는 기판 반송 기구와,
    상기 재치대 모듈상의 기판을 상부 아암 및 하부 아암 중 한쪽의 아암에 의해 수취하고 다음 모듈에 놓여져 있는 기판을 상부 아암 및 하부 아암 중 한쪽의 아암에 의해 수취하고 또한 상기 한쪽의 아암상의 기판을 상기 다음 모듈에 전달하고 이와 같이 상부 아암 및 하부 아암을 교대로 동작시켜 상류측의 모듈로부터 차례로 기판을 한개씩 하류측의 모듈에 반송하도록 상기 기판 반송 기구를 제어하는 제어부를 구비하고,
    상기 도포 처리부는 상기 온조모듈로부터 도포 모듈에 반송하는 아암과 가열 모듈로부터 기판을 수취하는 아암을 다르게 하기 위해서 상기 반송 경로에 있어서의 도포 모듈과 가열 모듈의 사이에 배치된 더미 재치대를 갖고,
    상기 제어부는 상류단의 재치대 모듈을 1번째의 모듈로서 하류측의 모듈에 차례로 번호를 할당하면 온조모듈이 우수 번째의 모듈이 될 때는 1번째의 재치대 모듈상의 기판을 상기 상부 아암에 의해 수취하고 온조모듈이 기수 번째의 모듈이 될 때는 1번째의 재치대 모듈상의 기판을 하부 아암에 의해 수취하도록 기판 반송 수단을 제어하는 것을 특징으로 하는 도포 처리 장치.
  16. 청구항 15의 도포 처리 장치에 있어서,
    상기 처리부는 상기 반송 경로를 따라 배치된 기판에 도포액을 도포하기 전에 기판을 가열하면서 기판의 표면에 대해서 소수화 처리를 실시하는 소수화 모듈을 갖고,
    상기 제어부는 기판에 따라 소수화 모듈을 사용하는 반송 경로와 소수화 모듈을 사용하지 않는 반송 경로와의 사이에 반송 경로를 전환하도록 상기 기판 반송 기구를 제어하는 것을 특징으로 하는 도포 처리 장치.
  17. 청구항 15의 도포 처리 장치에 있어서,
    상기 반송 경로의 상류단에 위치하는 상기 재치대 모듈은 기판의 전달용의 전달대 모듈인 것을 특징으로 하는 도포 처리 장치.
  18. 청구항 17의 도포 처리 장치에 있어서,
    상기 전달대 모듈은 기판의 냉각 플레이트로서도 기능하는 것을 특징으로 하는 도포 처리 장치.
  19. 청구항 15의 도포 처리 장치에 있어서,
    상기 도포 모듈은 기판에 레지스트액 또는 반사 방지막용의 약액을 도포하기 위한 것을 특징으로 하는 도포 처리 장치.
  20. 청구항 15의 도포 처리 장치에 있어서,
    상기 도포 모듈은 기판에 현상액을 도포하기 위한 것이고 상기 반송 경로의 상류단에 위치하는 상기 재치대 모듈은 노광되고 또한 가열된 기판이 재치되는 모듈인 것을 특징으로 하는 도포 처리 장치.
  21. 청구항 15의 도포 처리 장치에 있어서,
    상기 도포 모듈은 기판에 현상액을 도포하기 위한 것이고 상기 반송 경로의 상류단에 위치하는 상기 재치대 모듈은 노광된 기판이 재치되는 모듈이고 상기 반송 경로에 있어서의 상기 재치대 모듈과 상기 온조모듈의 사이에 기판을 가열하고 또한 냉각하기 위한 모듈이 배치되고 있는 것을 특징으로 하는 도포 처리 장치.
  22. 기판의 반송 경로를 따라 반송 상류단으로부터 차례로 배치된 재치대 모듈 기판의 온도를 설정 온도로 조정하는 제 1의 온조모듈 ; 온도 조정된 기판에 제 1의 도포액을 도포하는 제 1의 도포 모듈; 제 1의 도포액이 도포된 기판을 가열하는 제 1의 가열 모듈 ; 기판을 냉각해 설정 온도로 조정하는 제 2의 온조모듈; 온도 조정된 기판에 제 2의 도포액을 도포하는 제 2의 도포 모듈 및 제 2의 도포액이 도포된 기판을 가열하는 제 2의 가열 모듈을 가지는 도포 처리부와,
    상하에 설치되어 서로 독립해 진퇴 자유로운 상부 아암 및 하부 아암을 가짐과 동시에 기판의 반송 경로를 따라 상류측으로부터 하류 측에 기판을 반송하도록 동작하는 기판 반송 기구,
    상기 재치대 모듈상의 기판을 상부 아암 및 하부 아암 중 한쪽의 아암에 의해 수취하고 다음 모듈에 놓여져 있는 기판을 상부 아암 및 하부 아암 중 한쪽의 아암에 의해 수취하고 또한 상기 한쪽의 아암상의 기판을 상기 다음 모듈에 전달하고 이와 같이 상부 아암 및 하부 아암을 교대로 동작시켜 상류측의 모듈로부터 차례로 기판을 한개씩 하류측의 모듈에 반송하도록 상기 기판 반송 기구를 제어하는 제어부를 구비하고,
    상기 도포 처리부는,
    제 1의 온조모듈로부터 제 1의 도포 모듈에 반송하는 아암과 제 1의 가열 모듈로부터 기판을 수취하는 아암을 다르게 하기 위해서 상기 반송 경로에 있어서의 제 1의 도포 모듈과 제 1의 가열 모듈의 사이에 배치된 제 1의 더미 재치대와,
    제 2의 온조모듈로부터 제 2의 도포 모듈에 반송하는 아암과 제 2의 가열 모듈로부터 기판을 수취하는 아암을 다르게 하기 위해서 상기 반송 경로에 있어서의 제 2의 도포 모듈과 제 2의 가열 모듈의 사이에 배치된 제 2의 더미 재치대를 갖고,
    상기 제어부는 상류단의 재치대 모듈을 1번째의 모듈로서 하류측의 모듈에 차례로 번호를 할당하면 제 1의 온조모듈 및 제 2의 온조모듈이 우수 번째의 모듈이 될 때는 1번째의 재치대 모듈상의 기판을 상기 상부 아암에 의해 수취하고 제 1 의 온조모듈 및 제 2의 온조모듈이 기수 번째의 모듈이 될 때는 1번째의 재치대 모듈상의 기판을 하부 아암에 의해 수취하도록 기판 반송 기구를 제어하는 것을 특징으로 하는 도포 처리 장치.
  23. 청구항 22의 도포 처리 장치에 있어서,
    상기 제 1의 도포 모듈은 반사 방지막용의 약액을 기판에 도포하기 위한 모듈이고 상기 제 2의 도포 모듈은 레지스트액을 기판에 도포하기 위한 모듈인 것을 특징으로 하는 도포 처리 장치.
  24. 청구항 22의 도포 처리 장치에 있어서,
    상기 처리부는 상기 반송 경로에 있어서의 상기 제 1의 온조모듈의 상류 측에 배치된 기판에 도포액을 도포하기 전에 기판을 가열하면서 기판의 표면에 대해서 소수화 처리를 실시하는 소수화 모듈을 갖고,
    상기 제어부는 기판에 따라 제 1의 온조모듈; 제 1의 도포 모듈 ; 제 1의 더미 재치대 및 제 1의 가열 모듈을 사용하는 반송 경로와 이들 모듈을 사용하는 대신에 소수화 모듈을 사용하는 반송 경로의 사이에 반송 경로를 전환하도록 기판 반송 수단을 제어하는 것을 특징으로 하는 도포 처리 장치.
  25. 청구항 22의 도포 처리 장치에 있어서,
    상기 반송 경로의 상류단에 위치하는 상기 재치대 모듈은 기판의 전달용의 전달대 모듈인 것을 특징으로 하는 도포 처리 장치.
  26. 청구항 25의 도포 처리 장치에 있어서,
    상기 전달대 모듈은 기판의 냉각 플레이트로서도 기능하는 것을 특징으로 하는 도포 처리 장치.
  27. 기판의 반송 경로를 따라 반송 상류단으로부터 차례로 배치된 재치대 모듈 기판의 온도를 설정 온도로 조정하는 온조모듈; 온도 조정된 기판에 도포액을 도포하는 도포 모듈 및 도포액이 도포된 기판을 가열하는 가열 모듈을 갖고 또한 온조모듈로부터 도포 모듈에 반송하는 아암과 가열 모듈로부터 기판을 수취하는 아암을 다르게 하기 위해서 상기 반송 경로에 있어서의 도포 모듈과 가열 모듈의 사이에 더미 재치대를 가지는 도포 처리부와,
    상하에 설치되어 서로 독립해 진퇴 자유로운 상부 아암 및 하부 아암을 가짐과 동시에 기판의 반송 경로를 따라 상류측으로부터 하류 측에 기판을 반송하도록 동작하는 기판 반송 기구를 구비한 도포 처리 장치를 컴퓨터에 제어시키는 컴퓨터 프로그램으로서,
    실행시에 상기 재치대 모듈상의 기판을 상부 아암 및 하부 아암 중 한쪽의 아암에 의해 수취하고 다음 모듈에 놓여져 있는 기판을 상부 아암 및 하부 아암 중 한쪽의 아암에 의해 수취하고 또한 상기 한편의 아암상의 기판을 상기 다음 모듈에 전달하고 이와 같이 상부 아암 및 하부 아암을 교대로 동작시켜 상류측의 모듈로부 터 차례로 기판을 한개씩 하류측의 모듈에 반송시키고,
    상류단의 재치대 모듈을 1번째의 모듈로서 하류측의 모듈에 차례로 번호를 할당하고 온조모듈이 우수 번째의 모듈이 될 때는 1번째의 재치대 모듈상의 기판을 상기 상부 아암에 의해 수취하도록 하여 온조모듈이 기수 번째의 모듈이 될 때는 1번째의 재치대 모듈상의 기판을 하부 아암에 의해 수취하도록 해 온조모듈로부터 도포 모듈로의 기판의 반송을 항상 하부 아암에 의해 실시하도록 상기 도포 처리 장치를 제어시키는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 프로그램.
  28. 기판의 반송 경로를 따라 반송 상류단으로부터 차례로 배치된 재치대 모듈 기판의 온도를 설정 온도로 조정하는 제 1의 온조모듈 ; 온도 조정된 기판에 제 1의 도포액을 도포하는 제 1의 도포 모듈 ; 제 1의 도포액이 도포된 기판을 가열하는 제 1의 가열 모듈 ; 기판을 냉각해 설정 온도로 조정하는 제 2의 온조모듈 ; 온도 조정된 기판에 제 2의 도포액을 도포하는 제 2의 도포 모듈 및 제 2의 도포액이 도포된 기판을 가열하는 제 2의 가열 모듈을 갖고 또한 제 1의 온조모듈로부터 제 1의 도포 모듈에 반송하는 아암과 제 1의 가열 모듈로부터 기판을 수취하는 아암을 다르게 하기 위해서 상기 반송 경로에 있어서의 제 1의 도포 모듈과 제 1의 가열 모듈의 사이에 배치된 제 1의 더미 재치대와 제 2의 온조모듈로부터 제 2의 도포 모듈에 반송하는 아암과 제 2의 가열 모듈로부터 기판을 수취하는 아암을 다르게 하기 위해서 상기 반송 경로에 있어서의 제 2의 도포 모듈과 제 2의 가열 모듈의 사이에 배치된 제 2의 더미 재치대를 가지는 도포 처리부와,
    상하에 설치되어 서로 독립해 진퇴 자유로운 상부 아암 및 하부 아암을 가짐과 동시에 기판의 반송 경로를 따라 상류측으로부터 하류 측에 기판을 반송하도록 동작하는 기판 반송 기구를 구비한 도포 처리 장치를 컴퓨터에 제어시키는 컴퓨터 프로그램으로서,
    실행시에 상기 재치대 모듈상의 기판을 상부 아암 및 하부 아암 중 한쪽의 아암에 의해 수취하고 다음 모듈에 놓여져 있는 기판을 상부 아암 및 하부 아암 중 한쪽의 아암에 의해 수취하고 또한 상기 한쪽의 아암상의 기판을 상기 다음 모듈에 전달하고 이와 같이 상부 아암 및 하부 아암을 교대로 동작시켜 상류측의 모듈로부터 차례로 기판을 한개씩 하류측의 모듈에 반송시키고,
    상류단의 재치대 모듈을 1번째의 모듈로서 하류측의 모듈에 차례로 번호를 할당하여 제 1의 온조모듈 및 제 2의 온조모듈이 우수 번째의 모듈이 될 때는 1번째의 재치대 모듈상의 기판을 상기 상부 아암에 의해 수취하도록 하여 제 1의 온조모듈 및 제 2의 온조모듈이 기수 번째의 모듈이 될 때는 1번째의 재치대 모듈상의 기판을 하부 아암에 의해 수취하도록 하여 온조모듈로부터 도포 모듈로의 기판의 반송을 항상 하부 아암에 의해 실시하도록 상기 도포 처리 장치를 제어시키는 것을 특징으로 하는 컴퓨터 프로그램.
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