JP2008507855A

JP2008507855A - 研磨パッドをコンディショニングする方法及び装置

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Publication number: JP2008507855A
Application number: JP2007523606A
Authority: JP
Inventors: ホイスラー、ウェード; ベル、アダムラ; スコシペック、ランディー
Original assignee: Intel Corp
Current assignee: Intel Corp
Priority date: 2004-07-26
Filing date: 2005-07-15
Publication date: 2008-03-13
Also published as: US20060019583A1; CN101022921A; DE112005001772B4; CN101022921B; US7097542B2; US7175510B2; WO2006019839A1; TWI298667B; TW200603945A; DE112005001772T5; US20060019584A1

Abstract

半導体基板上の薄膜を研磨する方法及び装置が記載される。研磨パッド（２０）を回転させ、研磨すべきウェハ（１８）を回転する研磨パッド上に配置する。研磨パッド（２０）は、ウェハと研磨パッド（２０）との間にスラリーを流すとともにウェハから（１８）過剰な材料を除去する溝を有することで、ウェハの表面の効率的な研磨を可能にする。研磨パッド（２０）は、ウェハ（１８）の研磨によって平滑になるため、効果を回復するためにコンディショニングしなければならない。複数のダイヤモンドを有するコンディショニングアセンブリが設けられる。ダイヤモンド（７０）は、ダイヤモンド（７０）に強度を与える所定の角度を有する。これにより、ダイヤモンド（７０）の欠損率を低下させながら、研磨パッドを効果的にコンディショニングするにあたり最適な回転速度及び下向きの力を得ることができる。

Description

本発明は、包括的には半導体ウェハの研磨装置に関し、より詳細には、半導体ウェハの研磨パッド用のコンディショニングアセンブリに関する。

半導体チップは、半導体ウェハ基板上に連続した層を形成することによって製造される。凹凸形成が、膜に起伏を生じさせる可能性がある。この起伏は、さらなる加工を可能にするために平坦化しなければならない。

層は、通常、当該技術分野で「化学機械研磨」（ＣＭＰ）として知られるプロセスで研磨される。ＣＭＰは、概して、研磨すべき層がウェハと研磨パッドとの間の境界面にあるようにして、ウェハを研磨パッド上に配置するステップを含む。次に、ウェハと研磨パッドとを互いに対して移動させる。スラリーが研磨パッド上に導入される。研磨パッドは、テクスチャ加工された表面を有するため、ウェハと研磨パッドとの互いに対する移動がスラリーと組み合わさることで、層が徐々に研磨されるようになる。

一定数のウェハを研磨した後、最終的にスラリー及びウェハの材料が研磨パッド上に蓄積するため、研磨パッドが平滑になる。研磨パッドが平滑になると、ウェハの表面に対する効果が低下することで、研磨率が低下するか又はウェハの表面が不均一に研磨されるようになる。したがって、研磨パッドのコンディショニングを行わなければならない。

続いて、スラリーを再分配するために、研磨パッドをコンディショニングする。コンディショニングアセンブリを研磨パッドの表面上で移動させて、下向きの力で研磨パッドの表面に接触させる。研磨パッドのコンディショニングは、研磨パッドに溝を形成し、研磨パッドを粗面化して過剰な材料の効果的な除去を可能にし、研磨パッドの研磨特徴を回復させる。

本発明を、添付図面を参照して一例として説明する。

半導体基板上の薄膜を研磨する方法及び装置を説明する。研磨パッドを回転させて、研磨すべきウェハを回転する研磨パッド上に配置する。研磨パッドは、ウェハと研磨パッドとの間にスラリーを流すとともにウェハから過剰な材料を除去する溝を有することで、ウェハの表面の効率的な研磨を可能にする。研磨パッドは、ウェハの研磨により平滑になるため、効果を回復するためにコンディショニングしなければならない。複数のダイヤモンドを有するコンディショニングアセンブリが設けられる。ダイヤモンドは、ダイヤモンドに強度を与える所定の角度を有する。これにより、ダイヤモンドの欠損率を低下させながら、研磨パッドを効果的にコンディショニングするにあたり最適な回転速度及び下向きの力を得ることができる。

１．研磨システム
添付図面の図１は、ウェハ１８を研磨中の研磨装置１０を示す。研磨装置１０は、研磨支援システム１２、供給ユニット１４、及びウェハ１８用のウェハ支持アセンブリ１６を含む。

研磨支援システム１２は、研磨パッド２０、テーブル２２、回転ソケット２４、駆動軸２６、及び電動機２８を含む。研磨パッド２０は、テーブル２２によって支持され、駆動軸２６を介して回転ソケット２４に接続される。回転ソケット２４は、電動機２８によって電力供給される。

供給ユニット１４は、管３２及びスラリー３６を保持する槽３４を含む。管３２は、槽３４に接続され、研磨支援システム１２の上に延びる。スラリー３６は、ウェハ１８の研磨中に槽３４から研磨パッド２０に送り出される。

ウェハ支持アセンブリ１６は、保持ブロック３８、回転軸４０、方向アーム４２、接続アーム４４、回転ユニット４６、及び電動機４８を含む。保持ブロック３８は、ウェハ１８を固定し、回転軸４０によって方向アーム４２に接続される。方向アーム４２は、接続アーム４４を介して回転ユニット４６に接続され、回転ユニット４６は、電動機４８によって電力供給される。

図２は、ウェハ１８が研磨パッド２０の表面に接触しているときの研磨装置１０を示す。研磨パッド２０は駆動軸２６に接続され、駆動軸２６は、回転ソケット２４を介して電動機２８によって電力供給される。スラリー３６は、槽３４を介して管３２から研磨パッド２０上に供給される。ウェハ１８は、研磨パッド２０及びスラリー３６に接触する。ウェハ１８は、保持ブロック３８によって支持され、回転軸４０によって回転させられ、回転軸４０は方向アーム４２に接続される。ウェハ１８は、回転する研磨パッドの上で圧力Ｆ１を加えられながら回転し、スラリー３６を用いてウェハの表面が研磨される。

２．コンディショニングシステム
研磨支援システム１２が一定数のウェハ１８を研磨した後、研磨パッド２０の効果は低下する。したがって、研磨パッド２０は、ウェハ１８を研磨するのに効果的であり続けるためにコンディショニングすることが推奨される。研磨パッド２０は、ウェハ１８の研磨前、研磨間、又は研磨後に、コンディショニングシステムによってコンディショニングすることができる。

図３は、研磨パッド２０のコンディショニングの際の研磨装置１０を示す。研磨装置１０は、本明細書で前述した研磨支援システム１２及び供給ユニット１４に加えて、コンディショニングユニット５０をさらに含む。

コンディショニングユニット５０は、コンディショニングアセンブリ５２、回転軸５４、方向アーム５６、接続アーム５８、回転ユニット６０、及び電動機６２を含む。コンディショニングアセンブリ５２は、回転軸５４によって方向アーム５６に接続される。回転ユニット６０は、接続アーム５８によって方向アーム５６に接続され、電動機６２によって電力供給される。

図４Ａ及び図４Ｂは、コンディショニングアセンブリ５２の構成要素をより詳細に示す。コンディショニングアセンブリ５２は、ベース部６４及び複数のダイヤモンド７０を含む。図４Ａは、ダイヤモンド７０が八面体である一実施形態を示し、図４Ｂに示す別の実施形態では、ダイヤモンド７０は立方体である。

八面体ダイヤモンド７０は、８個の面、１２個の辺、及び６個の頂点から成る。一実施形態では、外角Ａ１は６０°で、和は１４４０°であり、内角は９０°の直角Ａ２を形成する。正方形ダイヤモンドは、直角Ａ２を形成する６個の面から成り、同様に１２個の辺及び６個の頂点を含み、外角の和は２１６０°となる。

ダイヤモンドタイプの実施形態は、ダイヤモンドの強度及び耐久性を決めるのに必要な角度を提供する。得られる品質は、最適な加工条件を用いて研磨パッド２０を効果的にコンディショニングするのに必要な品質である。既存のダイヤモンドコンディショニングパッドは、欠損しやすい鋸歯又は三角形タイプのダイヤモンドを用いる。その破片は、研磨パッド２０に食い込み、その後ウェハの表面を傷付ける。欠損は、コンディショニングに一貫性のない結果を与え、ウェハ１８の研磨に悪影響を及ぼす。

ベース部６４は、第１の面６６及び第２の面６８を含む。第１の面６６は、回転軸５４と接続して、コンディショニングアセンブリ５２の回転を支援する。第２の面６８は、複数のダイヤモンド７０を埋め込むことを可能にしてコンディショニングに最適な分布及び突出を促す、3M Corp.製の接着マトリックス材料を有する。ダイヤモンドは、ベースから５０〜９０マイクロメートル（ミクロン）突出し、一実施形態では、ダイヤモンド７０は、８０マイクロメートル（ミクロン）の距離Ｄ１だけ突出する。一実施形態では、ダイヤモンド７０の５６パーセントが接着剤６８に無秩序に埋め込まれ、これは、４４％を突出させたままであればダイヤモンドのいずれの角を突出させてもよいことを意味し、スラリー３６とウェハ１８との接触を高めるために研磨パッド２０内に最適な溝が形成される。

ダイヤモンド７０の突出距離Ｄ１は、研磨パッド２０に最適な深さの溝を形成することによって、研磨パッドを効果的にコンディショニングするものである。この特徴は、形状の完全性と、最適な加工条件に耐えて欠陥のない環境を維持するその能力とによって可能となる。既存の調整不可能なコンディショナは、ダイヤモンドの完全性が加工条件の影響に耐えずに欠陥を引き起こすため、研磨パッドへの貫入を少なくする。既存の調整可能なねじタイプのダイヤモンドコンディショナは、三角形のダイヤモンドをねじ付き鋼シャンクに固定するものであり、ダイヤモンドの完全性も低下するため、最適な深さを得ることができない。

ダイヤモンド７０は、幅１６０〜２１０マイクロメートル（ミクロン）であり、一実施形態では１８０マイクロメートル（ミクロン）である。一実施形態では、面積当たりのダイヤモンド７０は、少なくとも５０個／平方センチメートルである。マトリックス接着材料に埋め込まれるダイヤモンド７０の数は、１５０〜９００個の範囲に及ぶ。一実施形態では、より効果的な範囲である４５０〜９００個のダイヤモンドが埋め込まれる。別の実施形態では、約６００個のダイヤモンドが直径２．５４ｃｍ（１インチ）のディスクに均一な分布で、一実施形態では７００マイクロメートル（ミクロン）の距離Ｄ２ずつ離れて埋め込まれて、面積当たりのダイヤモンドを２００個／平方センチメートルにする。

既存の調整可能なねじタイプのコンディショナは、４〜５個の調整可能なダイヤモンドを含むが、これでは研磨パッド２０を効果的にコンディショニングするのに必要な適切な適用範囲が得られない。ダイヤモンドが少ないことは、研磨パッドに形成される溝が少ないことと同じである。ウェハを効果的に研磨するためには、スラリーがウェハ表面に接触しなければならないため、溝が少ないほどスラリーがウェハに接触する可能性が低くなり、研磨を妨げる。

既存の調整不可能な埋め込みコンディショナは、直径１０．１６〜１５．２４ｃｍ（４〜６インチ）のディスクに少なくとも３０００個の鋸歯タイプのダイヤモンドを用いる。研磨パッドに多数の溝が形成されるものの、ディスクのこの大きな直径は、表面の平面度が不十分であり、研磨パッドに残っている研磨軌跡にわたる表面変化を辿ることができないため、依然として不適切である。このコンディショナは、他の部分がコンディショニングされないまま特定の部分をコンディショニングする傾向があるため、ウェハ研磨の効果を低下させる。大径のディスクとともに、３．１７５〜４．５３６ｋｇ（７〜１０ポンド）という大きな力も用いられるが、この力の大きさは、一般に用いられる鋸歯タイプのダイヤモンドを欠損させて、同じくウェハ研磨の効果を低下させる。

図５Ａは、コンディショニングアセンブリ５２が研磨パッド２０の表面に接触しているときの研磨装置１０を示す。研磨パッド２０は、駆動軸２６に接続され、回転ソケット２４によって回転させられる。回転ソケットは、電動機２８によって電力供給され、研磨パッド２０を回転させる。研磨中、スラリー３６が槽３４を介して管３２から研磨パッド２０上に供給される。コンディショニングアセンブリ５２は、下向きの圧力Ｆ２を加えられて研磨パッド２０に接触し、回転軸５４によって回転させられる。

次に図５Ｂを参照する。研磨パッド２０が回転すると、方向アーム５６は接続アーム５８と方向アームとの接続部の中心点を中心に枢動して、コンディショニングアセンブリ５２に研磨パッド２０を拭わせる。保持ブロック３８は、ウェハ１８を収容し、方向アーム４２及び回転ユニット４６によって支持される。スラリー３６は、ウェハ１８を研磨するときに堆積される。

図６は、コンディショニング中の研磨パッド２０の掻き取りをより詳細に示す。ベース部の第２の面６８に埋め込まれたダイヤモンド７０は、スラリー３６及び研磨パッド２０に接触する。ダイヤモンド７０は、５０〜９０マイクロメートル（ミクロン）の深さを有する溝を形成することによって、スラリー３４及び研磨パッド２０のコンディショニングを行う。一実施形態では、溝の深さは８０マイクロメートル（ミクロン）である。溝は、研磨パッド２０とウェハ１８との間にスラリー３６を流すとともに過剰な材料の除去を可能にすることによって、研磨を助ける。

３．加工条件
コンディショニングアセンブリ５２の第２の面６８上の複数のダイヤモンド７０は、研磨パッド２０の表面に溝を形成することによって研磨パッド２０の表面をコンディショニングし、これは、ウェハ１８と研磨パッド２０との間にスラリー３６を流すとともにウェハからの過剰な材料の除去を可能にすることによって、研磨パッド２０がウェハ１８を効果的に研磨して、ウェハ１８の表面を効果的に平坦化することができるようにする。

コンディショナの回転中のダイヤモンドの欠損及びその破片は、研磨パッド２０に埋まり、その後研磨されたウェハの表面を傷付けることが知られている。コンディショニングアセンブリ５２のダイヤモンド７０は、ダイヤモンドの完全性を最適化する角度を含む。埋め込まれたダイヤモンドの八面体又は立方体の形状によって、最適な毎分回転数、ダイヤモンド分布、突出、及び研磨パッド２０への力Ｆ２の生成が得られ、これを研磨パッド２０対コンディショニングアセンブリ５２の最適な比と組み合わせることで、欠損率が低下し、研磨パッド２０のコンディショニング及びその後のウェハ１８の研磨がより効果的に行われるようになる。

図７は、研磨パッドの効果的なコンディショニングを行うための最適な加工パラメータを示す。一実施形態では、コンディショニングアセンブリは、１．２７〜８．８１ｃｍ（０．５〜１．５インチ）の範囲の直径を有することで研磨パッドとのパッド／コンディショナ比を１：１３〜１：４０に維持し、１５０〜９００個の一般的範囲の埋め込みダイヤモンド及び０．４５３〜２．７２２ｋｇ（１〜６ポンド）の下向きの力Ｆ２に対応して、１００〜７５０回転／分の一般的範囲で回転させられる。別の実施形態では、より効果的なパッド／コンディショナ比は１：１６〜１：２６であり、４５０〜９００個というより効果的な範囲の埋め込みダイヤモンドに対応して、３００〜７００回転／分の範囲が得られる。別の実施形態では、コンディショニングは、１：２０のパッド／コンディショナ比を維持する直径２．５４ｃｍ（１インチ）のディスクに６００個の埋め込みダイヤモンドを分布させて、研磨パッド２０に０．５３３ｋｇ（１．１７５ポンド）の下向きの力Ｆを加えて、したがって０．１６７ｋｇ（０．３７ポンド）／平方インチの力を加えて、５００回転／分で回転させることによって行われる。

既存の調整不可能なコンディショナは、概して、直径１０．１６〜１５．２４ｃｍ（４〜６インチ）であるため研磨パッドに対する比は１：３〜１：４となり、３０〜５０回転／分で回転し、３０００個のダイヤモンドを含み、３．１７５〜４．５３６ｋｇ（７〜１０ポンド）の力を加えるが、いくつかの理由により研磨パッドのコンディショニングには不十分である。

コンディショニング対研磨パッドの比は、表面の平面度が不十分であり、研磨パッドに残っている研磨軌跡にわたる表面変化を辿ることができないため、不適切であることが分かっており、これは、ウェハの研磨に悪影響を及ぼす特徴である大きな不均一性をもたらす。用いられるダイヤモンドのタイプは、欠損しやすいものであるため、加工条件を適用すると、欠陥が生じてウェハの研磨の効果を低下させる可能性がある。現在、当該技術分野は、コンディショナに加えられるダイヤモンドの数及び力を増やす傾向にある。

既存の調整可能なねじタイプのコンディショナは、概して、直径が小さく、２０００回転／分の速度で回転し、鋼シャンクに固定される３〜５個の調整可能なダイヤモンドチップを含む。力の大きさは、概して、調整不可能なコンディショナの力の大きさよりもはるかに小さいが、同じ問題の多くを引き起こす。

既存の調整可能なねじタイプのコンディショナによって研磨パッドに形成される溝の量及び深さは、ウェハとスラリーとの間の境界面を減らすため、研磨の効果を低下させる。溝を形成するダイヤモンドは、そのサイズ及び構成要素がディスクに嵌まることができる能力が原因で非常に少なく、製造が困難でもある。ダイヤモンドは、ねじタイプの鋼シャンクによって調整することができるが、ダイヤモンドの脆さ及びサイズにより所望の深さを得ることができない。２０００回転／分及び０．４５３ｋｇ（１ポンド）の力では、ダイヤモンド欠損率は変わらず、ウェハ研磨の効果を低下させる。

コンディショニングパッドは、ＣＭＰウェハ加工中に研磨パッド表面を一新して、均一なパッド表面を維持する。研磨パッドのコンディショニングは、最適なパッド表面粗度及び多孔性を維持するのに役立ち、ウェハ表面へのスラリーの移送及びＣＭＰ残渣の除去を確実なものにする。コンディショニングを行わないと、パッド表面は「つるつるになり」、酸化物の除去が急速に低下してウェハの研磨を妨げることになる。

いくつかのパラメータがＣＭＰプロセスに影響を及ぼし、効果のないコンディショニングの問題が残る。ダイヤモンドの特徴は、最も重要であり、最適な加工条件を実現する能力を提供する。ねじ付き鋼シャンクにダイヤモンドを固定するのではなく埋め込むことで、コンディショナは所望の面積当たりのダイヤモンド及び突起を得ることができる。立方体又は八面体形ダイヤモンドの完全性により、ダイヤモンドは、既存のコンディショナで用いられる鋸歯タイプのダイヤモンドで見られるような加工均一化の制限要因にはならなくなり、完全且つ均一にコンディショニングするのに最適な下向きの力及び毎分回転数が可能になる。最後に、ディスクサイズが小さいため、表面の平面度を維持するとともに研磨パッドの表面変化を辿ることができることで、研磨パッドが均一にコンディショニングされるため、研磨出力が増大する。

特定の例示的な実施形態を説明するとともに添付図面に示したが、このような実施形態は単なる例示であって本発明を限定するものではなく、当業者には変更形態が思い浮かぶであろうから、本発明は図示及び説明した特定の構造及び構成に限定されないことを理解されたい。

研磨支援システムを有する研磨装置の図である。ウェハを研磨している使用中の研磨装置の図である。コンディショニングユニットを有する研磨装置の図である。コンディショニングアセンブリ及びその中の複数のダイヤモンドを詳細に示す側断面図である。コンディショニングアセンブリ及びその中の複数のダイヤモンドを詳細に示す側断面図である。研磨パッドをコンディショニングしている使用中の研磨装置の側面図である。図５Ａの研磨装置の上面図である。研磨パッドのコンディショニングを詳細に示す断面図である。最適な加工パラメータのグラフである。

Claims

半導体ウェハの研磨用のコンディショニングアセンブリであって、
第１の面及び第２の面を有するベースと、
９０°の角度から成る、第２の面上の複数のダイヤモンドと
を備える、半導体ウェハの研磨用のコンディショニングアセンブリ。
前記ベースは、１．２７〜３．８１ｃｍ（０．５〜１．５インチ）の直径を有する、請求項１に記載の半導体ウェハの研磨用のコンディショニングアセンブリ。
１５０〜９００個のダイヤモンドを含む、請求項１に記載の半導体ウェハの研磨用のコンディショニングアセンブリ。
約６００個のダイヤモンドを含む、請求項３に記載の半導体ウェハの研磨用のコンディショニングアセンブリ。
前記ダイヤモンドは八面体である、請求項１に記載の半導体ウェハの研磨用のコンディショニングアセンブリ。
前記ダイヤモンドは前記ベースに埋め込まれる、請求項１に記載の半導体ウェハの研磨用のコンディショニングアセンブリ。
前記ダイヤモンドは前記ベースから５０〜９０マイクロメートル（ミクロン）突出する、請求項６に記載の半導体ウェハの研磨用のコンディショニングアセンブリ。
前記ダイヤモンドは前記ベースから８０マイクロメートル（ミクロン）突出する、請求項７に記載の半導体ウェハの研磨用のコンディショニングアセンブリ。
前記ダイヤモンドは幅１６０〜２１０マイクロメートル（ミクロン）である、請求項１に記載の半導体ウェハの研磨用のコンディショニングアセンブリ。
前記ダイヤモンドは幅１８０マイクロメートル（ミクロン）である、請求項９に記載の半導体ウェハの研磨用のコンディショニングアセンブリ。
各ダイヤモンド間の間隔は少なくとも７００マイクロメートルである、請求項１に記載の半導体ウェハの研磨用のコンディショニングアセンブリ。
面積当たりの前記ダイヤモンドは、少なくとも５０個／平方センチメートルである、請求項１に記載の半導体ウェハの研磨用のコンディショニングアセンブリ。
方法であって、
半導体ウェハの表面上で研磨パッドの研磨表面を移動させることによって、該半導体ウェハの表面を研磨すること、及び
複数のダイヤモンドが表面に埋め込まれたディスクを少なくとも１００ｒｐｍの速度で回転させて、前記ダイヤモンドが前記研磨表面の掻き取りを行うようにすることによって、前記研磨パッドをコンディショニングすること
を含む、方法。
前記ディスクは３００ｒｐｍの速度で回転させられる、請求項１３に記載の方法。
前記ディスクは７５０ｒｐｍ未満の速度で回転させられる、請求項１３に記載の方法。
前記ディスクは７００ｒｐｍ未満の速度で回転させられる、請求項１５に記載の方法。
前記ダイヤモンドは、９０°の角度から成る立方体である、請求項１３に記載の方法。
前記ダイヤモンドは八面体である、請求項１３に記載の方法。
前記ディスク上には少なくとも４５０個のダイヤモンドがある、請求項１３に記載の方法。
面積当たりの前記ダイヤモンドは、約２００個／平方センチメートルである、請求項１３に記載の方法。
前記研磨パッドは、前記ディスクに０．４５３〜２．７２２ｋｇ（１〜６ポンド）の下向きの力を加えることによってコンディショニングされる、請求項１３に記載の方法。
前記研磨パッドは、約０．５３３ｋｇ（１．１７５ポンド）の下向きの力を加えることによってコンディショニングされる、請求項２１に記載の方法。
前記ダイヤモンドによって形成される前記溝の深さは５０〜９０マイクロメートル（ミクロン）である、請求項１３に記載の方法。
方法であって、
半導体ウェハの表面上で研磨パッドの研磨表面を移動させることによって、該半導体ウェハの表面を研磨すること、及び
少なくとも１５０個のダイヤモンドを有するディスクを少なくとも１００ｒｐｍの速度で回転させて、前記ダイヤモンドが前記研磨表面の掻き取りを行うようにすることによって、前記研磨パッドをコンディショニングすること
を含む、方法。
前記ディスクは約５００ｒｐｍの速度で回転させられる、請求項２４に記載の方法。
前記ディスク上には９００個未満のダイヤモンドがある、請求項２４に記載の方法。
方法であって、
半導体ウェハの表面上で研磨パッドの研磨表面を移動させることによって、該半導体ウェハの表面を研磨することであって、前記研磨パッドは第１の直径を有する、研磨すること、及び
少なくとも１５０個のダイヤモンドを有するディスクを回転させて、前記ダイヤモンドが前記研磨表面の掻き取りを行うようにすることによって、前記研磨パッドをコンディショニングすることであって、前記ディスクは第２の直径を有し、前記第１の直径対前記第２の直径の比は１：１３〜１：４０である、コンディショニングすること
を含む、方法。
前記第１の直径及び前記第２の直径は１：１６〜１：２６の比を有する、請求項２７に記載の方法。
前記第１の直径対前記第２の直径は約１：２０の比を有する、請求項２８に記載の方法。
前記ダイヤモンドによって形成される前記溝は約８０マイクロメートル（ミクロン）の深さである、請求項２７に記載の方法。