JP7028353B1 - シリコンウェーハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】シリコンウェーハの製造方法であって、原料ウェーハの表裏面を研削加工して、2μm2当たりの算術表面粗さSaが10nm以下のウェーハを得る研削工程と、前記研削工程により得られたウェーハを、片面当たり1μm以下のエッチング代での等方性の全面ドライエッチングに供して、前記研削工程で導入された前記ウェーハの表裏面の加工歪層を除去するドライエッチング工程と、前記ドライエッチング工程後に、前記ウェーハの両面を片面当たり3μm以下の研磨代で研磨する両面研磨工程とを含むことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
【選択図】図1
Description
特許文献2には、片面をプラズマエッチングする方法であって、事前に測定したシリコンウェーハ厚さ分布に応じて、プラズマエッチング代を調整して平坦化する技術が記載されている。
特許文献3は、スライス、面取り工程後にシリコンウェーハの形状測定を行い、測定結果に基づいて裏面側をプラズマエッチングで平坦化して、表面側の研削加工を行い、更に表面側を研磨するウェーハ製造方法を開示している。
その他、特許文献4~10にも、半導体ウェーハの製造方法において、プラズマを用いた乾式エッチング、ドライエッチング又は気相エッチングを行う技術が開示されている。
原料ウェーハの表裏面を研削加工して、2μm2当たりの算術表面粗さSaが10nm以下のウェーハを得る研削工程と、
前記研削工程により得られたウェーハを、片面当たり1μm以下のエッチング代での等方性の全面ドライエッチングに供して、前記研削工程で導入された前記ウェーハの表裏面の加工歪層を除去するドライエッチング工程と、
前記ドライエッチング工程後に、前記ウェーハの両面を片面当たり3μm以下の研磨代で研磨する両面研磨工程と
を含むことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法を提供する。
原料ウェーハの表裏面を研削加工して、2μm2当たりの算術表面粗さSaが10nm以下のウェーハを得る研削工程と、
前記研削工程により得られたウェーハを、片面当たり1μm以下のエッチング代での等方性の全面ドライエッチングに供して、前記研削工程で導入された前記ウェーハの表裏面の加工歪層を除去するドライエッチング工程と、
前記ドライエッチング工程後に、前記ウェーハの両面を片面当たり3μm以下の研磨代で研磨する両面研磨工程と
を含むことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法である。
実施例では、図1に示したフロー図に従って、直径300mmのP型シリコン単結晶ウェーハを50枚製造した。本実施例に係わる半導体用シリコンウェーハの製造方法に関して以下に説明をする。
比較例1では、以下の手順で実施例と同じ枚数の半導体ウェーハを製造した。
比較例2では、以下の手順で実施例と同じ枚数の半導体ウェーハを製造した。
比較例3では、研削工程を比較例1の研削工程と同様にして行ったこと、及び両面研磨工程において表面粗さの改善のために研磨代を片面当たり10μmとしたこと以外は実施例と同様にして、同じ枚数の半導体ウェーハを製造した。
Claims (4)
- シリコンウェーハの製造方法であって、
原料ウェーハの表裏面を研削加工して、2μm2当たりの算術表面粗さSaが10nm以下のウェーハを得る研削工程と、
前記研削工程により得られたウェーハを、片面当たり1μm以下のエッチング代での等方性の全面ドライエッチングに供して、前記研削工程で導入された前記ウェーハの表裏面の加工歪層を除去するドライエッチング工程と、
前記ドライエッチング工程後に、前記ウェーハの両面を片面当たり3μm以下の研磨代で研磨する両面研磨工程と
を含むことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。 - 前記ドライエッチング工程において、エッチングレートを0.3μm/分以下とすることを特徴とする請求項1に記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 前記ドライエッチング工程において、前記等方性の全面ドライエッチングの前処理として、オゾンガスによる表裏面酸化処理を行うことを特徴とする請求項1又は2に記載のシリコンウェーハ製造方法。
- 前記ドライエッチング工程において、前記等方性の全面ドライエッチングの後処理として、オゾンガスによる表裏面酸化処理を行うことを特徴とする請求項1~3の何れか1項に記載のシリコンウェーハ製造方法。
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