JP2000077373A - 基板の洗浄方法及び研磨装置 - Google Patents
基板の洗浄方法及び研磨装置Info
- Publication number
- JP2000077373A JP2000077373A JP10246799A JP24679998A JP2000077373A JP 2000077373 A JP2000077373 A JP 2000077373A JP 10246799 A JP10246799 A JP 10246799A JP 24679998 A JP24679998 A JP 24679998A JP 2000077373 A JP2000077373 A JP 2000077373A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- substrate
- liquid
- cleaning
- cleaning liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/34—Accessories
- B24B37/345—Feeding, loading or unloading work specially adapted to lapping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B3/00—Cleaning by methods involving the use or presence of liquid or steam
- B08B3/04—Cleaning involving contact with liquid
- B08B3/08—Cleaning involving contact with liquid the liquid having chemical or dissolving effect
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
- H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
- H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 研磨工程が終了した基板や研磨工具の研磨液
に含まれる砥粒を凝集させることなく効率良く基板の洗
浄や工具のドレッシングを行なうことができる基板の洗
浄方法及び研磨装置を提供する。 【解決手段】 基板Ｗと研磨工具との間に研磨液Ｑを供
給しつつ該基板と研磨工具とを摺動させて研磨を行なう
研磨工程と、前記研磨工程が終了した後に、前記基板の
被研磨面に、該被研磨面に付着する研磨液のｐＨを急変
させないような洗浄液を供給して粗洗浄工程を行なう。
に含まれる砥粒を凝集させることなく効率良く基板の洗
浄や工具のドレッシングを行なうことができる基板の洗
浄方法及び研磨装置を提供する。 【解決手段】 基板Ｗと研磨工具との間に研磨液Ｑを供
給しつつ該基板と研磨工具とを摺動させて研磨を行なう
研磨工程と、前記研磨工程が終了した後に、前記基板の
被研磨面に、該被研磨面に付着する研磨液のｐＨを急変
させないような洗浄液を供給して粗洗浄工程を行なう。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、基板の洗浄方法及
び研磨装置に関し、特に、半導体基板、ガラス基板、液
晶パネル等の高度の清浄度が要求される基板を洗浄する
のに好適な洗浄方法及び研磨装置に関する。
び研磨装置に関し、特に、半導体基板、ガラス基板、液
晶パネル等の高度の清浄度が要求される基板を洗浄する
のに好適な洗浄方法及び研磨装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの高集積化が進む
につれて半導体基板上の回路の配線が微細化し、配線間
距離もより狭くなりつつある。これに伴い、光リソグラ
フィなどで回路形成を行なう場合に焦点深度が浅くなる
ので、ステッパの結像面のより高い平坦度を必要とす
る。半導体基板の表面を平坦化する手段として、図８に
示すように、上面に研磨クロス（研磨布）７０を貼り付
けた研磨テーブル７２と、半導体基板Ｗを保持しつつ研
磨テーブル７２に押しつけるトップリング７４とを具備
した化学・機械的研磨（ＣＭＰ）装置７６が用いられて
いる。研磨テーブル７２の上方には、研磨液Ｑを研磨ク
ロス７０に供給するノズル７８が設けられ、また、研磨
クロスの再生（目立て）を行なうドレッシング装置８０
が付設されている。
につれて半導体基板上の回路の配線が微細化し、配線間
距離もより狭くなりつつある。これに伴い、光リソグラ
フィなどで回路形成を行なう場合に焦点深度が浅くなる
ので、ステッパの結像面のより高い平坦度を必要とす
る。半導体基板の表面を平坦化する手段として、図８に
示すように、上面に研磨クロス（研磨布）７０を貼り付
けた研磨テーブル７２と、半導体基板Ｗを保持しつつ研
磨テーブル７２に押しつけるトップリング７４とを具備
した化学・機械的研磨（ＣＭＰ）装置７６が用いられて
いる。研磨テーブル７２の上方には、研磨液Ｑを研磨ク
ロス７０に供給するノズル７８が設けられ、また、研磨
クロスの再生（目立て）を行なうドレッシング装置８０
が付設されている。
【０００３】図９は、このような研磨装置７６とその付
属装置を含めたユニットとして構成されたＣＭＰユニッ
トを示すもので、ほぼ長方形の床の一端側にＣＭＰ装置
７６が、他端側に研磨すべき半導体基板を収容するカセ
ットを収容するロードアンロードユニット８４ａ，８４
ｂが設けられ、これらの間に搬送ロボット８６ａ，８６
ｂが走行可能に設けられている。搬送ロボット８６ａ，
８６ｂの走行経路の両側には、基板を反転するための反
転機８８ａ，８８ｂと、洗浄を行なう洗浄機９０ａ，９
０ｂ，９０ｃが設けられている。搬送ロボット８６ｂと
研磨装置７６の間では、昇降式の受け渡し台（プッシ
ャ）１０を介して基板を授受するようになっている。
属装置を含めたユニットとして構成されたＣＭＰユニッ
トを示すもので、ほぼ長方形の床の一端側にＣＭＰ装置
７６が、他端側に研磨すべき半導体基板を収容するカセ
ットを収容するロードアンロードユニット８４ａ，８４
ｂが設けられ、これらの間に搬送ロボット８６ａ，８６
ｂが走行可能に設けられている。搬送ロボット８６ａ，
８６ｂの走行経路の両側には、基板を反転するための反
転機８８ａ，８８ｂと、洗浄を行なう洗浄機９０ａ，９
０ｂ，９０ｃが設けられている。搬送ロボット８６ｂと
研磨装置７６の間では、昇降式の受け渡し台（プッシ
ャ）１０を介して基板を授受するようになっている。
【０００４】このような構成の研磨装置において、トッ
プリング７４の下面に半導体基板Ｗを保持し、半導体基
板Ｗを回転している研磨テーブル７２の上面の研磨クロ
ス７０に押圧する。一方、砥液ノズル７８から研磨液Ｑ
を流すことにより、研磨クロス７０に研磨液Ｑが保持さ
れ、半導体基板Ｗの研磨される面（下面）と研磨クロス
７０の間に研磨液Ｑが存在する状態で研磨が行われる。
研磨液Ｑは、種々の砥粒を含むとともに、研磨対象に応
じてｐＨ調整がなされている。
プリング７４の下面に半導体基板Ｗを保持し、半導体基
板Ｗを回転している研磨テーブル７２の上面の研磨クロ
ス７０に押圧する。一方、砥液ノズル７８から研磨液Ｑ
を流すことにより、研磨クロス７０に研磨液Ｑが保持さ
れ、半導体基板Ｗの研磨される面（下面）と研磨クロス
７０の間に研磨液Ｑが存在する状態で研磨が行われる。
研磨液Ｑは、種々の砥粒を含むとともに、研磨対象に応
じてｐＨ調整がなされている。
【０００５】ところで、上記のように半導体デバイスの
高集積化が進み、半導体基板上の回路の配線が微細化す
ると、配線間距離もより狭くなる。従って、上記の研磨
工程において、半導体基板上に配線間距離よりも大きな
パーティクルが付着し、これが製品に残留すると、製造
された半導体デバイスの配線がショートするなどの不具
合が生じる。このような事情はマスク等に用いるガラス
基板、或いは液晶パネル等の基板のプロセス処理におい
ても同様である。
高集積化が進み、半導体基板上の回路の配線が微細化す
ると、配線間距離もより狭くなる。従って、上記の研磨
工程において、半導体基板上に配線間距離よりも大きな
パーティクルが付着し、これが製品に残留すると、製造
された半導体デバイスの配線がショートするなどの不具
合が生じる。このような事情はマスク等に用いるガラス
基板、或いは液晶パネル等の基板のプロセス処理におい
ても同様である。
【０００６】上記のＣＭＰ工程においては、研磨工程を
終了した半導体基板は洗浄機９０ａ，９０ｂ，９０ｃに
搬送して、例えば、純水等の洗浄液を供給しながらブラ
シやスポンジからなる洗浄体を擦り付けるスクラブ洗浄
と、これに続くスピン乾燥とからなる洗浄工程を行い、
研磨工程中に供給されて基板に付着した砥粒や研磨屑を
除去するようにしている。
終了した半導体基板は洗浄機９０ａ，９０ｂ，９０ｃに
搬送して、例えば、純水等の洗浄液を供給しながらブラ
シやスポンジからなる洗浄体を擦り付けるスクラブ洗浄
と、これに続くスピン乾燥とからなる洗浄工程を行い、
研磨工程中に供給されて基板に付着した砥粒や研磨屑を
除去するようにしている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ところで、研磨後の基
板に純水を供給すると、基板面上に残留している研磨液
のｐＨが大きく変化し、もとのｐＨの液中では互いに分
散していた砥粒が、互いに凝集して基板表面に付着する
場合が有る。例えば、ＳｉＯ２膜を研磨する場合に一般
的に用いられるコロイダルシリカ系のスラリーでは、砥
粒であるシリカの微粒子はｐＨ１０程度のアルカリ溶液
中で安定であり、０．２μｍ程度の２次粒子を形成して
いる。これに純水を供給して一気に希釈してｐＨを７〜
８まで急激に低下させると、いわゆるｐＨショックによ
り、シリカ粒子表面電位の急激な変化が起こり、不安定
となって凝集しやすくなる。
板に純水を供給すると、基板面上に残留している研磨液
のｐＨが大きく変化し、もとのｐＨの液中では互いに分
散していた砥粒が、互いに凝集して基板表面に付着する
場合が有る。例えば、ＳｉＯ２膜を研磨する場合に一般
的に用いられるコロイダルシリカ系のスラリーでは、砥
粒であるシリカの微粒子はｐＨ１０程度のアルカリ溶液
中で安定であり、０．２μｍ程度の２次粒子を形成して
いる。これに純水を供給して一気に希釈してｐＨを７〜
８まで急激に低下させると、いわゆるｐＨショックによ
り、シリカ粒子表面電位の急激な変化が起こり、不安定
となって凝集しやすくなる。
【０００８】これは、研磨クロス７０のドレッシングの
工程においても同様で、研磨液Ｑを含む研磨クロス７０
に純水をドレッシング液として供給すると、上記と同様
にｐＨが低下して砥粒が凝集し、これが研磨クロス７０
中に残って、研磨工程において基板Ｗにスクラッチを形
成する原因となる。
工程においても同様で、研磨液Ｑを含む研磨クロス７０
に純水をドレッシング液として供給すると、上記と同様
にｐＨが低下して砥粒が凝集し、これが研磨クロス７０
中に残って、研磨工程において基板Ｗにスクラッチを形
成する原因となる。
【０００９】本発明は、上記事情に鑑みて為されたもの
で、研磨工程が終了した基板や研磨工具の研磨液に含ま
れる砥粒を凝集させることなく効率良く基板の洗浄や工
具のドレッシングを行なうことができる基板の洗浄方法
及び研磨装置を提供することを目的とする。
で、研磨工程が終了した基板や研磨工具の研磨液に含ま
れる砥粒を凝集させることなく効率良く基板の洗浄や工
具のドレッシングを行なうことができる基板の洗浄方法
及び研磨装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、基板と研磨工具との間に研磨液を供給しつつ該基板
と研磨工具とを摺動させて研磨を行なう研磨工程の後に
行なう基板の洗浄方法において、前記基板の被研磨面
に、該被研磨面に付着する研磨液のｐＨを急変させない
ような洗浄液を供給して粗洗浄工程を行なうことを特徴
とする基板の洗浄方法である。ここで、「付着する研磨
液のｐＨを急変させないような洗浄液」とは、具体的に
は研磨液と同じか近いｐＨ値を有する洗浄液を指し、例
えば、ｐＨ１０であるシリカスラリーの場合には、ｐＨ
９〜１１の範囲であれば良い。
は、基板と研磨工具との間に研磨液を供給しつつ該基板
と研磨工具とを摺動させて研磨を行なう研磨工程の後に
行なう基板の洗浄方法において、前記基板の被研磨面
に、該被研磨面に付着する研磨液のｐＨを急変させない
ような洗浄液を供給して粗洗浄工程を行なうことを特徴
とする基板の洗浄方法である。ここで、「付着する研磨
液のｐＨを急変させないような洗浄液」とは、具体的に
は研磨液と同じか近いｐＨ値を有する洗浄液を指し、例
えば、ｐＨ１０であるシリカスラリーの場合には、ｐＨ
９〜１１の範囲であれば良い。
【００１１】これにより、基板に付着する研磨液のｐＨ
を急変させることなく、従って、ｐＨショックによって
砥粒を凝集させることなく、基板の洗浄が行われる。こ
のような粗洗浄工程は、研磨工程が終了してから最初に
研磨液以外の液体を基板面に供給する場合に行なう。こ
れは、基板を研磨テーブルの近傍で濯ぎ洗浄する場合
や、洗浄機において洗浄液を供給しながらスクラブ洗浄
を行なう場合等がある。
を急変させることなく、従って、ｐＨショックによって
砥粒を凝集させることなく、基板の洗浄が行われる。こ
のような粗洗浄工程は、研磨工程が終了してから最初に
研磨液以外の液体を基板面に供給する場合に行なう。こ
れは、基板を研磨テーブルの近傍で濯ぎ洗浄する場合
や、洗浄機において洗浄液を供給しながらスクラブ洗浄
を行なう場合等がある。
【００１２】請求項２に記載の発明は、基板と研磨工具
との間に研磨液を供給しつつ該基板と研磨工具とを摺動
させて研磨を行なう研磨部と、前記研磨部での研磨工程
が終了した後に、前記基板の被研磨面に、該被研磨面に
付着する研磨液のｐＨを急変させないような洗浄液を供
給して粗洗浄工程を行なう粗洗浄部とを有することを特
徴とする基板の研磨装置である。
との間に研磨液を供給しつつ該基板と研磨工具とを摺動
させて研磨を行なう研磨部と、前記研磨部での研磨工程
が終了した後に、前記基板の被研磨面に、該被研磨面に
付着する研磨液のｐＨを急変させないような洗浄液を供
給して粗洗浄工程を行なう粗洗浄部とを有することを特
徴とする基板の研磨装置である。
【００１３】請求項３に記載の発明は、前記粗洗浄工程
において又はその後に、前記洗浄液のｐＨを順次中性に
移行させる工程を行なうことを特徴とする請求項１又は
２に記載の基板の洗浄方法又は基板の研磨装置である。
これにより、最終的に中性の安定した状態で基板を次工
程に送ることができる。
において又はその後に、前記洗浄液のｐＨを順次中性に
移行させる工程を行なうことを特徴とする請求項１又は
２に記載の基板の洗浄方法又は基板の研磨装置である。
これにより、最終的に中性の安定した状態で基板を次工
程に送ることができる。
【００１４】請求項４に記載の発明は、基板と研磨工具
との間に研磨液を供給しつつ該基板と研磨工具とを摺動
させて研磨を行なう研磨工程の後に行なう研磨工具のド
レッシング方法において、前記研磨工具とドレッシング
ツールの間に前記研磨工具に含まれる研磨液のｐＨを急
変させないようなドレッシング液を供給して研磨工具の
ドレッシング工程を行なうことを特徴とする研磨工具の
ドレッシング方法である。これにより、研磨工具の研磨
面に存在する砥粒を凝集させることなく、研磨工具のド
レッシングが行われる。
との間に研磨液を供給しつつ該基板と研磨工具とを摺動
させて研磨を行なう研磨工程の後に行なう研磨工具のド
レッシング方法において、前記研磨工具とドレッシング
ツールの間に前記研磨工具に含まれる研磨液のｐＨを急
変させないようなドレッシング液を供給して研磨工具の
ドレッシング工程を行なうことを特徴とする研磨工具の
ドレッシング方法である。これにより、研磨工具の研磨
面に存在する砥粒を凝集させることなく、研磨工具のド
レッシングが行われる。
【００１５】請求項５に記載の発明は、前記洗浄液又は
ドレッシング液として電解イオン水を用いることを特徴
とする請求項１ないし４のいずれかに記載の基板の洗浄
方法、基板の研磨装置又は研磨工具のドレッシング方法
である。これにより、金属イオンによる汚染を防止しつ
つｐＨ調整を行なうことができる。
ドレッシング液として電解イオン水を用いることを特徴
とする請求項１ないし４のいずれかに記載の基板の洗浄
方法、基板の研磨装置又は研磨工具のドレッシング方法
である。これにより、金属イオンによる汚染を防止しつ
つｐＨ調整を行なうことができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の洗浄方法及び装置
を用いるポリッシング装置の実施の形態を、図１ないし
図７に基づいて説明する。このポリッシング装置の全体
的な構成は、図８及び図９に示す従来の装置と同様なの
で、詳しい説明を省略する。
を用いるポリッシング装置の実施の形態を、図１ないし
図７に基づいて説明する。このポリッシング装置の全体
的な構成は、図８及び図９に示す従来の装置と同様なの
で、詳しい説明を省略する。
【００１７】このポリッシング装置には、図１ないし図
３に示すように、受け渡し装置（プッシャ）１０におい
て、研磨工程を終えた基板を粗洗浄する粗洗浄装置Ｃが
設けられている。すなわち、プッシャ１０は載置台１２
とこれを昇降駆動する駆動部１４とを備えており、その
周囲に、ドレンポート１６を有する水受けパン１８と、
その内側に取り付けられたノズル取付部材２０とが設け
られている。載置台１２は、図２に示すように円板状の
基部２２とこれから立設された２つの円弧板状の保持板
２４からなり、保持板２４の間には隙間２６が形成され
ている。
３に示すように、受け渡し装置（プッシャ）１０におい
て、研磨工程を終えた基板を粗洗浄する粗洗浄装置Ｃが
設けられている。すなわち、プッシャ１０は載置台１２
とこれを昇降駆動する駆動部１４とを備えており、その
周囲に、ドレンポート１６を有する水受けパン１８と、
その内側に取り付けられたノズル取付部材２０とが設け
られている。載置台１２は、図２に示すように円板状の
基部２２とこれから立設された２つの円弧板状の保持板
２４からなり、保持板２４の間には隙間２６が形成され
ている。
【００１８】ノズル取付部材２０には、この実施の形態
では、トップリング７４の下面に向けて洗浄液を噴射す
る上ノズル２８と、載置台１２に保持された基板Ｗの上
面に向けて洗浄液を噴射する中ノズル３０と、保持板２
４の隙間２６から載置台１２に保持された基板Ｗの裏面
側に向けて洗浄液を噴射する下ノズル３２の３つのノズ
ルが取り付けられている。これらは、通常の噴射圧１．
１〜１．２ｋｇ／ｃｍ ２程度のノズルでも良いが、メガ
ソニック超音波装置を用いて噴射液に超音波振動を付与
してもよい。なお、図には複数のノズルが周方向１つの
方向に配置されたものが示されているが、周方向複数箇
所に配置してもよい。図３に示すように、プッシャ１０
の周囲の空間を覆って洗浄液の飛散を防止するカバー３
４が設けられており、これには一方の側にトップリング
進入用の窓３６が、他方の側にロボットアーム進入用の
窓３８が設けられている。
では、トップリング７４の下面に向けて洗浄液を噴射す
る上ノズル２８と、載置台１２に保持された基板Ｗの上
面に向けて洗浄液を噴射する中ノズル３０と、保持板２
４の隙間２６から載置台１２に保持された基板Ｗの裏面
側に向けて洗浄液を噴射する下ノズル３２の３つのノズ
ルが取り付けられている。これらは、通常の噴射圧１．
１〜１．２ｋｇ／ｃｍ ２程度のノズルでも良いが、メガ
ソニック超音波装置を用いて噴射液に超音波振動を付与
してもよい。なお、図には複数のノズルが周方向１つの
方向に配置されたものが示されているが、周方向複数箇
所に配置してもよい。図３に示すように、プッシャ１０
の周囲の空間を覆って洗浄液の飛散を防止するカバー３
４が設けられており、これには一方の側にトップリング
進入用の窓３６が、他方の側にロボットアーム進入用の
窓３８が設けられている。
【００１９】図４に示すように、粗洗浄装置Ｃの各ノズ
ル２８，３０，３２に洗浄液を供給する洗浄液供給装置
４０が設けられている。これは、研磨液と同じ、例えば
研磨液がシリカスラリーの場合に１０程度のｐＨを有す
る第１の洗浄液を貯留する第１洗浄液槽４２と、中性で
ある第２の洗浄液を貯留する第２洗浄液槽４４と、これ
らの貯液槽から延びる配管４６ａ，４６ｂに設けられた
流量調整弁４８ａ，４８ｂと、各流量調整弁の下流側で
合流する配管５０と、これから分岐して開閉弁５２ａ，
５２ｂ，５２ｃを介して各ノズル２８，３０，３２につ
ながる配管５４ａ，５４ｂ，５４ｃとから構成されてい
る。各流量調整弁４８ａ，４８ｂの開度は、制御装置や
タイマーによって、最初は第１の洗浄液のみが供給さ
れ、徐々に第２の洗浄液の比率が上昇して、最終的に中
性の第２の洗浄液のみが供給されるように調整可能にな
っている。
ル２８，３０，３２に洗浄液を供給する洗浄液供給装置
４０が設けられている。これは、研磨液と同じ、例えば
研磨液がシリカスラリーの場合に１０程度のｐＨを有す
る第１の洗浄液を貯留する第１洗浄液槽４２と、中性で
ある第２の洗浄液を貯留する第２洗浄液槽４４と、これ
らの貯液槽から延びる配管４６ａ，４６ｂに設けられた
流量調整弁４８ａ，４８ｂと、各流量調整弁の下流側で
合流する配管５０と、これから分岐して開閉弁５２ａ，
５２ｂ，５２ｃを介して各ノズル２８，３０，３２につ
ながる配管５４ａ，５４ｂ，５４ｃとから構成されてい
る。各流量調整弁４８ａ，４８ｂの開度は、制御装置や
タイマーによって、最初は第１の洗浄液のみが供給さ
れ、徐々に第２の洗浄液の比率が上昇して、最終的に中
性の第２の洗浄液のみが供給されるように調整可能にな
っている。
【００２０】なお、上記の実施の形態では、第１洗浄液
のｐＨが１０程度であり、アルカリ性ｐＨ調整剤として
ＫＯＨ等を用いているが、ｐＨショックを起こさないた
めにｐＨが９程度であっても充分である場合には、水を
適当なイオン交換膜を用いて電気分解することによって
得られる電解イオン水を用いることができる。この場合
には、洗浄液中に金属イオンが含まれていないので汚染
の可能性が少ない。
のｐＨが１０程度であり、アルカリ性ｐＨ調整剤として
ＫＯＨ等を用いているが、ｐＨショックを起こさないた
めにｐＨが９程度であっても充分である場合には、水を
適当なイオン交換膜を用いて電気分解することによって
得られる電解イオン水を用いることができる。この場合
には、洗浄液中に金属イオンが含まれていないので汚染
の可能性が少ない。
【００２１】以上のように構成された研磨装置における
工程を説明する。図８に示すように、トップリング７４
で基板Ｗを保持し、研磨液Ｑを供給しながら研磨テーブ
ル７２に摺接させて研磨を行なう。研磨が終了した状態
では、基板Ｗ及びトップリング７４には、研磨屑ととも
に砥粒を含む研磨液Ｑが付着している。ここで、トップ
リング７４をプッシャ１０の上方に旋回させ、カバー３
４の内部の初期洗浄位置に置き、図１に示す状態で、基
板Ｗを下面に保持したままで、上ノズル２８から洗浄液
を噴射して洗浄を行なう。この場合は、第１の洗浄液槽
４２から第１の洗浄液のみを供給して噴射する。
工程を説明する。図８に示すように、トップリング７４
で基板Ｗを保持し、研磨液Ｑを供給しながら研磨テーブ
ル７２に摺接させて研磨を行なう。研磨が終了した状態
では、基板Ｗ及びトップリング７４には、研磨屑ととも
に砥粒を含む研磨液Ｑが付着している。ここで、トップ
リング７４をプッシャ１０の上方に旋回させ、カバー３
４の内部の初期洗浄位置に置き、図１に示す状態で、基
板Ｗを下面に保持したままで、上ノズル２８から洗浄液
を噴射して洗浄を行なう。この場合は、第１の洗浄液槽
４２から第１の洗浄液のみを供給して噴射する。
【００２２】次に、駆動部１４を作動してプッシャ１０
を上昇させ、トップリング７４における基板Ｗの吸着を
解除して載置台１２上に移し、載置台１２を下降させて
図５に示す状態にする。ここで、３つのノズル２８，３
０，３２から洗浄液をそれぞれトップリング７４の下
面、基板Ｗの上面、基板Ｗの下面に向けてそれぞれ噴射
する。この場合、例えば図６に示すように、初期の間は
洗浄液を第１の洗浄液槽４２から供給し、徐々に第２の
洗浄液槽４４からの洗浄液を混合し、その比率を徐々に
上げて行く。そして、最終的には第２の洗浄液槽４４か
らのｐＨ７の洗浄液のみを供給する。
を上昇させ、トップリング７４における基板Ｗの吸着を
解除して載置台１２上に移し、載置台１２を下降させて
図５に示す状態にする。ここで、３つのノズル２８，３
０，３２から洗浄液をそれぞれトップリング７４の下
面、基板Ｗの上面、基板Ｗの下面に向けてそれぞれ噴射
する。この場合、例えば図６に示すように、初期の間は
洗浄液を第１の洗浄液槽４２から供給し、徐々に第２の
洗浄液槽４４からの洗浄液を混合し、その比率を徐々に
上げて行く。そして、最終的には第２の洗浄液槽４４か
らのｐＨ７の洗浄液のみを供給する。
【００２３】このように、初期洗浄工程で基板やトップ
リングに付着する液体のｐＨを変えずに洗浄工程を行っ
て砥粒を除去しつつ、徐々に洗浄液を中性に移行させて
付着液体のｐＨも中性に移行させることにより、砥粒を
含む状態でｐＨショックを与えずに、基板を中性に戻す
ことができる。従って、基板やトップリングに砥粒が凝
集して残留することが防止され、これによる汚染も防止
される。
リングに付着する液体のｐＨを変えずに洗浄工程を行っ
て砥粒を除去しつつ、徐々に洗浄液を中性に移行させて
付着液体のｐＨも中性に移行させることにより、砥粒を
含む状態でｐＨショックを与えずに、基板を中性に戻す
ことができる。従って、基板やトップリングに砥粒が凝
集して残留することが防止され、これによる汚染も防止
される。
【００２４】この粗洗浄を行いながら基板をプッシャ１
０に受け渡した後、トップリング７４を研磨テーブル７
２側に待避させ、ロボット８６ｂのアームをプッシャ１
０に移動して基板Ｗを把持し、洗浄機９０ａ，９０ｂ，
９０ｃに搬送して純水による洗浄工程を行なう。空のプ
ッシャ１０にはロボット８６ｂにより新たな基板Ｗを載
置し、そこにトップリング７４を移動させて基板Ｗを保
持し、次の研磨を行なう。
０に受け渡した後、トップリング７４を研磨テーブル７
２側に待避させ、ロボット８６ｂのアームをプッシャ１
０に移動して基板Ｗを把持し、洗浄機９０ａ，９０ｂ，
９０ｃに搬送して純水による洗浄工程を行なう。空のプ
ッシャ１０にはロボット８６ｂにより新たな基板Ｗを載
置し、そこにトップリング７４を移動させて基板Ｗを保
持し、次の研磨を行なう。
【００２５】なお、上記の実施の形態では、基板の粗洗
浄工程をプッシャ１０に設けた粗洗浄装置Ｃで行った
が、例えば、研磨テーブル７２上やその近傍で行なうよ
うにノズルを配置してもよい。また、場合によっては、
洗浄機９０ａ，９０ｂ，９０ｃで行ってもよい。即ち、
プッシャ１０及び洗浄機９０ａ，９０ｂ，９０ｃにおい
て、用いる洗浄液を徐々に研磨液と同程度の洗浄液から
純水に段階的に変えていってもよい。
浄工程をプッシャ１０に設けた粗洗浄装置Ｃで行った
が、例えば、研磨テーブル７２上やその近傍で行なうよ
うにノズルを配置してもよい。また、場合によっては、
洗浄機９０ａ，９０ｂ，９０ｃで行ってもよい。即ち、
プッシャ１０及び洗浄機９０ａ，９０ｂ，９０ｃにおい
て、用いる洗浄液を徐々に研磨液と同程度の洗浄液から
純水に段階的に変えていってもよい。
【００２６】次に、この発明の他の実施の形態のドレッ
シング方法について説明する。図７に示すように、ドレ
ッシング工程は、研磨工程の合間に、ドレッシング液ノ
ズル９２よりドレッシング液を供給しながらドレッシン
グツール９４を研磨クロスに押し付けることにより行わ
れる。この実施の形態では、ドレッシング液としてｐＨ
が研磨液のｐＨと同じかそれに近いような液体を、例え
ば、図４の第１の洗浄液槽から供給して用いる。これに
よって、研磨クロス７０上にドレッシング液が供給され
た時に、その箇所に存在する研磨液のｐＨが大きく変化
することが無いので、砥粒の凝集を防止することができ
る。
シング方法について説明する。図７に示すように、ドレ
ッシング工程は、研磨工程の合間に、ドレッシング液ノ
ズル９２よりドレッシング液を供給しながらドレッシン
グツール９４を研磨クロスに押し付けることにより行わ
れる。この実施の形態では、ドレッシング液としてｐＨ
が研磨液のｐＨと同じかそれに近いような液体を、例え
ば、図４の第１の洗浄液槽から供給して用いる。これに
よって、研磨クロス７０上にドレッシング液が供給され
た時に、その箇所に存在する研磨液のｐＨが大きく変化
することが無いので、砥粒の凝集を防止することができ
る。
【００２７】なお、上記においては、研磨液としてシリ
カスラリーを用いた場合の粗洗浄工程を説明したが、例
えば、砥粒としてアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）粒子を用いた
場合には、ｐＨ８〜９において凝集しやすいので、シリ
カスラリーと同様にあるいはそれ以上に緩やかなｐＨ制
御を行なう必要がある。
カスラリーを用いた場合の粗洗浄工程を説明したが、例
えば、砥粒としてアルミナ（Ａｌ２Ｏ３）粒子を用いた
場合には、ｐＨ８〜９において凝集しやすいので、シリ
カスラリーと同様にあるいはそれ以上に緩やかなｐＨ制
御を行なう必要がある。
【００２８】例えば基板Ｗを研磨する場合に一般的に用
いられるアルミナ系スラリーでは、砥粒であるアルミナ
（Ａｌ２Ｏ３）の粒子は、特にｐＨ４程度の酸性溶液中
（実用化されているスラリーでは硝酸溶液が主）で安定
であり、０．２μｍ程度の２次粒子を形成している。実
用化されているポリッシング用アルミナ系スラリーで
は、砥粒としてα−アルミナが主に用いられている。α
−アルミナはｐＨ７以下で安定であるが、ｐＨ３．５〜
５がより望ましい。一方、ｐＨ８〜９では凝集しやすい
ので、この付近のｐＨの溶液は洗浄液としては好ましく
ない。従って、洗浄液のｐＨとしてはｐＨ７以下が望ま
しく、「ｐＨ３．５〜５」の範囲が特に望ましいと考え
る。
いられるアルミナ系スラリーでは、砥粒であるアルミナ
（Ａｌ２Ｏ３）の粒子は、特にｐＨ４程度の酸性溶液中
（実用化されているスラリーでは硝酸溶液が主）で安定
であり、０．２μｍ程度の２次粒子を形成している。実
用化されているポリッシング用アルミナ系スラリーで
は、砥粒としてα−アルミナが主に用いられている。α
−アルミナはｐＨ７以下で安定であるが、ｐＨ３．５〜
５がより望ましい。一方、ｐＨ８〜９では凝集しやすい
ので、この付近のｐＨの溶液は洗浄液としては好ましく
ない。従って、洗浄液のｐＨとしてはｐＨ７以下が望ま
しく、「ｐＨ３．５〜５」の範囲が特に望ましいと考え
る。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、基板や研磨工具に付着する研磨液のｐＨを急変させ
ることなく、従って、ｐＨショックによって研磨液に含
まれる砥粒を凝集させることなく、基板の洗浄や工具の
ドレッシングを効率良く行なうことができる。
ば、基板や研磨工具に付着する研磨液のｐＨを急変させ
ることなく、従って、ｐＨショックによって研磨液に含
まれる砥粒を凝集させることなく、基板の洗浄や工具の
ドレッシングを効率良く行なうことができる。
【図１】この発明の１つの実施の形態の粗洗浄装置の構
造を示す断面図である。
造を示す断面図である。
【図２】図１の載置台の構造を示す（ａ）平面図、
（ｂ）側面断面図である。
（ｂ）側面断面図である。
【図３】図１のカバーを示す斜視図である。
【図４】洗浄液供給装置を示す配管系統図である。
【図５】粗洗浄装置の構造を示す断面図である。
【図６】粗洗浄工程における洗浄液のｐＨの変化を示す
グラフである。
グラフである。
【図７】ポリッシング装置におけるドレッシング工程を
示す正面図である。
示す正面図である。
【図８】従来のポリッシング装置を示す正面図である。
【図９】従来のポリッシング装置を示す平面図である。
１０ プッシャ １２ 載置台 １４ 駆動部 １６ ドレンポート １８ パン ２０ ノズル取付部材 ２２ 基部 ２４ 保持板 ２６ 隙間 ２８ 上ノズル ３０ 中ノズル ３２ 下ノズル ３４ カバー ３６，３８ 窓 ４０ 洗浄液供給装置 ４２，４４ 洗浄液槽 ４６ａ，４６ｂ，５０，５４ａ，５４ｂ，５４ｃ 配
管 ４８ａ，４８ｂ 各流量調整弁 ５２ａ，５２ｂ，５２ｃ 開閉弁 ７０ 研磨クロス ７２ 研磨テーブル ７４ トップリング ７６ 研磨装置 ７８ 砥液ノズル ８０ ドレッシング装置 ８４ａ，８４ｂ ロードアンロードユニット ８６ａ，８６ｂ 搬送ロボット ８８ａ，８８ｂ 反転機 ９０ａ，９０ｂ，９０ｃ 洗浄機 ９２ ドレッシング液ノズル ９４ ドレッシングツール Ｃ 粗洗浄装置 Ｑ 研磨液 Ｗ 基板
管 ４８ａ，４８ｂ 各流量調整弁 ５２ａ，５２ｂ，５２ｃ 開閉弁 ７０ 研磨クロス ７２ 研磨テーブル ７４ トップリング ７６ 研磨装置 ７８ 砥液ノズル ８０ ドレッシング装置 ８４ａ，８４ｂ ロードアンロードユニット ８６ａ，８６ｂ 搬送ロボット ８８ａ，８８ｂ 反転機 ９０ａ，９０ｂ，９０ｃ 洗浄機 ９２ ドレッシング液ノズル ９４ ドレッシングツール Ｃ 粗洗浄装置 Ｑ 研磨液 Ｗ 基板
Claims (5)
- 【請求項１】 基板と研磨工具との間に研磨液を供給し
つつ該基板と研磨工具とを摺動させて研磨を行なう研磨
工程の後に行なう基板の洗浄方法において、 前記基板の被研磨面に、該被研磨面に付着する研磨液の
ｐＨを急変させないような洗浄液を供給して粗洗浄工程
を行なうことを特徴とする基板の洗浄方法。 - 【請求項２】 基板と研磨工具との間に研磨液を供給し
つつ該基板と研磨工具とを摺動させて研磨を行なう研磨
部と、 前記研磨部での研磨工程が終了した後に、前記基板の被
研磨面に、該被研磨面に付着する研磨液のｐＨを急変さ
せないような洗浄液を供給して粗洗浄工程を行なう粗洗
浄部とを有することを特徴とする基板の研磨装置。 - 【請求項３】 前記粗洗浄工程において又はその後に、
前記洗浄液のｐＨを順次中性に移行させる工程を行なう
ことを特徴とする請求項１又は２に記載の基板の洗浄方
法又は基板の研磨装置。 - 【請求項４】 基板と研磨工具との間に研磨液を供給し
つつ該基板と研磨工具とを摺動させて研磨を行なう研磨
工程の後に行なう研磨工具のドレッシング方法におい
て、 前記研磨工具とドレッシングツールの間に前記研磨工具
に含まれる研磨液のｐＨを急変させないようなドレッシ
ング液を供給して研磨工具のドレッシング工程を行なう
ことを特徴とする研磨工具のドレッシング方法。 - 【請求項５】 前記洗浄液又はドレッシング液として電
解イオン水を用いることを特徴とする請求項１ないし４
のいずれかに記載の基板の洗浄方法、基板の研磨装置又
は研磨工具のドレッシング方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24679998A JP3701126B2 (ja) | 1998-09-01 | 1998-09-01 | 基板の洗浄方法及び研磨装置 |
| US09/387,553 US6325698B1 (en) | 1998-09-01 | 1999-09-01 | Cleaning method and polishing apparatus employing such cleaning method |
| US09/932,987 US6752692B2 (en) | 1998-09-01 | 2001-08-21 | Cleaning method and polishing apparatus employing such cleaning method |
| US10/844,317 US7169235B2 (en) | 1998-09-01 | 2004-05-13 | Cleaning method and polishing apparatus employing such cleaning method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24679998A JP3701126B2 (ja) | 1998-09-01 | 1998-09-01 | 基板の洗浄方法及び研磨装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000077373A true JP2000077373A (ja) | 2000-03-14 |
| JP3701126B2 JP3701126B2 (ja) | 2005-09-28 |
Family
ID=17153861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24679998A Expired - Lifetime JP3701126B2 (ja) | 1998-09-01 | 1998-09-01 | 基板の洗浄方法及び研磨装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (3) | US6325698B1 (ja) |
| JP (1) | JP3701126B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001274123A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板研磨装置及び基板研磨方法 |
| WO2002015247A2 (en) * | 2000-08-16 | 2002-02-21 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and apparatus for processing a semiconductor wafer using novel final polishing method |
| WO2003019638A1 (en) * | 2001-08-31 | 2003-03-06 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Constant ph polish and scrub |
| JP2004253696A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Speedfam Co Ltd | 半導体処理方法及び半導体処理装置 |
| JP2007110066A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-04-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法、研磨装置及び研磨システム |
| JP2011249837A (ja) * | 2005-09-15 | 2011-12-08 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置の製造方法、研磨装置及び研磨システム |
| JP2014188420A (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-06 | Avanstrate Inc | ガラス基板の製造方法、ディスプレイ用ガラス基板の製造方法、及びディスプレイ用ガラス基板の端面の洗浄方法 |
Families Citing this family (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19744953A1 (de) * | 1997-10-10 | 1999-04-15 | Giesecke & Devrient Gmbh | Sicherheitselement und Verfahren zu seiner Herstellung |
| JP3701126B2 (ja) * | 1998-09-01 | 2005-09-28 | 株式会社荏原製作所 | 基板の洗浄方法及び研磨装置 |
| JP4127926B2 (ja) * | 1999-04-08 | 2008-07-30 | 株式会社荏原製作所 | ポリッシング方法 |
| US6634930B1 (en) * | 2000-08-09 | 2003-10-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd | Method and apparatus for preventing metal corrosion during chemical mechanical polishing |
| US20030077982A1 (en) * | 2001-09-28 | 2003-04-24 | Hoya Corporation | Method of producing a glass substrate for a magnetic recording medium and method of producing a magnetic recording medium |
| US6764386B2 (en) * | 2002-01-11 | 2004-07-20 | Applied Materials, Inc. | Air bearing-sealed micro-processing chamber |
| TW200308007A (en) * | 2002-03-13 | 2003-12-16 | Nutool Inc | Method and apparatus for integrated chemical mechanical polishing of copper and barrier layers |
| US7101253B2 (en) * | 2002-08-27 | 2006-09-05 | Applied Materials Inc. | Load cup for chemical mechanical polishing |
| US6767274B2 (en) * | 2002-11-07 | 2004-07-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method to reduce defect/slurry residue for copper CMP |
| US7422730B2 (en) * | 2003-04-02 | 2008-09-09 | Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | Nanoporous ultrafine α-alumina powders and sol-gel process of preparing same |
| JP2005123485A (ja) * | 2003-10-17 | 2005-05-12 | Ebara Corp | 研磨装置 |
| US6910956B1 (en) * | 2003-12-22 | 2005-06-28 | Powerchip Semiconductor Corp. | Wafer grinding apparatus |
| US7052376B1 (en) * | 2005-05-26 | 2006-05-30 | United Microelectronics Corp. | Wafer carrier gap washer |
| US7258599B2 (en) * | 2005-09-15 | 2007-08-21 | Fujitsu Limited | Polishing machine, workpiece supporting table pad, polishing method and manufacturing method of semiconductor device |
| TWI506621B (zh) * | 2005-12-22 | 2015-11-01 | Kao Corp | 硬碟基板用研磨液組合物 |
| KR101004432B1 (ko) * | 2008-06-10 | 2010-12-28 | 세메스 주식회사 | 매엽식 기판 처리 장치 |
| US8172641B2 (en) * | 2008-07-17 | 2012-05-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | CMP by controlling polish temperature |
| JP2010179407A (ja) * | 2009-02-05 | 2010-08-19 | Elpida Memory Inc | Ｃｍｐ装置 |
| MY165019A (en) * | 2011-03-31 | 2018-02-28 | Hoya Corp | Method of manufacturing a glass substrate for a magnetic disk and method of manufacturing a magnetic disk |
| CN103128649B (zh) * | 2011-11-28 | 2016-08-03 | 无锡华润上华科技有限公司 | 能减少残余浆料的化学机械抛光方法 |
| US9105516B2 (en) * | 2012-07-03 | 2015-08-11 | Ebara Corporation | Polishing apparatus and polishing method |
| JP2015062956A (ja) * | 2012-09-19 | 2015-04-09 | 株式会社荏原製作所 | 研磨装置 |
| US9592585B2 (en) * | 2012-12-28 | 2017-03-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | System and method for CMP station cleanliness |
| CN104802068B (zh) * | 2014-01-24 | 2017-05-10 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 化学机械抛光方法 |
| CN105817991A (zh) * | 2015-01-06 | 2016-08-03 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 化学机械研磨方法 |
| JP7527729B2 (ja) * | 2020-11-16 | 2024-08-05 | 株式会社ディスコ | 加工装置 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4116714A (en) * | 1977-08-15 | 1978-09-26 | International Business Machines Corporation | Post-polishing semiconductor surface cleaning process |
| US4319923A (en) * | 1979-12-26 | 1982-03-16 | Western Electric Co., Inc. | Recovery of gold and/or palladium from an iodide-iodine etching solution |
| JPS60196950A (ja) | 1984-03-19 | 1985-10-05 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US5078801A (en) * | 1990-08-14 | 1992-01-07 | Intel Corporation | Post-polish cleaning of oxidized substrates by reverse colloidation |
| US5389194A (en) * | 1993-02-05 | 1995-02-14 | Lsi Logic Corporation | Methods of cleaning semiconductor substrates after polishing |
| JPH08107094A (ja) | 1994-10-05 | 1996-04-23 | Toshiba Corp | 基板の洗浄方法 |
| JP2862073B2 (ja) * | 1995-12-08 | 1999-02-24 | 日本電気株式会社 | ウェハー研磨方法 |
| US5679169A (en) * | 1995-12-19 | 1997-10-21 | Micron Technology, Inc. | Method for post chemical-mechanical planarization cleaning of semiconductor wafers |
| US5575706A (en) * | 1996-01-11 | 1996-11-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | Chemical/mechanical planarization (CMP) apparatus and polish method |
| US6007696A (en) * | 1996-09-28 | 1999-12-28 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Apparatus and method for manufacturing electrolytic ionic water and washing method using electroyltic ionic water |
| JP3568709B2 (ja) * | 1996-09-30 | 2004-09-22 | 株式会社東芝 | 超純水の純化方法及び純化装置 |
| JPH10144650A (ja) * | 1996-11-11 | 1998-05-29 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体材料の洗浄装置 |
| JP3455035B2 (ja) * | 1996-11-14 | 2003-10-06 | 株式会社東芝 | 電解イオン水生成装置及び半導体製造装置 |
| JPH10163138A (ja) * | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法および研磨装置 |
| US6022400A (en) * | 1997-05-22 | 2000-02-08 | Nippon Steel Corporation | Polishing abrasive grains, polishing agent and polishing method |
| US5934980A (en) * | 1997-06-09 | 1999-08-10 | Micron Technology, Inc. | Method of chemical mechanical polishing |
| US6048466A (en) * | 1997-08-20 | 2000-04-11 | Fine Glass Technology Co., Ltd. | Method of cleaning glass substrate for magnetic disk or semiconductor substrate |
| US6248143B1 (en) * | 1998-01-27 | 2001-06-19 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Composition for polishing glass and polishing method |
| TW406329B (en) * | 1998-04-30 | 2000-09-21 | Ibm | Method of cleaning semiconductor wafers after cmp planarization |
| JP3701126B2 (ja) * | 1998-09-01 | 2005-09-28 | 株式会社荏原製作所 | 基板の洗浄方法及び研磨装置 |
| US6152148A (en) * | 1998-09-03 | 2000-11-28 | Honeywell, Inc. | Method for cleaning semiconductor wafers containing dielectric films |
| US6099662A (en) * | 1999-02-11 | 2000-08-08 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Process for cleaning a semiconductor substrate after chemical-mechanical polishing |
| US6130163A (en) * | 1999-06-03 | 2000-10-10 | Promos Technologies, Inc. | Stabilization of slurry used in chemical mechanical polishing of semiconductor wafers by adjustment of PH of deionized water |
-
1998
- 1998-09-01 JP JP24679998A patent/JP3701126B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-09-01 US US09/387,553 patent/US6325698B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2001
- 2001-08-21 US US09/932,987 patent/US6752692B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-05-13 US US10/844,317 patent/US7169235B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001274123A (ja) * | 2000-03-27 | 2001-10-05 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 基板研磨装置及び基板研磨方法 |
| WO2002015247A2 (en) * | 2000-08-16 | 2002-02-21 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and apparatus for processing a semiconductor wafer using novel final polishing method |
| WO2002015247A3 (en) * | 2000-08-16 | 2003-05-01 | Memc Electronic Materials | Method and apparatus for processing a semiconductor wafer using novel final polishing method |
| JP2004507085A (ja) * | 2000-08-16 | 2004-03-04 | エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド | 新規な最終研磨方法を用いて半導体ウェーハを処理する方法および装置 |
| US6709981B2 (en) | 2000-08-16 | 2004-03-23 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and apparatus for processing a semiconductor wafer using novel final polishing method |
| WO2003019638A1 (en) * | 2001-08-31 | 2003-03-06 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Constant ph polish and scrub |
| JP2004253696A (ja) * | 2003-02-21 | 2004-09-09 | Speedfam Co Ltd | 半導体処理方法及び半導体処理装置 |
| JP4499365B2 (ja) * | 2003-02-21 | 2010-07-07 | スピードファム株式会社 | 半導体処理方法 |
| JP2007110066A (ja) * | 2005-09-15 | 2007-04-26 | Fujitsu Ltd | 半導体装置の製造方法、研磨装置及び研磨システム |
| JP2011249837A (ja) * | 2005-09-15 | 2011-12-08 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置の製造方法、研磨装置及び研磨システム |
| JP2014188420A (ja) * | 2013-03-26 | 2014-10-06 | Avanstrate Inc | ガラス基板の製造方法、ディスプレイ用ガラス基板の製造方法、及びディスプレイ用ガラス基板の端面の洗浄方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6752692B2 (en) | 2004-06-22 |
| JP3701126B2 (ja) | 2005-09-28 |
| US6325698B1 (en) | 2001-12-04 |
| US7169235B2 (en) | 2007-01-30 |
| US20010055937A1 (en) | 2001-12-27 |
| US20040221874A1 (en) | 2004-11-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2000077373A (ja) | 基板の洗浄方法及び研磨装置 | |
| US5876508A (en) | Method of cleaning slurry remnants after the completion of a chemical-mechanical polish process | |
| US6494985B1 (en) | Method and apparatus for polishing a substrate | |
| US6368194B1 (en) | Apparatus for controlling PH during planarization and cleaning of microelectronic substrates | |
| JP3114156B2 (ja) | 洗浄方法および装置 | |
| US5597443A (en) | Method and system for chemical mechanical polishing of semiconductor wafer | |
| US6221171B1 (en) | Method and apparatus for conveying a workpiece | |
| CN105817991A (zh) | 化学机械研磨方法 | |
| US5888124A (en) | Apparatus for polishing and cleaning a wafer | |
| JP7491774B2 (ja) | 基板保持回転機構、基板処理装置 | |
| JP2018006389A (ja) | 洗浄装置及び基板処理装置 | |
| JP2002510875A (ja) | ケミカルメカニカルポリシングにおいてスラリーを除去する装置および方法 | |
| US6908371B2 (en) | Ultrasonic conditioning device cleaner for chemical mechanical polishing systems | |
| TWI278929B (en) | CMP method and device capable of avoiding slurry residues | |
| JP6159282B2 (ja) | 基板処理装置、および基板処理装置の配管洗浄方法 | |
| JP3426866B2 (ja) | 半導体装置の製造装置および製造方法 | |
| KR20230136785A (ko) | 자가 세척 기능을 가지는 연마 후 세정용 버핑 장치 | |
| US20240286245A1 (en) | Substrate treatment apparatus and method for treating substrate | |
| JPH10270395A (ja) | ウエハ基板の研磨洗浄処理におけるガス雰囲気調整方法及び該調整方法を実施するための装置 | |
| JPH10337666A (ja) | 化学的機械研磨装置 | |
| KR100963043B1 (ko) | 웨이퍼의 제조방법 및 웨이퍼의 연마장치 | |
| JP2020136488A (ja) | 洗浄部材用洗浄装置及び基板処理装置 | |
| WO2003018256A1 (en) | Method and apparatus for chemical mechanical planarization end-o f-polish optimization | |
| KR20070064010A (ko) | 화학적기계적연마장치의 패드 컨디셔닝 방법 | |
| KR20080062043A (ko) | 후-세정으로 인한 불량을 방지하기 위한 화학기계적 연마방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040520 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050222 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050422 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050712 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050712 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090722 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100722 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110722 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110722 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120722 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120722 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130722 Year of fee payment: 8 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |