KR100264756B1 - 연마 패드의 드레싱 방법, 폴리싱 장치 및 반도체 장치의제조 방법 - Google Patents

연마 패드의 드레싱 방법, 폴리싱 장치 및 반도체 장치의제조 방법 Download PDF

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Abstract

CMP법에 의한 반도체 웨이퍼 폴리싱 후에 열화된 연마 패드 표면을 드레싱함과 함께 컨디셔닝을 동시에 행할 수 있는 드레서를 사용하며, 또한 다당류를 첨가한 연마제를 사용함으로써, 디싱을 억제한 상태에서 더스트(dust)를 감소시켜, 연마 패드의 고 수명화나 폴리싱 레이트의 안정화를 도모한다.
드레싱에 SiC, SiN, 알루미나, 실리카 등을 재료로 하는 세라믹스를 사용한 세라믹 드레서를 사용한다. 이 드레서 위에는 적어도 하나 이상의 단차를 형성한다. 또한, 세라믹 드레서를 발포 폴리우레탄계 연마 패드를 사용하고 연마제에 다당류계의 첨가제를 첨가하여 CMP 폴리싱을 행한다. 연마 패드의 개공 내부에 막힌 연마제 등의 불순물을 용이하게 제거할 수 있으며, 또한 표면의 거칠기가 심한 발포막을 제거할 수 있다.

Description

연마 패드의 드레싱 방법, 폴리싱 장치 및 반도체 장치의 제조 방법
본 발명은 다층 배선 프로세스에서의 층간 절연막이나 트렌치에 매립된 절연막의 평탄화에 사용하는 화학 기계 연마(CMP; Chemical Mechanical Polishing) 프로세스에 관한 것으로서, 특히 연마 후에 열화된 연마 패드 표면을 드레싱함과 동시에 컨디셔닝을 동시에 행할 수 있는 드레서 및 이 드레서를 이용하여 연마 패드를 드레싱하는 방법에 관한 것이다.
종래 반도체 장치에 사용되는 CMP법은 CVD 등에 의해 반도체 웨이퍼 상에 형성된 절연막이나 금속막 등의 박막을 평탄화할 때 이용된다.
CMP법은 슬러리라는 연마 입자를 포함한 연마제를 연마 패드에 스며들게 하고, 회전하는 연마반 위에서 반도체 웨이퍼를 연마(폴리싱)함으로써 반도체 웨이퍼 표면의 박막을 평탄하게 가공하는 방법이다. 이 방법을 이용하는 경우, 연속해서 웨이퍼에 대한 연마 처리를 행하면 연마 패드의 표면이 거칠어져 열화된다는 문제가 발생한다. 이 거칠어진 표면을 회복시키는 방법으로서 종래 드레싱이라는 표면 처리를 행한다.
반도체 장치의 제조에 이용되는 CMP법은 연마 패드와 반도체 웨이퍼간에 연마제를 개재시켜 폴리싱을 행한다. 폴리싱에 사용되는 연마 패드로는 여러 가지 재료를 사용한다. 일반적으로 사용되고 있는 것으로 발포 폴리우레탄 패드가 있다. 이 연마 패드는 직물(布) 표면에 미소한 개공이 다수 존재하며, 그 속에 연마제를 보유하여 폴리싱을 행하는 구조로 되어 있다.
이와 같이, CMP법을 반도체 장치의 제조 방법 등에 적용하는데 있어서, 반도체 웨이퍼를 연속적으로 사용하면 점차 개공 내부에 반응 생성물이나 연마제 입자가 압축되어 속박된다. 이 상태에서 폴리싱을 행하면 폴리싱 레이트나 폴리싱의 균일성이 저하되고 만다.
또한, 발포 폴리우리탄을 연마 패드에 사용하는 경우, 연마 패드 사용 개시시에 표면을 약간 거칠게 하는 컨디셔닝이라는 초기 처리가 필요하다. 이러한 처리를 행하여 그 표면을 거칠게 하지 않으면 안정된 폴리싱 레이트와 폴리싱의 균일성을 얻을 수 없다.
연마 패드의 열화는, 연마제 속에 연마 입자 이외의 고분자계 계면 활성제나 다당류 등, 점성이 높은 물질을 첨가하면 보다 현저히 나타난다. 그리고, 이 열화된 연마 패드를 사용하는 것이, 미세 패턴이 밀집된 반도체 디바이스 웨이퍼의 CMP 공정에서는 수율을 저하시키는 큰 문제로서 대두되고 있다.
종래는, 막힌 이물질 제거와 거칠어진 표면을 깎기 위하여 드레싱이라는 처리를 행하고 있었다. 이 드레싱에는 통상 다이아몬드 입자를 레진에 매립하거나, 전착 유지시킨 다이아몬드 드레서를 사용하고 있다. 다이아몬드 드레서는 발포 폴리우레탄 패드의 표층을 깎아서 제거하므로 이물질을 완전히 제거할 수 있으나, 연마 패드는 초기의 표면 상태로 되돌아가 버린다. 즉, 드레싱 후에 컨디셔닝을 행하여 연마 패드 표면을 연마가능한 상태로 길들이지 않으면 안된다. 컨디셔닝에는, 실리콘 웨이퍼 등을 사용할 수 있다. 즉 실리콘 웨이퍼 등을 사용하여 약 60분 정도 폴리싱함으로써 컨디셔닝 처리를 할 수 있다. 현재는, 이러한 공정에 의한 생산성 저하가 큰 문제가 된다.
본 발명은, 이러한 사정에 의해 이루어진 것으로서, CMP법에 의해 반도체 웨이퍼 표면을 폴리싱할 때, 폴리싱 후에 열화된 연마 패드 표면을 드레싱함과 동시에 컨디셔닝을 동시에 행할 수 있는 드레서를 사용함과 함께, 다당류를 첨가한 연마제를 폴리싱에 사용함으로써, 디싱을 억제한 상태에서 더스트를 감소시켜, 연마 패드의 고 수명화나 폴리싱 레이트의 안정화를 가능하게 하는 연마 패드의 드레싱 방법, 폴리싱 장치 및 반도체 장치의 제조 방법을 제공한다.
본 발명은, 이 CMP법에 의한 드레싱에 SiC, SiN, 알루미나, 실리카 등을 재료로 하는 세라믹스를 사용한 세라믹 드레서를 사용하는 것을 특징으로 한다. 또한, 이 드레서 위에는 적어도 하나 이상의 단차를 형성하고 있는 것을 특징으로 한다. 또한, 이들 세라믹 드레서를, 발포 폴리우레탄계 연마 패드를 사용하여, 연마제에 다당류계의 첨가제를 첨가하여 폴리싱을 행하는 CMP에 사용하는 것으로 특징으로 한다.
연마 패드의 개공 내부에 막힌 연마제 등의 불순물을 용이하게 제거할 수 있으며, 또한 표면의 거칠기가 심한 발포막을 제거할 수 있다. 또한, 재생된 연마 패드의 표면은 컨디셔닝 후의 상태와 거의 동일하며 컨디셔닝을 행하지 않고, 다음의 폴리싱을 행할 수 있다. 또한, 다당류를 첨가한 연마제를 폴리싱에 사용함으로써, 디싱을 억제한 상태에서 더스트를 감소시키며, 연마 패드의 고 수명화나 폴리싱 레이트의 안정화가 가능해진다.
본 발명의 연마 패드의 드레싱 방법은, 연마 입자를 포함하는 연마제를 반도체 웨이퍼의 폴리싱면에 살포하면서 그 반도체 웨이퍼를 연마 패드에 의해 폴리싱하는 처리를 적어도 1 개의 반도체 웨이퍼에 대해 행하는 공정, 및 상기 적어도 1 개의 반도체 웨이퍼를 폴리싱함으로써 열화된 상기 연마 패드의 표면을 세라믹 드레서를 사용하여 드레싱하는 공정을 구비하는 것을 제1 특징으로 한다. 또한, 본 발명의 연마 패드의 드레싱 방법은, 사용한 후의 연마 패드의 표면을 다이아몬드 드레서를 사용하여 드레싱하는 공정, 상기 다이아몬드 드레서로 처리된 연마 패드의 표면을 세라믹 드레서를 사용하여 드레싱하는 공정, 연마 입자를 포함하는 연마제를 반도체 웨이퍼의 폴리싱면에 살포하면서 그 반도체 웨이퍼를 상기 연마 패드에 의해 폴리싱하는 공정을 적어도 1 개의 반도체 웨이퍼에 대해 행하는 공정, 및 상기 적어도 1 개의 반도체 웨이퍼를 폴리싱함으로써 열화된 상기 연마 패드의 표면을 상기 세라믹 드레서를 사용하여 드레싱하는 공정을 구비하고 있는 것을 제2 특징으로 한다.
상기 세라믹 드레서에 의해 재생된 상기 열화된 연마 패드를, 상기 적어도 1 개의 반도체 웨이퍼를 폴리싱함으로써 열화시킨 후, 다시 세라믹 드레서를 사용하여 드레싱하는 공정을 더 포함하도록 해도 좋다. 상기 다시 세라믹 드레서를 사용하여 드레싱하는 공정을 복수회 반복한 상기 연마 패드는 다이아몬드 드레서로 드레싱하도록 해도 좋다. 상기 다이아몬드 드레서로 드레싱된 상기 연마 패드는, 폴리싱 처리에 사용하기 전에, 세라믹 드레서로 드레싱하여 재생하도록 해도 좋다. 상기 세라믹 드레서의 표면에는 적어도 1 개의 단차가 형성되어 있어도 좋다.
본 발명의 폴리싱 장치는, 반도체 웨이퍼를 폴리싱하는 연마 패드, 연마제를 상기 연마 패드에 공급하는 수단, 연마반 구동축에 의해 구동되며, 표면에 상기 연마 패드를 설치한 연마반, 및 상기 연마 패드에 눌려지도록 설치된 세라믹 드레서를 구비하고 있는 것을 특징으로 한다. 다이아몬드 드레서가 더 설치되어 있도록 해도 좋다. 상기 세라믹 드레서의 회전수 및 상기 연마 패드에의 누름 압력을 조정하는 제어 기구를 구비하고 있도록 해도 좋다.
본 발명의 반도체 장치의 제조 방법은, 연마 패드를 폴리싱 장치의 연마반에 설치하는 공정, 연마 입자를 포함하는 연마제를 반도체 웨이퍼의 폴리싱면에 살포하면서 그 반도체 웨이퍼 표면의 피폴리싱막을 상기 연마 패드에 의해 폴리싱하는 공정, 상기 연마 패드를 사용하여 복수의 반도체 웨이퍼 표면의 피폴리싱막을 폴리싱하는 공정, 및 상기 복수의 반도체 웨이퍼 표면의 피폴리싱막을 폴리싱함으로써 열화된 상기 연마 패드의 표면을 세라믹 드레서를 사용하여 드레싱하는 공정을 구비하고 있는 것을 특징으로 한다. 상기 연마 패드가 상기 연마반에 의해 회전되며, 상기 반도체 웨이퍼는 이 회전하는 연마 패드에 눌려지면서 폴리싱되도록 해도 좋다. 상기 반도체 웨이퍼를 상기 연마 패드로부터 제거하고나서 상기 세라믹 드레서를 상기 회전하는 연마 패드에 누르고 드레싱하도록 해도 좋다. 상기 반도체 웨이퍼가 상기 연마 패드에 눌려져 있을 때, 상기 세라믹 드레서를 상기 연마 패드에 누르고, 폴리싱하면서 드레싱하도록 해도 좋다.
상기 반도체 웨이퍼가 상기 연마 패드에 눌려져 있을 때, 상기 세라믹 드레서 및 다이아몬드 드레서를 상기 연마 패드에 누르고, 폴리싱하면서 상기 다이아몬드 드레서에 의한 드레싱 및 상기 세라믹 드레서에 의한 드레싱을 행하도록 해도 좋다. 상기 피폴리싱막을 폴리싱할 때, 상기 연마 패드에 순수(純水)를 공급하도록 해도 좋다. 상기 피폴리싱막을 폴리싱할 때, 상기 연마 패드에 디싱을 억제하는 첨가제를 공급하도록 해도 좋다. 상기 디싱을 억제하는 첨가제는, 친수성 다당류계의 재료로 이루어지도록 해도 좋다.
도 1은 본 발명의 폴리싱 장치를 포함하는 반도체 제조 장치의 블록도.
도 2는 도 1의 반도체 제조 장치에 사용되는 폴리싱 장치의 단면도.
도 3은 본 발명의 폴리싱/드레싱 처리를 설명하는 특성도.
도 4는 본 발명의 폴리싱/드레싱 처리를 설명하는 특성도.
도 5는 본 발명의 드레싱 처리를 설명하는 흐름도.
도 6은 본 발명의 드레싱 처리를 설명하는 흐름도.
도 7은 본 발명의 드레싱 처리에 사용되는 드레서의 단면도.
도 8은 본 발명의 드레싱 처리에 사용되는 드레서의 단면도.
도 9는 본 발명의 폴리싱법을 설명하는 폴리싱 장치의 평면도.
도 10은 본 발명의 폴리싱법을 설명하는 폴리싱 장치의 평면도.
도 11은 반도체 웨이퍼를 폴리싱하는 연마 패드의 상태를 설명하기 위해 확대한 연마 패드의 단면도 및 평면도.
도 12는 반도체 웨이퍼를 폴리싱하는 연마 패드의 상태를 설명하기 위해 확대한 연마 패드의 단면도 및 평면도.
도 13은 반도체 웨이퍼를 폴리싱하는 연마 패드의 상태를 설명하기 위해 확대한 연마 패드의 단면도 및 평면도.
도 14는 반도체 웨이퍼를 폴리싱하는 연마 패드의 상태를 설명하기 위해 확대한 연마 패드의 단면도 및 평면도.
도 15는 본 발명의 폴리싱 장치의 부분 사시도.
도 16은 도 15에 도시한 폴리싱 장치의 연마 패드와 반도체 웨이퍼의 단면도.
도 17은 도 15에 도시한 폴리싱 장치의 연마 패드와 반도체 웨이퍼의 단면도.
도 18은 도 15의 폴리싱 방법의 작용을 설명하는 특성도.
도 19는 본 발명의 반도체 장치의 제조 공정 단면도.
도 20은 본 발명의 반도체 장치의 제조 공정 단면도.
도 21은 본 발명의 반도체 장치의 제조 공정 단면도.
도 22는 본 발명의 반도체 장치의 제조 공정 단면도.
도 23은 본 발명의 반도체 장치의 제조 공정 단면도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
1 : 반도체 기판
2, 5, 12, 18 : SiO2막
3 : 폴리싱막
4, 8, 9, 14 : 홈부
6 : 에치 백 레지스트
7 : Si3N4막
10 : 채널 컷 영역
11 : 다이
13 : 베어링
15 : 연마반 받침
16 : Cu막
17 : 연마반
19 : 연마 패드
20 : 반도체 웨이퍼
21, 26, 35 : 구동 샤프트
22 : 세라믹 드레서
23, 37 : 모터
24 : 다이아몬드 드레서
25 : 회전 벨트
27, 28 : 드레서
29 : 템플레이트
30 : 연마제 공급용 노즐
31 : 흡착포
32 : 첨가제 공급용 노즐
33 : 흡착반
34 : 연마제
36 : 피막
39, 41 : 기어
43 : 구동 다이
45 : 실린더
50 : 반도체 제조 장치
51 : 폴리싱 영역
52 : 웨이퍼 세정 영역
53 : 웨이퍼 공급부
54 : 웨이퍼 수거부
55 : 웨이퍼 반전부
56 : 웨이퍼 브러싱부
57 : 웨이퍼 린스·건조부
222, 242, 272, 282 : 드레서의 지지 아암
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명한다.
본 발명은 반도체 장치의 제조에서의 웨이퍼 처리 공정에 관한 것이다. 도 1은 CMP 장치(폴리싱 장치)를 사용하여 폴리싱에서부터 인라인 세정까지의 일련의 시퀀스를 반도체 웨이퍼에 대해 행하는 반도체 제조 장치의 모식도이다. 반도체 제조 장치(50) 내는, 폴리싱 영역(51)과 웨이퍼 세정 영역(52)으로 나누어져 있으며, 이 외에 반도체 웨이퍼를 장치내에 공급하는 웨이퍼 공급부(53)와 장치내에서 처리된 반도체 웨이퍼를 수거하여 이것을 외부로 반출하는 수거부(54)를 구비하고 있다. 폴리싱 영역(51)에서, 실리콘 등의 반도체 웨이퍼는, 폴리싱 장치의 연마반(17)(턴 테이블이라고도 함) 위에 설치된 연매 패드(도시 생략)에 의해 폴리싱된다. 폴리싱시에는 슬러리라는 연마제, 순수, 첨가제 등을 연마 패드에 공급한다. 연마 패드로 폴리싱되는 반도체 웨이퍼는, 웨이퍼 공급부(53)로부터 웨이퍼 세정 영역(52)의 웨이퍼 반전부에 일시 보존되며, 여기로부터 연마반(17)의 연마 패드에 공급된다.
폴리싱 처리된 반도체 웨이퍼는 웨이퍼 반전부(55)에 되돌려지며, 여기로부터 브러싱부(56)로 처리되며, 다시 린스·건조부(57)에서 세정·건조되어 웨이퍼 수거부(54)로 반송된다. 반도체 웨이퍼는, 웨이퍼 수거부(54)로부터 다음 공정을 행하기 위해 반송되어 간다. 연마 패드는, 반도체 웨이퍼를 몇 개 정도 처리해 가는 동안 열화되어 폴리싱 특성이 나빠진다. 따라서, 특성이 열화된 연마 패드는, 드레싱이나 컨디셔닝에 의해 특성이 회복된다.
다음에, 도 2를 참조하여 도 1의 반도체 제조 장치에 사용되는 폴리싱 장치를 설명한다. 도 2는 도 1의 반도체 제조 장치에 사용되는 CMP용 폴리싱 장치의 개략 단면도이다. 다이(11) 위에 베어링(13)을 개재하여 연마반 받침(15)이 배치되어 있다. 이 연마반 받침(15) 위에는 연마반(17)이 설치되어 있다. 이 연마반(17) 위에는 반도체 웨이퍼를 연마하는 연마 패드(19)가 붙어 있다. 연마반 받침(15) 및 연마반(17)을 회전시키기 위해 이들의 중심 부분에 구동 샤프트(21)가 접속되어 있다. 이 구동 샤프트(21)는 모터(23)에 의해 회전 벨트(25)를 통해 회전된다. 한편, 반도체 웨이퍼(20)는 연마 패드(19)와 대향하는 위치에 오도록 진공 등을 이용하여 템플레이트(29) 및 흡착포(31)가 설치된 흡착반(33)에 의해 흡착되어 있다. 이 흡착반(33)은 구동 샤프트(35)에 접속되어 있다. 또한, 이 구동 샤프트(35)는 모터(37)에 의해 기어(39, 41)를 통해 회전된다. 구동 샤프트(35)는 상하 방향의 이동에 대해 구동 다이(43)에 고정되어 있다.
이러한 구조에 의해, 실린더(45)에 의한 상하의 이동에 따라, 구동 다이(43)가 상하 이동하고, 이에 의해 흡착반(33)에 고정된 반도체 웨이퍼(20)가 연마 패드(19)에 눌려지거나 연마 패드(19)로부터 떨어지거나 한다. 반도체 웨이퍼(20)와 연마 패드(19)간에는 목적에 따른 연마제가 흐르게 되며, 이에 의해 반도체 웨이퍼(20)의 폴리싱이 행해진다.
또한, 도면에는 도시하지 않지만, 반도체 웨이퍼는 폴리싱을 행하고 있는 중에 다른 구동 시스템에 의해 X-Y 방향(수평 방향)으로 이동가능하게 되어 있다.
예를 들면, 트렌치에 매립된 폴리실리콘막을 실리콘 산화막을 스토퍼막으로 하여 연마하는 경우는 다음의 시퀀스를 이용하여 연마한다. 슬러리는, 폴리실리콘막 등 반도체 웨이퍼 위의 피폴리싱막의 종류에 따라 사용하는 종류를 변화시킨다.
(1) 믹싱 밸브로부터는, 폴리실리콘막 위의 자연 산화막을 제거하기 위해 산화막의 연마 속도가 빠른 슬러리를 공급한다.
(2) 자연 산화막을 제거하고나서, 폴리실리콘막을 연마하기 위해 실리콘 산화막에 대해 폴리싱 레이트가 빠른 슬러리를 (1)에 사용한 슬러리의 공급을 저지하고나서 공급한다. 이러한 재료로서는, 예를 들면, 유기 아민 베이스 코로이달 실리카 슬러리가 사용된다. 연마가 진행되고 산화막 스토퍼가 노출되면 연마가 종료된다.
(3) 산화막이 노출된 곳에서 폴리실리콘막 연마용 슬러리의 공급을 저지하여 웨이퍼 표면을 처리하는 계면 활성제를 첨가한다.
(4) 계면 활성제의 공급을 저지하고, 초순수를 사용해서 린스하여, 반도체 웨이퍼를 세정 공정에 반송한다.
(5) 연마 패드에 막힌 슬러리를 제거하기 위해 연마 패드의 표면을 드레싱 처리한다.
이러한 처리를 반복하면 연마 패드 표면의 열화가 진행하여, 세라믹스 드레서만으로는 회복할 수 없는 상태가 된다. 그래서, 표면이 예리하게 뾰족한 다이아몬드 드레서 등으로 패드 표면을 깍는다.
(6) 이 다이아몬드 드레서를 사용한 후의 패드는 길들여지기 전의 상태이며 새 제품과 같은 표면 상태로 돌아간다.
종래는, 이 상태에서 더미 실리콘 웨이퍼를 6 개 내지 십수개 처리(약 10분/개)하여 연마 패드 표면을 길들인 후에 CMP 프로세스를 재개하고 있었으나, 본 발명의 세라믹스 드레서를 다이아몬드 드레서에 의한 드레싱 후에 수분간 사용하는 것 만으로 실리콘 더미 웨이퍼를 수십개 만큼 처리하는 것과 동등한 표면 상태로 할 수 있다.
도 3은 본 발명의 드레싱/컨디셔닝의 작용 효과를 종래예를 비교하면서 설명하는 특성도이며, 사용 전의 연마 패드(버진 패드)의 드레싱/컨디셔닝 처리가 본 발명과 종래 기술에서는 어떻게 다른지를 나타내는 도면이다. 세로축은 연마 패드의 처리 시간[분(min)/1 개]을 도시하고 있다. 종래는, 실리콘 더미 드레싱(컨디셔닝)과 다이아몬드 드레싱을 행하여 폴리싱을 행하지만, 본 발명은 다이아몬드 드레싱과 세라믹 드레싱을 행하여 폴리싱을 행한다. 그 드레싱 처리 시간은, 종래가 70 분/1 개임에 반해, 본 발명은 약 10 분/1 개에 지나지 않는다. 이와 같이 세라믹 드레서에 의한 소프트 드레싱을 행함으로써 단시간에, 게다가 실리콘 더미 웨이퍼없이 연마 패드의 컨디셔닝(길들임)이 가능해진다.
도 4는 연속 처리시의 본 발명과 종래의 드레싱/컨디셔닝의 작용 효과를 설명하는 특성도이다. 도면에 도시한 바와 같이, 처리 시간은 종래에 비해 1/2로 단축되고 있다.
다음에, 도 5를 참조하여 연마 패드의 드레싱 방법에 관한 제1 실시예를 설명한다. 이 실시예에서는, 초기 상태의 연마 패드에 대한 드레싱에 대해 설명한다. 도 5는 폴리싱 및 드레싱의 시간적인 흐름도이다. 발포 폴리우레탄으로부터 형성된 초기 상태의 아직 사용하지 않은 연마 패드는 다이아몬드 드레싱을 행한 후와 같이 거칠어진 표면 상태에 있으므로, 이른바 컨디셔닝이라는 길들임 처리를 행할 필요가 있다. 본 발명에 관한 세라믹 드레서는 컨디셔닝을 겸하여 드레싱을 행할 수 있다.
우선, 미사용 연마 패드를 세라믹 드레서를 사용하여 드레싱한다(세라믹 드레싱). 이 연마 패드를 사용하여 실리콘 웨이퍼를, 예를 들면 1∼6 개 폴리싱한다. 이러한 세라믹 드레싱/폴리싱을 복수회 반복한다. 그 후, 다시 이 연마 패드에 대해 세라믹 드레싱을 행하고, 이어서 1∼6 개의 실리콘 웨이퍼를 폴리싱한다.
다음으로, 이 연마 패드를 다이아몬드 드레서를 사용하여 드레싱한다(다이아몬드 드레싱)(a). 이어서, 연마 패드를 세라믹 드레서를 사용하여 드레싱한다(세라믹 드레싱)(b). 이 연마 패드를 사용하여 실리콘 웨이퍼를 1 개 이상 폴리싱한다(c). 이 세라믹 드레싱/폴리싱(b/c)을 복수회 반복한다. 그 후, 다시 이 연마 패드에 대해 세라믹 드레싱을 행하고(d), 이어서 1 개 이상의 실리콘 웨이퍼를 폴리싱한다(e). 이 a 공정 내지 e 공정을 일련의 공정 A라고 하고, 이 A 공정을 적어도 1 회 이상 행한다.
이상이 미사용 연마 패드를 사용한 경우의 폴리싱/드레싱의 시퀀스이다. 다음으로, 도 6을 참조하여 연마 패드의 드레싱 방법에 관한 제2 실시예에 대해 설명한다. 이 실시예는, 폴리싱을 반복하여 성능이 열화된 연마 패드를 드레싱하는 방법이다.
우선, 성능이 열화된 연마 패드를 다이아몬드 드레서를 사용하여 드레싱한다(다이아몬드 드레싱). 다음에, 연마 패드를 세라믹 드레서를 사용하여 드레싱한다(세라믹 드레싱). 이 연마 패드를 사용하여 실리콘 웨이퍼를 1 개 이상 폴리싱한다. 이 세라믹 드레싱/폴리싱 처리를 복수회 반복한다. 그 후, 다시 이 연마 패드에 대해 세라믹 드레싱을 행하고, 이어서 1 개 이상의 실리콘 웨이퍼를 폴리싱한다. 이러한 일련의 공정(도 5의 A)을 적어도 1 회 이상 행한다.
다음으로, 도 7 및 도 8을 참조하여 본 발명의 실시예에서 사용되는 드레서를 설명한다. 도면은, 모두 드레서의 단면도이다. 도 7의 (a)에 도시한 세라믹 드레서(22)는 알루미나, 질화 규소, 탄화 규소 등을 고온에서 소성한 세라믹으로 이루어지고, 예를 들면 원반형체이며, 제1 주면은 연마 패드를 드레싱하는 드레싱면(221)이 되고 있다. 드레싱면은 적어도 1 개의 단차를 형성하면 폴리싱 효과가 상승한다. 단차는 20∼30 ㎚ 정도이다. 세라믹 드레서(22)는 드레싱면(221)과는 반대측의 주면에 설치되어 있는 지지 아암(222)에 의해 조작된다.
도 7의 (b)에 도시한 다이아몬드 드레서(24)는 다이아몬드 입자(243)를 레진 등에 분산시킨, 예를 들면, 원반형체이며, 드레싱면(241)에는 다이아몬드 입자(243)의 예리한 선단이 노출되어 있다. 다이아몬드 드레서(24)는 드레싱면(241)과는 반대면에 설치되어 있는 지지 아암(242)에 의해 조작된다. 레진을 사용하지 않고, Ni 전착에 의해 형성된 원반형체에 다이아몬드 입자를 분산시킬 수도 있다. 도 8의 드레서는 도 7의 (b)의 다이아몬드 드레서 대신에 사용되며, 양자는 모두 원반형체이다. 도 8의 (a)의 드레서는, 두께 5∼10 ㎜ 정도의 질화 규소(SiN) 기판 표면에, ECR·CVD에 의해 두께 5∼40 ㎛ 정도의 질화 규소 또는 탄화 규소의 박막(271)이 형성되어 있고, 이 박막이 형성되어 있는 면이 드레싱면이 되고 있다. 이 드레서(27)는 드레싱면과는 반대면에 설치되어 있는 지지 아암(272)에 의해 조작된다. 도 8의 (b)의 드레서(28)는 두께 5∼10 ㎜ 정도의 탄화 규소(SiC) 기판 표면에, ECR·CVD에 의해 두께 5∼40 ㎛ 정도의 질화 규소 또는 탄화 규소의 박막(281)이 형성되어 있으며, 이 박막이 형성되어 있는 면이 드레싱면이 되고 있다.
이 드레서(28)는 드레싱면과는 반대면에 설치되어 있는 지지 아암(282)에 의해 조작된다.
이상의 드레싱 방법은 도 2에 도시하는 드레싱 장치에서 드레싱→폴리싱→드레싱→…으로 교대로 행해진다.
다음으로, 도 9 및 도 10을 참조하여 상기 드레싱 장치를 이용한 드레싱 방법에 관한 제3 실시예를 설명한다. 도면은 모두 도 2에 도시한 드레싱 장치의 주요 부분의 평면도이다. 연마 패드(19)는 100 rpm으로 회전하는 연마반(17) 위에 설치되어 잇다. 폴리싱시의 연마반(17)의 회전수는 통상 20∼200 rpm이며, 가공압은 50∼500 g/㎠이다. 특히, 350 g/㎠가 적당하다. 도 9에 도시한 바와 같이 회전하는 연마 패드(19)에 실리콘 웨이퍼(20)를 소정의 가공압으로 누르고 폴리싱을 행한다. 이 실리콘 웨이퍼(20)를 폴리싱중에 그 궤적을 따르도록 세라믹 드레서(22)를 가압하면서 연마 패드(18)를 드레싱해 간다. 실리콘 웨이퍼 1 개 마다 폴리싱과 드레싱을 반복하므로, 연마 패드의 수명이 길어짐과 함께 반도체 장치의 제조 시간이 단축된다.
다음으로, 도 11 내지 도 14를 참조하여 본 발명의 드레싱을 적용한 연마 패드의 상태를 설명한다. 도 11은 사용 전의 연마 패드, 도 12 내지 도 14는 드레싱 후의 연마 패드가 확대된 표면도 및 단면도이다. 도 11에 도시한 바와 같이, 발포 폴리우레탄으로 구성된 연마 패드의 표면 및 단면의 발포층(개공층)이 거의 균일하게 형성되어 있다. 도 11의 연마 패드를 사용하여 1 내지 복수의 반도체 웨이퍼를 폴리싱하면, 발포층 내부에 반응 생성물이나 연마제 입자가 압축되어 가둬지며, 발포층은 도면에 사선으로 도시한 바와 같이 막힌 것이 많아서, 폴리싱시에 연마제를 수용할 여지가 없어져 폴리싱에 적합하지 않게 되어 있다. 도 13에 도시한 종래 기술에서는 시간을 들여서 연마 패드를 버진 패드와 동일한 상태로 회복시키고 있다. 도 14는 도 12에 도시한 연마 패드를 세라믹 드레서로 드레싱한 후의 상태를 도시한 것이다. 세라믹 드레서만의 단시간 처리로 도시한 바와 같이 충분히 회복된다.
다음으로, 도 15 내지 도 18을 참조하여 제4 실시예를 설명한다.
종래, 발포 폴리우레탄계의 연마 패드를 사용하고, 연마제에 실리콘의 표면에 피복을 형성하는 친수성 다당류를 첨가한 연마액을 사용하여 폴리싱을 행함으로써 디싱을 억제할 수 있는 폴리싱 방법이 알려져 있다.
도 15는 이 폴리싱 방법에 사용되는 폴리싱 장치의 일부를 도시하는 사시도이다. 도 2의 폴리싱 장치와 마찬가지로, 이 폴리싱 장치에는, 표면에 연마 패드(19)가 설치된 회전하는 연마반(17)을 갖고 있다. 연마 패드(19)의 상방에는 실리콘 웨이퍼를 고정하면서 구동 샤프트(35)에 의해 회전되는 흡착반(33), 연마제 공급용 노즐(30) 및 첨가제 공급용 노즐(32)이 배치되어 있다. 흡착반(33)에 설치된 실리콘 웨이퍼는, 예를 들면, 폴리실리콘막이 형성된 폴리싱면을 연마 패드(19)에 누르고, 가압하면서 회전시킨다. 이때, 노즐(30)로부터 연마제가, 또한, 노즐(32)로부터 첨가제가 각각 동시에 연마 패드(19) 위에 적하된다. 연마제는, 실리카 등의 연마 입자를 포함하는 알칼리 용액이다. 알칼리 용액은, 예를 들면, 유기 아민 등으로 이루어지는 실리콘을 화학적으로 에칭하는 재료이다.
첨가제에는, 예를 들면, 히드록시에틸셀룰로오스 등의 셀룰로오스계, 푸란, 피롤리돈 등이 있다. 첨가제는 연마제에 대해 1∼10 wt% 정도가 적당하다. 또한, 친수성 다당류 등을 용해시키는 용매로서는, 예를 들면, 암모니아나 트리에타놀아민 등이 있다.
도 16 및 도 17은 실리콘 등의 반도체 기판의 피폴리싱막을 연마 패드를 사용하여 폴리싱하는 상태를 도시하는 반도체 기판 단면도이다.
첨가제로서 히드록시에틸셀룰로오스가 첨가된 연마제(34)는 반도체 기판(1) 상의 실리콘 산화막(2) 위에 형성된 폴리실리콘막(3)의 오목부에 들어가 폴리실리콘막(3)을 폴리싱해 간다. 그 때, 요철을 가진 폴리실리콘막(3)의 표면에 히드록시에틸셀룰로오스가 부착되어, 피막(36)이 형성된다. 피막(36)은, 볼록 부분으로부터 연마 패드(19) 및 연마제 중의 연마 입자에 의해 기계적으로 폴리싱되어 제거된다. 그 결과, 폴리실리콘막(3)의 볼록부만이 노출된다. 노출된 폴리실리콘막은 연마 패드(19) 및 연마 입자에 의해 기계적으로 폴리싱됨과 동시에 알칼리 용액에 의해 화학적으로 에칭되어 간다. 한편, 오목부에 형성되어 있는 피막(36)은 그대로 남으며, 폴리실리콘막(3)의 오목부를 피복한다. 이 오목부를 피복하는 피막(36)은 이 오목부를 알칼리 용액에 의한 화학적 에칭으로부터 보호한다.
이 실시예에서는, 1 개의 실리콘 웨이퍼를 폴리싱할 때 마다 본 발명의 특징인 세라믹 드레서를 사용하여 그 실리콘 웨이퍼에 대해 드레싱을 행한다. 도 7에 도시한 어느 하나의 드레서를 사용해도 좋다.
다음에, 도 18에 도시한 특성도를 참조하여 본 실시예의 작용을 설명한다.
웨이퍼 처리 동안 마다 세라믹 드레서를 사용하여 연마 패드 길들임을 행하므로 폴리싱 특성의 안정성을 유지시킬 수 있다. 세라믹 드레서에 의한 드레싱은 다이아몬드 드레서를 사용함으로써 디싱을 억제할 수 있으며, 드레싱이 없는 프로세스 보다도 연마 패드로부터의 먼지 발생에 의한 반도체 웨이퍼로의 더스트 흡착을 억제할 수 있다[도 18의 (a)]. 또한, 연마 패드의 고 수명화나, 레이트의 안정도 기대할 수 있다. 또한, 연마 패드의 교체 후의 연마 패드 입자의 입자 유지도 가능하다[도 18의 (b)].
본 실시예에 사용되는 실리콘 표면에 피막을 형성하는 첨가제는, 친수성 다당류에 한정되지 않는다. 과도한 폴리싱을 방지하는 재료라면 어떠한 것이라도 좋다. 예를 들면, 실리콘표면을 산화시키는 재료이어도 좋다.
다음에, 도 19 및 도 20을 참조하여 제5 실시예인 도 2에 도시한 폴리싱 장치를 사용한 폴리싱법에 의한 웨이퍼 표면의 SiO2막의 평탄화 처리를 설명한다. 우선, 반도체 기판(1) 위에 CVD법 등에 의해 Si3N4막(7)을 형성한다[도 19의 (a)]. 이어서, 패터닝을 행하여 Si3N4막(7) 및 반도체 기판(1)의 소정 부분을 에칭하고, 그 곳에 홈부(8)를 형성한다[도 19의 (b)]. 그리고, Si3N4막(7) 위와 홈부(8) 내에 SiO2막(5)을 CVD법에 의해 적층한다[도 20의 (a)]. 계속해서, CMP법에 의해 SiO2막(5)을 폴리싱하고, 스토퍼막이 되는 Si3N4막(7)의 노출을 검출한 단계에서 SiO2막(5)의 폴리싱을 종료시킴으로써, 홈부(8) 내로의 SiO2막(5)의 매립이 완료함과 함께 반도체 기판(1) 표면의 평탄화가 행해진다[도 20의 (b)].
이 폴리싱을 1 개 내지 복수 개의 실리콘 웨이퍼에 대해 행하고나서 본 발명의 특징인 드레싱을 연마 패드에 대해 행한다. 실리콘 웨이퍼를 폴리싱함으로써 열화된 연마 패드는 단기간에 회복된다.
최근, CMP 기술이 고집적 디바이스의 제조 프로세스에 이용되고 있다. 그러므로, 다음에, 도 21을 참조하여 제6 실시예인 고집적 디바이스의 제조 프로세스를 설명한다. 도 21은 트렌치 소자 분리 프로세스에 적용된 반도체 장치의 제조 공정 단면도이다. 반도체 기판(1) 표면을 열산화하여 SiO2막(2)을 형성한 후, 폴리싱의 스토퍼막이 되는 Si3N4막(7)을 이 SiO2막 위에 CVD법에 의해 형성한다. 다음에, 리소그래피에 의한 패터닝에 의해 소자 분리 형성 영역의 Si3N4막(7)과, SiO2막(2) 및 반도체 기판(1)의 일부를 제거하여 홈부(9)를 형성한다. 이어서, 홈부(9) 내의 반도체 기판(1) 표면을 산화하고, 다시 홈부(9)의 바닥에 붕소를 이온 주입하여, 채널 컷 영역(10)을 형성한다. 다음에, Si3N4막(7) 위와 홈부(9) 내에 폴리실리콘막(3)을 CVD법에 의해 형성한다[도 21의 (a)]. 폴리실리콘막 대신에 SiO2를 이용해도 좋다. 다음으로, 반도체 기판(1) 표면의 폴리실리콘막(3)을 Si3N4막(7)이 노출할 때 까지 폴리싱한다[도 21의 (b)]. 이 때의 폴리싱 조건에서는, 폴리실리콘막과 비교하여 Si3N4막(7)의 폴리싱 레이트는 약 1/10∼1/200 정도로 작은 조건을 이용하고 있으므로 Si3N4막(7)에서 폴리싱을 저지할 수 있어, 홈 내부에만 폴리실리콘막(3)이 매립된다.
이와 같이 폴리싱에서의 스토퍼막은, 폴리싱하고자 하는 막과 비교하여 폴리싱 레이트가 작은 것을 선택하고, 폴리싱 시간을 지정함으로써 이 스토퍼막이 노출된 단계에서 폴리싱을 종료시킬 수 있다.
이 폴리싱을 1 개 내지 복수 개의 실리콘 웨이퍼에 대해 행하고나서 본 발명의 특징인 드레싱을 연마 패드에 대해 행한다. 실리콘 웨이퍼를 폴리싱함으로써 열화된 연마 패드는 단기간에 회복된다.
다음에, 도 22 및 도 23을 참조하여 제7 실시예인 금속 배선을 절연막의 홈부 내에 매립하는 경우에 이용하는 폴리싱 방법을 설명한다.
반도체 기판(1) 위에 CVD법에 의한 SiO2막(5) 및 플라즈마 SiO2막(12)을 계속해서 형성한다[도 22의 (a)]. 이어서, 플라즈마 SiO2막(12)을 패터닝하여 소정 개소에 홈부(14)를 형성한다[도 22의 (b)]. 홈부(14) 내와 플라즈마 SiO2막(12)의 전면에 Cu막(16)을 적층한다[도 22의 (c)]. 플라즈마 SiO2막(12)을 스토퍼막으로서 Cu막(16)을 폴리싱한다. 플라즈마 SiO2막(12)이 노출된 단계에서 Cu막(16)의 폴리싱을 종료시킴으로써 홈부(14) 내에만 Cu막(14)이 매립되며, Cu 매립 배선이 형성된다[도 23의 (a)].
이러한 폴리싱에 의해 반도체 기판(1)의 표면이 평탄화되며, 계속해서 2 층째의 플라즈마 SiO2막(18)의 형성이 용이해진다[도 23의 (b)]. 이 CMP법에 의한 평탄화에 의해 2 층째, 3 층째의 전극 배선(도시 생략)의 형성이 용이해진다.
이러한 폴리싱을 1 개 내지 복수 개의 실리콘 웨이퍼에 대해 행하고나서 본 발명의 특징인 드레싱을 연마 패드에 대해 행한다. 실리콘 웨이퍼를 폴리싱함으로써 열화된 연마 패드는 단기간에 회복된다.
본 발명은 이상의 구성에 의해 (1) 연마 패드의 개공(발포층) 내부에 막힌 반응 생성물이나 연마제 입자 등이 압축되어 속박되어 있는 불순물을 제거할 수 있으며, 또한 표면의 거칠기가 심한 발포층을 제거할 수 있다. (2) 재생된 연마 패드의 표면은, 컨디셔닝 후의 상태와 거의 동일하며, 컨디셔닝을 행하지 않고 다음 폴리싱을 행할 수 있다. (3) 본 발명의 세라믹 드레서를 폴리싱 후 혹은 폴리싱과 동시에 행함으로써 안정한 폴리싱 레이트와 폴리싱의 균일성을 얻을 수 있다. 또한, (4) 연마제에 과도한 폴리싱을 방지하는 피막을 형성하는 첨가제를 첨가함으로써, 디싱을 억제한 상태에서 더스트를 감소시켜 연마 패드의 고 수명화나 폴리싱 레이트의 안정성을 유지할 수 있다.

Claims (37)

  1. 연마 입자를 포함하는 연마제를 반도체 웨이퍼의 폴리싱면에 살포하면서 그 반도체 웨이퍼를 연마 패드에 의해 폴리싱하는 처리를 적어도 1 개의 반도체 웨이퍼에 대해 행하는 공정, 및
    상기 적어도 1 개의 반도체 웨이퍼를 폴리싱함으로써 열화된 상기 연마 패드의 표면을 세라믹 드레서를 사용하여 드레싱하는 공정
    을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 연마 패드의 드레싱 방법.
  2. 사용이 완료된 연마 패드의 표면을 다이아몬드 드레서를 사용하여 드레싱하는 공정,
    상기 다이아몬드 드레서로 처리된 연마 패드의 표면을 세라믹 드레서를 사용하여 드레싱하는 공정,
    연마 입자를 포함하는 연마제를 반도체 웨이퍼의 폴리싱면에 살포하면서 그 반도체 웨이퍼를 상기 연마 패드에 의해 폴리싱하는 공정을 적어도 1 개의 반도체 웨이퍼에 대해 행하는 공정, 및
    상기 적어도 1 개의 반도체 웨이퍼를 폴리싱함으로써 열화된 상기 연마 패드의 표면을 상기 세라믹 드레서를 사용하여 드레싱하는 공정
    을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 연마 패드의 드레싱 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 세라믹 드레서에 의해 재생된 상기 열화된 연마 패드를, 상기 적어도 1 개의 반도체 웨이퍼를 폴리싱함으로써 열화시킨 후, 다시 세라믹 드레서를 사용하여 드레싱하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 패드의 드레싱 방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 세라믹 드레서에 의해 재생된 상기 열화된 연마 패드를, 상기 적어도 1 개의 반도체 웨이퍼를 폴리싱함으로써 열화시킨 후, 다시 세라믹 드레서를 사용하여 드레싱하는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 패드의 드레싱 방법.
  5. 제3항에 있어서, 상기 다시 세라믹 드레서를 사용하여 드레싱하는 공정을 복수회 반복한 상기 연마 패드는 다이아몬드 드레서로 드레싱하는 것을 특징으로 하는 연마 패드의 드레싱 방법.
  6. 제4항에 있어서, 상기 다시 세라믹 드레서를 사용하여 드레싱하는 공정을 복수회 반복한 상기 연마 패드는 다이아몬드 드레서로 드레싱하는 것을 특징으로 하는 연마 패드의 드레싱 방법.
  7. 제5항에 있어서, 상기 다이아몬드 드레서로 드레싱된 상기 연마 패드는 폴리싱 처리에 사용하기 전에 세라믹 드레서로 드레싱하여 재생하는 것을 특징으로 하는 연마 패드의 드레싱 방법.
  8. 제6항에 있어서, 상기 다이아몬드 드레서로 드레싱된 상기 연마 패드는 폴리싱 처리에 사용하기 전에 세라믹 드레서로 드레싱하여 재생하는 것을 특징으로 하는 연마 패드의 드레싱 방법.
  9. 제1항에 있어서, 상기 세라믹 드레서의 표면에는 적어도 1 개의 단차가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 연마 패드의 드레싱 방법.
  10. 제2항에 있어서, 상기 세라믹 드레서의 표면에는 적어도 1 개의 단차가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 연마 패드의 드레싱 방법.
  11. 반도체 웨이퍼를 폴리싱하는 연마 패드,
    연마제를 상기 연마 패드에 공급하는 수단,
    연마반 구동축에 의해 구동되며, 표면에 상기 연마 패드를 설치한 연마반, 및
    상기 연마 패드에 눌려지도록 설치된 세라믹 드레서
    를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  12. 제11항에 있어서, 다이아몬드 드레서가 더 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  13. 제11항 또는 제12항에 있어서, 상기 세라믹 드레서의 회전수 및 상기 연마 패드에의 누름 압력을 조정하는 제어 기구를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 폴리싱 장치.
  14. 연마 패드를 폴리싱 장치의 연마반에 설치하는 공정,
    연마 입자를 포함하는 연마제를 반도체 웨이퍼의 폴리싱면에 살포하면서 그 반도체 웨이퍼 표면의 피폴리싱막을 상기 연마 패드에 의해 폴리싱하는 공정,
    상기 연마 패드를 사용하여 복수의 반도체 웨이퍼 표면의 피폴리싱막을 폴리싱하는 공정, 및
    상기 복수의 반도체 웨이퍼 표면의 피폴리싱막을 폴리싱함으로써 열화된 상기 연마 패드의 표면을 세라믹 드레서를 사용하여 드레싱하는 공정
    을 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  15. 제14항에 있어서, 상기 연마 패드가 상기 연마반에 의해 회전되며, 상기 반도체 웨이퍼는 그 회전하는 연마 패드에 눌려지면서 폴리싱되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  16. 제15항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼를 상기 연마 패드로부터 제거하고나서 상기 세라믹 드레서를 상기 회전하는 연마 패드에 누르고 드레싱하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  17. 제15항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼가 상기 연마 패드에 눌려져 있을 때, 상기 세라믹 드레서를 상기 연마 패드에 누르고, 폴리싱하면서 드레싱하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  18. 제15항에 있어서, 상기 반도체 웨이퍼가 상기 연마 패드에 눌려져 있을 때, 상기 세라믹 드레서 및 다이아몬드 드레서를 상기 연마 패드에 누르고, 폴리싱하면서 상기 다이아몬드 드레서에 의한 드레싱 및 상기 세라믹 드레서에 의한 드레싱을 행하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  19. 제14항에 있어서, 상기 피폴리싱막을 폴리싱할 때, 상기 연마 패드에 순수(純水)를 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  20. 제15항에 있어서, 상기 피폴리싱막을 폴리싱할 때, 상기 연마 패드에 순수를 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  21. 제16항에 있어서, 상기 피폴리싱막을 폴리싱할 때, 상기 연마 패드에 순수를 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  22. 제17항에 있어서, 상기 피폴리싱막을 폴리싱할 때, 상기 연마 패드에 순수를 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  23. 제18항에 있어서, 상기 피폴리싱막을 폴리싱할 때, 상기 연마 패드에 순수를 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  24. 제14항에 있어서, 상기 피폴리싱막을 폴리싱할 때, 상기 연마 패드에 디싱을 억제하는 첨가제를 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  25. 제19항에 있어서, 상기 피폴리싱막을 폴리싱할 때, 상기 연마 패드에 디싱을 억제하는 첨가제를 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  26. 제20항에 있어서, 상기 피폴리싱막을 폴리싱할 때, 상기 연마 패드에 디싱을 억제하는 첨가제를 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  27. 제21항에 있어서, 상기 피폴리싱막을 폴리싱할 때, 상기 연마 패드에 디싱을 억제하는 첨가제를 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  28. 제22항에 있어서, 상기 피폴리싱막을 폴리싱할 때, 상기 연마 패드에 디싱을 억제하는 첨가제를 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  29. 제23항에 있어서, 상기 피폴리싱막을 폴리싱할 때, 상기 연마 패드에 디싱을 억제하는 첨가제를 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  30. 제14항에 있어서, 상기 피폴리싱막을 폴리싱할 때, 상기 연마 패드에, 상기 피폴리싱막 표면에 화학적인 에칭을 저지하는 피막을 형성하는 첨가제를 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  31. 제19항에 있어서, 상기 피폴리싱막을 폴리싱할 때, 상기 연마 패드에, 상기 피폴리싱막 표면에 화학적인 에칭을 저지하는 피막을 형성하는 첨가제를 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  32. 제20항에 있어서, 상기 피폴리싱막을 폴리싱할 때, 상기 연마 패드에, 상기 피폴리싱막 표면에 화학적인 에칭을 저지하는 피막을 형성하는 첨가제를 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  33. 제21항에 있어서, 상기 피폴리싱막을 폴리싱할 때, 상기 연마 패드에, 상기 피폴리싱막 표면에 화학적인 에칭을 저지하는 피막을 형성하는 첨가제를 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  34. 제22항에 있어서, 상기 피폴리싱막을 폴리싱할 때, 상기 연마 패드에, 상기 피폴리싱막 표면에 화학적인 에칭을 저지하는 피막을 형성하는 첨가제를 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  35. 제23항에 있어서, 상기 피폴리싱막을 폴리싱할 때, 상기 연마 패드에, 상기 피폴리싱막 표면에 화학적인 에칭을 저지하는 피막을 형성하는 첨가제를 공급하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  36. 제24항에 있어서, 상기 디싱을 억제하는 첨가제는 친수성 다당류계의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
  37. 제30항에 있어서, 상기 디싱을 억제하는 첨가제는 친수성 다당영계의 재료로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 제조 방법.
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