JP7149344B2 - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP7149344B2 JP7149344B2 JP2020561335A JP2020561335A JP7149344B2 JP 7149344 B2 JP7149344 B2 JP 7149344B2 JP 2020561335 A JP2020561335 A JP 2020561335A JP 2020561335 A JP2020561335 A JP 2020561335A JP 7149344 B2 JP7149344 B2 JP 7149344B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- polishing head
- wafer
- axis
- unit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B7/00—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor
- B24B7/04—Machines or devices designed for grinding plane surfaces on work, including polishing plane glass surfaces; Accessories therefor involving a rotary work-table
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B47/00—Drives or gearings; Equipment therefor
- B24B47/10—Drives or gearings; Equipment therefor for rotating or reciprocating working-spindles carrying grinding wheels or workpieces
- B24B47/16—Drives or gearings; Equipment therefor for rotating or reciprocating working-spindles carrying grinding wheels or workpieces performing a reciprocating movement, e.g. during which the sense of rotation of the working-spindle is reversed
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67092—Apparatus for mechanical treatment
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
Description
基板処理システム1は、基板に対し、感光性被膜の形成、当該感光性被膜の露光、及び当該感光性被膜の現像を施すシステムである。処理対象の基板は、例えば半導体のウェハWである。感光性被膜は、例えばレジスト膜である。基板処理システム1は、塗布・現像装置2と露光装置3とを備える。露光装置3は、ウェハW(基板)上に形成されたレジスト膜(感光性被膜)の露光処理を行う。具体的には、露光装置3は、液浸露光等の方法によりレジスト膜の露光対象部分にエネルギー線を照射する。塗布・現像装置2は、露光装置3による露光処理の前に、ウェハW(基板)の表面にレジスト膜を形成する処理を行い、露光処理後にレジスト膜の現像処理を行う。
以下、基板処理装置の一例として、塗布・現像装置2の構成を説明する。図1及び図2に示されるように、塗布・現像装置2は、キャリアブロック4と、処理ブロック5と、インタフェースブロック6と、研磨ユニット20と、制御装置100(制御部)とを備える。
続いて、図3~図5の(b)を参照して、研磨ユニット20の詳細構成の一例を説明する。なお、図4、図5の(a)及び図5の(b)では、図3に示される要素の一部が省略されている。図3に示される研磨ユニット20は、ウェハWにおけるレジスト膜が形成される表面とは反対側の裏面(主面)を研磨する装置である。研磨ユニット20は、ウェハWの裏面を摺動部材(例えば砥石)により研磨することで、ウェハWの裏面を粗面化する。研磨ユニット20は、例えば円形に形成されたウェハWの裏面を中心領域と外周領域とに分けて、それぞれの領域を摺動部材により研磨してもよい。中心領域は、平面視において、ウェハWの中心から任意に設定された半径を有する円により区画される領域であり、外周領域は、平面視におけるウェハWの中心領域以外の周縁の領域である。例えば中心領域の半径は、ウェハWの半径の1/3~1/2程度に設定されてもよい。中心領域の半径は、一例として60~70mm程度であってもよい。
L<L1+2×L2 ・・・(1)
L1:軸線Ax2と軸線Ax3との距離
L2:軸線Ax1周りの研磨ヘッド75の可動範囲の直径
以上のように構成された研磨ユニット20は、制御装置100により制御される。制御装置100は、ウェハWの中心領域を研磨ヘッド75に研磨させる中心研磨制御と、ウェハWの外周領域を研磨ヘッド75に研磨させる外周研磨制御とを実行するように構成されている。
続いて、図7を参照して、基板処理方法の一例として、研磨ユニット20において実行される研磨及び洗浄の処理手順例を説明する。なお、初期状態において固定チャック53は待機位置及び待機高さに配置されているとして説明を行う。
本実施形態に係る塗布・現像装置2は、ウェハWの主面を研磨する研磨ヘッド75と、軸線Ax1周りに研磨ヘッド75を回転させる回転駆動部82と、軸線Ax1に平行な軸線Ax2周りの円軌道に沿って軸線Ax1を移動させる回転駆動部84と、を有する粗面化機構70を備える。研磨ヘッド75の中心位置は、軸線Ax1と異なっている。軸線Ax1周りの研磨ヘッド75の可動範囲の直径に比較して、研磨ヘッド75の外径が小さい。
(付記1)
基板の主面を研磨する研磨ヘッドと、第一軸周りに前記研磨ヘッドを回転させる第一駆動部と、前記第一軸に平行な第二軸周りの円軌道に沿って前記第一軸を移動させる第二駆動部と、を有する研磨部を備え、
前記研磨ヘッドの外径は5mm~12mmである、基板処理装置。
(付記2)
前記研磨ヘッドの外径は6~11mmである、付記1記載の基板処理装置。
(付記3)
前記研磨ヘッドの外径は8~10mmである、付記2記載の基板処理装置。
Claims (9)
- 基板の主面を研磨する研磨ヘッドと、第一軸周りに前記研磨ヘッドを回転させる第一駆動部と、前記第一軸に平行な第二軸周りの円軌道に沿って前記第一軸を移動させる第二駆動部と、前記第二軸を移動させる第三駆動部と、を有する研磨部と、
前記基板の中心領域を保持して回転させる回転保持部と、
前記回転保持部によって前記基板を回転させながら、前記基板の外周領域を横断する軌跡に沿って前記研磨ヘッドを移動させることで、前記外周領域を前記研磨ヘッドに研磨させる外周研磨制御を実行する制御部と、を備え、
前記研磨ヘッドの中心位置は、前記第一軸と異なっており、
前記第一軸周りの前記研磨ヘッドの可動範囲の直径に比較して、前記研磨ヘッドの外径が小さく、
前記外周領域を横断する軌跡に沿って前記研磨ヘッドを移動させる際に、前記制御部は、前記第三駆動部によって前記第二軸を移動させるように前記研磨部を制御する、基板処理装置。 - 前記研磨ヘッドの外径は5mm~12mmである、請求項1記載の基板処理装置。
- 前記研磨ヘッドはリング状に形成されている、請求項1又は2記載の基板処理装置。
- 前記第一軸と前記第二軸との間隔は、前記可動範囲の半径以下である、請求項1~3のいずれか一項記載の基板処理装置。
- 前記基板の前記外周領域を保持する周縁保持部を更に備え、
前記制御部は、前記周縁保持部に前記基板を保持させながら前記基板の前記中心領域を前記研磨ヘッドにより研磨させる中心研磨制御を更に実行する、請求項1~4のいずれか一項記載の基板処理装置。 - 前記第三駆動部は、前記第二軸に平行な第三軸周りの円軌道に沿って前記第二軸を移動させる、請求項1~5のいずれか一項記載の基板処理装置。
- 前記外周領域を横断する軌跡に沿って前記研磨ヘッドを移動させる際に、前記制御部は、前記第一軸と前記第三軸との間隔が前記第二軸と前記第三軸との間隔よりも大きい状態を保つように前記研磨部を制御する、請求項6記載の基板処理装置。
- 前記研磨部は、前記主面に対して研磨とは別の処理を施す処理部を更に備え、
前記第三駆動部は、前記第二軸と共に前記処理部を移動させるように構成されており、
前記制御部は、前記第三駆動部により、所定の処理位置に前記研磨ヘッドが配置される状態と、前記処理位置に前記処理部が配置される状態とを切り替える、請求項1~7のいずれか一項記載の基板処理装置。 - 前記外周領域を横断する軌跡に沿って前記研磨ヘッドを移動させる際に、前記制御部は、前記第二駆動部によって前記第一軸を移動させるように前記研磨部を制御する、請求項1~8のいずれか一項記載の基板処理装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2018238564 | 2018-12-20 | ||
JP2018238564 | 2018-12-20 | ||
PCT/JP2019/048343 WO2020129757A1 (ja) | 2018-12-20 | 2019-12-10 | 基板処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2020129757A1 JPWO2020129757A1 (ja) | 2021-10-28 |
JP7149344B2 true JP7149344B2 (ja) | 2022-10-06 |
Family
ID=71102091
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020561335A Active JP7149344B2 (ja) | 2018-12-20 | 2019-12-10 | 基板処理装置 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP7149344B2 (ja) |
KR (1) | KR20210100702A (ja) |
CN (1) | CN113165135B (ja) |
WO (1) | WO2020129757A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2023064373A (ja) * | 2021-10-26 | 2023-05-11 | 株式会社Screenホールディングス | 基板処理方法および基板処理システム |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1994009944A1 (en) | 1992-10-27 | 1994-05-11 | Seiko Electronic Components Ltd. | End surface polishing machine |
JP2009000783A (ja) | 2007-06-22 | 2009-01-08 | Tectoria:Kk | 研磨研削装置 |
JP2009214253A (ja) | 2008-03-12 | 2009-09-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削装置 |
JP2017522733A (ja) | 2014-07-17 | 2017-08-10 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 化学機械研磨のための方法、システム、及び研磨パッド |
JP2018093178A (ja) | 2016-11-29 | 2018-06-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0373261A (ja) * | 1989-04-10 | 1991-03-28 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 平面加工装置 |
JPH10329012A (ja) * | 1997-03-21 | 1998-12-15 | Canon Inc | 研磨装置および研磨方法 |
US10276365B2 (en) * | 2016-02-01 | 2019-04-30 | SCREEN Holdings Co., Ltd. | Substrate cleaning device, substrate processing apparatus, substrate cleaning method and substrate processing method |
JP6672207B2 (ja) * | 2016-07-14 | 2020-03-25 | 株式会社荏原製作所 | 基板の表面を研磨する装置および方法 |
CN207508979U (zh) * | 2017-11-17 | 2018-06-19 | 惠州威尔高电子有限公司 | 一种pcb线路板制备用钻嘴自动研磨装置 |
-
2019
- 2019-12-10 JP JP2020561335A patent/JP7149344B2/ja active Active
- 2019-12-10 CN CN201980080981.6A patent/CN113165135B/zh active Active
- 2019-12-10 WO PCT/JP2019/048343 patent/WO2020129757A1/ja active Application Filing
- 2019-12-10 KR KR1020217021722A patent/KR20210100702A/ko active Search and Examination
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO1994009944A1 (en) | 1992-10-27 | 1994-05-11 | Seiko Electronic Components Ltd. | End surface polishing machine |
JP2009000783A (ja) | 2007-06-22 | 2009-01-08 | Tectoria:Kk | 研磨研削装置 |
JP2009214253A (ja) | 2008-03-12 | 2009-09-24 | Disco Abrasive Syst Ltd | 研削装置 |
JP2017522733A (ja) | 2014-07-17 | 2017-08-10 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 化学機械研磨のための方法、システム、及び研磨パッド |
JP2018093178A (ja) | 2016-11-29 | 2018-06-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置、基板処理方法及び記憶媒体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN113165135A (zh) | 2021-07-23 |
JPWO2020129757A1 (ja) | 2021-10-28 |
WO2020129757A1 (ja) | 2020-06-25 |
TW202030788A (zh) | 2020-08-16 |
KR20210100702A (ko) | 2021-08-17 |
CN113165135B (zh) | 2023-11-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7442706B2 (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
KR101688492B1 (ko) | 기판 처리 방법, 기판 처리 시스템 및 기판 처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체 | |
US10453674B2 (en) | Substrate treatment method and substrate treatment device | |
US11731229B2 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium | |
JP7149344B2 (ja) | 基板処理装置 | |
US20150013602A1 (en) | Film forming system | |
US20190184517A1 (en) | Substrate processing apparatus, substrate processing method, and storage medium storing program | |
KR20160108653A (ko) | 기판 처리 방법 및 장치 | |
TW201740450A (zh) | 基板洗淨裝置、基板處理裝置、基板洗淨方法及基板處理方法 | |
US20150013606A1 (en) | Film forming system | |
JP7308074B2 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
TWI837242B (zh) | 基板處理裝置 | |
WO2019138881A1 (ja) | 洗浄装置、洗浄方法及びコンピュータ記憶媒体 | |
KR20210095045A (ko) | 씨엠피 장치 | |
JP2003225862A (ja) | ポリッシング装置 | |
JP6027640B2 (ja) | 基板処理システム | |
JP7465680B2 (ja) | 液処理装置及び液処理装置の制御方法 | |
KR102310466B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 방법 | |
JP2016111264A (ja) | バフ処理装置、および、基板処理装置 | |
JP2024064958A (ja) | 基板洗浄部材、基板処理装置、及び、基板洗浄方法 | |
TW202308796A (zh) | 後化學機械研磨刷清潔盒 | |
TW202336824A (zh) | 基板處理方法以及基板處理裝置 | |
TW201921579A (zh) | 基板處理裝置以及基板處理方法 | |
JP2022128166A (ja) | 基板洗浄方法及び基板洗浄装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210608 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220607 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220801 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220830 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220926 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7149344 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |