JP4532521B2 - 研磨した半導体ウェーハの製造方法 - Google Patents
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Description
機械的加工工程、
半導体ウェーハを酸化し、半導体ウェーハの前面からフッ化水素を含有するガス状エッチング剤を用いて20〜70℃の温度で材料を切除するエッチング工程、および半導体ウェーハの前面を研磨する研磨工程を有し、その際半導体ウェーハの前面を研磨する加工工程が全体として5μm以下である材料の切除を生じる、半導体ウェーハを製造する方法である。
a)液相中のエッチング工程、続く前記方法で行われる、少なくとも前面の気相エッチング、続く前記の材料の切除を有する切除研磨として行われる両面研磨、続く前記の材料の切除を有する前面の光沢研磨、
b)半導体ウェーハの前面または両面の微細研削工程、続く列a)による加工工程、
c)液相中のエッチング工程、続く半導体ウェーハの前面または両面の微細研削工程、続く前記方法で行われる、少なくとも前面の気相エッチング、続く前記の材料の切除を有する切除研磨として行われる両面研磨、続く前記材料切除を有する前面の光沢研磨、
d)半導体ウェーハの前面または両面の微細研削、続く前記方法で行われる少なくとも前面の気相エッチング、続く前記材料切除を有する切除研磨として行われる両面研磨、続く前記材料の切除を有する前面の光沢研磨、
e)半導体ウェーハの前面または両面の微細研削工程、続く前記方法で行われる少なくとも前面の気相エッチング、続く前記材料切除を有する前面の光沢研磨、
f)前記方法で行われる少なくとも前面の気相エッチング、続く前記材料の切除を有する切除研磨として行われる両面研磨、続く前記材料の切除を有する前面の光沢研磨、
g)前記方法で行われる少なくとも前面の気相エッチング、続く液相中のエッチング工程、続く前記材料の切除を有する切除研磨として行われる両面研磨、続く前記材料の切除を有する前面の光沢研磨。
直径300μmおよび面の粗さRa0.23μmを有する(試験測定装置、ペルトメーター、製造Hommel社、で測定した、)シリコンからなるラッピングした半導体ウェーハを前記工程a)による加工工程で処理した。液相中のエッチング工程は酸性pH値を有するエッチング剤を使用して行い、エッチング面に10μmの材料の切除を生じた。引き続く気相エッチングを使用してエッチングされた前面から材料を2μm除去し、引き続く研磨により全部で更に5μmのこの面を切除した。図1には連続加工工程での半導体ウェーハの前面の粗さRaの変動がグラフで示される。
直径300mmおよび微細研削面を有するシリコンからなる半導体ウェーハを前記工程c)によりエッチングし、研磨した。図2には異なる材料切除での、微細研削後および気相エッチング後のチャップマンMP2000/1Profilerで測定したRMS粗さがグラフで示される。微細研削後にすでに低い粗さ(275ÅRMS、250μmフィルター)により1μmの材料の切除が平滑化(175ÅRMS、250μmフィルター)を生じ、材料の切除の増加により気相エッチングにより更に増加しなかった。
Claims (15)
- 半導体ウェーハを結晶から分離し、半導体ウェーハの前面および裏面から材料を切除する連続加工工程で処理する、半導体ウェーハを製造する方法であり、以下の加工工程:
機械的加工工程、
半導体ウェーハを酸化し、半導体ウェーハの前面からフッ化水素を含有するガス状エッチング剤を用いて20〜70℃の温度で材料を切除するエッチング工程、および半導体ウェーハの前面を研磨する研磨工程
を有し、その際半導体ウェーハの前面を研磨する加工工程が全体として5μm以下である材料の切除を生じる、半導体ウェーハを製造する方法。 - 機械的加工工程を除いた半導体ウェーハの前面の加工工程が、全体として25μm以下である半導体ウェーハの前面の材料の切除を生じる請求項1記載の方法。
- 機械的加工工程を除いた半導体ウェーハの裏面の加工工程が全体として25μm以下である半導体ウェーハの裏面の材料の切除を生じる請求項1記載の方法。
- 半導体ウェーハの前面をガス状エッチング剤を用いて30〜70℃の温度で処理する請求項1から3までのいずれか1項記載の方法。
- ガス状エッチング剤が酸化剤を含有する請求項1から4までのいずれか1項記載の方法。
- ガス状エッチング剤がイソプロパノールを含有する請求項1から5までのいずれか1項記載の方法。
- ガス状エッチング剤が水を含有する請求項1から6までのいずれか1項記載の方法。
- 加工工程が、液相中のエッチング工程、ガス状エッチング剤でのエッチング工程、切除研磨として行われる両面研磨および前面の光沢研磨の連続工程を有する請求項1から7までのいずれか1項記載の方法。
- 加工工程が、半導体ウェーハの前面または前面と裏面の微細研削工程、液相中のエッチング工程、ガス状エッチング剤でのエッチング工程、切除研磨として行われる両面研磨および前面の光沢研磨の連続工程を有する請求項1から7までのいずれか1項記載の方法。
- 加工工程が、液相中のエッチング工程、半導体ウェーハの前面または前面と裏面の微細研削工程、ガス状エッチング剤でのエッチング工程、切除研磨として行われる両面研磨および前面の光沢研磨の連続工程を有する請求項1から7までのいずれか1項記載の方法。
- 加工工程が、半導体ウェーハの前面または前面と裏面の微細研削工程、ガス状エッチング剤でのエッチング工程、切除研磨として行われる両面研磨および前面の光沢研磨の連続工程を有する請求項1から7までのいずれか1項記載の方法。
- 加工工程が、半導体ウェーハの前面または前面と裏面の微細研削工程、ガス状エッチング剤でのエッチング工程および前面の光沢研磨の連続工程を有する請求項1から7までのいずれか1項記載の方法。
- 加工工程が、ガス状エッチング剤でのエッチング工程、切除研磨として行われる両面研磨および前面の光沢研磨の連続工程を有する請求項1から7までのいずれか1項記載の方法。
- 加工工程が、ガス状エッチング剤でのエッチング工程、液相中のエッチング工程、切除研磨として行われる両面研磨および前面の光沢研磨の連続工程を有する請求項1から7までのいずれか1項記載の方法。
- ガス状エッチング剤を用いて半導体ウェーハの裏面から材料を切除する請求項1から14までのいずれか1項記載の方法。
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