JP2007123383A - 半導体ウエーハの製造方法及び半導体ウエーハの洗浄方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】研磨工程後にウエーハに付着している金属不純物を効率的に除去できる半導体ウエーハの製造方法および洗浄方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、半導体インゴットから薄板状のウエーハを切り出すスライス工程と、前記ウエーハを平坦化する平坦化工程と、前記ウエーハの加工歪みを除去するエッチング工程と、前記ウエーハを研磨する研磨工程とを有する半導体ウエーハの製造方法において、前記研磨工程後にウエーハを過酸化水素水およびクエン酸および水酸化ナトリウムを含有する洗浄溶液で洗浄することを特徴とする半導体ウエーハの製造方法および洗浄方法。
【選択図】図1
【解決手段】少なくとも、半導体インゴットから薄板状のウエーハを切り出すスライス工程と、前記ウエーハを平坦化する平坦化工程と、前記ウエーハの加工歪みを除去するエッチング工程と、前記ウエーハを研磨する研磨工程とを有する半導体ウエーハの製造方法において、前記研磨工程後にウエーハを過酸化水素水およびクエン酸および水酸化ナトリウムを含有する洗浄溶液で洗浄することを特徴とする半導体ウエーハの製造方法および洗浄方法。
【選択図】図1
Description
本発明は、シリコン等の半導体ウエーハを製造する工程で行われる洗浄方法に係り、特に、半導体基板(ウエーハ)の製造工程中に付着する金属汚染物質を効果的に除去する方法に関する。
半導体デバイスの製造では、ウエーハ自体に金属やウエーハ表面に微粒子の汚染物が存在した場合、デバイスの性能特性に悪影響を及ぼすことがある。半導体デバイスに用いられる半導体基板(ウエーハ)は、主に引上げ法(チョクラルスキー法、CZ法)で育成されたインゴットブロックを鏡面状の薄板に加工することで製造される。その加工工程は主にインゴットブロックをウエーハ状にスライスするスライス工程と該スライスされたウエーハの外周部を面取りする面取り工程と、該面取りされたウエーハをラッピングまたは平面研削等を用いて平坦化する平坦化工程と、該平坦化されたウエーハの加工歪を除去する為のエッチング工程と、該エッチングされたウエーハの両面、または片面を研磨する研磨工程からなる。更に熱処理工程や検査工程、各種洗浄工程などを有する。
従来、ウエーハの片面を研磨する研磨工程においては、研磨するウエーハの片面をワックスを用いてターンテーブルに固定して、もう一方の片面の研磨を行っている。この研磨工程後、ウエーハに付着したワックスや加工中に付着したパーティクルを除去するために、過酸化水素水またはオゾンのような酸化剤および水酸化ナトリウムまたは水酸化カリウムのような塩基を用いて順次あるいは同時に洗浄を行っていた(特許文献1参照)。
しかし、このような洗浄方法では、ウエーハ表面に付着した金属不純物を十分に除去できておらず、近年要求されるデバイスの性能特性に悪影響を及ぼす原因となるという問題があった。
本発明は、このような問題点に鑑みてなされたもので、研磨工程後にウエーハに付着している金属不純物を効率的に除去できる半導体ウエーハの製造方法および洗浄方法を提供することを目的としたものである。
本発明は、上記課題を解決するためになされたもので、少なくとも、半導体インゴットから薄板状のウエーハを切り出すスライス工程と、前記ウエーハを平坦化する平坦化工程と、前記ウエーハの加工歪みを除去するエッチング工程と、前記ウエーハを研磨する研磨工程とを有する半導体ウエーハの製造方法において、前記研磨工程後にウエーハを過酸化水素水およびクエン酸および水酸化ナトリウムを含有する洗浄溶液で洗浄することを特徴とする半導体ウエーハの製造方法を提供する(請求項1)。
このように研磨工程後にウエーハを過酸化水素水およびクエン酸および水酸化ナトリウムを含有する洗浄溶液で洗浄すれば、ウエーハに付着しているワックスや、加工中に付着した金属不純物およびパーティクルを十分に除去することができ、特にNiの除去効率を飛躍的に向上することができる。
この場合、前記研磨工程において研磨するウエーハをワックスを用いてガラスプレートに貼り付けて片面の研磨を行うことができる(請求項2)。
このように、前記研磨工程において研磨するウエーハをワックスを用いてガラスプレートに貼り付けて片面の研磨を行う場合に、本発明は研磨工程でウエーハに付着したワックスや、加工中に付着した金属不純物およびパーティクルを十分に除去するのに有効である。
また、前記過酸化水素水およびクエン酸および水酸化ナトリウムを含有する洗浄溶液で洗浄した後に、RCA洗浄を行うことが好ましい(請求項3)。
このように、前記過酸化水素水およびクエン酸および水酸化ナトリウムを含有する洗浄溶液で洗浄した後に、RCA洗浄を行えば、金属不純物およびパーティクルをより低減することができる。
この場合、前記製造する半導体ウエーハをシリコンウエーハとすることができる(請求項4)。
このように前記製造する半導体ウエーハをシリコンウエーハとすれば、大量に用いられているシリコンウエーハ表面の金属不純物やパーティクルが低減された清浄で高品質のシリコンウエーハを製造することができる。
また、本発明は、半導体ウエーハの洗浄方法において、前記半導体ウエーハを過酸化水素水およびクエン酸および水酸化ナトリウムを含有する洗浄溶液で洗浄することを特徴とする半導体ウエーハの洗浄方法を提供する(請求項5)。
このような洗浄方法であれば、ウエーハに付着しているワックスや、加工中に付着した金属不純物およびパーティクルを十分に除去することができ、特にNiの除去効率を飛躍的に向上することができる。
この場合、ウエーハをワックスを用いてガラスプレートに貼り付けて片面の研磨を行った後に、前記洗浄を行うことができる(請求項6)。
このように研磨するウエーハをワックスを用いてガラスプレートに貼り付けて片面の研磨を行う場合に、本発明は研磨工程でウエーハに付着したワックスや、加工中に付着した金属不純物およびパーティクルを十分に除去するのに有効である。
この場合、前記過酸化水素水およびクエン酸および水酸化ナトリウムを含有する洗浄溶液で洗浄した後に、RCA洗浄を行うことが好ましい(請求項7)。
このように、前記過酸化水素水およびクエン酸および水酸化ナトリウムを含有する洗浄溶液で洗浄した後に、RCA洗浄を行えば、金属不純物およびパーティクルをより低減することができる。
この場合、前記半導体ウエーハをシリコンウエーハとすることができる(請求項8)。
このように前記洗浄する半導体ウエーハをシリコンウエーハとすれば、大量に用いられているシリコンウエーハ表面の金属不純物やパーティクルが低減された清浄で高品質のシリコンウエーハを得ることができる。
以上説明したように、本発明によれば、研磨工程後にウエーハを過酸化水素水およびクエン酸および水酸化ナトリウムを含有する洗浄溶液で洗浄することで、ウエーハに付着したワックスや加工中に付着した金属不純物およびパーティクルを十分に除去することができ、特にNiの除去効率を飛躍的に向上することができる。これにより、清浄で高品質のウエーハを得ることができる。
以下、本発明についてより詳細に説明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意検討を行った結果、研磨工程後にウエーハを過酸化水素水およびクエン酸および水酸化ナトリウムを含有する洗浄溶液で洗浄すれば、特にウエーハに付着したNiの除去効率を飛躍的に向上することができることに想到し、本発明を完成させた。
すなわち本発明の半導体ウエーハの製造方法は、少なくとも、半導体インゴットから薄板状のウエーハを切り出すスライス工程と、前記ウエーハを平坦化する平坦化工程と、前記ウエーハの加工歪みを除去するエッチング工程と、前記ウエーハを研磨する研磨工程とを有する半導体ウエーハの製造方法において、前記研磨工程後にウエーハを過酸化水素水およびクエン酸および水酸化ナトリウムを含有する洗浄溶液で洗浄することを特徴とする。
ここで、図1は本発明の半導体ウエーハの製造方法および洗浄方法の一例を説明する概略図である。
まず、チョクラルスキー法等により引上げたシリコン単結晶インゴットをスライスして薄円板状のウェーハに加工する(スライス工程、図1(a))。
まず、チョクラルスキー法等により引上げたシリコン単結晶インゴットをスライスして薄円板状のウェーハに加工する(スライス工程、図1(a))。
続いて、スライス工程での切断加工によってウェーハ表層に誘起された加工変質層を除去するとともにウェーハを平坦化するために、ウェーハを機械研削(ラッピング)する(平坦化工程、図1(b))。この平坦化は、平面研削や両頭研削で行われてもよい。
さらに、上記の工程でウェーハ表層に生じた加工歪みを除去するために、ウェーハをエッチングする(エッチング工程、図1(c))。
次に、前記エッチングされたウェーハの表面をさらに平坦化するために、ウエーハを研磨する研磨工程を行う(図1(d))。研磨方法は特に限定されず、両面研磨やテンプレートを用いた研磨に適用し得るが、特に、研磨するウエーハをワックスを用いてガラスプレートに貼り付けて、ガラスプレートを回転させつつウエーハ表面を研磨布に押圧しながら摺接させて片面の研磨を行うことができる。
ここまでの工程は従来法と特に変わることはなく、この他にも面取り・洗浄・熱処理等の工程が加わってもよく、一部工程の省略・入換え・繰返し等本発明においても従来行われている種々の工程を採用し得る。
次に、研磨したウエーハを過酸化水素水およびクエン酸および水酸化ナトリウムを含有する洗浄溶液で洗浄する(図1(e))。
このように、ウエーハを過酸化水素水およびクエン酸および水酸化ナトリウムを含有する洗浄溶液で洗浄することで、前記研磨工程でウエーハに付着したワックスや、加工中に付着した金属不純物およびパーティクルを十分に除去することができ、特にウエーハ表面に付着したNiの除去効率を飛躍的に向上することができる。
次に、洗浄溶液を除去するためにウエーハを純水でリンスする(図1(f))。
次に、必要に応じRCA洗浄を行う(図1(g))。このRCA洗浄は、従来行われているものを採用すればよく、特に限定しない。たとえば、図1に示すようにSC1洗浄、リンス、SC2洗浄、リンスの順で行うことができる。この、SC1洗浄で使用するアンモニア−過酸化水素水混合溶液は、29重量%NH3:30重量%H2O2:H2O=1:1:5(体積比)の混合比率とし、液温は80℃とすることができる。また、SC2洗浄で使用する塩酸−過酸化水素水混合溶液は、30重量%HCl:30重量%H2O2:H2O=1:1:5(体積比)の混合比率とし、液温は80℃とすることができる。図1に示すようにSC1洗浄後およびSC2洗浄後に、洗浄溶液を除去するために純水でリンスを行うことが望ましい。
RCA洗浄を行った後に、ウエーハを乾燥する(図1(h))。乾燥の方法は特に限定されないが、たとえばIPA乾燥を行うことができる。
以上のような製造方法および洗浄方法により、半導体ウエーハを得ることができる。
以上のような製造方法および洗浄方法により、半導体ウエーハを得ることができる。
なお、上記製造方法および洗浄方法において、RCA洗浄を省略することも可能である。しかし、RCA洗浄を行えば、金属不純物およびパーティクルをより低減することができる。
また、上記製造方法および洗浄方法により、シリコンウエーハを製造すれば、金属不純物やパーティクルが低減され、特にウエーハ表面に付着したNiが大幅に除去された非常に清浄で高品質のシリコンウエーハを得ることができる。
なお、上記過酸化水素水およびクエン酸および水酸化ナトリウムを含有する洗浄溶液について、その混合比率は特に限定しない。本発明者等は、上記製造方法および洗浄方法において、過酸化水素水およびクエン酸および水酸化ナトリウムを含有する洗浄溶液中のクエン酸濃度を変化させて研磨工程後にウエーハの洗浄を行い、乾燥後それぞれ1枚のウェーハ表面のNi付着量を気化したフッ酸により回収(VPD:VaporPhaseDecomposition)してICPMS(Inductively Coupled Plasma Mass Spectrometry)により測定した。その結果を図2に示す。このときクエン酸以外の洗浄溶液の組成比率は、10重量%NaOH:30重量%H2O2:H2O=1:1:250(体積比)とした。図2から明らかなように、洗浄溶液にクエン酸を添加することでNaOH+H2O2+H2Oだけの場合と比べてNiの除去効率が飛躍的に向上していることがわかる。前記10重量%NaOH:30重量%H2O2:H2Oの比率を1〜50:1〜50:1〜1000とし、同様の実験を行ったが、ほぼ同様の結果が得られた。また、クエン酸の濃度については、10%、30%入れても数%入れた場合とほとんど同じであった。また下限については、図2より10ppm以上、より好ましくは100ppm以上とするのが好ましい。液温については、10〜90℃くらいで選択できる。
このように、研磨工程後にウエーハを過酸化水素水およびクエン酸および水酸化ナトリウムを含有する洗浄溶液で洗浄することで、ウエーハに付着したワックスや加工中に付着した金属不純物およびパーティクルを十分に除去することができ、特にウエーハ表面のNiの除去効率を飛躍的に向上することができる。これにより、清浄で高品質のウエーハを得ることができる。
以下に、本発明の実施例を説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
(実施例1)
まず、チョクラルスキー法により引上げたシリコン単結晶インゴットをスライスして薄円板状のウェーハに加工した(スライス工程、図1(a))。
(実施例1)
まず、チョクラルスキー法により引上げたシリコン単結晶インゴットをスライスして薄円板状のウェーハに加工した(スライス工程、図1(a))。
ウエーハ周辺部の面取り後、続いて、スライス工程での切断加工によってウェーハ表層に誘起された加工変質層を除去するとともにウェーハを平坦化するために、ウェーハを機械研削(ラッピング)した(平坦化工程、図1(b))。
さらに、上記の工程でウェーハ表層に生じた加工歪みを除去するために、ウェーハをエッチングした(エッチング工程、図1(c))。
次に、研磨工程として、前記エッチングされたウェーハをワックスを用いてガラスプレートに貼り付けて、片面の研磨を行い(図1(d))、直径200mm、導電型p型、抵抗率5〜20Ω・cm の鏡面研磨されたCZウエーハを得た。
次に、研磨工程として、前記エッチングされたウェーハをワックスを用いてガラスプレートに貼り付けて、片面の研磨を行い(図1(d))、直径200mm、導電型p型、抵抗率5〜20Ω・cm の鏡面研磨されたCZウエーハを得た。
次に、このCZウエーハを、過酸化水素水およびクエン酸および水酸化ナトリウムを含有する洗浄溶液で2分間洗浄した(図1(e))。このとき洗浄溶液の液温は55℃とし、組成比率は、10重量%NaOH:30重量%H2O2:10重量%クエン酸:H2O=1:1:1:250(体積比)とした。
その後、常温の純水により2分間リンスを行った(図1(f))。
その後、常温の純水により2分間リンスを行った(図1(f))。
次に、RCA洗浄を行った(図1(g))。まず、SC1洗浄として、29重量%NH3:30重量%H2O2:H2O=1:1:5(体積比)の混合比率のアンモニア−過酸化水素水混合溶液を液温80℃で用いてウエーハを2分間洗浄した。その後、常温の純水により2分間リンスを行った。さらに、SC2洗浄として、30重量%HCl:30重量%H2O2:H2O=1:1:5(体積比)の混合比率の塩酸−過酸化水素水混合溶液を液温80℃で用いてウエーハを2分間洗浄した。その後、常温の純水により2分間リンスを行った。
最後に、2分間のIPA乾燥を行ってシリコンウエーハを得た(図1(h))。
最後に、2分間のIPA乾燥を行ってシリコンウエーハを得た(図1(h))。
(実施例2)
実施例1と同条件で、スライス工程、平坦化工程、エッチング工程、研磨工程を行い、直径200mm、導電型p型、抵抗率5〜20Ω・cm の鏡面研磨されたCZウエーハを得た。
実施例1と同条件で、スライス工程、平坦化工程、エッチング工程、研磨工程を行い、直径200mm、導電型p型、抵抗率5〜20Ω・cm の鏡面研磨されたCZウエーハを得た。
その後、実施例1と同条件で、過酸化水素水およびクエン酸および水酸化ナトリウムを含有する洗浄溶液による洗浄およびリンスを行った。
最後に、RCA洗浄をすることなく、2分間のIPA乾燥を行ってシリコンウエーハを得た。
最後に、RCA洗浄をすることなく、2分間のIPA乾燥を行ってシリコンウエーハを得た。
(比較例1)
実施例1と同条件で、スライス工程、平坦化工程、エッチング工程、研磨工程を行い、直径200mm、導電型p型、抵抗率5〜20Ω・cm の鏡面研磨されたCZウエーハを得た。
実施例1と同条件で、スライス工程、平坦化工程、エッチング工程、研磨工程を行い、直径200mm、導電型p型、抵抗率5〜20Ω・cm の鏡面研磨されたCZウエーハを得た。
研磨工程後の洗浄における洗浄溶液として、過酸化水素水および水酸化ナトリウムを含有する洗浄溶液(クエン酸を含まない)を用いてウエーハを洗浄した以外は、実施例1と同条件でリンス、RCA洗浄、乾燥を行って、シリコンウエーハを得た。
(比較例2)
実施例1と同条件で、スライス工程、平坦化工程、エッチング工程、研磨工程を行い、直径200mm、導電型p型、抵抗率5〜20Ω・cm の鏡面研磨されたCZウエーハを得た。
研磨工程後、過酸化水素水およびクエン酸および水酸化ナトリウムを含有する洗浄溶液による洗浄をすることなく、実施例1と同条件でRCA洗浄および乾燥を行って、シリコンウエーハを得た。
実施例1と同条件で、スライス工程、平坦化工程、エッチング工程、研磨工程を行い、直径200mm、導電型p型、抵抗率5〜20Ω・cm の鏡面研磨されたCZウエーハを得た。
研磨工程後、過酸化水素水およびクエン酸および水酸化ナトリウムを含有する洗浄溶液による洗浄をすることなく、実施例1と同条件でRCA洗浄および乾燥を行って、シリコンウエーハを得た。
(シリコンウエーハの評価)
上記実施例および比較例で得たそれぞれ1枚のシリコンウエーハについて、VPD法を用いてICPMSによりウエーハ表面のNiの濃度を測定した。得られた結果を図3に示す。さらに、それぞれ24枚のウエーハを測定器CR−81(ADE社製)を用いて、ウエーハ表面のパーティクル数を測定した。得られた結果の平均値を図4に示す。
上記実施例および比較例で得たそれぞれ1枚のシリコンウエーハについて、VPD法を用いてICPMSによりウエーハ表面のNiの濃度を測定した。得られた結果を図3に示す。さらに、それぞれ24枚のウエーハを測定器CR−81(ADE社製)を用いて、ウエーハ表面のパーティクル数を測定した。得られた結果の平均値を図4に示す。
図3から明らかなように、研磨工程後に過酸化水素水およびクエン酸および水酸化ナトリウムを含有する洗浄溶液で洗浄した実施例では、比較例に比べてNiの除去効率が飛躍的に向上していることがわかる。また、この洗浄にRCA洗浄を組み合わせた実施例1では、さらにNi濃度が低減していることがわかる。
また、図4から明らかなように、研磨工程後に過酸化水素水およびクエン酸および水酸化ナトリウムを含有する洗浄溶液で洗浄した実施例では、従来の洗浄法に比べてパーティクルが減少していることがわかる。また、この洗浄にRCA洗浄を組み合わせた実施例1では、さらにパーティクルが減少していることがわかる。
このように、本発明の半導体ウエーハの製造方法および洗浄方法により得られたウエーハは、金属不純物、特にNiが劇的に低減されており、さらにパーティクルも低減されていることが確認できた。
尚、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は、例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と実質的に同一な構成を有し、同様な作用効果を奏するものは、いかなるものであっても本発明の技術的範囲に包含される。
たとえば、本発明の製造方法および洗浄方法は、化合物半導体等の種々の半導体ウエーハに適用できることは言うまでもない。また、本発明の洗浄方法は、Ni等の金属不純物を著しく低減できるので、研磨後のウエーハの洗浄に限定されずに適用することができる。
また、上記では、研磨工程として研磨するウエーハをワックスを用いてガラスプレートに貼り付けて片面の研磨を行う場合について説明したが、これに限られず、両面研磨やテンプレートを用いた研磨にも適用し得る。
Claims (8)
- 少なくとも、半導体インゴットから薄板状のウエーハを切り出すスライス工程と、前記ウエーハを平坦化する平坦化工程と、前記ウエーハの加工歪みを除去するエッチング工程と、前記ウエーハを研磨する研磨工程とを有する半導体ウエーハの製造方法において、前記研磨工程後にウエーハを過酸化水素水およびクエン酸および水酸化ナトリウムを含有する洗浄溶液で洗浄することを特徴とする半導体ウエーハの製造方法。
- 前記研磨工程において研磨するウエーハをワックスを用いてガラスプレートに貼り付けて片面の研磨を行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体ウエーハの製造方法。
- 前記過酸化水素水およびクエン酸および水酸化ナトリウムを含有する洗浄溶液で洗浄した後に、RCA洗浄を行うことを特徴とする請求項1または請求項2に記載の半導体ウエーハの製造方法。
- 前記製造する半導体ウエーハをシリコンウエーハとすることを特徴とする請求項1乃至請求項3のいずれか一項に記載の半導体ウエーハの製造方法。
- 半導体ウエーハの洗浄方法において、前記半導体ウエーハを過酸化水素水およびクエン酸および水酸化ナトリウムを含有する洗浄溶液で洗浄することを特徴とする半導体ウエーハの洗浄方法。
- ウエーハをワックスを用いてガラスプレートに貼り付けて片面の研磨を行った後に、前記洗浄を行うことを特徴とする請求項5に記載の半導体ウエーハの洗浄方法。
- 前記過酸化水素水およびクエン酸および水酸化ナトリウムを含有する洗浄溶液で洗浄した後に、RCA洗浄を行うことを特徴とする請求項5または請求項6に記載の半導体ウエーハの洗浄方法。
- 前記半導体ウエーハをシリコンウエーハとすることを特徴とする請求項5乃至請求項7のいずれか一項に記載の半導体ウエーハの洗浄方法。
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