JP2019169694A - シリコンウェーハの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
「任意の研磨工程で導入される欠陥の最大深さ<その後の研磨工程の総取り代」
という不等式を満足しなければ、任意の研磨工程で導入された欠陥が残存してしまう。例えば2段研磨を想定した場合、1段目で導入される欠陥の最大深さが100nmであれば、2段目の研磨取り代は100nm以上にしなければならない。3段研磨を想定した場合、1段目で導入される欠陥の最大深さが100nm、2段目で導入される欠陥の最大深さが10nmであるとしたら、2段目と3段目の合計取り代は100nm以上で、かつ、3段目の合計取り代が10nm以上である必要がある。このように、多段研磨にはLLS(Localized light scatters)悪化を防ぐための取り代的要請が存在する。
前記ドライエッチング工程において、前記粗研磨工程後のシリコンウェーハを、0.3μm/min以下のエッチングレートでドライエッチングすることを特徴とするシリコンウェーハの製造方法を提供する。
本発明シリコンウェーハの製造方法について、図を参照して説明する。図1は、本発明のシリコンウェーハの製造方法の一例を示すフロー図である。
例えばCZ法により引き上げられた単結晶インゴットをスライスした後、ラップ、研削がされ、その後、以下で説明する粗研磨工程、ドライエッチング工程、及び仕上げ研磨工程を経てシリコンウェーハが製造される。結晶引き上げ工程、スライス工程及び、ラップ、研削工程は特に限定されず、従来公知の方法を用いることができる。
ドライエッチングには粗さの改善能力がないため、本発明においては、ドライエッチング工程の前に粗研磨工程を設け特に長波長の粗さを改善する。
次に、フラットネスを悪化させることなく両面研磨工程(粗研磨工程)で生じた欠陥を除去するため、粗研磨工程後のウェーハを洗浄、乾燥したのちドライエッチングを行う。洗浄、乾燥の方法は特に限定されず、従来公知の方法で行えばよい。
ドライエッチングにはマイクロラフネスを除去する能力はなく、また研磨ほどではないが表面に浅い欠陥(微小欠陥)を作ってしまう。したがって、最後に、マイクロラフネスや微小欠陥を除去するために再度研磨(仕上げ研磨)を行う。仕上げ研磨工程は、片面研磨工程とすることができる。この仕上げ研磨工程ではドライエッチング前の研磨工程より硬度の柔らかい樹脂パッドと砥粒を用いて行うことが好ましい。ここで、本発明において「硬度」とはショアA硬度を意味する。
図2に示したように、研削工程後のウェーハ(直径:300mm)に対し、3段の研磨工程(粗研磨工程2段及び仕上げ研磨工程1段)を行うフロー(比較例1)を想定し、その2段目の粗研磨工程をドライエッチング工程に置き換えることの効果を検証した。
チャンバー圧力 40Pa
チャンバー温度 常温
出力 500W
O2ガス流量 100sccm
CF4ガス流量 500sccm
また、比較例1の粗研磨工程2及び実施例1のドライエッチング工程における取り代形状をKLAテンコール社製のWaferSightを用いて測定して評価した。結果を図4に示した。
Claims (4)
- 粗研磨工程と仕上げ研磨工程との間にドライエッチング工程を有するシリコンウェーハの製造方法であって、
前記ドライエッチング工程において、前記粗研磨工程後のシリコンウェーハを、0.3μm/min以下のエッチングレートでドライエッチングすることを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。 - 前記ドライエッチング工程を行う前の前記粗研磨工程が、両面研磨工程であることを特徴とする請求項1に記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 前記ドライエッチング工程を行った後の前記仕上げ研磨工程が、片面研磨工程であることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載のシリコンウェーハの製造方法。
- 前記粗研磨工程において、前記仕上げ研磨工程で用いる研磨布よりも高い硬度を有する研磨布を用いることを特徴とする請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のシリコンウェーハの製造方法。
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Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002176013A (ja) * | 2000-12-06 | 2002-06-21 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 半導体基板の平坦化方法 |
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Patent Citations (3)
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---|---|---|---|---|
JP2002176013A (ja) * | 2000-12-06 | 2002-06-21 | Sumitomo Metal Ind Ltd | 半導体基板の平坦化方法 |
JP2004235478A (ja) * | 2003-01-30 | 2004-08-19 | Sumitomo Mitsubishi Silicon Corp | 貼り合わせsoi基板およびその製造方法 |
JP2011167819A (ja) * | 2010-02-19 | 2011-09-01 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 研磨ヘッド及び研磨装置 |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP7028353B1 (ja) | 2021-04-21 | 2022-03-02 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハの製造方法 |
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JP2022166697A (ja) * | 2021-04-21 | 2022-11-02 | 信越半導体株式会社 | シリコンウェーハの製造方法 |
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