JPS60196950A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS60196950A JPS60196950A JP59052858A JP5285884A JPS60196950A JP S60196950 A JPS60196950 A JP S60196950A JP 59052858 A JP59052858 A JP 59052858A JP 5285884 A JP5285884 A JP 5285884A JP S60196950 A JPS60196950 A JP S60196950A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
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- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は単結晶半導体棒より半導体ウェーッ・を切断し
、表面研摩の後不純物導入などの処理を行う半導体装置
の製造方法に関する。
、表面研摩の後不純物導入などの処理を行う半導体装置
の製造方法に関する。
半導体装置のためには、例えば第１図に示すように円柱
状シリコン単結晶棒ｌを切断機によシシリコンウエーハ
２にスライスし、その除虫ずる表面の歪層除去のために
ウェーハ２の両面を研摩して所定の厚さのウェーハ３と
する。この切断工程。
状シリコン単結晶棒ｌを切断機によシシリコンウエーハ
２にスライスし、その除虫ずる表面の歪層除去のために
ウェーハ２の両面を研摩して所定の厚さのウェーハ３と
する。この切断工程。
研摩工程はいずれも研摩粉と油を使用するため、そのあ
と有機溶剤によって脱脂、洗滌して表面清浄なウェーハ
４を得る。しかし切断、研摩工程は大きな応力の加わる
機械的な加工工程であるため、時には脆いシリコンウェ
ーッ・の損傷が起こる。％に切断工程でウェーハ損傷が
起こシやすく、例えばクラック等の傷５が生ずるが、こ
の傷５に工程中使用される研摩粉がつまって、目視では
わからない潜傷となることがある。一般的に実施されて
いるトリクレン、トリエタン等による洗浄では、このつ
まった研摩粉は除去されないことがある。
と有機溶剤によって脱脂、洗滌して表面清浄なウェーハ
４を得る。しかし切断、研摩工程は大きな応力の加わる
機械的な加工工程であるため、時には脆いシリコンウェ
ーッ・の損傷が起こる。％に切断工程でウェーハ損傷が
起こシやすく、例えばクラック等の傷５が生ずるが、こ
の傷５に工程中使用される研摩粉がつまって、目視では
わからない潜傷となることがある。一般的に実施されて
いるトリクレン、トリエタン等による洗浄では、このつ
まった研摩粉は除去されないことがある。
このような傷５のあるウェーッ蔦４を用いてその後の処
理を施し、半導体装置を製造した場合、傷５のために装
置の目標特性が得られない結果に至る。
理を施し、半導体装置を製造した場合、傷５のために装
置の目標特性が得られない結果に至る。
本発明は半導体棒から半導体板を作成するための切断、
研摩工程の際に生ずる表面の傷が研摩粉の詰まることに
よシ発見されないことのないような半導体装置の製造方
法を提供することを目的とする。
研摩工程の際に生ずる表面の傷が研摩粉の詰まることに
よシ発見されないことのないような半導体装置の製造方
法を提供することを目的とする。
本発明による半導体装置の製造方法においては、半導体
棒から半導体ウェーハを作成するための切断、研摩工程
の後、半導体ウェーハをアルカリ水溶−・よ□い−Ｃカ
？ｌ）ｔ、Ｌ ｊ ＋！：よよ□ヵおル□ヮ粉の除去を
行い、その後の処理に委ねることによシ上記の目的が達
成される。
棒から半導体ウェーハを作成するための切断、研摩工程
の後、半導体ウェーハをアルカリ水溶−・よ□い−Ｃカ
？ｌ）ｔ、Ｌ ｊ ＋！：よよ□ヵおル□ヮ粉の除去を
行い、その後の処理に委ねることによシ上記の目的が達
成される。
第２図は本発明による半導体装置の製造方法の実施例に
おける工程の一部を示す流れ図である。
おける工程の一部を示す流れ図である。
従来と同様に切断、研摩工程を経たシリコンウェーハを
、例えば５０ｇのＫＯＨを１ｏｏｏｃｃの水に溶かして
作成したアルカリ水溶液中に浸漬して脱脂とエツチング
を行う。液温は２０〜２５℃、処理時間は５分である。
、例えば５０ｇのＫＯＨを１ｏｏｏｃｃの水に溶かして
作成したアルカリ水溶液中に浸漬して脱脂とエツチング
を行う。液温は２０〜２５℃、処理時間は５分である。
これによシ切断、研摩工程で付着した油が除去されると
共に、シリコン表面のわずかなエツチングによシ研摩粉
が傷の中に詰まっているものを含めて除去される。従っ
て、このあと超音波洗浄を含む純水洗浄工程のくシ返し
の後ウェーハ表面を検査すれば、切断あるいは研摩工程
で生じた傷（第１図の５）を発見することができる。
共に、シリコン表面のわずかなエツチングによシ研摩粉
が傷の中に詰まっているものを含めて除去される。従っ
て、このあと超音波洗浄を含む純水洗浄工程のくシ返し
の後ウェーハ表面を検査すれば、切断あるいは研摩工程
で生じた傷（第１図の５）を発見することができる。
この方法の採用によシ、等しい工程を経たウェーハの傷
の発見率は従来方法に比較して２５％多くなシ、傷の検
知能力の向上が明らかであった。従って、それだけ半導
体装置の不良発生が低減する。
の発見率は従来方法に比較して２５％多くなシ、傷の検
知能力の向上が明らかであった。従って、それだけ半導
体装置の不良発生が低減する。
なおＫＯＨの代シにＮａＯＨを用いても同様の効果が得
られた。
られた。
本発明は、半導体装置の製造のための半導体ウェーハを
半導体棒から作成する際に、切断、研摩によシ表面に付
着した油と研摩粉をアルカリ水溶液による洗浄によって
除去するもので、切断、研摩工程の際に生じた表面の傷
を埋めていた研摩粉もアルカリ水溶液の半導体のエツチ
ング作用によシ除去でき、傷の発見が容易になって、傷
に基づく半導体装置の不良発生が低減し、製造歩留シの
向上に極めて有効である。
半導体棒から作成する際に、切断、研摩によシ表面に付
着した油と研摩粉をアルカリ水溶液による洗浄によって
除去するもので、切断、研摩工程の際に生じた表面の傷
を埋めていた研摩粉もアルカリ水溶液の半導体のエツチ
ング作用によシ除去でき、傷の発見が容易になって、傷
に基づく半導体装置の不良発生が低減し、製造歩留シの
向上に極めて有効である。
第１図はシリコン棒の切断、研摩工程を図式的に示す斜
視図、第２図は本発明の一実施例の工程の一部を示す流
れ図である。 代耳人ブト万士 山 口 ｙ４ 第１図 第２図
視図、第２図は本発明の一実施例の工程の一部を示す流
れ図である。 代耳人ブト万士 山 口 ｙ４ 第１図 第２図
Claims (1)
- １）半導体装置のための半導体ウェーハが半導体板から
の切断、表面研摩により作成される製造方法において、
切断、研摩工程の後半導体ウェーハをアルカリ水溶液を
用いて洗浄し、脱脂と研摩粉の除去を行うことを特徴と
する半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59052858A JPS60196950A (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59052858A JPS60196950A (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60196950A true JPS60196950A (ja) | 1985-10-05 |
Family
ID=12926557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59052858A Pending JPS60196950A (ja) | 1984-03-19 | 1984-03-19 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60196950A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6325698B1 (en) | 1998-09-01 | 2001-12-04 | Ebara Corporation | Cleaning method and polishing apparatus employing such cleaning method |
| KR100420205B1 (ko) * | 2001-09-10 | 2004-03-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 웨이퍼 제조 방법 |
-
1984
- 1984-03-19 JP JP59052858A patent/JPS60196950A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6325698B1 (en) | 1998-09-01 | 2001-12-04 | Ebara Corporation | Cleaning method and polishing apparatus employing such cleaning method |
| US6752692B2 (en) | 1998-09-01 | 2004-06-22 | Ebara Corporation | Cleaning method and polishing apparatus employing such cleaning method |
| US7169235B2 (en) | 1998-09-01 | 2007-01-30 | Ebara Corporation | Cleaning method and polishing apparatus employing such cleaning method |
| KR100420205B1 (ko) * | 2001-09-10 | 2004-03-04 | 주식회사 하이닉스반도체 | 웨이퍼 제조 방법 |
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