KR100847121B1

KR100847121B1 - 패드 연마용 컨디셔너 및 이를 포함하는 화학 기계적연마장치

Info

Publication number: KR100847121B1
Application number: KR1020060136725A
Authority: KR
Inventors: 유환수; 최은석; 배소익
Original assignee: 주식회사 실트론
Priority date: 2006-12-28
Filing date: 2006-12-28
Publication date: 2008-07-18
Also published as: KR20080061716A

Abstract

웨이퍼를 연마하는 화학 기계적 연마장치가 개시된다. 본 발명의 화학 기계적 연마장치는 웨이퍼 회전부에 결합되어 회전하는 웨이퍼의 표면을 연마하기 위해 사용되는 연마패드와, 연마패드의 패드 연마면을 연마하는 컨디셔너를 포함한다. 패드 연마부를 연마하기 위해 컨디셔너의 일면은 복수의 다이아몬드 입자가 고정된 컨디셔너 연마층으로 형성되는데, 다이아몬드 입자의 크기 및 형상, 연마시간 등을 제어하여 패드 연마면이 균일한 프로파일 및 최소의 거칠기를 갖도록 할 수 있다.

컨디셔너, 다이아몬드 입자, 형상, 크기, 연마시간

Description

패드 연마용 컨디셔너 및 이를 포함하는 화학 기계적 연마장치{CONDITIONER FOR GRINDING PAD AND CHEMICAL AND MECHANICAL POLISHING APPARATUS THE SAME}

도 1은 종래의 웨이퍼 폴리싱을 통해 연마된 연마패드 표면의 프로파일 및 거칠기를 도시한 그래프이다.

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 화학 기계적 연마장치를 도시한 개략도이다.

도 3은 제1 실시예에 따른 컨디셔너와 연마패드를 도시한 정면도이다.

도 4는 제1 실시예에 따른 패드 연마면의 프로파일 및 거칠기를 도시한 그래프이다.

도 5는 제2 실시예에 따른 패드 연마면의 프로파일 및 거칠기를 도시한 그래프이다.

도 6은 제3 실시예에 따른 패드 연마면의 프로파일 및 거칠기를 도시한 그래프이다.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명>

10 ：화학 기계적 연마장치 50：웨이퍼

100 ：플래튼 200：연마패드

210 ：패드 연마면 300：웨이퍼 회전부

400 ：컨디셔너 410：컨디셔너 연마층

500 ：컨디셔너 회전부 600：연마제 공급부

610 ：연마제

본 발명은 실리콘 웨이퍼의 연마패드를 연마하는 컨디셔너 및 이를 포함하는 화학 기계적 연마장치에 관한 것으로서, 더욱 자세히 설명하면 컨디셔너에 고정된 연마 입자의 크기 및 형상, 컨디셔닝 시간에 따라 최적의 패드 표면 조건을 구현할 수 있는 컨디셔너 및 이를 포함하는 화학 기계적 연마장치에 관한 것이다.

반도체 소자의 고집적화로 인해 반도체 제조 공정 중 화학기계적 연마(CMP, Chemical Mechanical Polishing) 공정시 웨이퍼에 가해지는 스크래치나 결함이 소자의 수율 및 생산성에 큰 영향을 끼치는 중요한 인자 중의 하나로 인식되어 가고 있다. 특히, 대구경화된 웨이퍼(예, 300㎜ 직경의 웨이퍼)를 사용하는 최근의 반도체 소자의 제조 공정의 경우 웨이퍼와 연마패드도 역시 대형화되어 가고 있는 추세이다. 이러한 이유들로 인해 CMP 공정 진행 시 웨이퍼와 연마패드 표면에 가해지는 스트레스와 충격이 높아지고, 그 결과 웨이퍼에 가해지는 스크래치나 결함의 발생 빈도가 높아지는 경향이 있다.

주지된 바와 같이, CMP는 슬러리 내의 화학 성분이 웨이퍼 표면과 반응하여 반응층을 생성하고 이를 연마 입자 및 패드의 기계적 운동으로 제거하는 메커니즘을 가지고 있다. 패드 표면은 웨이퍼 반응물, 슬러리 입자, 이물질 등이 유리질화 된 후 고착되고, 폴리싱 헤드에 의해 웨이퍼에 주어지는 높은 압력과, 속도, 부분적인 접촉에 의해 불균일한 표면 변형이 일어나게 된다. 이는 웨이퍼 연마 특성에 있어 연마 균일도, 연마율을 악화시킨다. 그러므로 패드 Glazing 감소, 패드 거칠기 개선, 패드 형상 제어를 통해 웨이퍼의 연마 균일도를 향상시키고 연마율을 일정하게 유지시키면 평탄도 및 표면 거칠기를 향상시키는 패드 표면의 컨디셔닝은 필수적이라 할 수 있다.

반도체 CMP에서는 연마패드로서, 경질의 IC계열 패드가 주로 사용되고 있으며, CMP에 의해 연마패드의 표면이 변형되거나 기공이 막히면 원상태로 복귀시키기 위해 컨디셔너로 연마패드의 표면을 절삭하는 컨디셔닝 작업을 실시한다. 그러나 스탁 폴리싱에 쓰이는 연질의 스탁 폴리싱용 패드를 컨디셔닝하기 위해 CMP용 컨디셔너를 사용할 경우, 연마패드가 과마모 되어 표면의 섬유 조직이 손상되고 연마패드의 기능이 저하되는 문제가 야기된다.

따라서, 종래의 IC 계열 패드에 적용하였던 컨디셔너보다 마모가 적고 패드 표면을 덜 손상시키는 컨디셔너의 발명이 필요하다.

또한, 종래의 컨디셔닝 장치 중 별도의 컨디셔너를 구성하지 않고, 연마패드가 웨이퍼를 연마하는 동시에 웨이퍼와 접촉되는 면에서의 접촉압력 및 웨이퍼와 연마패드의 상대 회전속도 등을 제어하여 연마패드를 컨디셔닝 하기도 한다.

이렇게 웨이퍼와 접촉하여 웨이퍼를 연마하면서 연마패드의 표면을 컨디셔닝 하는 것을 웨이퍼 폴리싱이라 한다.

한편, 다음과 같은 조건으로 하여 상기 웨이퍼 폴리싱을 구현할 수 있다. 사용하는 연마패드는 SUBA 800M2(NITTA HAAS)이며, 연마면의 접촉압력은 260 gf/㎠, 연마패드의 회전속도는 120rpm, DIW(Deionized Water) feeding rate은 0.7 L/min으로 하여 폴리싱을 실시하였다.

폴리싱 작업은 40분간 실시하였으며, 도 1의 그래프 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 폴리싱을 실시한 후의 연마패드의 표면의 프로파일 형상은 거의 변함이 없으며, 거칠기의 감소 정도도 적게 나옴을 알 수 있다.

상술한 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 일 목적에 따르면, 패드 연마면을 연마하기 위해 다이아몬드 등의 연마 입자의 크기와 형상을 제어하여 패드 연마면의 프로파일을 균일하게 하고, 거칠기를 감소시킬 수 있는 패드 연마용 컨디셔너 및 이를 포함하는 화학 기계적 연마장치를 제공함에 있다.

본 발명의 다른 목적은 패드 연마면을 연마하는 입자의 크기 및 형상에 따라 적절한 연마 시간을 책정하여 최적의 프로파일과 최소의 거칠기를 구현할 수 있는 패드 연마용 컨디셔너 및 이를 포함하는 화학 기계적 연마장치를 제공함에 있다.

상술한 본 발명의 목적들을 달성하기 위한 본 발명의 바람직한 실시예에 따 르면, 본 발명의 웨이퍼 연마패드를 컨디셔닝하는 컨디셔너는 복수의 다이아몬드 입자가 표면에 고정된 연마부 및 상기 연마부와 연결되어 이를 회전시키는 동력부를 포함한다.

본 발명에서 사용되는 컨디셔닝이란, 웨이퍼의 표면을 연마하는 연마패드의 패드 연마면을 다이아몬드 입자 등과 같은 미세한 연마입자를 이용하여 다듬는 것으로써, 패드 연마면의 프로파일을 균일하게 하고, 거칠기를 최소화하는 작업을 의미한다.

본 발명에서 사용되는 상기 다이아몬드 입자는 그 형상이 MBG(Metal Bonding for Grind) 등급이 600 또는 680인 것을 사용할 수 있다.

상기 동력부는 상기 연마부를 약 50 내지 150 rpm을 회전시켜 상기 연마패드의 패드 연마면을 연마할 수 있다.

상기 다이아몬드 입자의 크기는 약60 내지 150 mesh 정도이다. 여기서, 1mesh란 1inch 에 들어있는 그물코의 수를 의미한다. 예를 들어 설명하면, 다이아몬드 입자의 크기가 80mesh 라면 1inch의 정사각형 안에 80개의 그물코가 있는 것으로, 개개의 다이아몬드 입자의 크기는 최대 1/80 inch의 그물코에 들어갈 수 있는 181um가 될 것이다.

또한, 본 발명의 패드 연마면을 연마하는 컨디셔너는 복수의 다이아몬드 입자가 표면에 고정된 연마부 및 상기 연마부와 연결되어 이를 회전시키는 동력부를 포함하고, 상기 다이아몬드 입자의 형상은 MBE(Metal Bonding for Electroplating) 등급이 약 900 내지 1000이다.

상기 동력부는 상기 연마부를 약 50 내지 150 rpm으로 회전시켜 상기 연마패드의 패드 연마면을 컨디셔닝 할 수 있다.

상기 다이아몬드 입자의 크기는 약 60 내지 150 mesh 정도이다.

또한, 웨이퍼를 연마하는 화학 기계적 연마장치는 회전 가능한 플래튼과, 상기 플래튼에 의해 지지되는 상기 웨이퍼를 연마하는 패드 연마면이 형성된 연마패드와, 상기 패드 연마면에 대응하여 상기 웨이퍼가 장착되며, 회전 가능하게 형성된 웨이퍼 회전부와, 상기 패드 연마면에 대응하여 크기가 약 60 내지 150 mesh이고, MBG 등급이 600 내지 680인 복수개의 다이아몬드 입자가 일면에 형성된 컨디셔너 및 상기 컨디셔너와 연결되어 회전시키는 컨디셔너 회전부를 포함한다.

상기 컨디셔너는 상기 패드 연마면과 접촉하여 약 5내지 30 min 동안 회전하여 연마할 수 있으며, 이때 연마되는 컨디셔너와 상기 패드 연마면 사이는 약 20 내지 60 gf/㎠ 의 압력을 유지하는 것이 좋다.

상기 패드 연마면에 연마제를 공급하는 연마제 공급부를 더 포함할 수 있으며, 상기 연마제 공급부는 상기 연마제를 약 1 내지 2 L/min의 양으로 공급할 수 있다.

또한, 웨이퍼를 연마하는 연마패드의 패드 연마부를 매끄럽게 하기 위한 화학 기계적 연마장치는 회전 가능한 플래튼과, 상기 플래튼에 의해 지지되는 상기 웨이퍼를 연마하는 패드 연마면이 형성된 연마패드와, 상기 패드 연마면에 대응하여 상기 웨이퍼가 장착되며, 회전 가능하게 형성된 웨이퍼 회전부와, 상기 패드 연마면에 대응하여 크기가 약 60 내지 150 mesh이고, MBE 등급이 900 내지 1000인 복 수개의 다이아몬드 입자가 일면에 형성된 컨디셔너 및 상기 컨디셔너와 연결되어 회전시키는 컨디셔너 회전부를 포함할 수 있다.

상기 컨디셔너는 상기 패드 연마면과 접촉하여 약 5내지 30 min 동안 회전하여 연마할 수 있으며, 이때 연마되는 컨디셔너와 상기 패드 연마면 사이는 20 내지 60 gf/㎠ 의 압력을 유지하는 것이 좋다. 상기 연마장치는 패드 연마면에 연마제를 공급하는 연마제 공급부를 더 포함할 수 있으며, 이때 공급되는 상기 연마제의 양은 1 내지 2 L/min 정도이다.

이하 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세하게 설명하지만, 본 발명이 실시예들에 의해 제한되거나 한정되는 것은 아니다.

제1 실시예

도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 화학 기계적 연마장치를 도시한 개략도이고, 도 3은 제1 실시예에 따른 컨디셔너와 연마패드를 도시한 정면도이다.

이에 도시된 바와 같이, 본 발명의 화학 기계적 연마장치(10)는 플래튼(100), 연마패드(200), 웨이퍼 회전부(300), 컨디셔너(400), 컨디셔너 회전부(500) 및 연마제 공급부(600)를 포함한다.

상기 플래튼(100)은 중심축에 장착된 원판형의 회전 테이블이다. 그리고, 상기 연마패드(200)는 상기 플래튼(100)의 상부면에 올려진 상태에서 회전하며, 그 일면에는 상기 웨이퍼(50)의 표면을 연마하기 위한 패드 연마면(210)이 형성된다. 상기 연마패드(200)는 스탁 폴리싱용 패드로서, 폴리에스테르 펠트(non-woven polyester felt) 조직에 폴리우레탄(polyurethane)을 함침한 연질패드를 사용할 수 있다.

상기 웨이퍼 회전부(300)는 원형으로 형성되고, 상기 패드 연마면(210)에 연마하고자 하는 상기 웨이퍼(50)의 표면이 향하도록 하기 위해 상기 웨이퍼(50)를 그 하부면에 장착한다. 이러한 상기 웨이퍼 회전부(300)는 상하부로 이동이 가능하다.

상기 컨디셔너(400)는 원형으로 형성되고, 상기 패드 연마면(210)에 대응된 컨디셔너 연마층(410)을 형성한다. 상기 컨디셔너 연마층(410)은 복수의 다이아몬드 입자들이 고정된 층이다. 이러한 상기 다이아몬드 입자의 크기 및 형상에 따라 상기 패드 연마면(210)의 연마정도를 다양하게 구현할 수 있다.

한편, 연마 입자로 사용되는 다이아몬드 입자는 형상별로 여러 등급으로 나누어질 수 있다.

구제적으로, 다이아몬드 입자의 형상은 MBG 300, 600, 610, 620, 640, 680 등의 7가지로 구분될 수 있는데, 높은 수치일수록 둥근 모양의 형상을 가지며, 낮은 수치일수록 거친 모양의 형상을 갖는다. 상기 MBG는 Metal Bonding for Grind의 약자로서, DI사에서 만들어진 정밀 연삭 가공용 다이아몬드의 형상등급이다.

또한, 본 발명에서 사용되는 다이아몬드 입자는 MBE 925가 사용되며, 이는 상기 MBG 640과 MBG 680의 중간 수준에 해당되는 형상이다. 상기 MBE 는 Metal Bonding for Electroplating의 약자로서, 마그네틱 전처리된 전기도금용 다아아몬 드의 형상등급이다.

상기 컨디셔너 회전부(500)는 상기 컨디셔너(400)를 일측에 결합하여 소정의 회전속도로 회전하여 상기 패드 연마면(210)이 최적의 프로파일과 거칠기를 갖도록 조절할 수 있다.

상기 연마제 공급부(600)는 연마제(610)를 상기 패드 연마면(210)에 투여하여 상기 웨이퍼(50)와 상기 연마패드(200)의 접촉면 또는 상기 컨디셔너 연마층(410)과 상기 연마패드(200)의 접촉면에서 연마가 잘 이루어지도록 할 수 있다. 즉, 상기 연마제(610)는 연마되는 각각의 표면과 반응하여 반응층을 생성하고, 이렇게 생성된 반응층은 연마 입자 및 패드 또는 컨디셔너의 기계적인 운동으로 제거될 수 있다.

이러한 상기 연마제(610)는 DIW(Deionized Water), 연마용 슬러리 등을 사용할 수 있다.

이에 도시한 바와 같이, 본 그래프는 컨디셔너 연마층을 형성하는 다이아몬드 입자를 MBG 660, 100내지 120 mesh조건으로 하여 실험한 데이터 자료로서, 5분, 15분, 30분 동안 컨디셔닝을 실시한 후의 패드 연마면의 프로파일 및 15분 컨디셔닝 전후 패드 연마면의 거칠기를 나타낸다.

먼저, 도 4의 그래프 (a)에 도시된 패드 연마면의 프로파일을 보면 컨디셔닝 후에 패드 연마면의 마모가 많고, 형상 변화도 심한 것을 확인할 수 있다. 또한, 도 4의 그래프 (b)에 도시된 패드 연마면을 보면, 도5의 그래프 (b) 및 도 6의 그래프 (b)에 비해 컨디셔닝 후 패드 연마면의 거칠기의 감소 정도가 적음을 알 수 있다. 30분 동안 컨디셔닝을 한 결과도 이와 유사하며, 이는 15분 이상 컨디셔닝시 패드 연마면의 과마모로 인해 거칠기가 악화된 결과이다. 반면에 5분 컨디셔닝 결과는 컨디셔닝 후 패드 연마면의 거치기의 감소 정도가 큰 편임을 알 수 있다. 또한, 패드 연마면의 표면 형상은 5분 컨디셔닝 후에는 섬유조직의 마모 상태가 양호하나 15분, 30분의 경우, 섬유 조직이 손상된 형상을 보인다.

따라서, MBG 660, 100 내지 120 mesh 조건하에서 컨디셔닝 시간을 15분 이내로 실시할 경우 연질 패드인 스탁 폴리싱 패드가 최적의 프로파일 및 거칠기를 갖도록 할 수 있다.

제2 실시예

도 5는 제2 실시예에 따른 패드 연마면의 프로파일연마면의 및 거칠기를 도시한 그래프이다.

이에 도시한 바와 같이, 본 실시예에서의 그래프는 컨디셔너의 연마층을 형성하는 다이아몬드 입자를 MBE 925, 100 내지 120 mesh 조건들을 바탕으로 5분, 15분, 30분 동안 컨디셔닝을 한 후의 패드 연마면의 프로파일 및 15분 컨디셔닝 전후의 패드 연마면의 거칠기를 나타낸다.

도 4의 그래프 (a), (b)와 도 5의 그래프 (a), (b)를 비교해 볼 때, 패드 연마면은 마모가 적고 비교적 완만한 형상으로 형성됨을 알 수 있고, 패드 연마면의 거칠기도 많이 감소됨을 확인할 수 있다. 또한, 5분, 30분 컨디셔닝 결과도 이와 유사함을 실험을 통해 알 수 있다.

컨디셔닝 후 패드 연마면의 형상은 5분, 15분, 30분 모두 섬유 조직의 마모 상태가 양호한 현상을 보인다. 또한 30분간 컨디셔닝을 한 후에는 전체적인 패드 연마면의 프로파일 형상을 평탄할 시킬 수 있다.

따라서, MBE 925, 100 내지 120 mesh 조건하에서 컨디셔닝 시간은 5분 이상, 30분 이내로 실시할 경우 연질 패드인 스탁 폴리싱 패드에 적합함을 알 수 있다.

제3 실시예

이에 도시한 바와 같이, 본 실시예에서의 그래프는 컨디셔너의 연마층을 형성하는 다이아몬드 입자를 MBG 680, 80 내지 100 mesh 조건들을 바탕으로 5분, 15분, 30분 동안 컨디셔닝을 한 후의 패드 연마면의 프로파일 및 15분 컨디셔닝 전후의 패드 연마면의 거칠기를 나타낸다.

도 4의 그래프 (a), (b)와 도 6의 그래프 (a), (b)를 비교해 볼 때, 패드 연마면은 마모가 적고, 패드 연마면의 형상도 균일함을 알 수 있고, 패드 연마면의 거칠기도 많이 감소됨을 확인할 수 있다.

컨디셔닝 후 패드 연마면의 형상은 5분, 15분, 30분 모두 섬유 조직의 마모 상태가 양호한 형상을 보인다.

따라서MBG 680, 80 내지 100 mesh 조건하에서 컨디셔닝 시간은 5분 이상, 30분 이내로 실시할 경우 연질 패드인 스탁 폴리싱 패드에 적합함을 알 수 있다.

이상에서 본 바와 같이, 본 발명에 따르면 패드 연마면을 연마하기 위해 다이아몬드 입자의 형상 및 크기를 제어하여 패드 연마면의 프로파일을 균일하게 할 수 있으며, 거칠기의 감소를 크게 할 수 있다.

또한, 컨디셔너 연마층을 형성하는 다이아몬드 입자의 크기와 형상에 대응하여 적정한 연마 시간 동안 컨디셔닝을 실시함으로써, 패드 연마면이 균일한 프로파일을 갖게 되고, 거칠기도 많이 감소되도록 할 수 있을 뿐만 아니라 연마패드를 이루는 섬유조직이 손상되는 것을 제거할 수 있는 효과가 있다.

상술한 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시예들을 참조하여 설명하였지만 해당 기술분야의 숙련된 당업자라면 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims

웨이퍼 연마패드를 연마하는 패드 연마용 컨디셔너에 있어서,

복수의 다이아몬드 입자가 표면에 고정된 연마부; 및

상기 연마부와 연결되어 이를 회전시키는 동력부;

를 포함하고, 상기 다이아몬드 입자는 크기가 60 내지 150 mesh이고, 형상은 MBG(Metal Bonding for Grind) 등급이 600 내지 680인 것을 특징으로 하는 패드 연마용 컨디셔너.
제1항에 있어서,

상기 연마패드는 스탁 폴리싱(stock polishing) 패드인 것을 특징으로 하는 패드 연마용 컨디셔너.
제1항에 있어서,

상기 동력부는 상기 연마부를 50 내지 150 rpm으로 회전시키는 것을 특징으로 하는 패드 연마용 컨디셔너.
삭제
웨이퍼 연마패드를 연마하는 패드 연마용 컨디셔너에 있어서,

복수의 다이아몬드 입자가 표면에 고정된 연마부; 및

상기 연마부와 연결되어 이를 회전시키는 동력부;

를 포함하고, 상기 다이아몬드 입자는 크기가 60 내지 150 mesh이고 형상은 MBE(Metal Bonding for Electroplating) 등급이 900 내지 1000 인 것을 특징으로 하는 패드 연마용 컨디셔너.
제5항에 있어서,

상기 연마패드는 스탁 폴리싱(stock polishing) 패드인 것을 특징으로 하는 패드 연마용 컨디셔너.
제5항에 있어서,

상기 동력부는 상기 연마부를 50 내지 150 rpm으로 회전시키는 것을 특징으로 하는 패드 연마용 컨디셔너.
삭제
웨이퍼를 연마하는 화학 기계적 연마장치에 있어서,

회전 가능한 플래튼;

상기 플래튼에 의해 지지되어 상기 웨이퍼를 연마하는 패드 연마면이 형성된 연마패드;

상기 패드 연마면에 대응하여 상기 웨이퍼가 장착되고, 회전 가능하게 형성된 웨이퍼 회전부;

상기 패드 연마면에 대응하여 크기가 60 내지 150 mesh이고, MBG 등급이 600 내지 680인 복수개의 다이아몬드 입자가 일면에 형성된 컨디셔너; 및

상기 컨디셔너와 연결되는 컨디셔너 회전부;

를 포함하는 화학 기계적 연마장치.
제9항에 있어서,

상기 컨디셔너는 상기 패드 연마면과 접촉하여 5 내지 30 min 동안 회전하는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마장치.
제9항에 있어서,

상기 컨디셔너와 상기 패드 연마면 사이의 압력은 20 내지 60 gf/㎠ 으로 유지되는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마장치.
제9항에 있어서,

상기 패드 연마면에 연마제를 공급하는 연마제 공급부를 더 포함하고, 상기 연마제 공급부는 상기 연마제를 1 내지 2 L/min으로 공급하는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마장치.
웨이퍼를 연마하는 화학 기계적 연마장치에 있어서,

회전 가능한 플래튼;

상기 플래튼에 의해 지지되어 상기 웨이퍼를 연마하는 패드 연마면이 형성된 연마패드;

상기 패드 연마면에 대응하여 상기 웨이퍼가 장착되고, 회전 가능하게 형성된 웨이퍼 회전부;

상기 패드 연마면에 대응하여 크기가 60 내지 150 mesh이고, MBE 등급이 900 내지 1000인 복수개의 다이아몬드 입자가 일면에 형성된 컨디셔너; 및

상기 컨디셔너와 연결되는 컨디셔너 회전부;

를 포함하는 화학 기계적 연마장치.
제13항에 있어서,

상기 컨디셔너는 상기 패드 연마면과 접촉하여 5 내지 30 min 동안 회전하는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마장치.
제13항에 있어서,

상기 컨디셔너와 상기 패드 연마면 사이의 압력은 20 내지 60 gf/㎠ 으로 유지되는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마장치.
제13항에 있어서,

상기 패드 연마면에 연마제를 공급하는 연마제 공급부를 더 포함하고, 상기 연마제 공급부는 상기 연마제를 1 내지 2 L/min으로 공급하는 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마장치.
제12항 또는 제 16항에 있어서,

상기 연마제는 DIW(Deionized Water) 또는 연마용 슬러리 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 화학 기계적 연마장치.