JP2005262406A - 研磨装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 処理膜が堆積された半導体基板(10)を回転させる回転機構(11a,11b,11c)と、前記被処理膜の被研磨面に薬液を供給する供給ユニット(12)とを具備する研磨装置である。前記供給ユニットは、研磨粒子噴射ノズル(13)、添加剤供給口(14)、および水供給口(15)を有し、前記半導体基板の表面、側面および裏面の少なくとも一方に向けて、前記薬液を供給可能であることを特徴とする。
【選択図】 図1
Description
本発明の実施形態にかかる研磨装置を用いて、以下のような手法によりCu−CMPを行なって、研磨後の界面の状態を調べた。
本発明の実施形態にかかる研磨装置を用いて、半導体基板の側面および裏面に堆積した絶縁膜の研磨を行なった例を説明する。
図8には、絶縁膜が堆積された半導体基板をマクロ的に示す。まず、図8(a)に示すように、半導体基板30上にLP−CVDによりLP−SiN膜31を100nm堆積する。反応性ガスが半導体基板30の全面に等方的に供給されることから、図示するように、SiN膜31は、半導体基板30の表面、側面および裏面全ての面に堆積する。本実施形態にかかる装置を用いて研磨し、図8(b)に示されるように半導体基板30は実質的に研磨せずに、基板の側面および裏面に堆積したSiN膜31を選択的に研磨して除去する。
13…スラリー噴射ノズル; 14…添加剤供給口; 15…水供給口
16…軌道; 17…研磨ヘッド; 20…半導体基板; 21…絶縁膜; A…凹部
22…ヴィア; 23…低誘電率絶縁膜; 24…キャップ膜; 25…Ta膜
26…Cu膜; 27…導電性層; 30…半導体基板; 31…LP−SiN膜。
Claims (5)
- 被処理膜が堆積された半導体基板を回転させる回転機構と、
前記被処理膜の被研磨面に薬液を供給する供給ユニットとを具備し、
前記供給ユニットは、研磨粒子噴射ノズル、添加剤供給口、および水供給口を有し、前記半導体基板の表面、側面および裏面の少なくとも一方に向けて、前記薬液を供給可能であることを特徴とする研磨装置。 - 前記半導体基板の表面または裏面に向けて配置された前記供給ユニットは、前記被研磨面の全面に薬液を供給するように移動可能であることを特徴とする請求項1に記載の研磨装置。
- 前記供給ユニットは、2つ以上設けられることを特徴とする請求項1または2に記載の研磨装置。
- 半導体基板上に絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に凹部を形成する工程と、
前記凹部の内部および前記絶縁膜の上に導電性材料を堆積して、導電性層を形成する工程と、
前記絶縁膜の上に堆積された前記導電性材料を除去して前記絶縁膜の表面を露出させることにより、前記導電性材料を前記凹部内に残置する工程とを具備し、
前記絶縁膜上に堆積された前記導電性材料の除去は、
研磨粒子噴射ノズル、添加剤供給口および水供給口を有する供給ユニットを、前記導電性層の被研磨面に向けて配置して前記半導体基板を回転させ、
前記研磨粒子噴射ノズルから研磨粒子を噴射するとともに、前記添加剤供給口から少なくとも酸化剤を供給することにより前記導電性材料を研磨し、
研磨後の前記被研磨面に前記水供給口から水を供給して洗浄する
ことにより行なわれることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基板の少なくとも表面および側面に絶縁膜を堆積する工程と、
前記半導体基板の表面以外の領域に堆積された絶縁膜を除去する工程とを具備し、
前記絶縁膜の除去は、
研磨粒子噴射ノズル、添加剤供給口および水供給口を有する供給ユニットを、前記絶縁膜の被研磨面に向けて配置して前記半導体基板を回転させ、
前記研磨粒子噴射ノズルから研磨粒子を噴射するとともに、前記添加剤供給口から界面活性剤を供給することにより前記絶縁膜を研磨し、
研磨後の前記被研磨面に前記水供給口から水を供給して洗浄する
ことにより行なわれることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004080812A JP2005262406A (ja) | 2004-03-19 | 2004-03-19 | 研磨装置および半導体装置の製造方法 |
US11/023,599 US20050205207A1 (en) | 2004-03-19 | 2004-12-29 | Polishing apparatus and method for manufacturing semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004080812A JP2005262406A (ja) | 2004-03-19 | 2004-03-19 | 研磨装置および半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005262406A true JP2005262406A (ja) | 2005-09-29 |
Family
ID=34984937
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004080812A Pending JP2005262406A (ja) | 2004-03-19 | 2004-03-19 | 研磨装置および半導体装置の製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20050205207A1 (ja) |
JP (1) | JP2005262406A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2013153141A (ja) * | 2011-12-27 | 2013-08-08 | Shibaura Mechatronics Corp | 基板の処理装置及び処理方法 |
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CN107301969A (zh) * | 2017-08-14 | 2017-10-27 | 通威太阳能(安徽)有限公司 | 一种喷涂式刻蚀槽 |
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2004
- 2004-03-19 JP JP2004080812A patent/JP2005262406A/ja active Pending
- 2004-12-29 US US11/023,599 patent/US20050205207A1/en not_active Abandoned
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Publication number | Publication date |
---|---|
US20050205207A1 (en) | 2005-09-22 |
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A977 | Report on retrieval |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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A521 | Written amendment |
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A02 | Decision of refusal |
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A521 | Written amendment |
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|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
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