JP2002170792A - 研磨液供給装置及び研磨液供給方法、研磨装置及び研磨方法、並びに、半導体装置の製造方法 - Google Patents
研磨液供給装置及び研磨液供給方法、研磨装置及び研磨方法、並びに、半導体装置の製造方法Info
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- JP2002170792A JP2002170792A JP2000363478A JP2000363478A JP2002170792A JP 2002170792 A JP2002170792 A JP 2002170792A JP 2000363478 A JP2000363478 A JP 2000363478A JP 2000363478 A JP2000363478 A JP 2000363478A JP 2002170792 A JP2002170792 A JP 2002170792A
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- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B57/00—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents
- B24B57/02—Devices for feeding, applying, grading or recovering grinding, polishing or lapping agents for feeding of fluid, sprayed, pulverised, or liquefied grinding, polishing or lapping agents
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24C—ABRASIVE OR RELATED BLASTING WITH PARTICULATE MATERIAL
- B24C11/00—Selection of abrasive materials or additives for abrasive blasts
- B24C11/005—Selection of abrasive materials or additives for abrasive blasts of additives, e.g. anti-corrosive or disinfecting agents in solid, liquid or gaseous form
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 研磨液の混合時に砥粒の凝集を起こさず、安
定して研磨液を供給する研磨液供給装置及び研磨液供給
方法、研磨装置及び研磨方法、並びに、半導体装置の製
造方法を提供する。 【解決手段】 第１の供給部２から混合部５内に砥粒を
含む研磨剤２０を噴霧して供給し、第２の供給部３から
混合部５内に添加剤３０を噴霧して供給し、第３の供給
部４から混合部５内に純水４０を噴霧して供給する。混
合部５は、霧状の研磨剤２０と、霧状の添加剤３０と、
霧状の純水４０とを混合して研磨液を調整して、その研
磨液を研磨ステージ１の主面上に供給する。
定して研磨液を供給する研磨液供給装置及び研磨液供給
方法、研磨装置及び研磨方法、並びに、半導体装置の製
造方法を提供する。 【解決手段】 第１の供給部２から混合部５内に砥粒を
含む研磨剤２０を噴霧して供給し、第２の供給部３から
混合部５内に添加剤３０を噴霧して供給し、第３の供給
部４から混合部５内に純水４０を噴霧して供給する。混
合部５は、霧状の研磨剤２０と、霧状の添加剤３０と、
霧状の純水４０とを混合して研磨液を調整して、その研
磨液を研磨ステージ１の主面上に供給する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、研磨装置及び研磨
方法に係り、特に研磨装置に研磨液を供給する研磨液供
給装置及び研磨液供給方法に関するものである。
方法に係り、特に研磨装置に研磨液を供給する研磨液供
給装置及び研磨液供給方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の微細化に伴って、層間
絶縁膜の平坦性を確保することが重要となっている。こ
れは、平坦性が確保されない場合には、写真製版工程に
おけるフォーカス深度マージンが縮小したり、エッチン
グ工程におけるオーバーエッチング量のマージンが縮小
するためである。
絶縁膜の平坦性を確保することが重要となっている。こ
れは、平坦性が確保されない場合には、写真製版工程に
おけるフォーカス深度マージンが縮小したり、エッチン
グ工程におけるオーバーエッチング量のマージンが縮小
するためである。
【０００３】平坦化の手法として、次に挙げるような手
法がある。第１の手法は、ＢＰＳＧ（Borophosphosilic
ate Glass）膜を半導体基板上に形成した後、熱処理を
施すことにより膜の粘性流動を起こして平坦化する手法
である。第２の手法は、ＳＯＧ（Spin on Glass）を用
いて段差の凹部を埋めた後、層間絶縁膜を形成して平坦
化する手法である。第３の手法は、層間絶縁膜上にフォ
トレジストを塗布し、このフォトレジストと層間絶縁膜
とを同じ選択比でエッチングして平坦化する手法であ
る。第４の手法は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Poli
shing）法を用いて平坦化する手法である。また、上述
した手法を組み合わせた数々の改良法が考案されてい
る。
法がある。第１の手法は、ＢＰＳＧ（Borophosphosilic
ate Glass）膜を半導体基板上に形成した後、熱処理を
施すことにより膜の粘性流動を起こして平坦化する手法
である。第２の手法は、ＳＯＧ（Spin on Glass）を用
いて段差の凹部を埋めた後、層間絶縁膜を形成して平坦
化する手法である。第３の手法は、層間絶縁膜上にフォ
トレジストを塗布し、このフォトレジストと層間絶縁膜
とを同じ選択比でエッチングして平坦化する手法であ
る。第４の手法は、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Poli
shing）法を用いて平坦化する手法である。また、上述
した手法を組み合わせた数々の改良法が考案されてい
る。
【０００４】次に、図９を参照して、従来のＣＭＰ法を
用いた半導体装置の製造方法について説明する。先ず、
半導体基板１０１上に、図示しない配線層を形成する。
ここで、上記配線層には、パターンの占有率を揃えるよ
うにダミーパターンが配置されている。しかし、様々な
デバイス構造上の制約により、パターンの間隔が密な部
分と粗な部分、すなわちパターンの粗密間差が発生す
る。そして、上述した粗密間差を有する配線層上に、層
間絶縁膜１０２を形成すると、図９（ａ）に示すような
構造が得られる。すなわち、下層の配線層の形状に対応
して、層間絶縁膜１０２の表面に、小さい凸部１０２ａ
及び大きい凸部１０２ｂが形成される。次に、図９
（ｂ）に示すように、半導体基板１０１と研磨テーブル
１０５の間にシリカ砥粒１０４を含有する研磨液を供給
して、ＣＭＰ法による研磨を行う。その結果、図９
（ｃ）に示すような構造が得られる。すなわち、小さい
凸部１０２ａは研磨されるが、例えばミリメートルオー
ダーの大きい凸部１０２ｂは研磨されず、層間絶縁膜１
０２が平坦化されていない。さらに、大きい凸部１０２
ｂにおいて、中央部とエッジ部との間に段差が生じてい
る。図１０は、研磨時に研磨ステージに加わる応力分布
を説明するための断面図である。図１０に示すように、
凹凸形状を有する層間絶縁膜１０２において、研磨テー
ブル１０５に加わる応力Ａの分布が不均一になる。この
結果、研磨レートに差が生じ、平坦性が悪くなってしま
う（図９参照）。
用いた半導体装置の製造方法について説明する。先ず、
半導体基板１０１上に、図示しない配線層を形成する。
ここで、上記配線層には、パターンの占有率を揃えるよ
うにダミーパターンが配置されている。しかし、様々な
デバイス構造上の制約により、パターンの間隔が密な部
分と粗な部分、すなわちパターンの粗密間差が発生す
る。そして、上述した粗密間差を有する配線層上に、層
間絶縁膜１０２を形成すると、図９（ａ）に示すような
構造が得られる。すなわち、下層の配線層の形状に対応
して、層間絶縁膜１０２の表面に、小さい凸部１０２ａ
及び大きい凸部１０２ｂが形成される。次に、図９
（ｂ）に示すように、半導体基板１０１と研磨テーブル
１０５の間にシリカ砥粒１０４を含有する研磨液を供給
して、ＣＭＰ法による研磨を行う。その結果、図９
（ｃ）に示すような構造が得られる。すなわち、小さい
凸部１０２ａは研磨されるが、例えばミリメートルオー
ダーの大きい凸部１０２ｂは研磨されず、層間絶縁膜１
０２が平坦化されていない。さらに、大きい凸部１０２
ｂにおいて、中央部とエッジ部との間に段差が生じてい
る。図１０は、研磨時に研磨ステージに加わる応力分布
を説明するための断面図である。図１０に示すように、
凹凸形状を有する層間絶縁膜１０２において、研磨テー
ブル１０５に加わる応力Ａの分布が不均一になる。この
結果、研磨レートに差が生じ、平坦性が悪くなってしま
う（図９参照）。
【０００５】このように、被研磨物（例えば、層間絶縁
膜１０２）の凸部の大きさによって平坦化の程度が異な
ってしまうという問題があった。すなわち、シリカ砥粒
１０４を含む研磨液を用いたＣＭＰではパターン依存性
があった。
膜１０２）の凸部の大きさによって平坦化の程度が異な
ってしまうという問題があった。すなわち、シリカ砥粒
１０４を含む研磨液を用いたＣＭＰではパターン依存性
があった。
【０００６】上述したように構造上の制約により被研磨
物に粗密間差が生じてしまうデバイスに対し、例えば特
開平１１−１４５１４０号公報又は特開平９−２４６２
１９号公報に開示された手法のように、平坦性を改善す
る手法が提案されている。この手法は、図１１に示すよ
うに、被研磨膜を二層構造にし、その上層の被研磨膜と
して、膜厚が薄く且つ研磨レートの低い膜を配置する手
法である。詳細には、図１１（ａ）に示すように、半導
体基板１０１上に第1の層間絶縁膜１０２を形成する。
次に、図１１（ｂ）に示すように、第1の層間絶縁膜１
０２上に、第２の層間絶縁膜１０６を形成する。そし
て、図１１（ｃ）に示すように、半導体基板１０１と研
磨テーブル１０５との間に、シリカ砥粒１０４を含有す
る研磨液を供給して、ＣＭＰ法による研磨を行う。その
結果、図１１（ｄ）に示すような構造が得られる。すな
わち、平坦性が改善される。
物に粗密間差が生じてしまうデバイスに対し、例えば特
開平１１−１４５１４０号公報又は特開平９−２４６２
１９号公報に開示された手法のように、平坦性を改善す
る手法が提案されている。この手法は、図１１に示すよ
うに、被研磨膜を二層構造にし、その上層の被研磨膜と
して、膜厚が薄く且つ研磨レートの低い膜を配置する手
法である。詳細には、図１１（ａ）に示すように、半導
体基板１０１上に第1の層間絶縁膜１０２を形成する。
次に、図１１（ｂ）に示すように、第1の層間絶縁膜１
０２上に、第２の層間絶縁膜１０６を形成する。そし
て、図１１（ｃ）に示すように、半導体基板１０１と研
磨テーブル１０５との間に、シリカ砥粒１０４を含有す
る研磨液を供給して、ＣＭＰ法による研磨を行う。その
結果、図１１（ｄ）に示すような構造が得られる。すな
わち、平坦性が改善される。
【０００７】しかし、特開平１１−１４５１４０号公報
及び特開平９−２４６２１９号公報に開示された手法
（図１１参照）では、被研磨膜を二層構造としたため、
マスク枚数や製造工程数が多くなってしまう問題があっ
た。これにより、半導体装置の製造に要する工期が長く
なってしまう問題があった。また、半導体装置の製造コ
ストが高くなってしまう問題があった。
及び特開平９−２４６２１９号公報に開示された手法
（図１１参照）では、被研磨膜を二層構造としたため、
マスク枚数や製造工程数が多くなってしまう問題があっ
た。これにより、半導体装置の製造に要する工期が長く
なってしまう問題があった。また、半導体装置の製造コ
ストが高くなってしまう問題があった。
【０００８】上述したデバイスの設計上又は構造上の工
夫、すなわち被研磨膜を二層構造にしたことにより平坦
性を改善する手法に加え、近年、スラリーに高い平坦化
の機能を付加したもの（以下、高平坦化スラリーと称す
る）が提案されている。ここで、高平坦化スラリーと
は、従来の研磨剤（スラリー）に、有機酸系水溶液又は
過酸化水素水を添加剤として混合したものである。
夫、すなわち被研磨膜を二層構造にしたことにより平坦
性を改善する手法に加え、近年、スラリーに高い平坦化
の機能を付加したもの（以下、高平坦化スラリーと称す
る）が提案されている。ここで、高平坦化スラリーと
は、従来の研磨剤（スラリー）に、有機酸系水溶液又は
過酸化水素水を添加剤として混合したものである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記高平坦化
スラリーは、研磨剤と添加剤とを上手く混合できないと
いう問題があった。これは、高平坦化スラリーを形成す
るために研磨剤と添加剤を混合する際に、砥粒が凝集を
起こして、大きい粒径の砥粒（以下、粗粒と称する）を
形成してしまうからである。
スラリーは、研磨剤と添加剤とを上手く混合できないと
いう問題があった。これは、高平坦化スラリーを形成す
るために研磨剤と添加剤を混合する際に、砥粒が凝集を
起こして、大きい粒径の砥粒（以下、粗粒と称する）を
形成してしまうからである。
【００１０】図１２は、研磨液に含まれる砥粒数の変化
を説明するための図である。図１２において、粒径が
１．６６μｍ以上の粗粒の数の変化を示している。同図
に示すように、高平坦化の機能を付加するために添加剤
を混合する前後で、約４倍も粗粒が増加している。
を説明するための図である。図１２において、粒径が
１．６６μｍ以上の粗粒の数の変化を示している。同図
に示すように、高平坦化の機能を付加するために添加剤
を混合する前後で、約４倍も粗粒が増加している。
【００１１】上記研磨液混合時に増加した粗粒は、半導
体基板上に形成されるスクラッチ（研磨傷）を増大させ
る要因となる。このスクラッチは、半導体製造プロセス
において歩留まりを悪化させる問題があった。
体基板上に形成されるスクラッチ（研磨傷）を増大させ
る要因となる。このスクラッチは、半導体製造プロセス
において歩留まりを悪化させる問題があった。
【００１２】本発明は、上記従来の課題を解決するため
になされたもので、研磨液の混合時に砥粒の凝集を起こ
さず、安定して研磨液を供給する研磨液供給装置及び研
磨液供給方法、研磨装置及び研磨方法、並びに、半導体
装置の製造方法を提供することを目的とする。
になされたもので、研磨液の混合時に砥粒の凝集を起こ
さず、安定して研磨液を供給する研磨液供給装置及び研
磨液供給方法、研磨装置及び研磨方法、並びに、半導体
装置の製造方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明に係る研
磨液供給装置は、主面上に半導体基板を配置する研磨テ
ーブルと、研磨剤を噴霧して供給する第１の供給部と、
添加剤を噴霧して供給する第２の供給部と、純水を噴霧
して供給する第３の供給部と、前記第１の供給部から供
給された霧状の研磨剤、前記第２の供給部から供給され
た霧状の添加剤、及び前記第３の供給部から供給された
霧状の純水を混合して、前記研磨テーブルの主面上に供
給する混合部と、を備えることを特徴とするものであ
る。
磨液供給装置は、主面上に半導体基板を配置する研磨テ
ーブルと、研磨剤を噴霧して供給する第１の供給部と、
添加剤を噴霧して供給する第２の供給部と、純水を噴霧
して供給する第３の供給部と、前記第１の供給部から供
給された霧状の研磨剤、前記第２の供給部から供給され
た霧状の添加剤、及び前記第３の供給部から供給された
霧状の純水を混合して、前記研磨テーブルの主面上に供
給する混合部と、を備えることを特徴とするものであ
る。
【００１４】請求項２の発明に係る研磨液供給装置は、
主面上に半導体基板を配置する研磨テーブルと、研磨剤
を前記研磨テーブルの主面の所定位置に噴霧して供給す
る第１の供給部と、前記第１の供給部から供給された霧
状の研磨剤と混合するように、添加剤を前記研磨テーブ
ルの主面上に噴霧して供給する第２の供給部と、前記第
１の供給部から供給された霧状の研磨剤、及び前記第２
の供給部から供給された霧状の添加剤と混合するよう
に、純水を前記研磨テーブルの主面上に噴霧して供給す
る第３の供給部と、を備えることを特徴とするものであ
る。
主面上に半導体基板を配置する研磨テーブルと、研磨剤
を前記研磨テーブルの主面の所定位置に噴霧して供給す
る第１の供給部と、前記第１の供給部から供給された霧
状の研磨剤と混合するように、添加剤を前記研磨テーブ
ルの主面上に噴霧して供給する第２の供給部と、前記第
１の供給部から供給された霧状の研磨剤、及び前記第２
の供給部から供給された霧状の添加剤と混合するよう
に、純水を前記研磨テーブルの主面上に噴霧して供給す
る第３の供給部と、を備えることを特徴とするものであ
る。
【００１５】請求項３の発明に係る研磨液供給装置は、
請求項１に記載の研磨液供給装置において、前記各供給
部は、それぞれの液体を貯えるタンクと、前記タンクか
ら前記混合部まで前記液体を供給する配管と、前記タン
ク内の前記液体を前記配管に所望の圧力で供給するポン
プ、又は前記タンク内に気体を供給して前記タンク内の
前記液体を前記配管に所望の圧力で供給する気体供給部
と、前記配管内の前記液体の圧力を所望の圧力に制御す
る制御部と、前記配管で供給された前記液体を前記混合
部内に噴霧する噴霧部と、をそれぞれ備えることを特徴
とするものである。
請求項１に記載の研磨液供給装置において、前記各供給
部は、それぞれの液体を貯えるタンクと、前記タンクか
ら前記混合部まで前記液体を供給する配管と、前記タン
ク内の前記液体を前記配管に所望の圧力で供給するポン
プ、又は前記タンク内に気体を供給して前記タンク内の
前記液体を前記配管に所望の圧力で供給する気体供給部
と、前記配管内の前記液体の圧力を所望の圧力に制御す
る制御部と、前記配管で供給された前記液体を前記混合
部内に噴霧する噴霧部と、をそれぞれ備えることを特徴
とするものである。
【００１６】請求項４の発明に係る研磨液供給装置は、
請求項２に記載の研磨液供給装置において、前記各供給
部は、それぞれの液体を貯えるタンクと、前記タンクか
ら前記研磨テーブルまで前記液体を供給する配管と、前
記タンク内の前記液体を前記配管に所望の圧力で供給す
るポンプ、又は前記タンク内に気体を供給して前記タン
ク内の前記液体を前記配管に所望の圧力で供給する気体
供給部と、前記配管内の前記液体の圧力を所望の圧力に
制御する制御部と、前記配管で供給された前記液体を前
記研磨テーブルの主面上に噴霧する噴霧部と、をそれぞ
れ備えることを特徴とするものである。
請求項２に記載の研磨液供給装置において、前記各供給
部は、それぞれの液体を貯えるタンクと、前記タンクか
ら前記研磨テーブルまで前記液体を供給する配管と、前
記タンク内の前記液体を前記配管に所望の圧力で供給す
るポンプ、又は前記タンク内に気体を供給して前記タン
ク内の前記液体を前記配管に所望の圧力で供給する気体
供給部と、前記配管内の前記液体の圧力を所望の圧力に
制御する制御部と、前記配管で供給された前記液体を前
記研磨テーブルの主面上に噴霧する噴霧部と、をそれぞ
れ備えることを特徴とするものである。
【００１７】請求項５の発明に係る研磨液供給装置は、
請求項３又は４に記載の研磨液供給装置において、前記
制御部は、前記配管内の液体の流量を測定する流量計を
備え、前記流量計の測定結果を基に、前記ポンプの回転
数又は前記気体供給部から供給される気体の圧力を制御
することを特徴とするものである。
請求項３又は４に記載の研磨液供給装置において、前記
制御部は、前記配管内の液体の流量を測定する流量計を
備え、前記流量計の測定結果を基に、前記ポンプの回転
数又は前記気体供給部から供給される気体の圧力を制御
することを特徴とするものである。
【００１８】請求項６の発明に係る研磨液供給装置は、
請求項１から５の何れかに記載の研磨液供給装置におい
て、前記研磨剤は、有機酸系水溶液、又は過酸化水素水
溶液であることを特徴とするものである。
請求項１から５の何れかに記載の研磨液供給装置におい
て、前記研磨剤は、有機酸系水溶液、又は過酸化水素水
溶液であることを特徴とするものである。
【００１９】請求項７の発明に係る研磨装置は、研磨テ
ーブルと、半導体基板を前記研磨テーブルの主面に押し
付けるキャリアヘッドと、研磨剤を噴霧して供給する第
１の供給部と、添加剤を噴霧して供給する第２の供給部
と、純水を噴霧して供給する第３の供給部と、前記第１
の供給部から供給された霧状の研磨剤、前記第２の供給
部から供給された霧状の添加剤、及び前記第３の供給部
から供給された霧状の純水を混合して、前記研磨テーブ
ルの主面上に供給する混合部と、を備えることを特徴と
するものである。
ーブルと、半導体基板を前記研磨テーブルの主面に押し
付けるキャリアヘッドと、研磨剤を噴霧して供給する第
１の供給部と、添加剤を噴霧して供給する第２の供給部
と、純水を噴霧して供給する第３の供給部と、前記第１
の供給部から供給された霧状の研磨剤、前記第２の供給
部から供給された霧状の添加剤、及び前記第３の供給部
から供給された霧状の純水を混合して、前記研磨テーブ
ルの主面上に供給する混合部と、を備えることを特徴と
するものである。
【００２０】請求項８の発明に係る研磨装置は、研磨テ
ーブルと、半導体基板を前記研磨テーブルの主面に押し
付けるキャリアヘッドと、研磨剤を前記研磨テーブルの
主面の所定位置に噴霧して供給する第１の供給部と、前
記第１の供給部から供給された霧状の研磨剤と混合する
ように、添加剤を前記研磨テーブルの主面上に噴霧して
供給する第２の供給部と、前記第１の供給部から供給さ
れた霧状の研磨剤及び前記第２の供給部から供給された
霧状の添加剤と混合するように、純水を前記研磨テーブ
ルの主面上に噴霧して供給する第３の供給部と、を備え
ることを特徴とするものである。
ーブルと、半導体基板を前記研磨テーブルの主面に押し
付けるキャリアヘッドと、研磨剤を前記研磨テーブルの
主面の所定位置に噴霧して供給する第１の供給部と、前
記第１の供給部から供給された霧状の研磨剤と混合する
ように、添加剤を前記研磨テーブルの主面上に噴霧して
供給する第２の供給部と、前記第１の供給部から供給さ
れた霧状の研磨剤及び前記第２の供給部から供給された
霧状の添加剤と混合するように、純水を前記研磨テーブ
ルの主面上に噴霧して供給する第３の供給部と、を備え
ることを特徴とするものである。
【００２１】請求項９の発明に係る研磨液供給方法は、
研磨剤、添加剤、及び純水を混合部内にそれぞれ噴霧し
て供給し、その混合部内で混合する工程と、前記混合さ
れた混合液を、研磨テーブルの主面上に供給する工程
と、を含むことを特徴とするものである。
研磨剤、添加剤、及び純水を混合部内にそれぞれ噴霧し
て供給し、その混合部内で混合する工程と、前記混合さ
れた混合液を、研磨テーブルの主面上に供給する工程
と、を含むことを特徴とするものである。
【００２２】請求項１０の発明に係る研磨液供給方法
は、研磨剤、添加剤、及び純水を研磨テーブルの主面上
に互いに混合するようにそれぞれ噴霧して供給する工程
を含むことを特徴とするものである。
は、研磨剤、添加剤、及び純水を研磨テーブルの主面上
に互いに混合するようにそれぞれ噴霧して供給する工程
を含むことを特徴とするものである。
【００２３】請求項１１の発明に係る研磨液供給方法
は、請求項９又は１０に記載の研磨液供給方法におい
て、前記研磨剤、添加剤、及び純水の供給量をそれぞれ
測定し、その測定結果を基に、それぞれの液体の供給圧
力を所望の値に制御することを特徴とするものである。
は、請求項９又は１０に記載の研磨液供給方法におい
て、前記研磨剤、添加剤、及び純水の供給量をそれぞれ
測定し、その測定結果を基に、それぞれの液体の供給圧
力を所望の値に制御することを特徴とするものである。
【００２４】請求項１２の発明に係る研磨液供給方法
は、請求項９に記載の研磨液供給方法において、前記混
合部内に所定の時間前記研磨剤が供給されない場合、前
記混合部内に純水を供給することを特徴とするものであ
る。
は、請求項９に記載の研磨液供給方法において、前記混
合部内に所定の時間前記研磨剤が供給されない場合、前
記混合部内に純水を供給することを特徴とするものであ
る。
【００２５】請求項１３の発明に係る研磨方法は、半導
体基板をキャリアヘッドで研磨テーブルに押し付けなが
ら研磨する研磨方法であって、研磨剤、添加剤、及び純
水を混合部内にそれぞれ噴霧して供給し、その混合部内
で混合する工程と、前記混合された混合液を、前記研磨
テーブルの主面上に供給する工程と、を含むことを特徴
とするものである。
体基板をキャリアヘッドで研磨テーブルに押し付けなが
ら研磨する研磨方法であって、研磨剤、添加剤、及び純
水を混合部内にそれぞれ噴霧して供給し、その混合部内
で混合する工程と、前記混合された混合液を、前記研磨
テーブルの主面上に供給する工程と、を含むことを特徴
とするものである。
【００２６】請求項１４の発明に係る研磨方法は、半導
体基板をキャリアヘッドで研磨テーブルに押し付けなが
ら研磨する研磨方法であって、研磨剤、添加剤、及び純
水を前記研磨テーブルの主面上に互いに混合するように
それぞれ噴霧して供給する工程を含むことを特徴とする
ものである。
体基板をキャリアヘッドで研磨テーブルに押し付けなが
ら研磨する研磨方法であって、研磨剤、添加剤、及び純
水を前記研磨テーブルの主面上に互いに混合するように
それぞれ噴霧して供給する工程を含むことを特徴とする
ものである。
【００２７】請求項１５の発明に係る半導体装置の製造
方法は、請求項１から６何れかに記載の研磨液供給装置
を用いることを特徴とするものである。
方法は、請求項１から６何れかに記載の研磨液供給装置
を用いることを特徴とするものである。
【００２８】請求項１６の発明に係る半導体装置の製造
方法は、請求項７又は８に記載の研磨装置を用いること
を特徴とするものである。
方法は、請求項７又は８に記載の研磨装置を用いること
を特徴とするものである。
【００２９】請求項１７の発明に係る半導体装置の製造
方法は、請求項９から１２何れかに記載の研磨液供給方
法を含むことを特徴とするものである。
方法は、請求項９から１２何れかに記載の研磨液供給方
法を含むことを特徴とするものである。
【００３０】請求項１８の発明に係る半導体装置の製造
方法は、請求項１３又は１４に記載の研磨方法を含むこ
とを特徴とするものである。
方法は、請求項１３又は１４に記載の研磨方法を含むこ
とを特徴とするものである。
【００３１】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態について説明する。図中、同一又は相当する部
分には同一の符号を付してその説明を簡略化ないし省略
することがある。
施の形態について説明する。図中、同一又は相当する部
分には同一の符号を付してその説明を簡略化ないし省略
することがある。
【００３２】実施の形態１．図１は、本発明の実施の形
態１による研磨液供給装置及び研磨液供給方法を説明す
るための概略図である。図２は、図１に示した混合部近
傍を説明するための断面図である。
態１による研磨液供給装置及び研磨液供給方法を説明す
るための概略図である。図２は、図１に示した混合部近
傍を説明するための断面図である。
【００３３】先ず、本実施の形態１による研磨液供給装
置について説明する。図１及び図２において、参照符号
１は研磨テーブル、２は第1の供給部、３は第２の供給
部、４は第３の供給部、５は混合部を示している。ま
た、２０は研磨剤、３０は添加剤、４０は純水を示して
いる。また、２１，３１はタンク、２２，３２，４２は
配管、２３，３３はポンプ、２４，３４，４４は噴霧部
を示している。
置について説明する。図１及び図２において、参照符号
１は研磨テーブル、２は第1の供給部、３は第２の供給
部、４は第３の供給部、５は混合部を示している。ま
た、２０は研磨剤、３０は添加剤、４０は純水を示して
いる。また、２１，３１はタンク、２２，３２，４２は
配管、２３，３３はポンプ、２４，３４，４４は噴霧部
を示している。
【００３４】研磨テーブル１は、その主面上に図示しな
い半導体基板を配置するための研磨パッドである。
い半導体基板を配置するための研磨パッドである。
【００３５】第1の供給部２は、研磨液を構成する研磨
剤２０を混合部４内に噴霧して供給するためのものであ
る。ここで、研磨剤２０は、例えばシリカやセリアから
なる研磨砥粒を含有するスラリーである。第１の供給部
２は、研磨剤２０を貯えるタンク２１と、タンク２１か
ら混合部５まで研磨剤２０を供給する配管２２とを備え
ている。また、第1の供給部２は、タンク２１内の研磨
剤２０を配管２２に所望の圧力で供給するポンプ２３
と、配管２２で供給された研磨剤２０を混合部５内に噴
霧する噴霧部２４（図２参照；詳細は後述）とを備えて
いる。また、配管２２には、図示しないバルブが設けら
れている。また、第１の供給部２は、ポンプ２３の回転
数を制御することにより、配管２２内の研磨剤２０の供
給圧力を所望の圧力に制御する制御部（図示省略）を備
えている。また、この制御部は、配管２２に設けられた
バルブの開閉制御も行う。
剤２０を混合部４内に噴霧して供給するためのものであ
る。ここで、研磨剤２０は、例えばシリカやセリアから
なる研磨砥粒を含有するスラリーである。第１の供給部
２は、研磨剤２０を貯えるタンク２１と、タンク２１か
ら混合部５まで研磨剤２０を供給する配管２２とを備え
ている。また、第1の供給部２は、タンク２１内の研磨
剤２０を配管２２に所望の圧力で供給するポンプ２３
と、配管２２で供給された研磨剤２０を混合部５内に噴
霧する噴霧部２４（図２参照；詳細は後述）とを備えて
いる。また、配管２２には、図示しないバルブが設けら
れている。また、第１の供給部２は、ポンプ２３の回転
数を制御することにより、配管２２内の研磨剤２０の供
給圧力を所望の圧力に制御する制御部（図示省略）を備
えている。また、この制御部は、配管２２に設けられた
バルブの開閉制御も行う。
【００３６】第２の供給部３は、研磨液を構成する添加
剤３０を混合部５内に噴霧して供給するためのものであ
る。ここで、添加剤３０は、例えば有機酸系水溶液又は
過酸化水素水溶液である。第２の供給部３は、添加剤３
０を貯えるタンク３１と、タンク３１から混合部５まで
添加剤３０を供給する配管３２とを備えている。また、
第２の供給部３は、タンク３１内の添加剤３０を配管３
２に所望の圧力で供給するポンプ３３と、配管３２で供
給された添加剤３０を混合部５内に噴霧する噴霧部３４
（図２参照；詳細は後述）とを備えている。また、配管
３２には、図示しないバルブが設けられている。第２の
供給部３は、ポンプ３３の回転数を制御することによ
り、配管３２内の添加剤３０の供給圧力を所望の圧力に
制御する制御部（図示省略）を備えている。また、この
制御部は、配管３２に設けられたバルブの開閉制御も行
う。
剤３０を混合部５内に噴霧して供給するためのものであ
る。ここで、添加剤３０は、例えば有機酸系水溶液又は
過酸化水素水溶液である。第２の供給部３は、添加剤３
０を貯えるタンク３１と、タンク３１から混合部５まで
添加剤３０を供給する配管３２とを備えている。また、
第２の供給部３は、タンク３１内の添加剤３０を配管３
２に所望の圧力で供給するポンプ３３と、配管３２で供
給された添加剤３０を混合部５内に噴霧する噴霧部３４
（図２参照；詳細は後述）とを備えている。また、配管
３２には、図示しないバルブが設けられている。第２の
供給部３は、ポンプ３３の回転数を制御することによ
り、配管３２内の添加剤３０の供給圧力を所望の圧力に
制御する制御部（図示省略）を備えている。また、この
制御部は、配管３２に設けられたバルブの開閉制御も行
う。
【００３７】第３の供給部４は、研磨液を構成する純水
４０を混合部５内に噴霧して供給するためのものであ
る。第３の供給部４は、純水４０を貯えるタンク（図示
省略）と、タンクから混合部５まで純水４０を供給する
配管４２とを備えている。なお、上記タンクの代わり
に、半導体製造工場の付帯設備である純水供給ラインを
使用してもよい。第３の供給部４は、上記タンク内の純
水４０を配管４２に所望の圧力で供給するポンプ（図示
省略）と、配管４２で供給された純水を混合部５内に噴
霧する噴霧部４４（図２参照；詳細は後述）とを備えて
いる。また、配管４２には、図示しないバルブが設けら
れている。なお、上記タンクの代わりに上記純水供給ラ
インを使用する場合には、純水供給用のポンプを用いな
くてもよい。この場合、純水４０の供給圧力を調整する
ために、例えばニードルバルブのような圧力調整機構を
設けてもよい。第３の供給部４は、上記ポンプの回転数
又は上記圧力調整機構を制御することにより、配管４２
内の純水４０の供給圧力を所望の圧力に制御する制御部
（図示省略）を備えている。また、この制御部は、配管
４２に設けられたバルブの開閉制御も行う。
４０を混合部５内に噴霧して供給するためのものであ
る。第３の供給部４は、純水４０を貯えるタンク（図示
省略）と、タンクから混合部５まで純水４０を供給する
配管４２とを備えている。なお、上記タンクの代わり
に、半導体製造工場の付帯設備である純水供給ラインを
使用してもよい。第３の供給部４は、上記タンク内の純
水４０を配管４２に所望の圧力で供給するポンプ（図示
省略）と、配管４２で供給された純水を混合部５内に噴
霧する噴霧部４４（図２参照；詳細は後述）とを備えて
いる。また、配管４２には、図示しないバルブが設けら
れている。なお、上記タンクの代わりに上記純水供給ラ
インを使用する場合には、純水供給用のポンプを用いな
くてもよい。この場合、純水４０の供給圧力を調整する
ために、例えばニードルバルブのような圧力調整機構を
設けてもよい。第３の供給部４は、上記ポンプの回転数
又は上記圧力調整機構を制御することにより、配管４２
内の純水４０の供給圧力を所望の圧力に制御する制御部
（図示省略）を備えている。また、この制御部は、配管
４２に設けられたバルブの開閉制御も行う。
【００３８】また、第３の供給部４は、所定の時間、混
合部５内に研磨剤２０が供給されない場合、混合部５内
に純水を噴霧する。これにより、混合部５の内壁への研
磨剤２０の固着、詳細には研磨剤２０に含まれる研磨砥
粒の固着を防止することができる。なお、図３に示すよ
うに、混合部５内に純水４０を満たすことによって、混
合部５の内壁への研磨剤２０の固着を防止してもよい。
合部５内に研磨剤２０が供給されない場合、混合部５内
に純水を噴霧する。これにより、混合部５の内壁への研
磨剤２０の固着、詳細には研磨剤２０に含まれる研磨砥
粒の固着を防止することができる。なお、図３に示すよ
うに、混合部５内に純水４０を満たすことによって、混
合部５の内壁への研磨剤２０の固着を防止してもよい。
【００３９】また、上記噴霧部２４，３４，４４は、各
配管２２，３２，４２によって供給された液体２０，３
０，４０の流速を高めて、混合部５内に霧状で放出する
機構を有している。具体的には、噴霧部２４，３４，４
４は、例えば、配管径が急激に細くなったノズルや、液
体の噴出口にメッシュが設けられたものである。
配管２２，３２，４２によって供給された液体２０，３
０，４０の流速を高めて、混合部５内に霧状で放出する
機構を有している。具体的には、噴霧部２４，３４，４
４は、例えば、配管径が急激に細くなったノズルや、液
体の噴出口にメッシュが設けられたものである。
【００４０】混合部５は、研磨液の構成成分である研磨
剤２０及び添加剤３０に対して、耐腐食性を有する例え
ばテフロン（登録商標）によって形成された容器であ
る。混合部５は、第１の供給部２から供給された霧状の
研磨剤２０と、第２の供給部３から供給された霧状の添
加剤３０と、第３の供給部４から供給された霧状の純水
４０とを混合して、研磨液を調整するためのものであ
る。また、混合部５は、その内部で混合された研磨液を
研磨テーブル１の主面上に供給する。
剤２０及び添加剤３０に対して、耐腐食性を有する例え
ばテフロン（登録商標）によって形成された容器であ
る。混合部５は、第１の供給部２から供給された霧状の
研磨剤２０と、第２の供給部３から供給された霧状の添
加剤３０と、第３の供給部４から供給された霧状の純水
４０とを混合して、研磨液を調整するためのものであ
る。また、混合部５は、その内部で混合された研磨液を
研磨テーブル１の主面上に供給する。
【００４１】以上説明した研磨液供給装置について要約
すると、第１の供給部２は混合部５内に研磨剤２０を噴
霧して供給し、第２の供給部３は混合部５内に添加剤３
０を噴霧して供給し、第３の供給部４は混合部５内に純
水４０を噴霧して供給する。そして、混合部５は、霧状
の研磨剤２０と、霧状の添加剤３０と、霧状の純水４０
とを混合して、研磨テーブル１の主面上に供給する。
すると、第１の供給部２は混合部５内に研磨剤２０を噴
霧して供給し、第２の供給部３は混合部５内に添加剤３
０を噴霧して供給し、第３の供給部４は混合部５内に純
水４０を噴霧して供給する。そして、混合部５は、霧状
の研磨剤２０と、霧状の添加剤３０と、霧状の純水４０
とを混合して、研磨テーブル１の主面上に供給する。
【００４２】次に、研磨液の供給方法について説明す
る。
る。
【００４３】先ず、第１の供給部２に備えられた制御部
（図示省略）が、ポンプ２３及び図示しないバルブの開
閉操作を制御する。これにより、タンク２１内の研磨剤
２０のうち所望の量の研磨剤２０が、混合部５内に噴霧
して供給される。
（図示省略）が、ポンプ２３及び図示しないバルブの開
閉操作を制御する。これにより、タンク２１内の研磨剤
２０のうち所望の量の研磨剤２０が、混合部５内に噴霧
して供給される。
【００４４】これと同時に、第２の供給部３に備えられ
た制御部（図示省略）が、ポンプ３３及び図示しないバ
ルブの開閉操作を制御する。これにより、タンク３１内
の添加剤３０のうち所望の量の添加剤３０が、混合部５
内に噴霧して供給される。
た制御部（図示省略）が、ポンプ３３及び図示しないバ
ルブの開閉操作を制御する。これにより、タンク３１内
の添加剤３０のうち所望の量の添加剤３０が、混合部５
内に噴霧して供給される。
【００４５】さらに、上記研磨剤２０及び上記添加剤３
０の供給とともに、第３の供給部４に備えられた制御部
（図示省略）が、図示しないポンプ及びバルブの開閉操
作を制御する。これにより、タンク又は純水供給ライン
（図示省略）から混合部５内に、所望の量の純水４０が
噴霧して供給される。
０の供給とともに、第３の供給部４に備えられた制御部
（図示省略）が、図示しないポンプ及びバルブの開閉操
作を制御する。これにより、タンク又は純水供給ライン
（図示省略）から混合部５内に、所望の量の純水４０が
噴霧して供給される。
【００４６】次に、混合部５内に供給された研磨剤２０
と添加剤３０と純水４０とを、それぞれが霧状態で混合
する。そして、混合部５内で混合された混合液（研磨
液）を、研磨テーブル１の主面上に供給する。
と添加剤３０と純水４０とを、それぞれが霧状態で混合
する。そして、混合部５内で混合された混合液（研磨
液）を、研磨テーブル１の主面上に供給する。
【００４７】以上説明したように、本実施の形態１によ
る研磨液供給装置及び研磨液供給方法では、研磨液を構
成する研磨剤２０と添加剤３０と純水４０とを混合部５
内にそれぞれ噴霧して供給し、その混合部５内で互いが
霧状態で混合した。そして、混合部５で混合された混合
液を、研磨テーブル１の主面上に供給した。
る研磨液供給装置及び研磨液供給方法では、研磨液を構
成する研磨剤２０と添加剤３０と純水４０とを混合部５
内にそれぞれ噴霧して供給し、その混合部５内で互いが
霧状態で混合した。そして、混合部５で混合された混合
液を、研磨テーブル１の主面上に供給した。
【００４８】従って、研磨剤２０、添加剤３０、及び純
水４０をそれぞれ霧状態で混合するため、研磨液の混合
時に、研磨剤２０に含まれる砥粒の凝集を防止すること
ができる。よって、研磨装置に安定して研磨液を供給す
ることができる。
水４０をそれぞれ霧状態で混合するため、研磨液の混合
時に、研磨剤２０に含まれる砥粒の凝集を防止すること
ができる。よって、研磨装置に安定して研磨液を供給す
ることができる。
【００４９】また、霧状態で混合された研磨液を用いて
研磨を行うことによって、研磨時に発生する半導体デバ
イス（半導体基板）のスクラッチを低減させることがで
きる。従って、歩留まりを向上させることができ、高品
質の半導体装置を製造することができる。さらに、上記
霧状態で混合された研磨液は、添加剤３０を含有してい
るため高い平坦性を有している。従って、本実施の形態
１による研磨液供給装置を用いて研磨液を供給する研磨
装置において、高い平坦性が得られる。
研磨を行うことによって、研磨時に発生する半導体デバ
イス（半導体基板）のスクラッチを低減させることがで
きる。従って、歩留まりを向上させることができ、高品
質の半導体装置を製造することができる。さらに、上記
霧状態で混合された研磨液は、添加剤３０を含有してい
るため高い平坦性を有している。従って、本実施の形態
１による研磨液供給装置を用いて研磨液を供給する研磨
装置において、高い平坦性が得られる。
【００５０】次に、本実施の形態１による研磨液供給装
置の変形例について説明する。
置の変形例について説明する。
【００５１】図４は、本実施の形態１による研磨液供給
装置の第１の変形例を説明するための概略図である。図
４に示す研磨液供給装置は、図１に示した研磨液供給装
置と概略同一の構成である。従って、同一の構成部には
同一の符号を付して、その詳細な説明は省略する。図１
に示す研磨液供給装置との相違点は、研磨液を構成する
各液体を供給するために、ポンプ２３，３３ではなく、
気体供給部６を用いている点である。具体的には、図４
に示す研磨液供給装置は、気体供給部６からタンク内２
１，３１内に、例えば窒素（Ｎ2）等の気体を供給し
て、研磨剤２０又は添加剤３０を配管２２，３２内に圧
送する。なお、気体供給部６を、各タンク２１，３１に
対応させて複数設けてもよい。また、気体供給部６から
各タンク２１，３１内に供給される気体の圧力は、各供
給部２，３にそれぞれ設けられた制御部によって制御さ
れる。これにより、タンク２１，３１から配管２２，３
２内に供給される研磨剤２０や添加剤３０の圧力を、所
望の圧力に制御することができる。
装置の第１の変形例を説明するための概略図である。図
４に示す研磨液供給装置は、図１に示した研磨液供給装
置と概略同一の構成である。従って、同一の構成部には
同一の符号を付して、その詳細な説明は省略する。図１
に示す研磨液供給装置との相違点は、研磨液を構成する
各液体を供給するために、ポンプ２３，３３ではなく、
気体供給部６を用いている点である。具体的には、図４
に示す研磨液供給装置は、気体供給部６からタンク内２
１，３１内に、例えば窒素（Ｎ2）等の気体を供給し
て、研磨剤２０又は添加剤３０を配管２２，３２内に圧
送する。なお、気体供給部６を、各タンク２１，３１に
対応させて複数設けてもよい。また、気体供給部６から
各タンク２１，３１内に供給される気体の圧力は、各供
給部２，３にそれぞれ設けられた制御部によって制御さ
れる。これにより、タンク２１，３１から配管２２，３
２内に供給される研磨剤２０や添加剤３０の圧力を、所
望の圧力に制御することができる。
【００５２】図５は、本実施の形態１による研磨液供給
装置の第２の変形例を説明するための概略図である。図
５に示す研磨液供給装置は、図１に示した研磨液供給装
置と概略同一の構成である。従って、同一の構成部には
同一の符号を付して、その詳細な説明は省略する。図１
の研磨液供給装置との相違点は、配管２２，３２，４２
に流量計７１，７２，７３をそれぞれ備えている点であ
る。すなわち、図５に示す研磨液供給装置は、配管２２
内の研磨剤２０の流量を測定する流量計７１と、配管３
２内の添加剤３０の流量を測定する流量計７２と、配管
４２内の純水４０の流量を測定する流量計７３とを備え
ている。そして、第１の供給部２に設けられた図示しな
い制御部は、流量計７１により測定された流量値を基に
して、ポンプ２１の回転数を制御する。これにより、配
管２２内に供給される研磨剤２０の圧力を、所望の圧力
に制御することができる。また、第２の供給部３に設け
られた図示しない制御部は、流量計７２により測定され
た流量値を基にして、ポンプ３１の回転数を制御する。
これにより、配管３２内に供給される添加剤３０の圧力
を、所望の圧力に制御することができる。また、第３の
供給部４に設けられた図示しない制御部は、流量計７３
により測定された流量値を基にして、図示しないポンプ
の回転数を制御する。これにより、配管４２内に供給さ
れる純水４０の圧力を、所望の圧力に制御することがで
きる。従って、研磨液を構成する研磨剤２０、添加剤３
０、及び純水４０の供給圧力は、流量計７１，７２，７
３の測定結果（検知信号）に基づいてフィードバック制
御される。これにより、研磨剤２０、添加剤３０、及び
純水４０の供給圧力を、精度良く制御することができ
る。
装置の第２の変形例を説明するための概略図である。図
５に示す研磨液供給装置は、図１に示した研磨液供給装
置と概略同一の構成である。従って、同一の構成部には
同一の符号を付して、その詳細な説明は省略する。図１
の研磨液供給装置との相違点は、配管２２，３２，４２
に流量計７１，７２，７３をそれぞれ備えている点であ
る。すなわち、図５に示す研磨液供給装置は、配管２２
内の研磨剤２０の流量を測定する流量計７１と、配管３
２内の添加剤３０の流量を測定する流量計７２と、配管
４２内の純水４０の流量を測定する流量計７３とを備え
ている。そして、第１の供給部２に設けられた図示しな
い制御部は、流量計７１により測定された流量値を基に
して、ポンプ２１の回転数を制御する。これにより、配
管２２内に供給される研磨剤２０の圧力を、所望の圧力
に制御することができる。また、第２の供給部３に設け
られた図示しない制御部は、流量計７２により測定され
た流量値を基にして、ポンプ３１の回転数を制御する。
これにより、配管３２内に供給される添加剤３０の圧力
を、所望の圧力に制御することができる。また、第３の
供給部４に設けられた図示しない制御部は、流量計７３
により測定された流量値を基にして、図示しないポンプ
の回転数を制御する。これにより、配管４２内に供給さ
れる純水４０の圧力を、所望の圧力に制御することがで
きる。従って、研磨液を構成する研磨剤２０、添加剤３
０、及び純水４０の供給圧力は、流量計７１，７２，７
３の測定結果（検知信号）に基づいてフィードバック制
御される。これにより、研磨剤２０、添加剤３０、及び
純水４０の供給圧力を、精度良く制御することができ
る。
【００５３】図６は、本実施の形態１による研磨液供給
装置の第３の変形例を説明するための概略図である。図
６に示す研磨液供給装置は、図１に示した研磨液供給装
置と概略同一の構成である。従って、同一の構成部には
同一の符号を付して、その詳細な説明は省略する。図１
の研磨液供給装置との相違点は、研磨液を構成する各液
体を供給するために、ポンプ２３，３３ではなく気体供
給部６を用い、且つ配管２２，３２，４２に流量計７
１，７２，７３をそれぞれ備えている点である。図６に
示す研磨液供給装置は、気体供給部６から各タンク２
１，３１内に、例えば窒素（Ｎ2）等の気体を供給し
て、研磨剤２０又は添加剤３０を配管２２，３２内に圧
送する。また、上記配管２２，３２内に圧送される研磨
剤２０又は添加剤３０の圧力は、気体供給部６から各タ
ンク２１，３１内に供給される気体の圧力により制御さ
れる。ここで、気体供給部６から供給される気体の圧力
は、上記流量計７１，７２により測定された流量値を基
にしてフィードバック制御される。また、配管４２に設
けられた流量計７３により測定された流量値を基にし
て、図示しない制御部が純水４０の供給圧力を制御す
る。従って、研磨剤２０、添加剤３０、及び純水４０の
供給圧力を、精度良く制御することができる。
装置の第３の変形例を説明するための概略図である。図
６に示す研磨液供給装置は、図１に示した研磨液供給装
置と概略同一の構成である。従って、同一の構成部には
同一の符号を付して、その詳細な説明は省略する。図１
の研磨液供給装置との相違点は、研磨液を構成する各液
体を供給するために、ポンプ２３，３３ではなく気体供
給部６を用い、且つ配管２２，３２，４２に流量計７
１，７２，７３をそれぞれ備えている点である。図６に
示す研磨液供給装置は、気体供給部６から各タンク２
１，３１内に、例えば窒素（Ｎ2）等の気体を供給し
て、研磨剤２０又は添加剤３０を配管２２，３２内に圧
送する。また、上記配管２２，３２内に圧送される研磨
剤２０又は添加剤３０の圧力は、気体供給部６から各タ
ンク２１，３１内に供給される気体の圧力により制御さ
れる。ここで、気体供給部６から供給される気体の圧力
は、上記流量計７１，７２により測定された流量値を基
にしてフィードバック制御される。また、配管４２に設
けられた流量計７３により測定された流量値を基にし
て、図示しない制御部が純水４０の供給圧力を制御す
る。従って、研磨剤２０、添加剤３０、及び純水４０の
供給圧力を、精度良く制御することができる。
【００５４】実施の形態２．図７は、本発明の実施の形
態２による研磨液供給装置及び研磨液供給方法を説明す
るための概略図である。図８は、図７に示した研磨テー
ブル近傍の断面図である。
態２による研磨液供給装置及び研磨液供給方法を説明す
るための概略図である。図８は、図７に示した研磨テー
ブル近傍の断面図である。
【００５５】先ず、本実施の形態２による研磨液供給装
置について説明する。図７及び図８において、参照符号
１は研磨テーブル、２は第１の供給部、３は第２の供給
部、４は第３の供給部を示している。
置について説明する。図７及び図８において、参照符号
１は研磨テーブル、２は第１の供給部、３は第２の供給
部、４は第３の供給部を示している。
【００５６】第１の供給部２は、例えばシリカ又はセリ
アからなる研磨砥粒を含む研磨剤２０を貯えるタンク２
１と、タンク２１から研磨テーブル１上に研磨剤２０を
供給する配管２２とを備えている。また、第１の供給部
２は、タンク２１内の研磨剤２０を配管２２に所望の圧
力で供給するポンプ２３と、配管２２で供給された研磨
剤２０を研磨ステージ１上の所定位置に噴霧する噴霧部
２４（図８参照）とを備えている。
アからなる研磨砥粒を含む研磨剤２０を貯えるタンク２
１と、タンク２１から研磨テーブル１上に研磨剤２０を
供給する配管２２とを備えている。また、第１の供給部
２は、タンク２１内の研磨剤２０を配管２２に所望の圧
力で供給するポンプ２３と、配管２２で供給された研磨
剤２０を研磨ステージ１上の所定位置に噴霧する噴霧部
２４（図８参照）とを備えている。
【００５７】第２の供給部３は、例えば有機酸系水溶液
又は過酸化水素水溶液からなる添加剤３０を貯えるタン
ク３１と、タンク３１から研磨テーブル１上に添加剤３
０を供給する配管３２とを備えている。また、第２の供
給部３は、タンク３１内の添加剤３０を配管３２に所望
の圧力で供給するポンプ３３と、配管３２で供給された
添加剤３０を研磨ステージ１上の所定位置に噴霧する噴
霧部３４（図８参照）とを備えている。ここで、噴霧部
３４は、第１の供給部２の噴霧部２４から噴霧された霧
状の研磨剤２０と混合するように、添加剤３０を研磨ス
テージ１上に噴霧する。
又は過酸化水素水溶液からなる添加剤３０を貯えるタン
ク３１と、タンク３１から研磨テーブル１上に添加剤３
０を供給する配管３２とを備えている。また、第２の供
給部３は、タンク３１内の添加剤３０を配管３２に所望
の圧力で供給するポンプ３３と、配管３２で供給された
添加剤３０を研磨ステージ１上の所定位置に噴霧する噴
霧部３４（図８参照）とを備えている。ここで、噴霧部
３４は、第１の供給部２の噴霧部２４から噴霧された霧
状の研磨剤２０と混合するように、添加剤３０を研磨ス
テージ１上に噴霧する。
【００５８】第３の供給部４は、純水４０を貯えるタン
ク（図示省略）と、タンクから研磨テーブル１上に純水
４０を供給する配管４２とを備えている。なお、タンク
の代わりに、前述した純水供給ラインを用いてもよい。
また、第３の供給部４は、タンク内の純水４０を配管４
２に所望の圧力で供給するポンプ（図示省略）と、配管
４２で供給された純水４０を研磨ステージ１上の所定位
置に噴霧する噴霧部４４とを備えている。ここで、噴霧
部４４は、第１の供給部２の噴霧部２４から噴霧された
霧状の研磨剤２０と、第２の供給部３の噴霧部３４から
噴霧された霧状の添加剤３０と混合するように、純水４
０を研磨ステージ１上に噴霧する。
ク（図示省略）と、タンクから研磨テーブル１上に純水
４０を供給する配管４２とを備えている。なお、タンク
の代わりに、前述した純水供給ラインを用いてもよい。
また、第３の供給部４は、タンク内の純水４０を配管４
２に所望の圧力で供給するポンプ（図示省略）と、配管
４２で供給された純水４０を研磨ステージ１上の所定位
置に噴霧する噴霧部４４とを備えている。ここで、噴霧
部４４は、第１の供給部２の噴霧部２４から噴霧された
霧状の研磨剤２０と、第２の供給部３の噴霧部３４から
噴霧された霧状の添加剤３０と混合するように、純水４
０を研磨ステージ１上に噴霧する。
【００５９】以上説明した研磨液供給装置について要約
すると、第１の供給部２は、研磨テーブル１上の所定位
置に研磨剤２０を噴霧して供給する。そして、第２の供
給部３は、第１の供給部２から供給された霧状の研磨剤
２０と混合するように、研磨テーブル１上に添加剤３０
を噴霧して供給する。さらに、第３の供給部４は、第１
の供給部２から供給された霧状の研磨剤２０、及び第２
の供給部３から供給された霧状の添加剤３０と混合する
ように、研磨テーブル１上に純水４０を噴霧して供給す
る。
すると、第１の供給部２は、研磨テーブル１上の所定位
置に研磨剤２０を噴霧して供給する。そして、第２の供
給部３は、第１の供給部２から供給された霧状の研磨剤
２０と混合するように、研磨テーブル１上に添加剤３０
を噴霧して供給する。さらに、第３の供給部４は、第１
の供給部２から供給された霧状の研磨剤２０、及び第２
の供給部３から供給された霧状の添加剤３０と混合する
ように、研磨テーブル１上に純水４０を噴霧して供給す
る。
【００６０】次に、研磨液の供給方法について説明す
る。
る。
【００６１】先ず、第１の供給部２に備えられた制御部
（図示省略）が、ポンプ２３及び図示しないバルブの開
閉操作を制御する。これにより、タンク２１内の研磨剤
２０のうち所望の量の研磨剤２０が、研磨ステージ１上
の所定位置に噴霧して供給される。
（図示省略）が、ポンプ２３及び図示しないバルブの開
閉操作を制御する。これにより、タンク２１内の研磨剤
２０のうち所望の量の研磨剤２０が、研磨ステージ１上
の所定位置に噴霧して供給される。
【００６２】これと同時に、第２の供給部３に備えられ
た制御部（図示省略）が、ポンプ３３及び図示しないバ
ルブの開閉操作を制御する。これにより、タンク３１内
の添加剤３０のうち所望の量の添加剤３０が、上記研磨
剤と霧状態で混合するように、研磨ステージ１上に噴霧
して供給される。
た制御部（図示省略）が、ポンプ３３及び図示しないバ
ルブの開閉操作を制御する。これにより、タンク３１内
の添加剤３０のうち所望の量の添加剤３０が、上記研磨
剤と霧状態で混合するように、研磨ステージ１上に噴霧
して供給される。
【００６３】さらに、上記研磨剤２０及び上記添加剤３
０の供給とともに、第３の供給部４に備えられた制御部
（図示省略）が、図示しないポンプ及びバルブの開閉操
作を制御する。これにより、タンク又は純水供給ライン
（図示省略）から研磨ステージ１上に、上記研磨剤２０
及び上記添加剤３０と霧状態で混合するように、所望の
量の純水４０が噴霧して供給される。
０の供給とともに、第３の供給部４に備えられた制御部
（図示省略）が、図示しないポンプ及びバルブの開閉操
作を制御する。これにより、タンク又は純水供給ライン
（図示省略）から研磨ステージ１上に、上記研磨剤２０
及び上記添加剤３０と霧状態で混合するように、所望の
量の純水４０が噴霧して供給される。
【００６４】このようにして、各供給部２，３，４から
研磨ステージ１上にそれぞれ研磨剤２０、添加剤３０、
及び純水４０が噴霧して供給される。そして、研磨ステ
ージ１上において、各液体２０，３０，４０が霧状態で
混合される。
研磨ステージ１上にそれぞれ研磨剤２０、添加剤３０、
及び純水４０が噴霧して供給される。そして、研磨ステ
ージ１上において、各液体２０，３０，４０が霧状態で
混合される。
【００６５】以上説明したように、本実施の形態２によ
る研磨液供給装置及び研磨液供給方法では、研磨液を構
成する研磨剤２０と添加剤３０と純水４０とを研磨テー
ブル１の主面上に互いに混合するようにそれぞれ噴霧し
て供給した。これにより、研磨テーブル１上で、研磨剤
２０と添加剤３０と純水４０とが互いに霧状態で混合さ
れ、研磨液が調整された。
る研磨液供給装置及び研磨液供給方法では、研磨液を構
成する研磨剤２０と添加剤３０と純水４０とを研磨テー
ブル１の主面上に互いに混合するようにそれぞれ噴霧し
て供給した。これにより、研磨テーブル１上で、研磨剤
２０と添加剤３０と純水４０とが互いに霧状態で混合さ
れ、研磨液が調整された。
【００６６】従って、研磨液の混合時に、研磨剤２０に
含まれる砥粒の凝集を防止することができる。よって、
研磨装置に安定して研磨液を供給することができる。
含まれる砥粒の凝集を防止することができる。よって、
研磨装置に安定して研磨液を供給することができる。
【００６７】また、霧状態で混合された研磨液を用いて
研磨を行うことによって、研磨時に発生する半導体デバ
イス（半導体基板）のスクラッチを低減させることがで
きる。従って、歩留まりを向上させることができ、高品
質の半導体装置を製造することができる。さらに、上記
霧状態で混合された研磨液は添加剤３０を含有するた
め、高い平坦性を有している。このため、本実施の形態
２による研磨液供給装置を用いて研磨液を供給する研磨
装置において、高い平坦性が得られる。
研磨を行うことによって、研磨時に発生する半導体デバ
イス（半導体基板）のスクラッチを低減させることがで
きる。従って、歩留まりを向上させることができ、高品
質の半導体装置を製造することができる。さらに、上記
霧状態で混合された研磨液は添加剤３０を含有するた
め、高い平坦性を有している。このため、本実施の形態
２による研磨液供給装置を用いて研磨液を供給する研磨
装置において、高い平坦性が得られる。
【００６８】なお、本実施の形態２では研磨液を構成す
る各液体をポンプ２３，３３によって各配管に供給した
が、図４に示す研磨液供給装置のように、気体供給部か
らタンク内に気体を供給して、各液体を配管に圧送する
構成としてもよい。
る各液体をポンプ２３，３３によって各配管に供給した
が、図４に示す研磨液供給装置のように、気体供給部か
らタンク内に気体を供給して、各液体を配管に圧送する
構成としてもよい。
【００６９】また、各配管に、流量計をそれぞれ設けて
もよい。この場合、各供給部２，３，４に備えられた制
御部は、上記流量計で測定された各液体の流量に基づい
て、ポンプ２３，３３の回転数又は上記気体供給部から
供給される気体の圧力を制御する。従って、研磨剤２
０、添加剤３０、及び純水４０の供給圧力を、精度良く
制御することができる。
もよい。この場合、各供給部２，３，４に備えられた制
御部は、上記流量計で測定された各液体の流量に基づい
て、ポンプ２３，３３の回転数又は上記気体供給部から
供給される気体の圧力を制御する。従って、研磨剤２
０、添加剤３０、及び純水４０の供給圧力を、精度良く
制御することができる。
【００７０】
【発明の効果】請求項１又は９の発明によれば、霧状の
研磨剤、霧状の添加剤、及び霧状の純水から研磨液を混
合部で混合する際に、砥粒の凝集を防止することができ
る。
研磨剤、霧状の添加剤、及び霧状の純水から研磨液を混
合部で混合する際に、砥粒の凝集を防止することができ
る。
【００７１】請求項２又は１０の発明によれば、霧状の
研磨剤、霧状の添加剤、及び霧状の純水から研磨液を研
磨テーブル上で混合する際に、砥粒の凝集を防止するこ
とができる。
研磨剤、霧状の添加剤、及び霧状の純水から研磨液を研
磨テーブル上で混合する際に、砥粒の凝集を防止するこ
とができる。
【００７２】請求項３の発明によれば、研磨液を構成す
る各液体をそれぞれ所望の圧力で混合部内に噴霧して供
給することができる。
る各液体をそれぞれ所望の圧力で混合部内に噴霧して供
給することができる。
【００７３】請求項４の発明によれば、研磨液を構成す
る各液体をそれぞれ所望の圧力で研磨ステージ１上に噴
霧して供給することができる。
る各液体をそれぞれ所望の圧力で研磨ステージ１上に噴
霧して供給することができる。
【００７４】請求項５又は１１の発明によれば、各液体
の供給圧力を精度良く制御することができる。
の供給圧力を精度良く制御することができる。
【００７５】請求項６の発明によれば、優れた平坦性を
有する研磨液を、砥粒を凝集させることなく混合するこ
とができる。
有する研磨液を、砥粒を凝集させることなく混合するこ
とができる。
【００７６】請求項７の発明によれば、霧状の研磨剤、
霧状の添加剤、及び霧状の純水から研磨液を混合部で混
合する際に、砥粒の凝集を防止することができる。従っ
て、研磨時に発生する半導体基板のスクラッチを低減さ
せることができる。
霧状の添加剤、及び霧状の純水から研磨液を混合部で混
合する際に、砥粒の凝集を防止することができる。従っ
て、研磨時に発生する半導体基板のスクラッチを低減さ
せることができる。
【００７７】請求項８の発明によれば、霧状の研磨剤、
霧状の添加剤、及び霧状の純水から研磨液を研磨テーブ
ル上で混合する際に、砥粒の凝集を防止することができ
る。従って、研磨時に発生する半導体基板のスクラッチ
を低減させることができる。
霧状の添加剤、及び霧状の純水から研磨液を研磨テーブ
ル上で混合する際に、砥粒の凝集を防止することができ
る。従って、研磨時に発生する半導体基板のスクラッチ
を低減させることができる。
【００７８】請求項１２の発明によれば、混合部の内壁
への研磨剤の固着を防止することができる。
への研磨剤の固着を防止することができる。
【００７９】請求項１３の発明によれば、混合部内にお
いて研磨液を混合する際に砥粒の凝集を防止することが
できる。従って、研磨時に発生する半導体基板のスクラ
ッチを低減させることができる。
いて研磨液を混合する際に砥粒の凝集を防止することが
できる。従って、研磨時に発生する半導体基板のスクラ
ッチを低減させることができる。
【００８０】請求項１４の発明によれば、研磨テーブル
上で研磨液を混合する際に砥粒の凝集を防止することが
できる。従って、研磨時に発生する半導体基板のスクラ
ッチを低減させることができる。
上で研磨液を混合する際に砥粒の凝集を防止することが
できる。従って、研磨時に発生する半導体基板のスクラ
ッチを低減させることができる。
【００８１】請求項１５から１８何れかの発明によれ
ば、研磨時に発生ずる半導体基板のスクラッチを低減さ
せることができるため、高品質の半導体装置を製造する
ことができる。
ば、研磨時に発生ずる半導体基板のスクラッチを低減さ
せることができるため、高品質の半導体装置を製造する
ことができる。
【図１】 本発明の実施の形態１による研磨液供給装置
及び研磨液供給方法を説明するための概略図である。
及び研磨液供給方法を説明するための概略図である。
【図２】 図１に示した混合部の近傍を説明するための
断面図である。
断面図である。
【図３】 図１に示した混合部の内壁への研磨液の固着
を防止する方法を説明するための断面図である。
を防止する方法を説明するための断面図である。
【図４】 本実施の形態１による研磨液供給装置の第１
の変形例を説明するための概略図である。
の変形例を説明するための概略図である。
【図５】 本実施の形態１による研磨液供給装置の第２
の変形例を説明するための概略図である。
の変形例を説明するための概略図である。
【図６】 本実施の形態１による研磨液供給装置の第３
の変形例を説明するための概略図である。
の変形例を説明するための概略図である。
【図７】 本発明の実施の形態２による研磨液供給装置
及び研磨液供給方法を説明するための概略図である。
及び研磨液供給方法を説明するための概略図である。
【図８】 図７に示した研磨テーブル近傍の断面図であ
る。
る。
【図９】 従来のＣＭＰ法を用いた半導体装置の製造方
法を説明するための断面図である。
法を説明するための断面図である。
【図１０】 研磨時に研磨ステージに加わる応力分布を
説明するための断面図である。
説明するための断面図である。
【図１１】 従来のＣＭＰ法の平坦性を改善する手法を
説明するための断面図である。
説明するための断面図である。
【図１２】 研磨液に含まれる砥粒数の変化を説明する
ための図である。
ための図である。
１ 研磨ステージ（研磨パッド）、 ２ 第１の供給
部、 ３ 第２の供給部、 ４ 第３の供給部、
５ 混合部、 ６ 気体供給部、 ２０研磨剤
（砥粒）、 ３０ 添加剤（有機酸系水溶液、過酸化
水素水溶液）、４０ 純水、 ２１，３１ タンク、
２２，３２，４２ 配管、２３，３３ ポンプ、
２４，３４，４４ 噴霧部、 ７１，７２，７３流
量計。
部、 ３ 第２の供給部、 ４ 第３の供給部、
５ 混合部、 ６ 気体供給部、 ２０研磨剤
（砥粒）、 ３０ 添加剤（有機酸系水溶液、過酸化
水素水溶液）、４０ 純水、 ２１，３１ タンク、
２２，３２，４２ 配管、２３，３３ ポンプ、
２４，３４，４４ 噴霧部、 ７１，７２，７３流
量計。
Claims (18)
- 【請求項１】 主面上に半導体基板を配置する研磨テー
ブルと、 研磨剤を噴霧して供給する第１の供給部と、 添加剤を噴霧して供給する第２の供給部と、 純水を噴霧して供給する第３の供給部と、 前記第１の供給部から供給された霧状の研磨剤、前記第
２の供給部から供給された霧状の添加剤、及び前記第３
の供給部から供給された霧状の純水を混合して、前記研
磨テーブルの主面上に供給する混合部と、 を備えることを特徴とする研磨液供給装置。 - 【請求項２】 主面上に半導体基板を配置する研磨テー
ブルと、 研磨剤を前記研磨テーブルの主面の所定位置に噴霧して
供給する第１の供給部と、 前記第１の供給部から供給された霧状の研磨剤と混合す
るように、添加剤を前記研磨テーブルの主面上に噴霧し
て供給する第２の供給部と、 前記第１の供給部から供給された霧状の研磨剤、及び前
記第２の供給部から供給された霧状の添加剤と混合する
ように、純水を前記研磨テーブルの主面上に噴霧して供
給する第３の供給部と、 を備えることを特徴とする研磨液供給装置。 - 【請求項３】 請求項１に記載の研磨液供給装置におい
て、前記各供給部は、 それぞれの液体を貯えるタンクと、 前記タンクから前記混合部まで前記液体を供給する配管
と、 前記タンク内の前記液体を前記配管に所望の圧力で供給
するポンプ、又は前記タンク内に気体を供給して前記タ
ンク内の前記液体を前記配管に所望の圧力で供給する気
体供給部と、 前記配管内の前記液体の圧力を所望の圧力に制御する制
御部と、 前記配管で供給された前記液体を前記混合部内に噴霧す
る噴霧部と、 をそれぞれ備えることを特徴とする研磨液供給装置。 - 【請求項４】 請求項２に記載の研磨液供給装置におい
て、前記各供給部は、 それぞれの液体を貯えるタンクと、 前記タンクから前記研磨テーブルまで前記液体を供給す
る配管と、 前記タンク内の前記液体を前記配管に所望の圧力で供給
するポンプ、又は前記タンク内に気体を供給して前記タ
ンク内の前記液体を前記配管に所望の圧力で供給する気
体供給部と、 前記配管内の前記液体の圧力を所望の圧力に制御する制
御部と、 前記配管で供給された前記液体を前記研磨テーブルの主
面上に噴霧する噴霧部と、 をそれぞれ備えることを特徴とする研磨液供給装置。 - 【請求項５】 請求項３又は４に記載の研磨液供給装置
において、 前記制御部は、前記配管内の液体の流量を測定する流量
計を備え、 前記流量計の測定結果を基に、前記ポンプの回転数又は
前記気体供給部から供給される気体の圧力を制御するこ
とを特徴とする研磨液供給装置。 - 【請求項６】 請求項１から５の何れかに記載の研磨液
供給装置において、 前記研磨剤は、有機酸系水溶液、又は過酸化水素水溶液
であることを特徴とする研磨液供給装置。 - 【請求項７】 研磨テーブルと、 半導体基板を前記研磨テーブルの主面に押し付けるキャ
リアヘッドと、 研磨剤を噴霧して供給する第１の供給部と、 添加剤を噴霧して供給する第２の供給部と、 純水を噴霧して供給する第３の供給部と、 前記第１の供給部から供給された霧状の研磨剤、前記第
２の供給部から供給された霧状の添加剤、及び前記第３
の供給部から供給された霧状の純水を混合して、前記研
磨テーブルの主面上に供給する混合部と、 を備えることを特徴とする研磨装置。 - 【請求項８】 研磨テーブルと、 半導体基板を前記研磨テーブルの主面に押し付けるキャ
リアヘッドと、 研磨剤を前記研磨テーブルの主面の所定位置に噴霧して
供給する第１の供給部と、 前記第１の供給部から供給された霧状の研磨剤と混合す
るように、添加剤を前記研磨テーブルの主面上に噴霧し
て供給する第２の供給部と、 前記第１の供給部から供給された霧状の研磨剤、及び前
記第２の供給部から供給された霧状の添加剤と混合する
ように、純水を前記研磨テーブルの主面上に噴霧して供
給する第３の供給部と、 を備えることを特徴とする研磨装置。 - 【請求項９】 研磨剤、添加剤、及び純水を混合部内に
それぞれ噴霧して供給し、その混合部内で混合する工程
と、 前記混合された混合液を、研磨テーブルの主面上に供給
する工程と、 を含むことを特徴とする研磨液供給方法。 - 【請求項１０】 研磨剤、添加剤、及び純水を研磨テー
ブルの主面上に互いに混合するようにそれぞれ噴霧して
供給する工程を含むことを特徴とする研磨液供給方法。 - 【請求項１１】 請求項９又は１０に記載の研磨液供給
方法において、 前記研磨剤、添加剤、及び純水の供給量をそれぞれ測定
し、その測定結果を基に、それぞれの液体の供給圧力を
所望の値に制御することを特徴とする研磨液供給方法。 - 【請求項１２】 請求項９に記載の研磨液供給方法にお
いて、 前記混合部内に所定の時間前記研磨剤が供給されない場
合、前記混合部内に純水を供給することを特徴とする研
磨液供給方法。 - 【請求項１３】 半導体基板をキャリアヘッドで研磨テ
ーブルに押し付けながら研磨する研磨方法であって、 研磨剤、添加剤、及び純水を混合部内にそれぞれ噴霧し
て供給し、その混合部内で混合する工程と、 前記混合された混合液を、前記研磨テーブルの主面上に
供給する工程と、 を含むことを特徴とする研磨方法。 - 【請求項１４】 半導体基板をキャリアヘッドで研磨テ
ーブルに押し付けながら研磨する研磨方法であって、 研磨剤、添加剤、及び純水を前記研磨テーブルの主面上
に互いに混合するようにそれぞれ噴霧して供給する工程
を含むことを特徴とする研磨方法。 - 【請求項１５】 請求項１から６何れかに記載の研磨液
供給装置を用いることを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項１６】 請求項７又は８に記載の研磨装置を用
いることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１７】 請求項９から１２何れかに記載の研磨
液供給方法を含むことを特徴とする半導体装置の製造方
法。 - 【請求項１８】 請求項１３又は１４に記載の研磨方法
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000363478A JP2002170792A (ja) | 2000-11-29 | 2000-11-29 | 研磨液供給装置及び研磨液供給方法、研磨装置及び研磨方法、並びに、半導体装置の製造方法 |
| US09/934,474 US7258598B2 (en) | 2000-11-29 | 2001-08-23 | Polishing solution supply system, method of supplying polishing solution, apparatus for and method of polishing semiconductor substrate and method of manufacturing semiconductor device |
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