JP2003225862A - ポリッシング装置 - Google Patents

ポリッシング装置

Info

Publication number
JP2003225862A
JP2003225862A JP2002027411A JP2002027411A JP2003225862A JP 2003225862 A JP2003225862 A JP 2003225862A JP 2002027411 A JP2002027411 A JP 2002027411A JP 2002027411 A JP2002027411 A JP 2002027411A JP 2003225862 A JP2003225862 A JP 2003225862A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polishing
dressing
dresser
polishing surface
dressing member
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2002027411A
Other languages
English (en)
Inventor
Tomohiko Akatsuka
朝彦 赤塚
Tatsuya Sasaki
達也 佐々木
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ebara Corp
Original Assignee
Ebara Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ebara Corp filed Critical Ebara Corp
Priority to JP2002027411A priority Critical patent/JP2003225862A/ja
Priority to US10/357,473 priority patent/US6969305B2/en
Publication of JP2003225862A publication Critical patent/JP2003225862A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

(57)【要約】 【課題】 研磨面を均一にドレッシングすることがで
き、研磨後の研磨対象物の面内均一性を向上させること
ができるポリッシング装置を提供する。 【解決手段】 ポリッシング装置は、研磨面10を有す
る研磨テーブル11と研磨面10の目立てを行うドレッ
サー33とを有し、研磨面10に半導体ウェハWを押圧
して研磨する。ドレッサー33は、研磨面10に対して
相対的に上下動可能なフランジ部35と、研磨面10の
ドレッシングを行う複数のドレッシング部材34と、ド
レッシング部材34をフランジ部35に対して相対的に
上下動可能に保持する保持機構36とを備えた。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、研磨対象物を研磨
するポリッシング装置に係り、特に、表面に薄膜が形成
された半導体ウェハ等の研磨対象物を平坦かつ鏡面状に
研磨するポリッシング装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化が進む
につれて回路の配線が微細化し、配線間距離もより狭く
なりつつある。特に線幅が0.5μm以下の光リソグラ
フィの場合、焦点深度が浅くなるためステッパーの結像
面の平坦度を必要とする。このような半導体ウェハの表
面を平坦化する一手段として、化学機械研磨(CMP)
を行うポリッシング装置が知られている。
【0003】この種のポリッシング装置は、図14に示
すように、上面に研磨布(研磨パッド)300を貼付し
て研磨面を構成する研磨テーブル302と、研磨対象物
である半導体ウェハ等の基板Wをその被研磨面を研磨テ
ーブル302に向けて保持するトップリング304とを
備えている。このようなポリッシング装置を用いて半導
体ウェハWの研磨処理を行う場合には、研磨テーブル3
02とトップリング304とをそれぞれ自転させ、研磨
テーブル302の上方に設置された砥液ノズル306よ
り砥液を供給しつつ、トップリング304により半導体
ウェハWを一定の圧力で研磨テーブル302の研磨布3
00に押圧する。砥液ノズル306から供給される砥液
は、例えばアルカリ溶液にシリカ等の微粒子からなる砥
粒を懸濁したものを用い、アルカリによる化学的研磨作
用と、砥粒による機械的研磨作用との複合作用である化
学的・機械的研磨によって半導体ウェハWが平坦かつ鏡
面状に研磨される。最近では、研磨布に代えて、酸化セ
リウム(CeO)等の砥粒をバインダを用いて固定し
た固定砥粒を用いることも行われている。
【0004】このようなポリッシング装置を用いて研磨
作業を継続すると研磨布300の研磨面の研磨力が低下
するが、この研磨力を回復させるために、下面にドレッ
シング部材310を有するドレッサー308を設け、こ
のドレッサー308によって、研磨する半導体ウェハW
の交換時などに研磨布300の目立て(ドレッシング)
が行われている。このドレッシング処理においては、ド
レッサー308のドレッシング部材310を研磨テーブ
ル302の研磨布300に押圧しつつ、これらを自転さ
せることで、研磨面に付着した砥液や切削屑を除去する
と共に、研磨面の平坦化及び目立てが行われ、研磨面が
再生される。このドレッシングはコンディショニングと
も呼ばれる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】例えば、研磨面として
固定砥粒を用いた場合には、固定砥粒が研磨布よりも硬
質であるため、固定砥粒の表面がドレッサー308のド
レッシング部材310の接触面に追従した変形をしにく
い。この結果、ドレッシング部材310が研磨面に対し
て全面で接触せずに、ドレッシング部材310の一部し
か研磨面と接触しない。特に、ドレッシング部材310
の底面の面積が大きいと、ドレッシング部材310と研
磨面との接触面積が著しく小さくなってしまう。このよ
うな場合には、研磨面に対して均一なドレッシングを行
うことができず、半導体ウェハWの面内均一性や研磨の
安定性が損なわれる。
【0006】また、このような場合には、ドレッシング
部材310が研磨面に接触している部分に局所的に大き
な荷重が加わりやすくなり、サイズの大きなディフェク
トが発生する原因となると共にドレッシング部材310
の寿命も短くなってしまう。上述した現象は、ドレッシ
ング部材の平面度及びドレッシング部材310の組立精
度、取付精度に依存して生じるが、特にドレッサー30
8に加える荷重が小さい場合に顕著となる。
【0007】本発明は、このような従来技術の問題点に
鑑みてなされたもので、研磨面を均一にドレッシングす
ることができ、研磨後の研磨対象物の面内均一性を向上
させることができるポリッシング装置を提供することを
目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】このような従来技術にお
ける問題点を解決するために、本発明の第1の態様は、
研磨面を有する研磨テーブルと上記研磨面の目立てを行
うドレッサーとを有し、上記研磨テーブルの研磨面に研
磨対象物を押圧して該研磨対象物を研磨するポリッシン
グ装置において、上記ドレッサーは、上記研磨面に対し
て相対的に上下動可能なフランジ部と、上記研磨面のド
レッシングを行う複数のドレッシング部材と、上記ドレ
ッシング部材を上記フランジ部に対して相対的に上下動
可能に保持する保持機構とを備えたことを特徴とするポ
リッシング装置である。
【0009】このような構成により、底面の面積が小さ
い複数のドレッシング部材を個々にフランジ部に対して
相対的に上下動させて、ドレッシング部材と研磨面との
接触面積を積極的に増やすことができるので、研磨面の
均一なドレッシングが可能となる。上記研磨面は、固定
砥粒や研磨布などにより構成することができるが、特に
本発明は硬質な(弾性変形の少ない)研磨工具に好適な
ものである。
【0010】本発明の好ましい一態様は、上記ドレッサ
ーが、個々のドレッシング部材を上記フランジ部に対し
て相対的に上下動させて、該ドレッシング部材を上記研
磨面に追従させる追従機構を更に備えたことを特徴とし
ている。
【0011】このような構成により、個々のドレッシン
グ部材を独立して研磨面に押圧して各ドレッシング部材
を研磨面に追従させることができるので、より均一な研
磨面のドレッシングが可能となる。また、各ドレッシン
グ部材の押圧力を調整することができるので、研磨面に
対して適切なドレッシングを実現することができ、研磨
後の研磨対象物における面内均一性を向上させることが
できる。この結果、歩留まりの向上を図ることができ
る。
【0012】この場合において、所定の重量の錘や、流
体の供給により上記ドレッシング部材を上下動させる機
構により上記追従機構を構成することができる。
【0013】本発明の好ましい一態様は、上記複数のド
レッシング部材が、複数の種類のドレッシング部材から
なることを特徴としている。この場合において、上記追
従機構は、上記複数の種類のドレッシング部材の種類ご
とに上記ドレッシング部材を上下動させることが好まし
い。
【0014】このような構成により、複数の種類のドレ
ッシング部材を用途に応じて使い分けることができるの
で、研磨面をより適切にドレッシングすることができ
る。従って、ディフェクトの発生を低減することがで
き、スループットの向上を図ることができる。
【0015】本発明の第2の態様は、研磨面を有する研
磨テーブルと上記研磨面のドレッシングを行うドレッサ
ーとを有し、上記研磨テーブルの研磨面に研磨対象物を
押圧して該研磨対象物を研磨するポリッシング装置にお
いて、上記ドレッサーは、上記研磨面に対して相対的に
上下動可能なフランジ部と、上記研磨面のドレッシング
を行うドレッシング部材と、上記ドレッシング部材を上
記フランジ部に対して相対的に上下動可能に保持する保
持機構と、上記フランジ部の上下方向の位置を制御する
機械的上下動機構とを備えたことを特徴とするポリッシ
ング装置である。このような機械的機構により、フラン
ジ部の上下方向の位置制御を単純な装置構成で行うこと
ができる。
【0016】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係るポリッシング
装置の実施形態について図面を参照して詳細に説明す
る。なお、図1乃至図13において、同一又は相当する
構成要素には、同一の符号を付して重複した説明を省略
する。
【0017】図1は、本発明の第1の実施形態における
ポリッシング装置を模式的に示す平面図である。図1に
示すように、ポリッシング装置には、全体が長方形をな
す床上のスペースの一端側に一対の研磨部1a,1bが
左右に対向して配置され、他端側にそれぞれ半導体ウェ
ハ収納用カセット2a,2bを載置する一対のロード・
アンロードユニットが配置されている。研磨部1a,1
bとロード・アンロードユニットとを結ぶ線上には、半
導体ウェハを搬送する搬送ロボット4a,4bが2台配
置されて搬送ラインが形成されている。この搬送ライン
の両側には、それぞれ1台の反転機5,6とこの反転機
5,6を挟んで2台の洗浄機7a,7b,8a,8bと
が配置されている。
【0018】2つの研磨部1a,1bは、基本的に同一
の仕様の装置が搬送ラインに対称に配置されており、そ
れぞれ、上面に研磨面を有する研磨テーブル11と、研
磨対象物である半導体ウェハを真空吸着により保持し、
これを研磨テーブル11上の研磨面に押圧して研磨する
トップリングユニット12と、研磨テーブル11上の研
磨面の目立て(ドレッシング)を行うドレッシングユニ
ット13とを備えている。また、研磨部1a,1bに
は、それぞれの搬送ライン側に、半導体ウェハをトップ
リングユニット12との間で授受するプッシャー14が
設けられている。
【0019】搬送ロボット4a,4bは、水平面内で屈
折自在な関節アームを有しており、それぞれ上下に2つ
の把持部をドライフィンガーとウェットフィンガーとし
て使い分けている。本実施形態では2台のロボットが使
用されるので、基本的に第1ロボット4aは反転機5,
6よりカセット2a,2b側の領域を、第2ロボット4
bは反転機5,6より研磨部1a,1b側の領域を受け
持つ。
【0020】反転機5,6は半導体ウェハの上下を反転
させるもので、搬送ロボット4a,4bのハンドが到達
可能な位置に配置されている。本実施形態では、2つの
反転機5,6をドライ基板を扱うものと、ウエット基板
を扱うものとに使い分けている。
【0021】各洗浄機7a,7b,8a,8bの形式は
任意であるが、例えば、研磨部1a,1b側はスポンジ
付きのローラで半導体ウェハの表裏両面を拭う形式の洗
浄機7a,7bであり、カセット2a,2b側は半導体
ウェハのエッジを把持して水平面内で回転させながら洗
浄液を供給する形式の洗浄機8a,8bである。後者
は、遠心脱水して乾燥させる乾燥機としての機能をも備
える。洗浄機7a,7bにおいて、半導体ウェハの1次
洗浄を行うことができ、洗浄機8a,8bにおいて1次
洗浄後の半導体ウェハの2次洗浄を行うことができる。
【0022】次に、上述した研磨部の詳細を説明する。
図2は、図1に示す研磨部1a又は1bの要部を示す概
略図である。なお、以下では、研磨部1aについてのみ
説明するが、研磨部1bについても研磨部1aと同様に
考えることができる。
【0023】図2に示すように、研磨部1aは、上面に
研磨面10を有する研磨テーブル11と、研磨対象物で
ある半導体ウェハWを真空吸着により保持し、これを研
磨テーブル11に押圧して研磨するトップリングユニッ
ト12と、研磨テーブル11上の研磨面10の目立て
(ドレッシング)を行うドレッシングユニット13とを
備えている。研磨テーブル11は、テーブル軸11aを
介してその下方に配置されるモータ(図示せず)に連結
されており、研磨テーブル11は、図2の矢印Cで示す
ようにそのテーブル軸11a周りに回転可能になってい
る。
【0024】本実施形態においては、半導体ウェハWを
研磨する研磨面は、砥粒と気孔又は気孔剤とがバインダ
(樹脂)により結合された固定砥粒により構成されてい
る。固定砥粒には、例えば砥粒として酸化セリウム、バ
インダとして熱可塑性樹脂を用いる。なお、固定砥粒に
限られず、研磨布により研磨面を形成することとしても
よい。ここで、研磨布とは、内部に砥粒を含まない発泡
ポリウレタンや不織布を指す。
【0025】研磨テーブル11の上方には研磨液供給ノ
ズル15及び水供給ノズル16が配置されており、研磨
液供給ノズル15からは純水や薬液などの研磨液が、水
供給ノズル16からはドレッシングに使用するドレッシ
ング液(例えば、水)が、それぞれ研磨テーブル11上
の研磨面10上に供給される。また、これら研磨液と水
を回収する枠体17が研磨テーブル11の周囲に設けら
れており、この枠体の下部に樋17aが形成されてい
る。
【0026】トップリングユニット12は、回転可能な
支軸20と、支軸20の上端に連結される揺動アーム2
1と、揺動アーム21の自由端から垂下するトップリン
グシャフト22と、トップリングシャフト22の下端に
連結される略円盤状のトップリング23とから構成され
ている。トップリング23は、支軸20の回転による揺
動アーム21の揺動と共に水平方向に移動し、図1の矢
印Aで示すように、プッシャー14と研磨面10上の研
磨位置との間での往復運動が可能となっている。また、
トップリング23は、トップリングシャフト22を介し
て揺動アーム21の内部に設けられた図示しないモータ
(回転機構)及び昇降シリンダに連結されており、これ
により、図2の矢印D,Eに示すように昇降可能かつト
ップリングシャフト22周りに回転可能となっている。
また、研磨対象である半導体ウェハWは、トップリング
23の下端面に真空等によって吸着、保持されている。
これらの機構により、トップリング23は自転しなが
ら、その下面に保持した半導体ウェハWを研磨面10に
対して任意の圧力で押圧することができる。
【0027】ドレッシングユニット13は、研磨を行っ
て劣化した研磨面10の表面を再生するもので、研磨テ
ーブル11の中心に対してトップリングユニット12と
は反対側に配置されている。ドレッシングユニット13
は、上記トップリングユニット12と同様に、回転可能
な支軸30と、支軸30の上端に連結される揺動アーム
31と、揺動アーム31の自由端から垂下するドレッサ
ーシャフト32と、ドレッサーシャフト32の下端に連
結されるドレッサー33とから構成されている。ドレッ
サー33は、支軸30の回転による揺動アーム31の揺
動と共に水平方向に移動し、図1の矢印Bで示すよう
に、研磨面10上のドレッシング位置と研磨テーブル1
1の外側の待機位置との間で往復運動が可能となってい
る。
【0028】図3は図2に示すドレッサー33を示す概
略図、図4は図2に示すドレッサー33の底面図であ
る。図3及び図4に示すように、ドレッサー33の下面
には、研磨面10に摺接して研磨面10のドレッシング
を行う複数のドレッシング部材34が配置されている。
ドレッサー33は、このドレッシング部材34を研磨面
10に対して任意の圧力で押圧し、自転することで研磨
面のドレッシング(目立て)を行う。また、ドレッサー
33は、ドレッサーシャフト32の下端に連結された略
円盤状のフランジ部35を備えており、このフランジ部
35の外周部に上述したドレッシング部材34が取付け
られる。本実施形態では、ドレッシング部材34とし
て、ダイヤモンド粒子等の粒状物を円板に電着により付
着させたダイヤモンドペレットが用いられ、図4に示す
ように20個のドレッシング部材34がドレッサー33
の円周方向に所定の間隔で配置されている。
【0029】図5は、図3に示すドレッサー33の外周
部の拡大断面図である。図5に示すように、各ドレッシ
ング部材34は保持軸37の下端に取付けられており、
この保持軸37は、ドレッサー33のフランジ部35の
外周部に設けられた軸受36によって支持されている。
これにより、ドレッシング部材34はフランジ部35に
対して相対的に上下動可能となっている。即ち、保持軸
37と軸受36とにより、ドレッシング部材34をフラ
ンジ部35に対して相対的に上下動可能に保持する保持
機構が構成されている。また、保持軸37の上端には所
定の重量の錘38が取付けられている。なお、このよう
な保持機構としては、リニアガイドやスプラインシャフ
トなどの直動機構を用いることができる。
【0030】図6(a)及び図6(b)は、図3に示す
ドレッサー33の上下動を説明する図である。図6
(a)及び図6(b)に示すように、ドレッサーシャフ
ト32の上端は、揺動アーム31の内部に収容されたエ
アシリンダ40に連結されており、エアシリンダ40の
駆動によりドレッサー33が図2の矢印Fに示すように
研磨面10に対して相対的に上下動するようになってい
る。また、ドレッサーシャフト32は、揺動アーム31
の内部に収容されたモータ(図示せず)に連結されてお
り、これにより、ドレッサー33が図2の矢印Gに示す
ようにドレッサーシャフト32周りに回転可能となって
いる。
【0031】また、揺動アーム31には、所定の高さに
ストッパ41(図2において図示せず)が固定されてお
り、このストッパ41に対応して、ドレッサーシャフト
32に係合部42が設けられている。従って、ドレッサ
ー33が上昇している状態(図6(a)参照)からエア
シリンダ40の駆動によりドレッサー33を下降させる
と、図6(b)に示すように、ドレッサーシャフト32
の係合部42がストッパ41に係合してドレッサー33
の上下方向の位置決めがなされる。このように、本実施
形態では、エアシリンダ40、ドレッサーシャフト32
の係合部42、及びストッパ41により、ドレッサー3
3(フランジ部35)の上下方向の位置を制御する機械
的上下動機構が構成されている。なお、好ましくは、こ
の位置決めされた位置にドレッサー33をロックするロ
ック機構を設けるのがよい。
【0032】図6(a)に示す状態では、錘38の重量
(及び保持軸37とドレッシング部材34の自重)によ
り錘38がフランジ部35の上面に接触し、ドレッシン
グ部材34がフランジ部35の下方に垂下した状態とな
る。このときのドレッシング部材34の下面からフラン
ジ部35の下面までの高さh1は、ドレッサーシャフト
32の係合部42がストッパ41に係合したとき(図6
(b)参照)の研磨面10からフランジ部35の下面ま
での高さh2よりも大きくなるように設定されている。
従って、ドレッシング部材34が研磨面10に接触した
後、更にドレッサー33を下降させると、保持軸37及
び錘38がフランジ部35に対して上方に移動されるこ
ととなる。この結果、ドレッシング部材34は錘38の
重量(及び保持軸37とドレッシング部材34の自重)
で研磨面10に押圧される。従って、対応する錘38の
重量を調整することで、各ドレッシング部材34による
押圧力を調整することが可能となり、各ドレッシング部
材34による押圧力を調整することにより、ドレッシン
グ部材34と研磨面10との接触面積を積極的に増やす
と共にドレッシング部材34を研磨面に追従させること
ができる。このように、本実施形態では、所定の重量の
錘38により、個々のドレッシング部材34をフランジ
部35に対して上下動させて、このドレッシング部材3
4を研磨面に追従させる追従機構が構成されている。
【0033】次に、上述した構成のポリッシング装置を
用いて、半導体ウェハWの研磨処理及びドレッシングを
行う場合の動作について説明する。研磨部1a,1bに
おいて半導体ウェハWの研磨処理を行う場合には、トッ
プリング23及び研磨テーブル11をそれぞれ独立に自
転させつつ、トップリング23に保持された半導体ウェ
ハWと研磨テーブル11とを相対運動させて、トップリ
ング23の下面に保持された半導体ウェハWを研磨テー
ブル11上の研磨面10に押圧する。このとき、同時に
研磨液供給ノズル15から研磨面10の上面に研磨液を
供給する。なお、この研磨液は、研磨テーブル11の回
転による遠心力を受けて研磨テーブル11の外方に飛散
し、枠体17の下部の樋17aにより回収される。
【0034】所定の研磨量だけ半導体ウェハWを研磨し
た時点で研磨処理が終了するが、この研磨作業の終了時
点では、研磨によって研磨面10の特性が変化し、次に
行う研磨の研磨性能が低下しているので、ドレッシング
ユニット13により研磨面10のドレッシングを行う。
ドレッシングは、ドレッサー33及び研磨テーブル11
をそれぞれ独立に自転させつつ、ドレッシング部材34
を所定の押圧力で研磨面10に当接させる。このとき、
ドレッシング部材34が研磨面10に接触するのと同時
又は接触する前に、水供給ノズル16から研磨面10の
上面に水を供給し、研磨面10に残留している使用済み
の研磨液を洗い流す。ドレッシング終了後のドレッサー
33は、揺動アーム31の駆動により待機位置に戻さ
れ、この待機位置に設置されたドレッサー洗浄装置18
(図1参照)によって洗浄される。
【0035】上述したように、このドレッシングにおい
ては、各ドレッシング部材34ごとに錘38の重量を調
整することで、ドレッシング部材34による押圧力を調
整することができる。従って、各ドレッシング部材34
による押圧力を調整することにより、ドレッシング部材
34と研磨面10との接触面積を積極的に増やすと共に
ドレッシング部材34を研磨面に追従させることができ
るので、研磨面に対して均一なドレッシングを行うこと
ができる。また、ドレッシング部材34による押圧力を
調整することができるので、研磨面に対して適切なドレ
ッシングを実現することができ、研磨後の半導体ウェハ
における残膜の面内均一性を向上させることができる。
この結果、歩留まりの向上を図ることができる。なお、
ドレッシング中にドレッシングユニット13の揺動アー
ム31を揺動すれば、より均一なドレッシングが可能と
なる。
【0036】ダイヤモンド粒子を電着させた直径20m
mの円柱状のドレッシング部材を20個使用し、ドレッ
シング時にドレッシング部材に加える荷重を合計10N
として、実際にドレッシングを行った。この結果、従来
のプレート状のドレッシング部材を使用した場合と比べ
て半導体ウェハの面内均一性が約20%から約6%に向
上した。
【0037】なお、本実施形態においては、所定の重量
の錘38によって追従機構を構成した例を説明したが、
錘を別部材として設けずに、ドレッシング部材34及び
保持軸37の自重を調整することによって、ドレッシン
グ部材34及び保持軸37自体に錘の役割を持たせるこ
ともできる。
【0038】本実施形態においては、エアシリンダ40
の駆動によりドレッサー33を上下動させた例を説明し
たが、これに限られるものではない。例えば、図7に示
すように、モータ50に取付けられたシャフトねじ51
にボールねじ52を螺合させ、このボールねじ52にド
レッサーシャフト32の上端を連結してもよい。このよ
うにすれば、モータ50を駆動することによって、ボー
ルねじ52を介してドレッサー33を上下動させること
ができる。また、上述したドレッサー33の上下方向の
位置決めは、例えばモータ50のパルス制御により行う
ことができる。このように、モータ50、シャフトねじ
51、ボールねじ52によって機械的上下動機構を構成
してもよい。
【0039】図8は、本発明の第2の実施形態における
ドレッサーを示す概略図である。上述した第1の実施形
態では、所定の重量の錘により追従機構を構成した例を
説明したが、本実施形態では、流体の供給によりドレッ
シング部材を上下動させるエアシリンダにより追従機構
を構成している。即ち、図8に示すように、本実施形態
におけるドレッサー33の各保持軸37の上端にはエア
シリンダ60が取付けられている。従って、エアシリン
ダ60に加圧流体を供給することによってドレッシング
部材34をフランジ部35に対して下降させることがで
き、所定の押圧力で各ドレッシング部材34を研磨面に
押圧することができる。このように、エアシリンダ60
を用いることによって、第1の実施形態よりもドレッシ
ング部材34の押圧力の調整を簡単にすることができ、
より細かいドレッシング条件に対応させることが可能と
なる。
【0040】この場合において、エアシリンダ60が負
圧になるように制御してもよい。エアシリンダ60を負
圧にすれば、ドレッシング部材34、保持軸37、及び
エアシリンダ60の自重による荷重をエアシリンダ60
により軽減することとなるので、軽荷重でのドレッシン
グを実現することができる。
【0041】また、上述した追従機構は、水など空気以
外の流体を供給することによりドレッシング部材34を
上下動させるものでもよく、また、弾性体変化による復
元力、電磁力やばねの付勢力などを用いてドレッシング
部材を上下動させるものでもよい。
【0042】また、複数のドレッシング部材34を複数
の種類のドレッシング部材(例えば、粗さの異なるダイ
ヤモンド粒子を電着させたドレッシング部材)により構
成して、複数の種類のドレッシング部材を用途に応じて
使い分けることもできる。例えば、図9において、斜線
の入ったドレッシング部材34aには粗いダイヤモンド
粒子を電着させ、その他のドレッシング部材34bには
細かいダイヤモンド粒子を電着させる。そして、最初の
ドレッシングにおいてドレッシング速度の速いドレッシ
ング部材34aだけをエアシリンダ60により押圧し
(図10参照)、その後、ドレッシング速度の遅いドレ
ッシング部材34bをエアシリンダ60により押圧す
る。このようにすれば、研磨面10をより適切にドレッ
シングすることが可能となるため、ディフェクトの発生
を低減し、スループットの向上を図ることができる。こ
の場合において、種類の異なるドレッシング部材34
a,34bを、例えば、図11に示すように複数列に配
置してもよい。
【0043】図12は、本発明の第3の実施形態におけ
るドレッサーを示す概略図である。本実施形態は、ドレ
ッサーシャフト32とフランジ部35との接続部分にジ
ンバル機構を用いた点が上述の第1の実施形態と異な
る。このジンバル機構は、フランジ部35の上面に取付
けられたフランジ側接続部70と、ドレッサーシャフト
32の下端に取付けられたシャフト側接続部71と、フ
ランジ側接続部70とシャフト側接続部71とを傾動可
能に接続するボール軸受72と、フランジ側接続部70
の回転をシャフト側接続部71に伝達する回転伝達ピン
73とを備えている。フランジ部35は、ジンバル機構
のボール軸受72によりドレッサーシャフト32に対し
て傾動可能とされた状態で、ジンバル機構の回転伝達ピ
ン73によりドレッサーシャフト32と共に回転するよ
うになっている。
【0044】上述の各実施形態では、円柱状のダイヤモ
ンドペレットをドレッシング部材34として用いた例を
説明したが、ドレッシング部材34の形状はこれに限ら
れるものではなく、直方体状のドレッシング部材を用い
ることもできる。また、図13に示すような扇形状の底
面を有するドレッシング部材34cを用いてもよく、そ
の他にも、楕円や三角形、円弧、多角形など種々の底面
形状を有するドレッシング部材を用いることができる。
【0045】また、ダイヤモンド粒子を電着させたドレ
ッシング部材だけでなく、セラミック、硬鋼、ワイヤブ
ラシ、樹脂ブラシなどをドレッシング部材として用いて
もよい。更に、上述の各実施形態では、ドレッシング部
材を研磨面に摺接させてドレッシングを行う例を説明し
たが、例えば、光学的ドレッサー、超音波ドレッサーな
ど研磨面に摺接させないで用いるドレッシング部材にも
本発明を適用することができる。
【0046】ここで、本発明に係るポリッシング装置を
用いたドレッシング工程の例を説明する。 (1)研磨時間中にドレッシングを行う場合(in-situ
ドレッシング) 粗さの異なる2種類のドレッシング部材を用い、最初
は研磨速度の高いドレッシング部材(粗いドレッシング
部材)によりドレッシングし、その後、仕上げ研磨時に
おいては半導体ウェハへのダメージが少ないドレッシン
グ部材(細かいドレッシング部材)によりドレッシング
する。 1種類のドレッシング部材を用い、最初は高い研磨速
度を得るために大きな荷重(40N〜100N)をドレ
ッシング部材に加えてドレッシングを行い、その後の仕
上げ研磨時においては半導体ウェハへのダメージが少な
いように、ドレッシング部材に加える荷重を小さくして
(10N程度)、ドレッシングを行う。
【0047】(2)研磨時間外にドレッシングを行う場
合(ex-situドレッシング) 研磨によって劣化した研磨面の表面を短時間で再生す
るために、比較的大きな荷重(40N〜100N)をド
レッシング部材に加えて、スループットを優先的に考慮
したドレッシングを行う。 研磨面のドレッシングは間接的に半導体ウェハにダメ
ージを与えることになるため、比較的小さな荷重(10
N)をドレッシング部材に加えて、半導体ウェハへのダ
メージを優先的に考慮した短時間のドレッシングを行
う。
【0048】(3)研磨の途中までドレッシングを行
い、仕上げ研磨時にはドレッシングを行わない場合 研磨の途中までは上述したin-situドレッシングを行
い、仕上げ研磨時には半導体ウェハへのダメージを考慮
してドレッシングを中止する。
【0049】(4)研磨時間中及び研磨時間外の双方で
ドレッシングを行う場合 研磨時間外のドレッシング(ex-situドレッシング)
においては、研磨面形状の修正も兼ねて、比較的粗いド
レッシング部材を用いてドレッシングを行う。研磨時間
中のドレッシング(in-situドレッシング)において
は、半導体ウェハへのダメージを考慮して、細かいドレ
ッシング部材を用いてドレッシングを行う。 研磨時間外のドレッシング(ex-situドレッシング)
においては、研磨面形状の修正も兼ねて、ドレッシング
部材に加える荷重を大きくしてドレッシングを行う。研
磨時間中のドレッシング(in-situドレッシング)にお
いては、半導体ウェハへのダメージを考慮して、ドレッ
シング部材に加える荷重を小さくしてドレッシングを行
う。
【0050】これまで本発明の一実施形態について説明
したが、本発明は上述の実施形態に限定されず、その技
術的思想の範囲内において種々異なる形態にて実施され
てよいことは言うまでもない。
【0051】
【発明の効果】上述したように、本発明によれば、個々
のドレッシング部材を独立して研磨面に押圧して各ドレ
ッシング部材を研磨面に追従させることができるので、
より均一な研磨面のドレッシングが可能となる。また、
各ドレッシング部材の押圧力を調整することができるの
で、研磨後の研磨対象物における面内均一性を向上させ
ることができ、この結果、歩留まりの向上を図ることが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施形態におけるポリッシング
装置を模式的に示す平面図である。
【図2】図1に示すポリッシング装置の研磨部の要部を
示す概略図である。
【図3】図2に示す研磨部のドレッサーを示す概略図で
ある。
【図4】図2に示す研磨部のドレッサーの底面図であ
る。
【図5】図3に示すドレッサーの外周部の拡大断面図で
ある。
【図6】図3に示すドレッサーを上下動させるための機
構を示す概略図である。
【図7】本発明の他の実施形態におけるポリッシング装
置のドレッサーを示す概略図である。
【図8】本発明の第2の実施形態におけるポリッシング
装置のドレッサーを示す概略図である。
【図9】本発明の他の実施形態におけるポリッシング装
置のドレッサーの底面図である。
【図10】図9に示すドレッサーの動作状態を示す概略
図である。
【図11】本発明の他の実施形態におけるポリッシング
装置のドレッサーの底面図である。
【図12】本発明の第3の実施形態におけるポリッシン
グ装置のドレッサーを示す概略図である。
【図13】本発明の他の実施形態におけるポリッシング
装置のドレッサーを示す底面図である。
【図14】従来のポリッシング装置を模式的に示す断面
図である。
【符号の説明】
1a,1b 研磨部 2a,2b 半導体ウェハ収納用カセット 4a,4b 搬送ロボット 5, 6 反転機 7a,7b,8a,8b 洗浄機 10 研磨布 11 研磨テーブル 11a テーブル軸 12 トップリングユニット 13 ドレッシングユニット 14 プッシャー 15 研磨液供給ノズル 16 水供給ノズル 17 枠体 17a 樋 18 ドレッサー洗浄装置 20,30 支軸 21,31 揺動アーム 22 トップリングシャフト 23 トップリング 32 ドレッサーシャフト 33 ドレッサー 34 ドレッシング部材 35 フランジ部 36 軸受 37 保持軸 38 錘 40 エアシリンダ 41 ストッパ 42 係合部 50 モータ 51 シャフトねじ 52 ボールねじ 60 エアシリンダ 70 フランジ側接続部 71 シャフト側接続部 72 ボール軸受 73 回転伝達ピン

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 研磨面を有する研磨テーブルと前記研磨
    面の目立てを行うドレッサーとを有し、上記研磨テーブ
    ルの研磨面に研磨対象物を押圧して該研磨対象物を研磨
    するポリッシング装置において、 前記ドレッサーは、前記研磨面に対して相対的に上下動
    可能なフランジ部と、前記研磨面のドレッシングを行う
    複数のドレッシング部材と、前記ドレッシング部材を前
    記フランジ部に対して相対的に上下動可能に保持する保
    持機構とを備えたことを特徴とするポリッシング装置。
  2. 【請求項2】 前記ドレッサーは、個々のドレッシング
    部材を前記フランジ部に対して相対的に上下動させて、
    該ドレッシング部材を前記研磨面に追従させる追従機構
    を更に備えたことを特徴とする請求項1に記載のポリッ
    シング装置。
  3. 【請求項3】 前記追従機構は、所定の重量の錘により
    構成されることを特徴とする請求項2に記載のポリッシ
    ング装置。
  4. 【請求項4】 前記追従機構は、流体の供給により前記
    ドレッシング部材を上下動させる機構により構成される
    ことを特徴とする請求項2に記載のポリッシング装置。
  5. 【請求項5】 前記複数のドレッシング部材は、複数の
    種類のドレッシング部材からなることを特徴とする請求
    項2乃至4のいずれか一項に記載のポリッシング装置。
  6. 【請求項6】 前記追従機構は、前記複数の種類のドレ
    ッシング部材の種類ごとに前記ドレッシング部材を上下
    動させることを特徴とする請求項5に記載のポリッシン
    グ装置。
  7. 【請求項7】 研磨面を有する研磨テーブルと前記研磨
    面のドレッシングを行うドレッサーとを有し、上記研磨
    テーブルの研磨面に研磨対象物を押圧して該研磨対象物
    を研磨するポリッシング装置において、 前記ドレッサーは、前記研磨面に対して相対的に上下動
    可能なフランジ部と、前記研磨面のドレッシングを行う
    ドレッシング部材と、前記ドレッシング部材を前記フラ
    ンジ部に対して相対的に上下動可能に保持する保持機構
    と、前記フランジ部の上下方向の位置を制御する機械的
    上下動機構とを備えたことを特徴とするポリッシング装
    置。
JP2002027411A 2000-02-07 2002-02-04 ポリッシング装置 Pending JP2003225862A (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002027411A JP2003225862A (ja) 2002-02-04 2002-02-04 ポリッシング装置
US10/357,473 US6969305B2 (en) 2000-02-07 2003-02-04 Polishing apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002027411A JP2003225862A (ja) 2002-02-04 2002-02-04 ポリッシング装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2003225862A true JP2003225862A (ja) 2003-08-12

Family

ID=27748942

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2002027411A Pending JP2003225862A (ja) 2000-02-07 2002-02-04 ポリッシング装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2003225862A (ja)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007059820A (ja) * 2005-08-26 2007-03-08 Tokyo Seimitsu Co Ltd パッドドレッサー、パッドドレッシング方法、及び研磨装置
JP2008507855A (ja) * 2004-07-26 2008-03-13 インテル・コーポレーション 研磨パッドをコンディショニングする方法及び装置
JP2011148046A (ja) * 2010-01-22 2011-08-04 Ebara Corp 研磨装置及び方法、並びに、ドレッシングユニットの性能試験方法
JP2012130995A (ja) * 2010-12-22 2012-07-12 Nitta Haas Inc ドレッサ
KR20160002992A (ko) * 2013-04-19 2016-01-08 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 멀티디스크 화학 기계적 폴리싱 패드 컨디셔너 및 방법
JP2018192412A (ja) * 2017-05-16 2018-12-06 株式会社ディスコ 加工装置

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008507855A (ja) * 2004-07-26 2008-03-13 インテル・コーポレーション 研磨パッドをコンディショニングする方法及び装置
JP2007059820A (ja) * 2005-08-26 2007-03-08 Tokyo Seimitsu Co Ltd パッドドレッサー、パッドドレッシング方法、及び研磨装置
JP2011148046A (ja) * 2010-01-22 2011-08-04 Ebara Corp 研磨装置及び方法、並びに、ドレッシングユニットの性能試験方法
JP2012130995A (ja) * 2010-12-22 2012-07-12 Nitta Haas Inc ドレッサ
KR20160002992A (ko) * 2013-04-19 2016-01-08 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 멀티디스크 화학 기계적 폴리싱 패드 컨디셔너 및 방법
JP2016519852A (ja) * 2013-04-19 2016-07-07 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated 多重ディスク化学機械研磨パッドコンディショナー及び方法
KR102218530B1 (ko) 2013-04-19 2021-02-22 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 멀티디스크 화학 기계적 폴리싱 패드 컨디셔너 및 방법
JP2018192412A (ja) * 2017-05-16 2018-12-06 株式会社ディスコ 加工装置

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100666664B1 (ko) 폴리싱장치
US6942548B2 (en) Polishing method using an abrading plate
KR100780977B1 (ko) 반도체 웨이퍼의 제어식 폴리싱 및 평탄화 시스템과 방법
US6969305B2 (en) Polishing apparatus
US6783445B2 (en) Polishing apparatus
KR100524054B1 (ko) 폴리싱 장치와 이에 사용되는 대상물 홀더 및 폴리싱 방법 및 웨이퍼제조방법
US6413156B1 (en) Method and apparatus for polishing workpiece
US6953390B2 (en) Polishing apparatus
US6343978B1 (en) Method and apparatus for polishing workpiece
JP2004517479A (ja) 表面積を減じた研磨パッドと可変式部分的パッド−ウェーハ・オーバラップ技法を用いて半導体ウェーハを研磨し平坦化するためのシステム及び方法
JP2001018169A (ja) 研磨装置
EP0842738B1 (en) Method of and apparatus for polishing and cleaning planar workpiece
TW201922413A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP2003225862A (ja) ポリッシング装置
KR100522888B1 (ko) 폴리싱 장치 및 폴리싱 방법
JP2002154048A (ja) ドレッシング装置及びポリッシング装置
JP2003188125A (ja) ポリッシング装置
JP4349752B2 (ja) ポリッシング方法
JP6346541B2 (ja) バフ処理装置、および、基板処理装置
KR20190054965A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP3788562B2 (ja) ポリッシング装置
JP3998657B2 (ja) 基板の研磨方法及び装置
JPH11156712A (ja) 研磨装置
JP2016111264A (ja) バフ処理装置、および、基板処理装置
JP2005040916A (ja) ポリッシング方法