TW201921579A - 基板處理裝置以及基板處理方法 - Google Patents

Abstract

一種基板處理裝置以及基板處理方法，係提供抑制基板之彎曲並良好地排除基板上之處理液的技術。

夾盤銷20係將基板保持於水平。第一移動噴嘴11係對由夾盤銷20所保持的基板W之上表面供給IPA。升降單元7係使基板W朝藉由夾盤銷20所保持時之位置更上側的上位置移動。加熱器單元6係加熱已配設於上位置的基板W。周緣抵接部65係與已配設於上位置的基板W之周緣部的上表面相抵接。第二移動噴嘴12係朝已配設於上位置的基板W之上表面噴吹氮氣。

Description

基板處理裝置以及基板處理方法

本發明係關於一種用處理液來處理基板的基板處理方法以及基板處理裝置。在成為處理之對象的基板中，例如是包含有半導體晶圓(wafer)、液晶顯示裝置或有機EL((Electroluminescence；電致發光)顯示裝置等的FPD(Flat Panel Display；平板顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、磁光碟用基板、光罩(photomask)用基板、陶瓷(ceramic)基板、太陽能電池用基板等。

在半導體裝置之製程中係用處理液來處理半導體晶圓(wafer)等的基板之表面。逐片處理基板的單片式之基板處理裝置係具備：旋轉夾盤(spin chuck)，係一邊將基板保持於大致水平，一邊使該基板旋轉；以及噴嘴(nozzle)，用以對藉由該旋轉夾盤所旋轉的基板之表面供給處理液。

在典型的基板處理工序中係對由旋轉夾盤所保持的基板供給藥液。之後，沖洗液供給至基板，藉此使基板上的 藥液置換成沖洗液(rinse liquid)。之後，進行用以排出基板上之沖洗液的旋乾(spin dry)工序。在旋乾工序中係藉由基板被高速旋轉，來使附著於基板的沖洗液被甩開並去除(乾燥)。一般的沖洗液為去離子水(deionized water)。

在基板之表面已形成有微細之圖案(pattern)的情況下，在旋乾工序中，恐有無法去除已進入圖案之內部的沖洗液之虞，藉此恐有發生乾燥不良之虞。於是，如專利文獻1所記載，已提出以下的手法：對藉由沖洗液所為之處理後的基板之表面，供給異丙醇(Isopropyl Alcohol：IPA)液等的有機溶劑之液體，以將已進入圖案之內部的沖洗液置換成有機溶劑之液體，藉此來使基板之表面乾燥。

又，在專利文獻2及專利文獻3係已揭示一種良好地排除基板上之液膜的技術。具體而言，對保持於水平的基板之上表面供給有機溶液，以形成有覆蓋基板上表面全區的有機溶劑之液膜。然後，加熱基板以使與基板之上表面相接觸的有機溶劑蒸發，並在基板之上表面與有機溶劑液膜之間形成有氣相層。在形成有氣相層之後，對基板上之液膜以小流量來噴吹惰性氣體，藉此可在液膜開孔。然後，藉由加熱基板，液膜之孔就會朝基板之外周擴展。更且，藉由在液膜之孔內的區域噴吹大流量的惰性氣體，就可使液膜在氣相層上移動。之後，藉由使基板以低速旋轉，就能甩落周緣部之液膜。

[先前技術文獻]

[專利文獻]

專利文獻1：日本特開平9-38595號公報。

專利文獻2：日本特開2016-136599號公報。

專利文獻3：日本特開2014-112652號公報。

然而，在專利文獻2所記載的乾燥處理中，因液膜藉由噴吹氣體而被排除後的基板之中央部的熱容量係比殘留有液膜的周緣部更小，故而相對地容易升溫。又，因殘留有液膜的周緣部係殘留有液膜，故而不易升溫至液膜之沸點以上。因此，在基板之中央部與周緣部之間會發生溫度差，藉此恐有在基板發生彎曲之虞。如此，當在基板上之中央側與周緣側之間發生溫度差時，就恐有基板彎曲成凹狀之虞。在如此的情況下，恐有難以藉由周緣部之溫度降低來完全地去除基板上的有機溶劑之虞。

於是，本發明之目的係在於提供一種抑制基板之彎曲並良好地排除基板上之處理液的技術。

第一態樣係具備：複數個夾盤構件，係在夾持基板之 周緣的夾持狀態與解除夾持的解除狀態之間位移；處理液供給部，係對由前述複數個夾盤構件所夾持的基板之上表面供給處理液；加熱部，係配置於由前述複數個夾盤構件所夾持的基板之下方且加熱基板；接近遠離部，係使前述加熱部相對於前述基板之下表面接近及遠離；液膜排除部，係使前述複數個夾盤構件呈解除狀態，且將前述加熱部已抵接於下表面的前述基板之上表面所形成的液膜從基板之中央朝周緣予以排除；以及周緣抵接部，係抵接於液膜已藉由前述液膜排除部所排除的基板之周緣。

第二態樣係如第一態樣之基板處理裝置，其中前述周緣抵接部係包含與前述基板之周緣部之上表面接觸的接觸部。

第三態樣係如第二態樣之基板處理裝置，其中更具備：彈性構件，係連接於前述接觸部且能夠朝前述鉛直方向彈性變形。

第四態樣係如第二態樣或第三態樣之基板處理裝置，其中前述接觸部之與前述基板接觸的下部係由彈性材料形成。

第五態樣係如第一態樣至第四態樣中任一態樣之基板處理裝置，其中更具備：周緣抵接部驅動單元，係使前 述周緣抵接部在抵接於前述基板之周緣部的周緣抵接位置與從前述基板之周緣部分離的分離位置之間移動。

第六態樣係如第一態樣至第五態樣中任一態樣之基板處理裝置，其中前述周緣抵接部係更具備與前述基板之周端面接觸的周端面接觸部。

第七態樣係如第一態樣至第六態樣中任一態樣之基板處理裝置，其中前述接近遠離部係使前述加熱部往上方移動，藉此使前述基板比由前述夾盤構件所保持時之位置還朝更上側的上位置移動。

第八態樣係一種基板處理裝置，係具備：加熱部，係一邊抵接於上表面形成有處理液之液膜的基板之下表面一邊加熱基板；液膜排除部，係將形成於藉由加熱部所加熱的基板之上表面的液膜從基板之中央朝周緣予以排除；以及彎曲抑制部，係抑制液膜已藉由液膜排除部所排除的基板之彎曲。

第九態樣係一種用以處理基板的基板處理方法，係具備：工序a，係使加熱部一邊抵接於上表面形成有處理液之液膜的基板之下表面一邊進行加熱；工序b，係將形成於藉由前述加熱部所加熱的基板之上表面的液膜從基板 之中央朝周緣予以排除；以及工序c，係抑制液膜已藉由前述工序b所排除的基板之彎曲。

依據第一態樣的基板處理裝置，就可以在已從基板之中央朝周緣將液膜排除時，藉由周緣抵接部抵接於基板之周緣部來抑制因中央與周緣之溫度差所產生的基板之彎曲。藉此，由於可以抑制基板之周緣的溫度降低，故而能較佳地去除基板上之處理液。

依據第二態樣的基板處理裝置，由於接觸部抵接於基板之上表面，故而能抑制基板之周緣部往上側之彎曲。

依據第三態樣的基板處理裝置，由於彈性構件能夠朝鉛直方向彈性變形，故而可以使接觸部相對柔軟地接觸於基板之周緣部的上表面。因此，可以減輕帶給基板之周緣部的撞擊。又，在基板之周緣部接觸於接觸部時，或是接觸著的期間，藉由蓄積於彈性構件的彈性力，接觸部就能以適度之力將周緣部往下方按壓。因此，能一邊抑制周緣部之破損，一邊抑制基板之周緣部往上側之彎曲。

依據第四態樣的基板處理裝置，由於是藉由彈性材料而形成接觸部中之與基板之周緣部接觸的下部，故而就可以減輕帶給基板之周緣部的撞擊。藉此，能抑制周緣部之 破損。

依據第五態樣的基板處理裝置，藉由使周緣抵接部避開至分離位置，就可以在將基板相對於基板保持部進行搬入或搬出時，抑制周緣抵接部干涉到基板。

依據第六態樣的基板處理裝置，藉由周緣抵接部接觸於基板之周端面，就能抑制基板之周緣部之上下方向的彎曲。

依據第七態樣的基板處理裝置，由於加熱部是在已支撐基板的狀態下加熱，故而能效率佳地加熱基板。

依據第八態樣的基板處理裝置，藉由設置彎曲抑制部，就可以在已將液膜從基板之中央朝周緣排除時，抑制因中央與周緣之溫度差所產生的基板之彎曲。藉此，由於可以抑制基板之周緣的溫度降低，故而能較佳地去除基板上之處理液。

依據第九態樣的基板處理方法，就可在已將液膜從基板之中央朝周緣排除時，抑制因中央與周緣之溫度差所產生的基板之彎曲。藉此，由於可以抑制基板之周緣的溫度降低，故而能較佳地去除基板上之處理液。

1‧‧‧基板處理裝置

2‧‧‧處理單元

3‧‧‧控制單元

5‧‧‧旋轉夾盤

6‧‧‧加熱器單元(加熱部)

6a‧‧‧加熱面

7‧‧‧升降單元(接近遠離部)

8‧‧‧杯體

9‧‧‧下表面噴嘴

9a、71a‧‧‧吐出口

10‧‧‧DIW噴嘴

11‧‧‧第一移動噴嘴(處理液供給部)

12‧‧‧第二移動噴嘴(氣體供給部)

13‧‧‧腔室

15‧‧‧第一噴嘴移動單元

16‧‧‧第二噴嘴移動單元

20‧‧‧夾盤銷(夾盤構件)

21‧‧‧旋轉基座

22‧‧‧旋轉軸

23‧‧‧電動馬達

24‧‧‧貫通孔

25‧‧‧夾盤銷驅動單元

26‧‧‧連桿機構

27‧‧‧驅動源

30‧‧‧升降軸

35‧‧‧有機溶劑供給管

36、42‧‧‧惰性氣體供給管

37‧‧‧有機溶劑閥

38、44‧‧‧惰性氣體閥

41‧‧‧藥液供給管

43‧‧‧藥液閥

45‧‧‧流量可變閥

46‧‧‧DIW供給管

47‧‧‧DIW閥

48‧‧‧流體供給管

49‧‧‧流體閥

50、660‧‧‧基底部

51‧‧‧夾持部

51a‧‧‧保持槽

52‧‧‧支撐部

52a‧‧‧支撐面

52b‧‧‧側面

53、66、66a‧‧‧軸部

54‧‧‧轉動支撐部

55‧‧‧夾盤轉動軸線

60‧‧‧板本體

61‧‧‧支撐銷

62‧‧‧加熱器

63‧‧‧供電線

64‧‧‧加熱器通電單元

65、65a‧‧‧周緣抵接部(彎曲抑制部)

66Z‧‧‧周緣抵接部轉動軸線

67‧‧‧抵接部

67a‧‧‧周端面接觸部

68‧‧‧周緣抵接部驅動單元

71‧‧‧有機溶劑噴嘴

72‧‧‧氣體噴嘴

73‧‧‧凸緣部

74‧‧‧噴嘴本體

75‧‧‧上側氣體吐出口

76‧‧‧下側氣體吐出口

77‧‧‧中心氣體吐出口

78、79‧‧‧氣體導入口

81、82‧‧‧氣體流路

83‧‧‧緩衝空間

84‧‧‧衝孔板

85‧‧‧空間

90‧‧‧有機溶劑液膜(處理液之液膜)

91‧‧‧孔

92‧‧‧氣相層

94‧‧‧流動

662‧‧‧筒狀部

664‧‧‧彈簧部(彈性構件)

666‧‧‧連結部

A1‧‧‧旋轉軸線

C‧‧‧載具

CR、IR‧‧‧搬運機器人

LP‧‧‧裝載埠口

T1‧‧‧有機溶劑沖洗步驟

T2‧‧‧有機溶劑浸置步驟

T3‧‧‧往上撐浸置步驟

T4‧‧‧噴嘴替換步驟

T5‧‧‧開孔步驟

T6‧‧‧擴孔步驟

T7‧‧‧外周液體去除步驟

T8‧‧‧旋乾步驟

T30‧‧‧周緣部接觸工序

W‧‧‧基板

圖1係用以說明第一實施形態的基板處理裝置1之內部之布局(layout)的圖解俯視圖。

圖2係用以說明處理單元2之構成例的圖解剖視圖。

圖3係旋轉夾盤5及加熱器單元(heater unit)6的俯視圖。

圖4係用以說明夾盤銷(chuck pin)20之構造例的立體圖。

圖5中之(a)及(b)係夾盤銷20的俯視圖。

圖6中之(a)及(b)係周緣抵接部65的概略俯視圖。

圖7係周緣抵接部65的圖解側視圖。

圖8係用以說明第一移動噴嘴11之構成例的示意縱剖視圖。

圖9係用以說明基板處理裝置1之主要部分之電氣構成的方塊圖。

圖10係用以說明藉由基板處理裝置1所為的基板處理之一例的流程圖。

圖11係用以說明有機溶劑處理(圖10之步驟S4)之詳細內容的時序圖(time chart)。

圖12中之(a)至(c)係用以說明有機溶劑處理之各個步驟之樣態的圖解剖視圖。

圖13係用以說明有機溶劑處理之各個步驟之樣態的圖解剖視圖。

圖14中之(a)至(c)係用以說明有機溶劑處理之各個步 驟之樣態的圖解剖視圖。

圖15中之(a)及(b)係用以說明有機溶劑處理之各個步驟之樣態的圖解剖視圖。

圖16係用以說明乾燥處理(圖10之步驟S5)之樣態的圖解剖視圖。

圖17中之(a)及(b)係用以說明因基板W之溫度差所致的有機溶劑液膜90之移動的示意圖。

圖18中之(a)及(b)係第二實施形態之周緣抵接部65a的概略俯視圖。

圖19中之(a)及(b)係周緣抵接部65a的圖解側視圖。

以下，一邊參照所附圖式，一邊說明本發明之實施形態。再者，該實施形態所記載的構成要素僅為例示，其目的並非是僅藉由該等來限定本發明之範圍。在圖式中，為了容易理解起見，有的情況是依需要而誇張或簡化各部之尺寸或數目來圖示。

<1.第一實施形態>

圖1係用以說明第一實施形態的基板處理裝置1之內部之布局的圖解俯視圖。基板處理裝置1係指逐片處理矽晶圓(silicon wafer)等之基板W的單片式之裝置。在該實施形態中，基板W係形成圓板狀。

基板處理裝置1係包含複數個處理單元2、裝載埠口(load port)LP、搬運機器人(robot)IR、搬運機器人CR及控制單元3。處理單元2係用處理液來處理基板W。複數個處理單元2，例如係具有同樣的構成。裝載埠口LP係可供收容在處理單元2所處理之複數片基板W的載具(carrier)C載置。搬運機器人IR係在載具C與搬運機器人CR之間搬運基板W。搬運機器人CR係在搬運機器人IR與處理單元2之間搬運基板W。控制單元3係控制基板處理裝置1之各個要素的動作。

圖2係用以說明處理單元2之構成例的圖解剖視圖。處理單元2係具備：旋轉夾盤5、加熱器單元6、升降單元7、杯體(cup)8、下表面噴嘴9、DIW(deionized water；去離子水)噴嘴10、第一移動噴嘴11、第二移動噴嘴12及腔室(chamber)13(參照圖1)。

旋轉夾盤5係一邊以水平之姿勢保持一片基板W，一邊使基板W繞著通過基板W之中央部的鉛直之旋轉軸線A1旋轉。加熱器單元6係從下表面側來加熱基板W。升降單元7係使加熱器單元6在基板W之下方上下移動。杯體8係形成能夠包圍旋轉夾盤5的筒狀。下表面噴嘴9係對基板W之下表面供給處理流體。DIW噴嘴10係對基板W之上表面供給作為沖洗液的去離子水(DIW)。第一移動噴嘴11及第二移動噴嘴12係構成能夠在基板W之上方移動。 腔室13係構成能夠收容杯體8。在腔室13係形成有用以搬入/搬出基板W的搬入/搬出口，且具備有開閉該搬入/搬出口的擋門單元(shutter unit)。

旋轉夾盤5係包含：夾盤銷20(夾盤構件)；旋轉基座(spin base)21；旋轉軸22，係結合於旋轉基座21之下表面中央；以及電動馬達23，係對旋轉軸22提供旋轉力。旋轉軸22係沿著旋轉軸線A1而朝鉛直方向延伸，旋轉軸22在此實施形態中為中空軸。在旋轉軸22之上端係結合著旋轉基座21。旋轉基座21係具有沿著水平方向的圓盤形狀。在旋轉基座21之上表面的周緣部係於圓周方向隔出間隔地配置有複數個夾盤銷20。

複數個夾盤銷20係能夠在接觸於基板W之周端並夾持基板W的閉合狀態、與已從基板W之周端退避開的開啟狀態之間進行開閉。又，複數個夾盤銷20係在開啟狀態下接觸於基板W之周緣部的下表面，並從下方支撐基板W。

夾盤銷驅動單元25係開閉驅動夾盤銷20。夾盤銷驅動單元25，例如係包含：內建於旋轉基座21的連桿(link)機構26；以及配置於旋轉基座21外的驅動源27。驅動源27，例如係包含：滾珠螺桿(ball screw)機構；以及對該滾珠螺桿機構提供驅動力的電動馬達。

加熱器單元6係配置於旋轉基座21之上方。在加熱器單元6之下表面係結合有沿著旋轉軸線A1且朝鉛直方向延伸的升降軸30。升降軸30係插通旋轉基座21之中央部上所形成的貫通孔24、和中空的旋轉軸22。升降軸30之下端係延伸至比旋轉軸22之下端更下方為止。在該升降軸30之下端係結合有升降單元7。藉由使升降單元7作動，加熱器單元6就能在從接近旋轉基座21之上表面的下位置，直至支撐基板W之下表面並從夾盤銷20往上撐的上位置之間上下移動。

升降單元7例如係包含：滾珠螺桿機構；以及對該滾珠螺桿機構提供驅動力的電動馬達。藉此，升降單元7係在下位置及上位置之間的任意之中間位置配置加熱器單元6。例如，可以在將作為加熱器單元6之上表面的加熱面6a配置於與基板W之下表面之間隔出預定之間隔的隔離位置的狀態下，藉由來自加熱面6a之輻射熱來加熱基板W。又，只要用加熱器單元6來將基板W往上撐，就可以在使加熱面6a接觸於基板W之下表面的接觸狀態下，藉由來自加熱面6a之熱傳導，以更大的熱量來加熱基板W。如此，升降單元7為使加熱器單元6(加熱部)相對於基板W之下表面接近及遠離的接近遠離部之一例。

第一移動噴嘴11係藉由第一噴嘴移動單元15而朝水平方向及鉛直方向移動。第一移動噴嘴11係藉由往水平方 向之移動，而在對向於基板W之上表面的旋轉中心的處理位置、與不對向於基板W之上表面的起始位置(home position)(退避位置)之間移動。在此，所謂「基板W之上表面的旋轉中心」係指與基板W之上表面的旋轉軸線A1相交叉的交叉位置。所謂「不對向於基板W之上表面的起始位置」係指在俯視觀察下位於旋轉基座21之外方的位置，具體而言，亦可為杯體8之外方的位置。

第一移動噴嘴11係藉由往鉛直方向之移動而鄰近於基板W之上表面，或從基板W之上表面朝上方退避開。第一噴嘴移動單元15，例如係包含：沿著鉛直方向的轉動軸；結合於轉動軸並水平延伸的機械臂(arm)；以及驅動機械臂的機械臂驅動機構。機械臂驅動機構係藉由使轉動軸繞鉛直之轉動軸線轉動來使機械臂擺動，且藉由使轉動軸沿著鉛直方向升降來使機械臂上下移動。第一移動噴嘴11係能固定於該機械臂。第一移動噴嘴11係按照機械臂之擺動及升降而朝水平方向及垂直方向移動。

第二移動噴嘴12係藉由第二噴嘴移動單元16而朝水平方向及鉛直方向移動。第二移動噴嘴12係藉由往水平方向之移動，而在對向於基板W之上表面的旋轉中心的位置、與不對向於基板W之上表面的起始位置(退避位置)之間移動。在此，所謂「起始位置」係指在俯視觀察下位於旋轉基座21之外方的位置，具體而言，亦可為杯體8之外 方的位置。

第二移動噴嘴12係藉由往鉛直方向之移動而鄰近於基板W之上表面，或從基板W之上表面朝上方退避開。第二噴嘴移動單元16，例如係包含：沿著鉛直方向的轉動軸；結合於轉動軸並水平延伸的機械臂；以及驅動機械臂的機械臂驅動機構。機械臂驅動機構係藉由使轉動軸繞鉛直之轉動軸線轉動來使機械臂擺動，且藉由使轉動軸沿著鉛直方向升降來使機械臂上下移動。第二移動噴嘴12係能固定於該機械臂。第二移動噴嘴12係按照機械臂之擺動及升降而朝水平方向及垂直方向移動。

在本實施形態中，第一移動噴嘴11係具有：作為吐出有機溶劑的有機溶劑噴嘴的功能；以及作為吐出氮氣等之惰性氣體的氣體噴嘴(gas nozzle)的功能。在第一移動噴嘴11處係連結有機溶劑供給管35及惰性氣體供給管36。在有機溶劑供給管35處係夾設有開閉其流路的有機溶劑閥37。在惰性氣體供給管36處係夾設有開閉其流路的惰性氣體閥38。在有機溶劑供給管35處係從有機溶劑供給源供給有異丙醇(IPA)等的有機溶劑。在惰性氣體供給管36處係從惰性氣體供給源供給有氮氣(N₂)等的惰性氣體。

在本實施形態中，第二移動噴嘴12係具有：作為供給酸、鹼(alkali)等之藥液的藥液噴嘴的功能；以及作為吐出 氮氣等之惰性氣體的氣體噴嘴的功能。更具體而言，第二移動噴嘴12亦可具有可以將液體和氣體混合並吐出的雙流體噴嘴之形態。雙流體噴嘴係只要停止氣體之供給並吐出液體就可以作為液體噴嘴來使用，只要停止液體之供給並吐出氣體就可以作為氣體噴嘴來使用。

在第二移動噴嘴12處係結合有藥液供給管41及惰性氣體供給管42。在藥液供給管41處係夾設有開閉其流路的藥液閥43。在惰性氣體供給管42處係夾設有開閉其流路的惰性氣體閥44、和可改變惰性氣體之流量的流量可變閥45。在藥液供給管41處係從藥液供給源供給有酸、鹼等之藥液。在惰性氣體供給管42處係從惰性氣體供給源供給有氮氣(N₂)等之惰性氣體。

藥液之具體例為蝕刻(etching)液及洗淨液。更具體而言，藥液亦可為氫氟酸、SC1(ammonia/hydrogen peroxide mixture；氨氣過氧化氫混合液)、SC2(hydrochloric acid/hydrogen peroxide mixture；鹽酸過氧化氫混合液)、緩衝氫氟酸(buffered hydrofluoric acid)(氫氟酸與氟化銨(ammonium fluoride)之混合液)等。

在本實施形態中，DIW噴嘴10係指固定於能夠朝基板W之上表面的旋轉中心吐出DIW之位置的噴嘴。在DIW噴嘴10處係從DIW供給源透過DIW供給管46而供給有 DIW。在DIW供給管46處係夾設有開閉其流路的DIW閥47。DIW噴嘴10並沒有必要為固定噴嘴，例如亦可為能夠朝水平方向移動的移動噴嘴。

下表面噴嘴9係插通中空之升降軸30，進而貫通加熱器單元6。下表面噴嘴9係在上端具有面對基板W之下表面中央的吐出口9a。在下表面噴嘴9處係從流體供給源透過流體供給管48而供給有處理流體。所供給的處理流體，既可為液體，又可為氣體。在流體供給管48處係夾設有用以開閉其流路的流體閥49。

圖3係旋轉夾盤5及加熱器單元6的俯視圖。旋轉夾盤5的旋轉基座21係在俯視觀察下以旋轉軸線A1作為中心的圓形，其直徑係比基板W之直徑更大。在旋轉基座21之周緣部係隔出間隔地配置有複數個(本實施形態中為三個)夾盤銷20。

加熱器單元6係具有圓板狀之加熱板(hot plate)的形態，且包含板本體60、支撐銷61及加熱器62。板本體60係在俯視觀察下與基板W之外形大致同形同大，且構成以旋轉軸線A1作為中心的圓形。更正確地說，板本體60係具有比基板W之直徑稍微小之直徑的圓形之平面形狀。例如，基板W之直徑為300mm，則板本體60之直徑(特別是加熱面6a之直徑)亦可為僅比基板W之直徑稍小6mm的 294mm。在此情況下，板本體60之半徑係比基板W之半徑更小3mm。

板本體60之上表面係指沿著水平面的平面。在板本體60之上表面突出有複數個支撐銷61(一併參照圖2)。支撐銷61，例如係分別為半球狀，且從板本體60之上表面僅突出微小高度(例如0.1mm)。從而，在基板W接觸於複數個支撐銷61而被支撐時，基板W之下表面會隔開例如0.1mm之微小間隔而對向於板本體60之上表面。如此，藉由在鄰近於板本體60之位置以點來支撐基板W，就能有效率地且均一地加熱基板W。

再者，複數個支撐銷61並非為必須。在不具有支撐銷61的情況下，可以使基板W接觸於板本體60之上表面。加熱器單元6之加熱面6a係在具有支撐銷61的情況下包含板本體60之上表面及支撐銷61之表面。又，在不具備有支撐銷61的情況下，板本體60之上表面係相當於加熱面6a。以下，有的情況是將支撐銷61與基板W之下表面相接觸的狀態稱為基板W之下表面與加熱面6a相接觸等。

加熱器62亦可為內建於板本體60的電阻器。圖3係顯示被分割成複數個區域的加熱器62。藉由通電至加熱器62，加熱面6a就被加熱至比室溫(例如20℃至30℃，例如25℃)更高溫。具體而言，可以藉由往加熱器62之通電， 將加熱面6a加熱至比從第一移動噴嘴11所供給的有機溶劑之沸點更高溫。如圖2所示，往加熱器62之供電線63係通至升降軸30內。然後，在供電線63係連接有對加熱器62供給電力的加熱器通電單元64。加熱器通電單元64亦可在基板處理裝置1的動作中恆常地通電。

支撐銷61係大致均等地配置於板本體60之上表面。在比板本體60之外周端更外方配置有夾盤銷20。夾盤銷20之全體沒有必要配置於比板本體60之外周端更外方，而是只要與加熱器單元6之上下移動範圍相對向的部分位於比板本體60之外周端更外方即可。

圖4係用以說明夾盤銷20之構造例的立體圖。又，圖5係夾盤銷20的俯視圖。圖5中之(a)係顯示閉合狀態，圖5中之(b)係顯示開啟狀態。

夾盤銷20係包含：基底(base)部50；朝鉛直方向延伸的軸部53；設置於軸部53之上端的基底部50；以及設置於軸部53之下端的轉動支撐部54。基底部50係包含夾持部51及支撐部52。轉動支撐部54係能夠繞沿著鉛直方向之夾盤轉動軸線55轉動地結合於旋轉基座21。軸部53係偏置(offset)於遠離夾盤轉動軸線55的位置而結合於轉動支撐部54。更具體而言，軸部53係配置於比夾盤轉動軸線55更遠離旋轉軸線A1的位置。從而，當夾盤銷20繞夾 盤轉動軸線55轉動時，基底部50之整體就會一邊沿著基板W之周端面移動，一邊繞夾盤轉動軸線55轉動。轉動支撐部54係結合於旋轉基座21之內部所設置的連桿機構26(參照圖2)。藉由來自該連桿機構26之驅動力，轉動支撐部54就能繞夾盤轉動軸線55以預定角度範圍往復轉動。再者，所謂基板W之周端面係指基板W之外周面，且為轉向基板W之表面當中之除了主面(面積最大之面)以外之徑向外方的面。

基底部50係在俯視觀察下形成楔形。在基底部50之上表面係設置有支撐面52a，該支撐面52a係在夾盤銷20開啟狀態下抵接於基板W之周緣部下表面並從下方支撐基板W。換言之，基底部50係具有將支撐面52a作為上表面的支撐部52。夾持部51係位於基底部50之上表面，並與支撐部52在不同的位置朝上方突出。夾持部51係具有以對向於基板W之周端面的方式開設成V字狀的保持槽51a。

在轉動支撐部54從圖5中之(b)所示的開啟狀態繞夾盤轉動軸線55朝順時針方向轉動時，夾持部51會接近基板W之周端面，而支撐部52則從基板W之旋轉中心分離。又，在轉動支撐部54從圖5中之(a)所示的閉合狀態繞夾盤轉動軸線55朝逆時針方向轉動時，夾持部51會從基板W之周端面分離，而支撐部52則接近基板W之旋轉中心。

在圖5中之(a)所示的夾盤銷20之閉合狀態下，基板W之周端面會進入保持槽51a。此時，基板W之下表面係位於從支撐面52a僅以微小距離朝上方隔開的高度。在圖5中之(b)所示的夾盤銷20之開啟狀態下，基板W之周端面會從保持槽51a脫離，並在俯視觀察下夾持部51係位於比基板W之周端面更外方。無論是在夾盤銷20之開啟狀態及閉合狀態之任一個狀態中，支撐面52a之至少一部分都會位於基板W之周緣部下表面的下方。

在夾盤銷20為開啟狀態時，夾盤銷20會用支撐部52來支撐基板W。當從該開啟狀態將夾盤銷20切換成閉合狀態時，就會一邊被導引至剖面V字狀之保持槽51a並往上推，一邊基板W之周端面被往保持槽51a內導引，以至基板W藉由保持槽51a之上下的傾斜面所夾持的狀態。當從該狀態將夾盤銷20切換成開啟狀態時，基板W之周端面就會一邊被導引至保持槽51a之下側傾斜面一邊往下滑，且基板W之周緣部下表面會抵接於支撐面52a。

如圖5所示，基底部50之與加熱器單元6之板本體60相對向的緣部係在俯視觀察下仿照板本體60之周緣形狀。亦即，支撐部52係在俯視觀察下具有相對於旋轉中心位在比板本體60更外方的側面52b。因此，具有比基板W更若干小的圓形之加熱面6a的板本體60係在加熱器單元 6上下移動時，不會與夾盤銷20干涉。該非干涉位置關係係無論在夾盤銷20處於閉合狀態及開啟狀態之任一個狀態中都能維持。亦即，夾盤銷20在閉合狀態時或開啟狀態時，支撐部52之側面52b在俯視觀察下都能從加熱器單元6之加熱面6a朝外方隔離。藉此，加熱器單元6係不論夾盤銷20是否處於閉合狀態或開啟狀態，都可一邊使加熱面6a通過側面52b之內側一邊升降。

基板W之直徑係例如300mm，板本體60之上表面的直徑係例如294mm。從而，加熱面6a係與包含基板W之下表面的中央區域及周緣區域的大致全區相對向。無論是在夾盤銷20之閉合狀態及開啟狀態之任一個狀態中，都會在加熱面6a之外周緣的外側以已確保預定之微小間隔(例如2mm)以上的間隔的狀態來配置支撐部52。

夾持部51係以在夾盤銷20之閉合狀態中其內側緣已確保預定之微小間隔(例如2mm)以上之間隔的狀態下位於板本體60之外周緣的外側的方式所構成。從而，加熱器單元6係無論在夾盤銷20之閉合狀態及開啟狀態的任一個狀態中，都可以使加熱面6a在夾持部51之內側上下移動，並上升至與基板W之下表面接觸為止。

夾盤轉動軸線55係在俯視觀察下以旋轉軸線A1(參照圖2及圖3)作為中心，而位於比加熱面6a之半徑更小的半 徑之圓周上。

<周緣抵接部65>

在旋轉基座21之周緣部係沿著其周緣隔出等間隔地配置有複數個(在此為三個)周緣抵接部65。在此，夾盤銷20和周緣抵接部65係沿著旋轉基座21之周緣部而交替地配置。又，各個周緣抵接部65係配置於比板本體60之外周端更外方。但是，周緣抵接部65之全體並沒有必要配置於比板本體60更外方。只要周緣抵接部65當中之與上下移動的板本體60之外周面相對向的部分(在此為軸部66)位於比板本體60之外周端更外方即可。

圖6係周緣抵接部65的概略俯視圖。圖6中之(a)係顯示開啟狀態，圖6中之(b)係顯示閉合狀態。圖7係周緣抵接部65的圖解側視圖。

周緣抵接部65係具備：朝鉛直方向延伸的軸部66；以及朝水平方向延伸的接觸部67。軸部66係具備基底部660、筒狀部662、彈簧部664(彈性構件)及連結部666。基底部660係指形成圓柱狀的構件，且能夠繞沿著鉛直方向的周緣抵接部轉動軸線66Z轉動地結合於旋轉基座21。筒狀部662係安裝於基底部660之上端部。筒狀部662係形成圓筒狀。在此，雖然是將基底部660及筒狀部662之外形設為同一半徑的圓形狀，但是此並非為必須。

在筒狀部662之內部係收容有彈簧部664及連結部666。彈簧部664之下端部係固定於基底部660，而彈簧部664之上端部則固定於連結部666。連結部666係能夠上下移動地插通至筒狀部662之內側。在連結部666之上端部係安裝著偏靠接觸部67之一端的部分。

再者，具備筒狀部662、彈簧部664及連結部666並非是必須的。例如，亦可將基底部660朝鉛直方向上方延長，且在該基底部660之前端安裝有接觸部67。

各個周緣抵接部65的基底部660係連結於周緣抵接部驅動單元68。藉由該周緣抵接部驅動單元68之驅動力，基底部660就能繞周緣抵接部轉動軸線66Z以預定之旋轉角度範圍往復轉動。周緣抵接部驅動單元68，例如是包含：設置於旋轉基座21之內部的連桿機構；以及配置於旋轉基座21之外側的驅動源。驅動源，例如是包含：滾珠螺桿機構；以及對該滾珠螺桿機構提供驅動力的電動馬達。

當藉由周緣抵接部驅動單元68來轉動驅動周緣抵接部65時，接觸部67就會繞周緣抵接部轉動軸線66Z轉動。如圖6中之(a)所示，在周緣抵接部65處於開啟狀態時，會成為接觸部67整體被配設在比基板W更外方之位置(分離位置)的狀態。然後，如圖6中之(b)所示，在周緣抵接部 65處於閉合狀態時，會成為接觸部67之前端部相對於基板W之周緣部被配設在重疊於鉛直方向之位置(周緣接觸位置)的狀態。藉由使周緣抵接部65退避至分離位置，就可以在對夾盤銷20搬入或搬出基板W時，抑制周緣抵接部65之接觸部67干涉到基板W。

接觸部67亦可具有可彈性變形的構造。例如，可藉由彈性材料來形成接觸部67之全部或僅形成與基板W相抵接的下部。彈性材料係可考慮具有耐熱性及耐藥性之例如PTFE(polytetrafluoroethylene；聚四氟乙烯)等的氟樹脂。藉由如此地將接觸部67構成為可彈性變形，就可以使接觸部67柔軟地接觸於基板W之周緣部。藉此，因可以減輕帶給基板W之周緣部的撞擊，故而可以有效地抑制基板W之周緣部破損。

如圖7所示，在本實施形態中，藉由升降單元7使加熱器單元6之板本體60上升，藉此基板W就能朝比藉由夾盤銷20所保持時之位置(保持位置：參照圖2)更上側的位置(上位置)移動。各個周緣抵接部65係將配置於該上位置的基板W之周緣部的上表面往下方按壓。

當彈簧部664處於自然長度時，接觸部67之下表面的高度係被設為比由加熱器單元6所支撐並配置於上位置的基板W之上表面更低的位置。因此，在接觸部67與被配 設於上位置的基板W之周緣部抵接時，藉由彈簧部664朝鉛直方向延長的彈性變形，就可以使接觸部67柔軟地接觸於基板W之周緣部。藉此，可以減輕帶給基板W之周緣部的撞擊。又，在接觸部67抵接於基板W之周緣部的期間，接觸部67會從基板W之周緣部接受向上之力，藉此彈簧部664就會伸長，且接觸部67及連結部666被配置於比平常時更上側。此時，藉由蓄積於彈簧部664的彈性力，接觸部67就會以適度之力將基板W之周緣部往下方按壓。因此，不會使基板W之周緣部破損，而可以抑制基板W之凹狀的彎曲(往上側之彎曲)。

圖8係用以說明第一移動噴嘴11之構成例的示意縱剖視圖。第一移動噴嘴11係具備有機溶劑噴嘴71。有機溶劑噴嘴71係由沿著鉛直方向的直管所構成。在有機溶劑噴嘴71處係結合著有機溶劑供給管35。

在有機溶劑噴嘴71係結合著以惰性氣體氛圍來覆蓋基板W之上方用的氣體噴嘴72。氣體噴嘴72係具有於下端具備凸緣部73的圓筒狀之噴嘴本體74。在作為凸緣部73之側面的外周面係分別朝外方開設有環狀之上側氣體吐出口75及下側氣體吐出口76。上側氣體吐出口75及下側氣體吐出口76係上下隔出間隔地配置。在噴嘴本體74之下表面係配置有中心氣體吐出口77。

在噴嘴本體74係形成有從惰性氣體供給管36供給惰性氣體的氣體導入口78、79。亦可對氣體導入口78、79結合有個別的惰性氣體供給管。在噴嘴本體74內係形成有連接氣體導入口78和上側氣體吐出口75及下側氣體吐出口76的筒狀之氣體流路81。又，在噴嘴本體74內係繞著有機溶劑噴嘴71周圍而形成有與氣體導入口79連通的筒狀之氣體流路82。在氣體流路82之下方係連通著緩衝(buffer)空間83。緩衝空間83係更透過衝孔板(punching plate)84而連通至該衝孔板84之下方的空間85。該空間85係朝中心氣體吐出口77開放。

從氣體導入口78導入的惰性氣體係透過氣體流路81而供給至上側氣體吐出口75及下側氣體吐出口76，且從此等的上側氣體吐出口75及下側氣體吐出口76吐出成放射狀。藉此，重疊於上下方向的二個放射狀氣流就能形成於基板W之上方。另一方面，從氣體導入口79導入的惰性氣體係透過氣體流路82而蓄積於緩衝空間83，更在通過衝孔板84並擴散之後，通過空間85並從中心氣體吐出口77朝基板W之上表面往下方吐出。該惰性氣體係碰撞於基板W之上表面而改變方向，且將放射方向之惰性氣體流形成於基板W之上方。

從而，將從中心氣體吐出口77吐出之惰性氣體所形成的放射狀氣流、和從上側氣體吐出口75及下側氣體吐出口 76所吐出的二層之放射狀氣流加在一起，三層之放射狀氣流就能形成於基板W之上方。藉由該三層之放射狀氣流，就能保護基板W之上表面。特別是，如同後面所述般，在高速旋轉基板W時，能藉由三層之放射狀氣流來保護基板W之上表面，藉此可以迴避液滴或霧滴(mist)附著於基板W之表面。

有機溶劑噴嘴71係貫通氣體流路82、緩衝空間83及衝孔板84而朝上下方向延伸。有機溶劑噴嘴71之下端的吐出口71a係位於衝孔板84之下方，且從鉛直上方朝基板W之下表面吐出有機溶劑。

圖9係用以說明基板處理裝置1之主要部分之電氣構成的方塊圖。控制單元3係具備微電腦(microcomputer)，且按照預定之控制程式(program)來控制備置於基板處理裝置1的控制對象。特別是，控制單元3係控制搬運機器人IR、CR、旋轉驅動旋轉夾盤5的電動馬達23、第一噴嘴移動單元15、第二噴嘴移動單元16、加熱器通電單元64、使加熱器單元6升降的升降單元7、夾盤銷驅動單元25、周緣抵接部驅動單元68、閥類37、38、43、44、45、47、49等的動作。

圖10係用以說明藉由基板處理裝置1所為的基板處理之一例的流程圖。未處理的基板W係藉由搬運機器人IR、 CR從載具C搬入至處理單元2，且交付至旋轉夾盤5(步驟S1)。此時，控制單元3係控制升降單元7以便將加熱器單元6配置於下位置。又，控制單元3係控制夾盤銷驅動單元25以便使夾盤銷20成為開啟狀態。又，控制單元3係事先使周緣抵接部65呈開啟狀態。在該狀態下，搬運機器人CR係將基板W交付至旋轉夾盤5。基板W係被載置於開啟狀態的夾盤銷20之支撐部52(支撐面52a)。之後，控制單元3係控制夾盤銷驅動單元25，以使夾盤銷20呈閉合狀態。藉此，能藉由複數個夾盤銷20之夾持部51來夾持基板W。

在搬運機器人CR退避至處理單元2外之後，執行藥液處理(步驟S2)。詳言之，控制單元3係驅動電動馬達23並使旋轉基座21以預定之藥液轉速來旋轉。另一方面，控制單元3係控制第二噴嘴移動單元16以將第二移動噴嘴12配置於基板W之上方的藥液處理位置。藥液處理位置亦可為從第二移動噴嘴12所吐出的藥液著液於基板W之上表面的旋轉中心的位置。然後，控制單元3打開藥液閥43。藉此，能從第二移動噴嘴12朝旋轉狀態的基板W之上表面供給藥液。所供給的藥液係藉由離心力而擴及於基板W之全面。

在一定時間的藥液處理之後，將基板W上的藥液置換成DIW，藉此可執行用以從基板W上排除藥液的DIW沖 洗處理(步驟S3)。具體而言，控制單元3係關閉藥液閥43，取而代之打開DIW閥47。藉此，能從DIW噴嘴10朝旋轉狀態的基板W之上表面供給DIW。所供給的DIW係藉由離心力而遍及於基板W之全面。能藉由該DIW來沖走基板W上的藥液。在此期間，控制單元3係控制第二噴嘴移動單元16以使第二移動噴嘴12從基板W之上方往杯體8之側方退避開。

在一定時間的DIW沖洗處理之後，執行將基板W上的DIW置換成屬於表面張力更低之處理液(低表面張力液)的有機溶劑的有機溶劑處理(步驟S4)。詳言之，控制單元3係控制第一噴嘴移動單元15以使第一移動噴嘴11移動至基板W之上方的有機溶劑沖洗位置。有機溶劑沖洗位置亦可為從已備置於第一移動噴嘴11的有機溶劑噴嘴71(參照圖6)所吐出的有機溶劑(例如IPA)著液於基板W之上表面的旋轉中心的位置。然後，控制單元3關閉DIW閥47，並打開有機溶劑閥37。藉此，能從第一移動噴嘴11(有機溶劑噴嘴71)朝旋轉狀態的基板W之上表面供給有機溶劑(液體)。所供給的有機溶劑係能藉由離心力而遍及於基板W之全面，從而置換基板W上的DIW。

在有機溶劑處理中，控制單元3係控制升降單元7以使加熱器單元6朝基板W上升，藉此來加熱基板W。又，控制單元3係減速旋轉夾盤5之旋轉以停止基板W之旋 轉，且關閉有機溶劑閥37以停止有機溶劑之供給。藉此，能形成為在靜止狀態之基板W上支撐有有機溶劑液膜的浸置(puddle)狀態。藉由基板W之加熱，能蒸發與基板W之上表面相接觸的有機溶劑之一部分，藉此，在有機溶劑液膜與基板W之上表面之間形成有氣相層。由該氣相層所支撐的狀態之有機溶劑液膜能被排除。

在排除有機溶劑液膜時，控制單元3係控制第一噴嘴移動單元15以使第一移動噴嘴11從基板W之上方往杯體8之側方退避開。然後，控制單元3係控制第二噴嘴移動單元16以將第二移動噴嘴12配置於基板W之上方的氣體吐出位置。氣體吐出位置亦可為從第二移動噴嘴12所吐出的惰性氣體流朝基板W之上表面的旋轉中心的位置。然後，控制單元3打開惰性氣體閥44以朝基板W上之有機溶劑液膜吐出惰性氣體。藉此，在接受惰性氣體之吐出的位置，亦即基板W之中央處有機溶劑液膜能藉由惰性氣體所排除，且在有機溶劑液膜之中央開設出使基板W之表面露出的孔。藉由擴展該孔，就能使基板W上之有機溶劑往基板W外排出。

如此，在結束有機溶劑處理之後，控制單元3關閉惰性氣體閥44，且在使第二移動噴嘴12退避開之後，控制電動馬達23使基板W以乾燥轉速進行高速旋轉。藉此，能進行藉由離心力來甩開基板W上之液體成分用的乾燥 處理(步驟S5：旋乾(spin dry))。

之後，控制單元3係控制電動馬達23以使旋轉夾盤5之旋轉停止。又，控制升降單元7以將加熱器單元6控制於下位置。更且，控制單元3係控制夾盤銷驅動單元25以將夾盤銷20控制於開啟位置。藉此，基板W係從由夾盤銷20之夾持部51所夾持的狀態，成為被載置於支撐部52的狀態。之後，搬運機器人CR進入處理單元2，以從旋轉夾盤5掬取處理完成的基板W，並往處理單元2外搬出(S6)。該基板W係從搬運機器人CR往搬運機器人IR交付，且藉由搬運機器人IR收納於載具C。

圖11係用以說明有機溶劑處理(圖10之步驟S4)之詳細內容的時序圖。又，圖12至圖15係用以說明有機溶劑處理之各個步驟之樣態的圖解剖視圖。圖16係用以說明乾燥處理(圖10之步驟S5)之樣態的圖解剖視圖。

有機溶劑處理係依序包含有機溶劑沖洗步驟(rinse step)T1、有機溶劑浸置步驟(paddle step)T2、往上撐浸置步驟T3、噴嘴替換步驟T4、開孔步驟T5、擴孔步驟T6及外周液體去除步驟T7。

有機溶劑沖洗步驟T1係指一邊旋轉基板W，一邊對基板W之上表面供給有機溶劑的步驟(處理液供給工序、 有機溶劑供給工序)。例如，如圖12中之(a)所示，在基板W之上表面從有機溶劑噴嘴71供給有機溶劑。已供給的有機溶劑係接受離心力而從基板W之上表面的中心朝外方，且形成覆蓋基板W之上表面的液膜90。藉由液膜90覆蓋基板W之上表面全區，就能使在DIW沖洗處理(圖10之步驟S3)中供給至基板W之上表面的DIW(不同的處理液)全部置換成有機溶劑。

在有機溶劑沖洗步驟T1之期間中，基板W係藉由旋轉夾盤5以有機溶劑沖洗處理速度(液體供給速度，例如300rpm左右)旋轉(液體供給速度旋轉工序)。第一移動噴嘴11(有機溶劑噴嘴71)係配置於基板W之旋轉中心的上方。有機溶劑閥37係被設為開啟狀態，從而，從有機溶劑噴嘴71所吐出的有機溶劑(例如，異丙醇(IPA))能從上方朝基板W之上表面的旋轉中心供給。夾盤銷20係被設為閉合狀態，基板W係藉由夾持部51所夾持，且與旋轉夾盤5一起旋轉。加熱器單元6係控制位於比下位置更上方，且在從基板W之下表面往下方僅隔離預定距離(例如2mm)的隔離位置配置有該加熱器單元6之加熱面6a。藉此，基板W係能藉由來自加熱面6a之輻射熱所預熱(基板預熱工序)。加熱器單元6之加熱面的溫度，例如是150℃左右，且面內均一。第二移動噴嘴12係退避至杯體8之側方的起始位置。藥液閥43及惰性氣體閥38、44係控制於閉合狀態。從而，第二移動噴嘴12係不吐出惰性氣體(例如氮氣)。

如圖12中之(b)所示，有機溶劑浸置步驟T2係指使基板W之旋轉減速並停止，且在基板W之表面形成有機溶劑之較厚的液膜90並予以保持的步驟。

在此例中，基板W之旋轉係從有機溶劑沖洗處理速度開始階段性地減速(減速工序、逐漸減速工序、階段性減速工序)。更具體而言，基板W之轉速係從300rpm減速至50rpm並維持預定時間(例如10秒)，之後，減速至10rpm並維持預定時間(例如10秒)，之後，減速至0rpm(停止)並維持預定時間(例如10秒)。另一方面，有機溶劑噴嘴71係保持於旋轉軸線A1上，且連續朝基板W之上表面的旋轉中心吐出有機溶劑。來自有機溶劑噴嘴71的有機溶劑之吐出係繼續於有機溶劑浸置步驟T2之全期間。亦即，即便基板W停止，仍繼續有機溶劑之吐出。如此，在從基板W之旋轉的減速至停止的全期間能繼續有機溶劑之供給，藉此在基板W之上表面的所到之處不會損失處理液。又，在基板W之旋轉已停止之後仍繼續有機溶劑之供給，藉此可以在基板W之上表面形成較厚的液膜90。

加熱器單元6之位置係指與有機溶劑沖洗步驟時相同的位置，且為加熱面6a從基板W之下表面往下方僅隔離預定距離(例如2mm)後的隔離位置。藉此，基板W係能藉由來自加熱面6a之輻射熱所預熱(基板預熱工序)。夾盤銷 20係在基板W之旋轉已停止之後，在該停止狀態被保持的期間，從閉合狀態往開啟狀態切換。藉此，由於會成為基板W之周緣部下表面藉由夾盤銷20之支撐部52從下方支撐的狀態，且夾持部51遠離基板W之上表面周緣部，所以基板W之上表面全區會被開放。第二移動噴嘴12係保持在起始位置的狀態。

又，控制單元3係以將夾盤銷20從閉合狀態往開啟狀態切換的時序(timing)，將周緣抵接部65從開啟狀態往閉合狀態切換。但是，該周緣抵接部65之切換的時序係能在基板搬入處理(圖10之步驟S1)已完成之後，直至往上撐浸置步驟T3開始之前的期間內任意變更。

如圖12中之(c)所示，往上撐浸置步驟T3係指在用加熱器單元6將基板W往上撐的狀態下，亦即在使加熱面6a接觸於基板W之下表面的狀態下，一邊加熱基板W，一邊將有機溶劑液膜90保持於基板W之上表面的步驟。

加熱器單元6從隔離位置上升至上位置為止，並維持預定時間(例如10秒)。在加熱器單元6上升至上位置為止的過程中，從夾盤銷20之支撐部52朝加熱面6a交付基板W，且藉由加熱面6a(更具體而言為支撐銷61，參照圖2)來支撐基板W(加熱器單元接近工序、加熱器單元接觸工序)。然後，如圖13所示，當藉由加熱器單元6上升至上 位置為止，基板W被配設於預定之上位置(參照圖8)時，閉合狀態的周緣抵接部65就會分別接觸於基板W之周緣部(周緣部接觸工序T30)。

來自第一移動噴嘴11(有機溶劑噴嘴71)的有機溶劑之吐出係持續至往上撐浸置步驟T3之中途為止。從而，在加熱器單元6之加熱面6a接觸於基板W之下表面，基板W藉由來自加熱面6a之熱傳導而開始急速加熱，且被提供至基板W的熱量增加(熱量增加工序)時，就繼續有機溶劑之供給。藉此，能迴避因伴隨基板W之急遽升溫所引起的有機溶劑之蒸發而在有機溶劑之液膜90開出不特定之位置的孔。有機溶劑之供給係在加熱器單元6之加熱面6a已接觸於基板W之下表面之後(熱量增加工序之後)，經過預定時間後被停止(供給停止工序)。亦即，控制單元3係關閉有機溶劑閥37以使來自有機溶劑噴嘴71的有機溶劑之吐出停止。

旋轉夾盤5之旋轉係處於停止狀態，第二移動噴嘴12係處於起始位置，惰性氣體閥44係處於閉合狀態。第一移動噴嘴11(有機溶劑噴嘴71)係位於基板W之旋轉中心的上方。

在有機溶劑之供給已被停止之後，經過預定時間為止，加熱器單元6係保持於上位置。供給至基板W的有機 溶劑係藉由供給至中心之新的有機溶劑而被推向外周側，在該過程中，用來自藉由加熱器單元6所加熱後的基板W之上表面的熱來加熱並升溫。在繼續有機溶劑之供給的期間，基板W之中央區域的有機溶劑之溫度係比較低。於是，在停止有機溶劑之供給之後，僅以預定之短時間來保持加熱器單元6之接觸狀態，藉此可以升溫基板W之中央區域的有機溶劑。藉此，可以將已支撐於基板W之上表面的有機溶劑之液膜90的溫度均一化。

在接受來自基板W之上表面的熱的有機溶劑液膜90中係在與基板W之上表面的界面上產生蒸發。藉此，會在基板W之上表面與有機溶劑液膜90之間產生由有機溶劑之氣體所構成的氣相層。從而，有機溶劑液膜90係在基板W之上表面的全區中成為已支撐於氣相層上的狀態(氣相層形成工序)。

如圖14中之(a)所示，噴嘴替換步驟T4係指使第一移動噴嘴11從旋轉軸線A1上退避開，取而代之，將第二移動噴嘴12配置於旋轉中心上的步驟。

具體而言，在已停止有機溶劑之供給之後，第一移動噴嘴11係退避至已設定於杯體8之側方的起始位置。之後，第二移動噴嘴12係從起始位置移動至旋轉軸線A1上之中心位置。在噴嘴替換步驟T4之期間中，加熱器單元6 係從上位置往下方下降若干。藉此，基板W就從加熱器單元6交付至夾盤銷20之支撐部52，加熱面6a則以從基板W之下表面僅以預定之微小距離隔出間隔的非接觸狀態來與基板W之下表面相對向。藉此，基板W之加熱係能切換至藉由來自加熱面6a之輻射熱所為的加熱，且減少提供至基板W的熱量(熱量減少工序)。藉此，可以迴避基板W在替換噴嘴的期間過熱，且迴避因蒸發所引起之在有機溶劑液膜90產生龜裂(特別是基板W之外周區域的龜裂)。

如圖14中之(b)所示，開孔步驟T5係指從第二移動噴嘴12朝基板W之中心以小流量(第一流量，例如3公升(liter)/分)噴吹惰性氣體(例如氮氣)，且在有機溶劑液膜90之中央部開設較小的孔91以使基板W之上表面的中央部露出的步驟(開孔工序)。基板W之旋轉係保持在停止狀態，從而，對靜止狀態的基板W上之液膜90進行開孔步驟。

在開孔步驟T5之期間中，加熱器單元6係藉由移動至上位置來將基板W往上撐，且一邊接觸於基板W一邊加熱。在開孔步驟T5之期間，成為閉合狀態的周緣抵接部65分別已接觸於基板W之周緣部的狀態。

控制單元3係藉由打開惰性氣體閥44，且控制流量可變閥45之開啟度，來使惰性氣體從第二移動噴嘴12以小 流量吐出。

從有機溶劑液膜90剛開孔之後(即大致同時)，開始基板W之急速加熱(熱量再增加工序)。藉此，當利用藉由惰性氣體所為的開孔而開始往液膜90之外方的移動時，基板W之加熱就會快速地(大致同時地)開始，藉此，液膜90不會停止而是往基板W之外方移動。

更具體而言，在被開孔且液膜90已變無的中央區域中，比起存在有液膜90之其周圍的區域，因熱容量會變小故而基板W之溫度會快速地上升。又，基板W中之殘留有液膜90的部分係不易升溫至液膜90之沸點以上。因此，在孔91之周緣會在基板W內產生較大的溫度梯度。亦即，孔91之周緣的內側較高溫，而該孔91之周緣的外側則成為低溫。藉由該溫度梯度，如圖14中之(c)所示，支撐於氣相層上的有機溶劑液膜90會朝低溫側，亦即朝外方開始移動，藉此，有機溶劑液膜90之中央的孔91會擴大。

如此，能利用藉由基板W之加熱所產生的溫度梯度，使基板W上之有機溶劑液膜90往基板W外排除(加熱排除工序、液膜移動工序)。更具體而言，在基板W之上表面中，形成有圖案(pattern)的區域內之液膜90係能藉由取決於溫度梯度的有機溶劑之移動來排除。

假設藉由惰性氣體之噴吹而在基板W之旋轉中心形成有孔91之後，空出較長之時間使加熱器單元6接觸於基板W的情況下，於該期間，孔91的擴大會停止。此時，液膜90之內周緣係成為朝內方或朝外方的平衡狀態。此時，有機溶劑之液面會進入已形成於基板W之表面的圖案內，恐有造成因表面張力所致的圖案崩塌的原因之虞。於是，在此實施形態中係與藉由惰性氣體所為的開孔大致同時地使加熱器單元6接觸於基板W之下表面，以使提供至基板W的熱量瞬間地增加。

如圖15中之(a)所示，擴孔步驟T6係指增加從第二移動噴嘴12所吐出的惰性氣體之流量，且將大流量(第二流量，例如30公升/分)之惰性氣體噴吹至基板W之中心，並藉由惰性氣體更進一步擴展有機溶劑液膜90之中央的孔91的步驟(氣體排除工序、液膜移動工序)。亦即，控制單元3係控制流量可變閥45以使供給至第二移動噴嘴12的惰性氣體之流量增加。藉此，已移動至基板W之上表面之外周區域為止的液膜90就更進一步被推向基板W外。基板W之旋轉係被保持於停止狀態。

具體而言，在孔91藉由溫度梯度而擴展的過程中，使惰性氣體之流量更增加，藉此就可以迴避液膜90之移動停止，並繼續使液膜90朝基板W外方移動。如僅利用溫度梯度來使有機溶劑液膜90移動，恐有液膜90之移動會在 基板W之上表面的周緣區域停止之虞。於是，藉由使惰性氣體之流量增加，就可以輔助(assist)液膜90之移動，藉此可以從基板W之上表面的全區排除有機溶劑液膜90。吐出惰性氣體的第二移動噴嘴12、以及控制吐出量的控制單元3係使夾盤銷20呈解除狀態，且將已形成於加熱器單元6抵接著下表面的基板W之上表面的液膜90從基板W之中央朝周緣排除的液膜排除部之一例。

再者，開孔步驟T5及擴孔步驟T6係藉由上述基板W上之溫度梯度，使基板W之周緣部相對於中央部往上彎曲，因而恐有使基板W之上側彎曲成凹漥之虞。相對於此，在開孔步驟T5及擴孔步驟T6之剛增加惰性氣體之流量後的期間，閉合狀態的周緣抵接部65會分別接觸於已由加熱器單元6所支撐的基板W之周緣部(參照圖14中之(b)及圖15中之(a))。因此，可能藉由溫度梯度所產生的基板W之周緣部的彎曲能由周緣抵接部65所分別抑制。換句話說，周緣抵接部65為彎曲抑制部之一例。因藉由基板W之彎曲受到抑制，就可以抑制基板W之周緣部遠離加熱器單元6，故而可以抑制該基板W之周緣部的溫度降低。藉此，可以抑制周緣部中的IPA之乾燥不良。

在擴孔步驟T6中係在使惰性氣體之流量增加之後，使加熱器單元6下降，且從加熱面6a對夾盤銷20之支撐部52交付基板W。之後，在大流量的惰性體吐出結束之 前，使夾盤銷20呈閉合狀態，且藉由該夾盤銷20之夾持部51來夾持基板W。在圖11所示的時序圖之例中，加熱器單元6係在對夾盤銷20交付基板W之後，短時間保持於與基板W之下表面隔開微小距離而對向的非接觸加熱位置，之後，更進一步下降，並配置於與基板W之下表面僅隔開預定距離而對向的隔離位置。

如圖15中之(b)所示，外周液體去除步驟T7係指藉由使基板W旋轉來抖落殘留於基板W之外周部的有機溶劑液膜的步驟。詳言之，在用夾盤銷20來夾持基板W之後，停止惰性氣體往第二移動噴嘴12之供給，且第二移動噴嘴12往起始位置退避開。與此同時，旋轉夾盤5以低速之外周抖落速度來旋轉。具體而言，例如基板W以30rpm至100rpm來與旋轉夾盤5一起旋轉。藉此，能抖落即便藉由大流量的惰性氣體之供給仍無法排除乾淨而殘留於基板W之外周部(特別是周端面)的有機溶劑。

由於是在液膜90藉由溫度差及大流量的惰性氣體之噴吹而移動至外周部為止之後，而且是以低速之外周抖落速度的旋轉，所以液膜90不會藉由離心力而分裂成為小液滴，而是以液塊的狀態從基板W抖落。又，由於幾乎是在基板W之外周部並未形成有用以供製品使用的有效之圖案的情況，所以即便液膜90產生些許的分裂也不會有太大的問題。

接續於外周液體去除步驟T7，如圖16所示，執行旋乾步驟T8(乾燥處理，圖10之步驟S5)。具體而言，控制單元3係使第一移動噴嘴11從起始位置移動至旋轉軸線A1上。更且，控制單元3係將第一移動噴嘴11配置於已接近基板W之上表面的下位置。然後，控制單元3係打開惰性氣體閥38。藉此，第一移動噴嘴11(氣體噴嘴72)係將三層之放射狀惰性氣體流形成於基板W之上方。在該狀態下，控制單元3係將旋轉夾盤5之旋轉加速至高速的乾燥轉速(例如800rpm)為止。藉此，可以藉由離心力來完全地甩開基板W之表面的液體成分。由於基板W之上表面係藉由放射狀之惰性氣體流所覆蓋，所以可以迴避飛散至周圍而彈回的液滴或周圍的霧滴附著於基板W之上表面。

在旋乾步驟T8之後，停止旋轉夾盤5之旋轉，且加熱器單元6下降至下位置。又，惰性氣體閥38被關閉，來自氣體噴嘴72的惰性氣體之吐出被停止。然後，第一移動噴嘴11係移動至起始位置。之後，控制單元3係使夾盤銷20呈開啟狀態，且使搬運機器人CR將處理完成的基板W從處理單元2搬出。

如圖11所示，在本實施形態中，控制單元3係以將擴孔步驟T6中的夾盤銷20切換成閉合狀態的時序，來將周緣抵接部65從閉合狀態往開啟狀態切換。但是，周緣抵接 部65之切換的時序係能在從基板W藉由加熱器單元6在擴孔步驟T6下降而開始下降之後，直至比旋乾步驟T8完成後的搬運機器人CR從夾盤銷20搬出基板W更早為止的期間內任意地變更。

圖17係用以說明藉由基板W之溫度差所為的有機溶劑液膜90之移動的示意圖。有機溶劑液膜90中之有機溶劑係具有朝更低溫之方向移動的性質。藉由在開孔步驟T5中於有機溶劑液膜之中央形成有孔91，就如圖17中之(a)所示，基板W全面當中之形成於中央部的孔91內之區域的溫度會比孔91外之區域的溫度更相對地變高。相應於此，在孔91之近旁的有機溶劑液膜90之溫度會成為比該孔91之周圍更高。藉此，由於會在有機溶劑液膜90中產生溫度差，所以孔91之周緣部的有機溶劑會朝基板W之外方移動成放射狀。如此，就如圖17中之(b)所示，在氣相層92上會產生朝基板W之周緣的流動94，且有機溶劑液膜90之中央部的孔91會擴展成同心圓狀。

由於是與利用了藉由該溫度差所致的有劑溶劑之流動94的擴孔同時進行，而執行藉由惰性氣體之流量增大所為的擴孔步驟T6，所以孔91不會在中途停止而是會擴展至基板W之外周緣為止。藉此，不會在中途產生滯留而可以將液膜90排除至基板W外。

又，在開孔步驟T5中，當在基板W中的中央側之部分和周緣側之部分發生溫度差時，基板W之周緣側就容易朝上側彎曲。當在基板W發生彎曲時，就恐有難以良好地去除基板W上之有機溶劑液膜90之虞。相對於此，在本實施形態中，在開孔步驟T5的期間，基板W之周緣部中的複數個部位之上表面係接觸於周緣抵接部65之各個。藉此，因能抑制基板W之周緣部往上側的彎曲，故而可以抑制基板W之周緣部的溫度降低。藉此，因可以均一地加熱基板W，故而可以良好地實施有機溶劑液膜90之去除。

<2.第二實施形態>

其次，針對第二實施形態加以說明。再者，在以下的說明中，有關具有與已說明的要素同樣的功能的要素，有的情況是附記追加有相同之符號或字母字元(alphabetic character)的符號，並省略詳細的說明。

圖18係第二實施形態之周緣抵接部65a的概略俯視圖。圖18中之(a)係顯示開啟狀態，圖18中之(b)係顯示閉合狀態。又，圖19係周緣抵接部65a的圖解側視圖。

在本實施形態中，在旋轉基座21之周緣部係設置有複數個周緣抵接部65a來取代複數個周緣抵接部65。周緣抵接部65a係具有：朝鉛直方向延伸的軸部66a；以及俯視觀察下呈非圓形狀(在此為大致卵形)之周端面接觸部67a。周 端面接觸部67a係安裝於軸部66a之上部。軸部66a及周端面接觸部67a係藉由周緣抵接部驅動單元68而繞朝鉛直方向延伸的周緣抵接部轉動軸線66Z旋轉。如圖18所示，藉由該旋轉周緣抵接部65a就能在開啟狀態與閉合狀態之間切換。

如圖18中之(a)所示，在周緣抵接部65a處於開啟狀態時，周端面接觸部67a係配設於比加熱器單元6及由加熱器單元6或夾盤銷20所支撐的基板W更外方。在此狀態下，各個周緣抵接部65a之周端面接觸部67a當中之相對地接近周緣抵接部轉動軸線66Z的側面部分係面向旋轉軸線A1。

如圖18中之(b)及圖19所示，在周緣抵接部65a處於閉合狀態時，周端面接觸部67a會抵接於由加熱器單元6所支撐並配設於上位置的基板W之周端面。詳言之，在基板W由加熱器單元6所支撐並被移動至上位置為止之後，周緣抵接部驅動單元68會僅使軸部66旋轉預定角度(在此為90度)。藉此，各個周緣抵接部65a之周端面接觸部67a當中之相對地遠離周緣抵接部轉動軸線66Z的側面部分會面向旋轉軸線A1，並且抵接於基板W之周端面。在周端面接觸部67a接觸於基板W時，基板W之周緣部係幾乎不上下移動。藉此，可以抑制基板W從加熱器單元6之加熱面6a浮起。

周端面接觸部67a亦可具有能夠彈性變形的構造。例如，亦可僅將周端面接觸部67a之整體、或是抵接於基板W的側面部分(閉合狀態下面向旋轉軸線A1側的部分)藉由彈性材料來形成。藉由周端面接觸部67a彈性變形，周端面接觸部67a就可相對柔軟地接觸於基板W之周端面。因此，可以一邊抑制基板W之周緣部破損，一邊抑制基板W之周緣部中的彎曲之發生。

有關基板W之周端面當中之與周緣抵接部65a之周端面接觸部67a接觸著的部分係能抑制朝上下方向移動。因此，即便在基板W中發生了中央部與周緣部之溫度差等的情況下，仍可以藉由周緣抵接部65a來抑制基板W之周緣部彎曲。特別是，在周緣抵接部65a的情況下，不僅可以抑制基板W之周緣部朝上方向彎曲，還可以抑制基板W之周緣部朝下方向彎曲。

更且，在周緣抵接部65a之情況下，不會接觸於基板W之圖案形成面(上表面或下表面)。因此，可以潔淨地維持基板W之圖案形成面。又，雖然形成於基板W的有機溶劑液膜90有可能從基板W之周緣部中之與周緣抵接部65a的接觸部分朝外方流掉，但是該程度是比周緣抵接部65的情況還小。從而，比起周緣抵接部65，因周緣抵接部65a可以縮小帶給有機溶劑液膜90之去除處理的影響，故 而能更良好地從基板W去除有機溶劑液膜90。

<3.變化例>

以上，雖然已針對本發明之一實施形態加以說明，但是本發明亦可以更以其他的形態來實施。以下將例示列舉本發明之範圍中所涵蓋的幾個形態。

1.能夠使用的有機溶劑係除了IPA以外，還可以例示甲醇(methanol)、乙醇(ethanol)、丙酮(acetone)、HEF(hydrofluoroether；氫氟醚)。此等係指表面張力都比水(DIW)更小的有機溶劑。本發明亦能夠應用於有機溶劑以外的處理液。例如，亦可為了將水等的沖洗液排除至基板外而應用本發明。作為沖洗液，除了水以外亦可以例示碳酸水、場離子水、臭氧水、稀釋濃度(例如，10ppm至100ppm左右)之鹽酸水、還原水(氫水)等。

2.作為能夠使用於開孔工序的氣體，除了氮氣以外還可以使用潔淨空氣及其他的惰性氣體。

3.在前述之實施形態中係在第一移動噴嘴11具備有機溶劑噴嘴71，另一方面，開孔等用的惰性氣體之供給係從第二移動噴嘴12進行。但是，例如，亦可在第一移動噴嘴11與有機溶劑噴嘴71一起具備可以朝基板W之旋轉中心吐出惰性氣體的氣體噴嘴，且從該氣體噴嘴進行開孔用的 惰性氣體供給。再者，由於前述的氣體噴嘴72之中心氣體吐出口77係吐出藉由衝孔板84所擴散出的氣體流，所以並不一定適於開孔步驟的執行。較佳是為了開孔步驟之執行而使用可以朝更窄之區域吐出氣體的形態的噴嘴，具體而言是如直管狀噴嘴或雙流體噴嘴等的管噴嘴(tube nozzle)。

4.在第一移動噴嘴11與有機溶劑噴嘴71一起具備有開孔步驟用之氣體噴嘴的情況下，亦可省略噴嘴替換步驟。但是，即便在此情況下，在為了開孔步驟而從氣體噴嘴所吐出的惰性氣體到達液膜90的瞬間，加熱器單元6較佳是事先從基板W之下表面隔離開。

5.在開孔步驟中，亦可使用比室溫(例如25℃)更高溫的惰性氣體。在此情況下，可以減少惰性氣體已到達基板W時的基板W之上下表面間的溫度差。從而，亦可在使加熱器單元6已接觸於基板W之下表面的狀態下，進行開孔步驟用的高溫惰性氣體吐出。惰性氣體之溫度係越接近基板W之溫度越佳。

6.在前述之實施形態中，雖然是階段性地進行有機溶劑浸置步驟T2中的基板W之旋轉的逐漸減速，但是亦可連續性地減速旋轉。例如，只要花上10秒以上將轉速從300rpm連續性地(例如直線地)減速至0rpm為止，就可以保 持液膜90覆蓋基板W之上表面全區的狀態。

7.亦可在有機溶劑浸置步驟T2中減速基板W之旋轉時，使從第一移動噴嘴11所吐出的有機溶劑之流量增加(增流量減速工序)。在此情況下，基板W之旋轉的減速亦可步進地進行，又可如前述之實施形態，逐漸地進行。由於藉由使有機溶劑之供給流量增加，就不易產生基板W之上表面的外周區域中的斷液，所以可以使基板W之旋轉快速地減速並停止。藉此，由於可以在短時間內停止基板W之旋轉，所以可以提高生產性。

8.在前述之實施形態中係為了增減從加熱器單元6提供至基板W的熱量，而變更加熱器單元6與基板W之距離。但是，亦可取代加熱器單元6與基板W之間的位置關係之變更，或是與此同時藉由使加熱器單元6之輸出變化來增減提供至基板W的熱量。

9.在前述之實施形態中係在形成氣相層92時，使加熱器單元6接觸於基板W之下表面。但是，只要可以藉由來自加熱器單元6之輻射熱形成氣相層92，亦可在使加熱器單元6從基板W之下表面隔離開的狀態下，進行氣相層92之形成用的基板加熱。但是，由於使加熱器單元6之加熱面6a接觸於基板W，較可以抑制氛圍溫度之變化等的擾動之影響，所以可以提高加熱之面內均一性。又，有必要對 基板W提供可以補償因有機溶劑之蒸發所奪走的氣化熱並形成及保持氣相層92的熱量。從而，藉由使加熱面6a接觸於基板W，就可以有效率地、穩定地且快速地加熱基板W。

10.處理對象的基板係沒有必要是圓形的，而是亦可為矩形的基板。

11.在前述之實施形態中係從有機溶劑浸置步驟T2之中途完全地停止基板W之旋轉以呈靜止狀態。又，通過接續於有機溶劑浸置步驟T2的往上撐浸置步驟T3、噴嘴替換步驟T4及開孔步驟T5，而維持著基板W之靜止狀態。但是，只要是可以在基板W之上持續保持有機溶劑之液膜，則亦可在從有機溶劑浸置步驟T2至開孔步驟T5為止的期間之全部或一部分的期間使基板不呈靜止狀態，而是以可以視為與靜止狀態同一程度的低速(例如10rpm左右)來旋轉。例如，亦可在開孔步驟T5中以如此的速度使基板W旋轉。

12.亦可更具備由用以使加熱器單元6繞旋轉軸線A1旋轉之電動馬達等所構成的旋轉單元。在此情況下，可以使加熱器單元6與基板W之旋轉同步地旋轉。

13.在上述實施形態中，複數個周緣抵接部65、65a所 接觸的基板W係藉由加熱器單元6而支撐於上位置。亦可藉由相對於旋轉基座21之上表面而突出/埋沒的棒狀之銷構件來支撐基板W，以取代用加熱器單元6來支撐基板W。

14.在上述實施形態中，雖然複數個周緣抵接部65、65a安裝於旋轉基座21，但是此並非為必須。例如，複數個周緣抵接部65、65a亦可設置於加熱器單元6之板本體60。在此情況下，可使設置於板本體60的周緣抵接部，抵接於藉由加熱器單元6而支撐於上位置之狀態的基板W之周緣部。又，複數個周緣抵接部65、65a亦可設置於與旋轉基座21及板本體60不同的構件。

15.在上述實施形態中，周緣抵接部65、65a抵接於基板W時的基板W之位置係未藉由加熱器單元6而被限定於比由夾盤銷20所夾持時的被夾持位置更上側之上位置。例如，周緣抵接部亦可設置於與該被夾持位置相同的高度，或是設置於與比該被夾持位置更下側之位置的基板W相抵接的位置。

在該變化例的情況下，例如，可將接觸部67之下端，設置於與夾盤銷20之夾持部51相同的高度或比該夾持部51更下側。然後，可將藉由夾盤銷20所為之夾持被解除後的解除狀態之基板W，藉由加熱器單元6上升而支撐於被夾持位置(或比該被夾持位置更下側的位置)，並且周緣 抵接部驅動單元68使接觸部67旋轉，並抵接於該基板W之周緣部。

16.作為第二實施形態之變化例，亦可省略夾盤銷20，並且將夾盤銷20之夾持部51，設置於周緣抵接部65a中的軸部66a。在此情況下，可在比軸部66a中的周端面接觸部67a更下側(旋轉基座21側)之部分設置夾持部51。在此情況下，周緣抵接部驅動單元68可藉由使軸部66a旋轉，而在使周端面接觸部67 a抵接於由加熱器單元6所支撐並位於上位置的基板W之周端面的狀態、與用夾持部51來夾持位於比上位置更下側的基板W的狀態之間進行切換。

又，有關該變化例，亦可將夾持部51設置於與周端面接觸部67a相同的高度。在該情況下，加熱器單元6可事先將基板W支撐於由夾持部51所夾持時的高度位置(被夾持位置)，且周緣抵接部驅動單元68使周端面接觸部67a旋轉並抵接於該基板W之周端面。

雖然本發明係已詳細地說明，但是上述之說明係在全部的態樣中為例示，本發明並非被限定於此。未被例示的無數之變化例係可解釋為不脫離本發明之範圍所能假定。在上述各個實施形態及各個變化例中所說明的各個構成係只要不相互地矛盾就可以適當組合、或省略。

Claims (9)

1. 一種基板處理裝置，係具備：複數個夾盤構件，係在夾持基板之周緣的夾持狀態與解除夾持的解除狀態之間位移；處理液供給部，係對由前述複數個夾盤構件所夾持的基板之上表面供給處理液；加熱部，係配置於由前述複數個夾盤構件所夾持的基板之下方且加熱基板；接近遠離部，係使前述加熱部相對於前述基板之下表面接近及遠離；液膜排除部，係使前述複數個夾盤構件呈解除狀態，且將前述加熱部已抵接於下表面的前述基板之上表面所形成的液膜從基板之中央朝周緣予以排除；以及周緣抵接部，係抵接於液膜已藉由前述液膜排除部所排除的基板之周緣。
2. 如請求項1所記載之基板處理裝置，其中前述周緣抵接部係包含與前述基板之周緣部之上表面接觸的接觸部。
3. 如請求項2所記載之基板處理裝置，其中更具備：彈性構件，係連接於前述接觸部且能夠朝前述鉛直方向彈性變形。
4. 如請求項2或3所記載之基板處理裝置，其中前述接觸部之與前述基板接觸的下部係由彈性材料形成。
5. 如請求項1至3中任一項所記載之基板處理裝置，其中更具備：周緣抵接部驅動單元，係使前述周緣抵接部在抵接於前述基板之周緣部的周緣抵接位置與從前述基板之周緣部分離的分離位置之間移動。
6. 如請求項1至3中任一項所記載之基板處理裝置，其中前述周緣抵接部係更具備與前述基板之周端面接觸的周端面接觸部。
7. 如請求項1至3中任一項所記載之基板處理裝置，其中前述加熱部係能夠從前述基板之下表面側支撐；並且前述接近遠離部係使前述加熱部往上方移動，藉此使前述基板比由前述夾盤構件所保持時之位置還朝更上側的上位置移動。
8. 一種基板處理裝置，係具備：加熱部，係一邊抵接於上表面形成有處理液之液膜的基板之下表面一邊加熱基板；液膜排除部，係將形成於藉由加熱部所加熱的基板之上表面的液膜從基板之中央朝周緣排除；以及彎曲抑制部，係抑制液膜已藉由液膜排除部所排除的基板之彎曲。
9. 一種基板處理方法，係用以處理基板，係具備： 工序a，係使加熱部一邊抵接於上表面形成有處理液之液膜的基板之下表面一邊進行加熱；工序b，係將形成於藉由前述加熱部所加熱的基板之上表面的液膜從基板之中央朝周緣予以排除；以及工序c，係抑制液膜已藉由前述工序b所排除的基板之彎曲。