JP7465680B2 - 液処理装置及び液処理装置の制御方法 - Google Patents
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Description
本開示は、液処理装置及び液処理装置の制御方法に関するものである。
一般に、半導体デバイスの製造においては、例えば半導体ウエハ（以下、ウエハということがある）に回路パターンを形成するためにフォトリソグラフィ技術が利用されている。フォトリソグラフィ技術では、液処理装置の１つである塗布処理装置でレジスト液の塗布処理を行い、マスクパターンを露光処理した後に現像処理装置で現像液による現像処理を行う工程によって、回路パターンを形成する塗布現像処理装置が知られている。
この様な塗布現像処理装置では、冷却プレートで基板を所定の温度に調整した後に、塗布処理モジュールへ基板を搬送してから塗布処理が行われる。（特許文献１参照）。しかし、近年では基板の厚みを、例えば２００μｍ以下に薄く形成された特殊な基板の処理が行われることもある。この様な特殊な基板は、デバイスを形成する領域として使用される部位のみを、通常の厚みを有する基板から研削することで製造され、デバイス領域を囲む外周余剰領域に対応する裏面に、補強用の環状凸部が形成された基板である（特許文献２参照）。この様な特殊な基板に対してもレジスト液による膜を面内に均一に形成しなければならない。
本開示にかかる技術は、液処理装置に搬入するまでの雰囲気から温度影響を受ける基板に対して、均一な液処理を可能にする。
本開示の一態様は、基板に対して処理液を供給して処理する液処理装置であって、前記基板を保持し回転可能なチャックと、前記チャックに対して近接または接触する近接位置と、前記近接位置に比して前記チャックから離間した退避位置とに移動可能なチャック温度調整部材と、前記チャック温度調整部材の前記退避位置の近傍に設けられ、前記チャック温度調整部材が近接または接触した際に、前記チャック温度調整部材の温度を調整する温度調整機構を備えたサポート部を備える。
本開示にかかる技術によれば、液処理装置に搬入するまで雰囲気から温度影響を受ける基板に対して、均一な液処理を行うことができる。
基板に対して処理液、例えばレジスト液を供給して塗布処理を行う場合、従来から当該基板を予め定めた温度に調整し、その後搬送装置によって当該基板を塗布処理装置に搬送し、当該塗布処理装置内における基板保持部材としてのチャック上に載置している。そして当該チャック上に保持された基板に対して、上方のノズルから処理液を供給することが行なわれている。
しかしながら、搬送装置によって対象基板を塗布処理装置に搬入するまでの間に、周囲環境によって基板の温度が予め定めた温度よりも上昇してしまったり、面内温度が不均一になってしまうことがあった。そうすると、チャック上に載置して処理液を供給した場合に、企図した処理液の膜厚を実現できなかったり、膜厚の均一性が損なわれることがあった。とりわけ後述のように、デバイス形成領域の基板の厚さが通常の基板よりも薄くなっている特殊な基板では、周辺環境による温度の影響を受けやすく、この点改善が望まれている。
また現像処理の場合にも、搬送装置によって対象基板を現像処理装置に搬入するまでの間に、周囲環境によって基板の温度が変化したり、基板面内温度の均一性が損なわれることがある。かかる場合、レジストの種類によって基板面内温度分布から現像後のＣＤ均一性が変わることがあり、かかる点からも改善が望まれていた。
本開示にかかる技術は、そのように塗布処理装置や現像処理装置などの液処理装置に搬入するまで雰囲気から温度影響を受ける基板に対して、均一な塗布膜の形成、均一な現像処理など、均一な液処理を行う。
［第１実施形態］
以下、第１実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また各実施の形態は液処理装置の一例としての塗布処理装置について説明する。
以下、第１実施形態について図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の説明において、同一要素又は同一機能を有する要素には同一の符号を付し、重複する説明を省略する。また各実施の形態は液処理装置の一例としての塗布処理装置について説明する。
まず、第１実施形態に係る塗布処理装置が組み込まれている一般的によく知られているレジスト塗布現像処理装置（図示せず）について説明をする。半導体基板であるウエハを処理するレジスト塗布現像処理装置には、キャリアブロックが設けられている。さらにこのキャリアブロックに設けられている載置台上に載置された密閉型の基板収納容器であるキャリアに収納されたウエハを、基板搬送装置が取り出す。またレジスト塗布現像処理装置は、そのウエハをキャリアブロックに隣接配置される筐体で囲まれた処理ブロックに受け渡し、処理ブロック内でウエハを目的の処理モジュールに搬送するための他の基板搬送装置を備えている。当該他の基板搬送装置により所定の処理モジュールに順次ウエハが搬送されて所定の処理がなされる。そして最後の処理モジュールにて処理が完了して他の基板搬送装置によって取り出された処理済みのウエハは、基板搬送装置によって処理ブロックからキャリアに戻される。当該レジスト塗布現像処理装置は、処理モジュールとして冷却処理装置と塗布処理装置を備えている。当該他の基板搬送装置で、冷却処理装置から全領域を均一に冷却処理されたウエハを受取り、当該ウエハが塗布処理装置へ搬送された後に、塗布処理が行われる。
まず第１実施形態にかかる塗布処理モジュールで処理対象となる特殊形状のウエハについて図１を用いて説明をする。図１のウエハＷは通常形状のウエハを特殊加工して製造されたものである。このウエハＷは例えばＤＩＳＣＯ社が開発したウエハバックグラインディング技術によって加工されたものであり、ウエハ裏面外周部を例えば３ｍｍほど残して内側のエリアのみを研削することで、反りによる割れや欠けを防止する効果がある基板として知られている。
この様な加工処理が施されたウエハＷはグラインディング（研磨）された領域、あるいはその裏面側がデバイス形成領域Ｄとなる。厚みが３０～１５０μｍ範囲内の、例えば５０ｕｍ程度まで削り込まれて凹部２が形成され、研磨されずに残る部分は環状凸部１となり通常の厚みのまま残されるので変形の抑止効果が得られる。この環状凸部１の幅Ｍは所望の幅になる様に処理されるがデバイス形成領域Ｄを多くとるために概ね３ｍｍ程度とされている。なお図１（ａ）の様に凹部２の反対側の面がデバイス形成領域Ｄ面として使われる場合は、環状凸部１は下側に凸の形状となる。また、図１（ｂ）の様に凹部２を成す面がデバイス形成領域Ｄ面として使われる場合は、環状凸部１は上側に凸の形状になる。
次に、第１実施形態にかかる塗布処理装置である塗布処理モジュールについて説明をする。塗布処理モジュールでは、温度調整された基板に対して塗布膜を形成する為の処理液が基板上に供給される。その後、当該処理液が塗布されたウエハは、熱処理モジュールに搬送される。処理液の種類は、塗布膜の役割毎に様々なものがあり、例えば感光剤であるレジストや、ポリイミドなどのデバイスにおける絶縁・保護膜材料がある。
第１実施形態にかかる塗布処理モジュール１０について、図２（ａ）、図２（ｂ）を用いて説明をする。
図２（ａ）、図２（ｂ）は、各々塗布処理モジュール１０の全体構造を説明する側面の断面を模式的に示している図であり、図２（ａ）は塗布処理モジュール１０の待機状態を示し、図２（ｂ）は、塗布処理モジュール１０が塗布処理中の状態を示している。塗布処理モジュール１０は、ウエハＷを吸着保持して回転させるチャック１１と、ウエハＷの表面に処理液を供給するノズル１２と、ウエハＷ上から飛散する液を受けるためチャック１１を囲うように設けられたカップ１３と、チャック１１の温度を調整するチャック温度調整部材１４と、制御部１５を有する。チャック１１は、例えばモータなどの回転駆動機構１６によって回転可能である。
カップ１３の上方には、支持体２１が設けられている。この支持体２１は、塗布処理モジュール１０内において、例えば塗布処理モジュール１０の壁体（図示せず）に固定されている。この支持体２１の中心部分の上面には、昇降機構、例えばシリンダ部材２２が設けられている。このシリンダ部材２２の伸縮するロッド２２ａの上端部は、支持体２１の上方に位置する駆動プレート２３と接続されている。
駆動プレート２３の下面側には、支持体２１を挿通する支持部材２４が複数設けられている。そして前記したチャック温度調整部材１４は、この支持部材２４に取り付けられている。したがって、シリンダ部材２２を作動させてロッド２２ａを伸縮させることで、チャック温度調整部材１４は、チャック１１の上面に接近離隔自在である。すなわちチャック１１に対し相対的に昇降可能である。なお最接近時には、チャック１１にチャック温度調整部材１４を当接させるようにしてもよい。
チャック温度調整部材１４内には、温調水が流通可能な流路１４ａが形成されており、流路１４ａは、支持部材２４内に形成された流路２４ａと接続されている。したがって、温調水源（図示せず）から供給される温調水は、支持部材２４の流路２４ａから、チャック温度調整部材１４内の流路を巡って、再び温調水源に戻すことが可能である。かかる構成により、チャック温度調整部材１４は、所望の温度、例えば２２℃±１℃に維持することが可能である。つまりこのとき、塗布処理モジュール１０内の雰囲気温度が約２３℃の場合は、チャック温度調整部材１４は、１℃～２℃程度異なる温度に維持することになる。そのような機能を有する流路１４ａ及び温調水によって、温度調整機構１７が構成される。
チャック温度調整部材１４はたとえば、金属やセラミックで構成されており、たとえば円盤形状を有している。またチャック温度調整部材１４の下面、すなわちチャック１１に対向する面の広さは、チャック１１におけるウエハＷが載置される面と同等以上である。このことにより、チャック１１の温度調整を、速やかに且つ均一に行うことができる。
制御部１５は、例えばＣＰＵやメモリなどを備えたコンピュータにより構成され、例えばメモリに記憶されたプログラムを実行することによって、塗布処理モジュール１０における塗布処理に必要な各種動作、例えばチャック温度調整部材１４の上下動、ノズル１２の移動、処理液の供給、停止、チャックの回転、停止等の動作を実現できる。なお、塗布処理モジュール１０における塗布処理を実現するための各種プログラムは、例えばコンピュータ読み取り可能なハードディスク（ＨＤ）、フレキシブルディスク（ＦＤ）、コンパクトディスク（ＣＤ）、マグネットオプティカルデスク（ＭＯ）、メモリーカードなどの記憶媒体に記憶されていたものであって、その記憶媒体から制御部１５にインストールされたものであってもよい。
本実施形態における塗布処理モジュール１０は以上の構成を有しており、次に当該塗布処理モジュール１０の動作を説明する。塗布処理を行わない待機時には、図２（ａ）に示したように、チャック１１にチャック温度調整部材１４が近接又は接触する位置（近接位置）に移動することで、チャック１１の温度がチャック温度調整部材１４によって調整される。この場合、ウエハＷにチャック温度調整部材１４が近接する際の双方間の隙間（距離）は、例えば１～５ｍｍに設定される。
一方塗布処理時には、図２（ｂ）に示したように、まずシリンダ部材２２の作動により、チャック温度調整部材１４がチャック１１から離間した位置（退避位置）に退避する。この退避位置は、前記した近接位置と比べてチャック１１からより離間した位置である。そしてチャック１１にウエハＷが保持された状態で、ノズル１２がウエハＷの中心上方まで移動する。その後、ノズル１２からウエハＷに対して処理液が供給され、チャック１１が回転することで、いわゆるスピンコーティング法によってウエハＷの表面に当該処理液の塗布膜が形成される。
そのようなウエハＷに対する塗布膜形成時は、ウエハＷは前記した待機時に温度調整されたチャック１１に保持されており、これによって温度調整されて所望の温度に維持されている。したがって、塗布処理中にウエハＷの温度が均一に維持されるため、ウエハＷ上の処理液の乾燥の進み具合がウエハＷ面内で均一となり、局所的な膜厚の偏りが抑制されて均一な塗布膜を形成することができる。したがって塗布処理モジュールに搬入するまで周辺の雰囲気から温度影響を受けたウエハＷに対して、均一な塗布膜を形成することが可能である。
ウエハＷに塗布膜が形成された後は、ノズル１２がウエハＷ上方から退避して、チャック温度調整部材１４がシリンダ部材２２により、再びチャック１１に近接又は接触する位置に移動する。そうして次の塗布処理に備えて再びチャック１１の温度が調整される。
［第２実施形態］
次に、第２実施形態にかかる塗布処理モジュールについて、図３を用いて説明をする。なお、第２実施形態の説明においては、第１実施形態と異なる点について主に説明し、第１実施形態と同様の説明は省略する。
次に、第２実施形態にかかる塗布処理モジュールについて、図３を用いて説明をする。なお、第２実施形態の説明においては、第１実施形態と異なる点について主に説明し、第１実施形態と同様の説明は省略する。
図３に示されるように、第２実施形態にかかる塗布処理モジュール３０は、チャック温度調整部材１４には、第１実施形態にかかる塗布処理モジュール１０で採用した温度調整機構１７は設けられていない。第２実施形態にかかる塗布処理モジュール３０では、チャック１１を温度調整するために、支持体２１にサポート部３１が設けられている。
このサポート部３１には、温度調整機構３２が設けられている。この温度調整機構３２は、たとえばペルチェ素子であってもよいし、温調水の流路であってもよい。
以上の構成を有する第２実施形態にかかる塗布処理モジュール３０によれば、チャック温度調整部材１４が、図３に示すようにサポート部３１に近接又は接触することで、チャック温度調整部材１４の温度調整が行われる。このように温度調整されたチャック温度調整部材１４がチャック１１の上面に近接又は接触することで、チャック温度調整部材１４によってチャック１１の温度が調整される。またノズル１２がウエハＷ上に位置する塗布処理中であっても、チャック温度調整部材１４の温度調整を行なうことができる。しかもサポート部３１にはサイズが大きいものを設けることができる。すなわち、サポート部３１のサイズによって決まる熱容量を、チャック１１の熱容量に対して大きくすることで速やかなチャック温度調整部材１４の温度調整が可能になる。
［第３実施形態］
次に、第３実施形態について、図４を用いて説明をする。第３実施形態にかかる塗布処理モジュール４０は、前記した第１実施形態にかかる塗布処理モジュール１０における温度調整機構１７、第２実施形態にかかる塗布処理モジュール３０における温度調整機構３２を組み合わせた構成を有している。
次に、第３実施形態について、図４を用いて説明をする。第３実施形態にかかる塗布処理モジュール４０は、前記した第１実施形態にかかる塗布処理モジュール１０における温度調整機構１７、第２実施形態にかかる塗布処理モジュール３０における温度調整機構３２を組み合わせた構成を有している。
すなわち図４に示されるように、第３実施形態にかかる塗布処理モジュール４０は、第２実施形態にかかる塗布処理モジュール３０と同様に、温度調整機構３２を有するサポート部３１が支持体２１に設けられている。一方で第３実施形態にかかる塗布処理モジュール４０は、第１実施形態にかかる塗布処理モジュール１０と同じく、チャック温度調整部材１４に温度調整機構１７を有している。すなわち、第３実施形態にかかる塗布処理モジュール４０は、２つの温度調整機構３２、１７を有している。
このように２つの温度調整機構３２、１７を有する第３実施形態にかかる塗布処理モジュール４０によれば、チャック１１にウエハＷが載っていないときには、チャック温度調整部材１４がチャック１１に近接してチャック１１を温度調整することができ、またチャック１１にウエハＷが載っている場合でも、サポート部３１に近接または接触することで、チャック温度調整部材１４を所望の温度に調節することができる。
このように２つの温度調整機構を用いることで、次の様な場合に有用と考えられる。例えば、チャック温度調整部材１４の温度調整機構１７の能力不足やチャック温度調整部材１４の熱容量が小さい場合に、チャック１１の温度調整が完了した時点で、チャック温度調整部材１４の温度が変わることが考えられる。この場合はチャック１１の温度調整を開始する時点である塗布処理完了時までに、チャック温度調整部材１４の温度をチャック１１の温度調整前の状態に戻す必要があるが、それに時間を要し、塗布処理完了までの時間を延ばしたり、あるいは塗布処理完了後、次のウエハＷを搬入するまでにタイムラグを発生させて生産効率を落とすことは好ましくない。そこで、温度調整機構１７と温度調整機構３２の両方を使うことによって、チャック温度調整部材１４の温度を速やかに所望の温度に調整することができるから、生産効率を低下させることは防止される。
［第４実施形態］
前記した実施の形態では、チャック温度調整部材１４がチャック１１の上方に設けられてシリンダ部材２２によって昇降し、チャック１１に対して近接、接触可能な構成を採っていたが、これに限らず例えば図６に示した塗布処理モジュール５０のように、チャック温度調整部材１４がチャック１１に対して起伏方向（図中の往復矢印Ａ方向）に回動可能な構成として、チャック１１に対して近接、接触させたり、離間させるようにしてもよい。
前記した実施の形態では、チャック温度調整部材１４がチャック１１の上方に設けられてシリンダ部材２２によって昇降し、チャック１１に対して近接、接触可能な構成を採っていたが、これに限らず例えば図６に示した塗布処理モジュール５０のように、チャック温度調整部材１４がチャック１１に対して起伏方向（図中の往復矢印Ａ方向）に回動可能な構成として、チャック１１に対して近接、接触させたり、離間させるようにしてもよい。
すなわち塗布処理モジュール５０においては、チャック温度調整部材１４の一端部に支持アーム５１の一端部が設けられており、この支持アーム５１の他端部は、昇降部５２に回動自在に設けられている。昇降部５２には、支持アーム５１の他端部を起伏方向に回動させるモータなどの駆動機構（図示せず）が設けられている。また昇降部５２は、シリンダ等の昇降機構５３によって昇降自在（図中の往復矢印Ｂ方向）である。なおチャック温度調整部材１４内に形成されている、温調水が流れる流路１４ａは、支持アーム５１内に形成された流路５１ａと連通しており、温調水源（図示せず）からの温調水がこれら流路５１ａ、１４ａ内を通流する。
かかる構成を有する塗布処理モジュール５０によれば、図６に示したように、チャック温度調整部材１４を倒して近接位置に移動させることで、チャック温度調整部材１４をチャック１１に近接あるいは接触させることができ、これによってチャック１１の温度を調整することができる。そして塗布処理時においては、図６の破線で示したように、チャック温度調整部材１４を起こすことで、チャック１１から離間した退避位置に移動させることができる。なおその後、塗布処理時の塗布液等の飛散によるチャック温度調整部材１４の汚染をより確実に防止するには、チャック温度調整部材１４を起こした状態のまま、昇降機構５３を作動させて、チャック温度調整部材１４を下降させればよい。
［温度分布形成部］
温度調整されるチャック１１が調整前の状態で、温度分布に偏りがある場合や、逆にチャック１１自体に積極的に温度分布を形成したい場合には、図７、図８に示したように、そのような偏りを是正したり、積極的に温度分布を形成する温度分布形成部７０、８０をチャック温度調整部材１４に設けるようにしてもよい。
温度調整されるチャック１１が調整前の状態で、温度分布に偏りがある場合や、逆にチャック１１自体に積極的に温度分布を形成したい場合には、図７、図８に示したように、そのような偏りを是正したり、積極的に温度分布を形成する温度分布形成部７０、８０をチャック温度調整部材１４に設けるようにしてもよい。
すなわち、図７に示した温度分布形成部７０は、チャック温度調整部材１４の半径方向に異なる領域に温度差を設ける場合の構成例であり、温調水の流路１４ａの外周側に入口７１を設け、中央側に出口７２を設け、入口７１と出口７２との間の流路をチャック温度調整部材１４内で環状に巡るようにしている。かかる構成により、上流側（外周側）でチャック温度調整部材１４と熱交換を経た結果、下流側（中央側）では相対的に温度調整効果が落ちるので、例えばチャック１１を冷却して外周側を中央部より低温にする場合に効果がある。またかかる構成により、チャック１１の外周側が低温になるような温度分布を積極的に設けることができる。またそれとは逆にチャック１１の外周側を中央部より高温にする場合は、中央側に入口７１を設け、外周側に出口７２を設ければよい。なお、流路の断面形状や設定する流量で温度匂配の微調整を行ってもよい。
他方、周方向の異なる領域に温度差を実現する場合には、図８に示した温度分布形成部８０のように、例えば複数のペルチェ素子８１～８６を周方向に分割して配置し、各ペルチェ素子の設定温度に差を設けることで可能になる。図８の例では、同形同大の扇形のペルチェ素子８１～８６と、その中央部に配置された円形のペルチェ素子８７とによって温度分布形成部８０が構成されている。
かかる構成を有する温度分布形成部８０によれば、例えばチャック１１内の温度分布に偏り、例えば左半分と右半分などに温度差がある場合に、例えばペルチェ素子８１～８３だけを作動させて、そのような偏りを是正することが可能である。
なお温度分布形成部を構成する流路１４ａ、ペルチェ素子８１～８７の構成、形状、配置は、図７、図８に示した例に限らない。例えば流路１４ａについては、らせん状に巡る流路としたり、縦方向、横方向に流路を配置してもよい。ペルチェ素子についても方形のペルチェ素子を組み合わせたりするなどしてもよい。もちろん流路とペルチェ素子を組み合わせて温度分布形成部を構成してもよい。
既述したように、特殊形状のウエハについては、図１（ａ）の様に凹部２の反対側の面がデバイス形成領域Ｄ面として使われる場合は、環状凸部１は下側に凸の形状となり、図１（ｂ）の様に凹部２を成す面がデバイス形成領域Ｄ面として使われる場合は、環状凸部１は上側に凸の形状になる。これに関し、上記第1～第３の実施形態にかかる塗布処理モジュール１０、３０、４０においても、図５（ａ）、（ｂ）に示す様に、ウエハＷのデバイス形成領域Ｄとなる面、すなわち塗布処理する面が凹部２を成す面（図５（ａ））又は凹部２の反対側の面（図５（ｂ））の場合がある。
これらの場合であっても、デバイス形成領域Ｄの向きに応じて、チャック１１で保持する面を代えて塗布処理が行われれる。いずれの場合であっても、チャック１１の上面の広さはウエハＷの凹部２を成す、環状凸部１の内周部の面の略全面の大きさとすることが好ましい。こうすることで、どちらの面を保持する場合も保持するウエハＷの面の大部分をチャック１１に接触した状態にできるため、ウエハＷを温度分布のムラを抑えながら温度調節、たとえば冷却、加熱することができる。このときのチャック１１の上面の面積は、例えばウエハの面においてウエハの周縁部を含む外周部より内側において面内の９割以上の面積を有し、かつ前記外周部よりも薄く形成されている内周部を有し、ウエハの内側の面積（内周部の全範囲）の８０～９９％とすることが提案できる。
今回開示された実施形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。上記の実施形態は、添付の請求の範囲及びその主旨を逸脱することなく、様々な形態で省略、置換、変更されてもよい。
Ｗ ウエハ
１ 環状凸部
２ 凹部
１０、３０、４０、５０ 塗布処理モジュール
１１ チャック
１２ ノズル
１３ カップ
１４ チャック温度調整部材
１４ａ 流路
１５ 制御部
１６ 回転駆動機構
１７、３２ 温度調整機構
２１ 支持体
２２ シリンダ部材
２２ａ ロッド
２３ 駆動プレート
２４ 支持部材
２４ａ 流路
３１ サポート部
７０、８０ 温度分布形成部
１ 環状凸部
２ 凹部
１０、３０、４０、５０ 塗布処理モジュール
１１ チャック
１２ ノズル
１３ カップ
１４ チャック温度調整部材
１４ａ 流路
１５ 制御部
１６ 回転駆動機構
１７、３２ 温度調整機構
２１ 支持体
２２ シリンダ部材
２２ａ ロッド
２３ 駆動プレート
２４ 支持部材
２４ａ 流路
３１ サポート部
７０、８０ 温度分布形成部
Claims (10)
- 基板に対して処理液を供給して処理する液処理装置であって、
前記基板を保持し回転可能なチャックと、
前記チャックに対して近接または接触する近接位置と、前記近接位置に比して前記チャックから離間した退避位置とに移動可能なチャック温度調整部材と、
前記チャック温度調整部材の前記退避位置の近傍に設けられ、前記チャック温度調整部材が近接または接触した際に、前記チャック温度調整部材の温度を調整する温度調整機構を備えたサポート部を備える、液処理装置。 - 基板に対して処理液を供給して処理する液処理装置であって、
前記基板を保持し回転可能なチャックと、
前記チャックに対して近接または接触する近接位置と、前記近接位置に比して前記チャックから離間した退避位置とに移動可能なチャック温度調整部材と、を有し、
前記チャック温度調整部材は、昇降機構により前記チャックの上面に接近離隔自在である、液処理装置。 - 前記チャック温度調整部材は、前記近接位置において前記チャックの上面と対向する面が、前記チャックの上面の面積以上の面積を有する、請求項１または２のいずれか一項に記載の液処理装置。
- 前記チャック温度調整部材を前記チャックに近接又は接触させて前記チャックの温度調整を行うことと、前記チャック温度調整部材を前記チャックから離間させて前記チャックの温度調整を行なわないことと、を切り替える制御部を備える請求項１～３のいずれか一項に記載の液処理装置。
- 前記制御部は、前記チャックの温度調整を行う場合には、前記基板が前記チャックに載置されていない時に行われるように構成されている、請求項４に記載の液処理装置。
- 前記基板は、基板面において基板周縁部を含む外周部より内側において面内の９割以上の面積を有し、かつ前記外周部よりも薄く形成されている内周部を有し、
前記チャックは、前記内周部の全範囲の８０～９９％に対向する面を有する、請求項１～５のいずれか一項に記載の液処理装置。 - 前記チャック温度調整部材は、前記近接位置において前記チャックと対向する面において同面内の複数領域間で相対的な温度差を形成する温度分布形成部を備える、請求項１～６のいずれか一項に記載の液処理装置。
- 液処理装置を用いて、基板に処理液を供給して当該基板を処理する液処理装置において、
前記液処理装置は、基板を保持し回転するチャックと、前記チャックに対して近接または接触する近接位置と、前記近接位置に比して前記チャックよりも離間した退避位置に移動可能なチャック温度調整部材と、前記チャック温度調整部材の前記退避位置の近傍に設けられ、前記チャック温度調整部材が近接または接触した際に、前記チャック温度調整部材の温度を調整する温度調整機構を備えたサポート部を備え、
前記チャック温度調整部材と前記チャックとを近接又は接触させる工程と、
前記チャック温度調整部材を前記チャックから離間させる工程と、
前記基板を前記チャックで保持した状態で前記基板に前記処理液を供給する工程と、を行うように前記液処理装置を制御する、液処理装置の制御方法。 - 液処理装置を用いて、基板に処理液を供給して当該基板を処理する液処理装置において、
前記液処理装置は、基板を保持し回転するチャックと、前記チャックに対して近接または接触する近接位置と、前記近接位置に比して前記チャックよりも離間した退避位置に移動可能なチャック温度調整部材と、を備え、
前記チャック温度調整部材を前記チャックの上面に近接又は接触させる工程と、
前記チャック温度調整部材を前記チャックの上面から離間させる工程と、
前記基板を前記チャックで保持した状態で前記基板に前記処理液を供給する工程と、を行うように前記液処理装置を制御する、液処理装置の制御方法。 - 前記チャック温度調整部材が前記チャックから離間した後に、前記処理液を供給するノズルが前記基板の上方の供給位置に移動し、前記ノズルから前記基板に前記処理液を供給するように制御する、請求項８または９のいずれか一項に記載の液処理装置の制御方法。
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