JP3023854B2 - シリコン半導体基板の平坦化方法 - Google Patents
シリコン半導体基板の平坦化方法Info
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- JP3023854B2 JP3023854B2 JP2269326A JP26932690A JP3023854B2 JP 3023854 B2 JP3023854 B2 JP 3023854B2 JP 2269326 A JP2269326 A JP 2269326A JP 26932690 A JP26932690 A JP 26932690A JP 3023854 B2 JP3023854 B2 JP 3023854B2
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- silicon semiconductor
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- planarizing
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Description
【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 シリコン半導体基板の平坦化方法に係り、特にガスを
用いた乾式法によるシリコン半導体基板の平坦化方法に
関し、 乾式法によってシリコン半導体基板の表面を平坦化す
ることを目的とし、 H2希釈のF2ガス中にシリコン半導体基板を暴露すると
共に該基板を加熱する構成とするか、または H2希釈のF2ガス中にシリコン半導体基板を暴露すると
共に該基板に紫外光を照射する構成とする。
用いた乾式法によるシリコン半導体基板の平坦化方法に
関し、 乾式法によってシリコン半導体基板の表面を平坦化す
ることを目的とし、 H2希釈のF2ガス中にシリコン半導体基板を暴露すると
共に該基板を加熱する構成とするか、または H2希釈のF2ガス中にシリコン半導体基板を暴露すると
共に該基板に紫外光を照射する構成とする。
本発明はシリコン半導体基板の平坦化法に係り、特に
ガスを用いた乾式法によるシリコン半導体基板の平坦化
法に関するものである。
ガスを用いた乾式法によるシリコン半導体基板の平坦化
法に関するものである。
従来、シリコン（Si）等の半導体基板表面を平坦化す
る方法として、研磨材等を使用する機械的研磨法が知ら
れている。またRCA洗浄やアルカリ溶液を用いたウェッ
ト（湿式）異方性エッチングもある種の平坦化法に属す
る。
る方法として、研磨材等を使用する機械的研磨法が知ら
れている。またRCA洗浄やアルカリ溶液を用いたウェッ
ト（湿式）異方性エッチングもある種の平坦化法に属す
る。
上記の表面研磨によりシリコン半導体基板表面を平坦
化する場合原子レベルでの超微細なコントロールによる
平坦化は作業上非常に困難でしかも多大な時間を要す
る。また溶液を用いたいわゆる湿式法による平坦化法で
は、今後、ますます微細化されるLSI製造において、基
板表面に形成した微細幅のトレンチ（溝）底面の平坦化
が難かしく、また平坦化後に水洗を要しコストアップを
招いたり、また平坦化されるべき結晶面の限定を要する
等の問題があった。現在そして将来のLSI製造におい
て、RIE等のエッチング後に生じる基板表面の荒れはそ
の後のプロセスに悪い影響を与えデバイス特性が直接響
いてくる。
化する場合原子レベルでの超微細なコントロールによる
平坦化は作業上非常に困難でしかも多大な時間を要す
る。また溶液を用いたいわゆる湿式法による平坦化法で
は、今後、ますます微細化されるLSI製造において、基
板表面に形成した微細幅のトレンチ（溝）底面の平坦化
が難かしく、また平坦化後に水洗を要しコストアップを
招いたり、また平坦化されるべき結晶面の限定を要する
等の問題があった。現在そして将来のLSI製造におい
て、RIE等のエッチング後に生じる基板表面の荒れはそ
の後のプロセスに悪い影響を与えデバイス特性が直接響
いてくる。
そこで、本発明は、乾式法によってシリコン半導体基
板表面を平坦化することを目的とする。
板表面を平坦化することを目的とする。
上記課題は、本発明によれば、H2希釈のF2ガス中にシ
リコン半導体基板を暴露すると共に該基板を加熱するこ
とを特徴とするシリコン半導体基板の平坦化方法によっ
て解決される。
リコン半導体基板を暴露すると共に該基板を加熱するこ
とを特徴とするシリコン半導体基板の平坦化方法によっ
て解決される。
上記課題は、本発明によれば、H2希釈のF2ガス中にシ
リコン半導体基板を暴露すると共に該基板に紫外光を照
射することを特徴とするシリコン半導体基板の平坦化方
法によっても解決される。
リコン半導体基板を暴露すると共に該基板に紫外光を照
射することを特徴とするシリコン半導体基板の平坦化方
法によっても解決される。
本発明によれば平坦化しようとするシリコン半導体基
板をH2希釈のF2（弗素）ガスに曝すと共に、該基板を加
熱するか該基板に紫外光を照射することにより、H2希釈
のF2ガスの励起分子、原子が該シリコン半導体基板の凸
部分を選択的にエッチングするように作用するため、該
シリコン半導体基板表面が平坦化される。
板をH2希釈のF2（弗素）ガスに曝すと共に、該基板を加
熱するか該基板に紫外光を照射することにより、H2希釈
のF2ガスの励起分子、原子が該シリコン半導体基板の凸
部分を選択的にエッチングするように作用するため、該
シリコン半導体基板表面が平坦化される。
以下本発明の実施例を図面を参照して説明する。
第１図は本発明を実施するための装置例である。装置
構成は真空槽（処理槽）１、F2ガス、H2ガス、Arガス等
のガス導入系２、排気系（真空ポンプ）３、基板保持加
熱機構４、紫外線照射系５から成る。
構成は真空槽（処理槽）１、F2ガス、H2ガス、Arガス等
のガス導入系２、排気系（真空ポンプ）３、基板保持加
熱機構４、紫外線照射系５から成る。
まず半導体基板としてSiウェハ10をステンレスからな
る真空槽１内の基板保持加熱機構上に配設する。特にそ
の加熱機構は保持機構裏面にヒータ11として設けられて
いる。
る真空槽１内の基板保持加熱機構上に配設する。特にそ
の加熱機構は保持機構裏面にヒータ11として設けられて
いる。
次にF2ガス１重量％、H2ガス50重量％、Arガス49重量
％濃度の混合ガスを、ガス導入系２から真空槽１内へ総
流量１／分、圧力は常圧で導入し、同時に低圧水銀ラ
ンプ12を用いて石英窓13を介して上記混合ガスとSiウェ
ハ10を１時間紫外線照射した。
％濃度の混合ガスを、ガス導入系２から真空槽１内へ総
流量１／分、圧力は常圧で導入し、同時に低圧水銀ラ
ンプ12を用いて石英窓13を介して上記混合ガスとSiウェ
ハ10を１時間紫外線照射した。
その結果Siウェハ表面の垂直方向の粗さがRMS（Root
Mean Square）で0.8nmから0.6nmに平坦化することがで
きた。
Mean Square）で0.8nmから0.6nmに平坦化することがで
きた。
以上説明した様に本発明によれば、シリコン半導体基
板をH2希釈のF2ガス中に暴露すると共に、該基板を加熱
するか該基板に紫外光を照射することにより、該基板の
表面を平坦化することができる。本方法では従来問題で
あったトレンチ底部の平坦化を可能にし、また工程短縮
等のメリットも得られる。
板をH2希釈のF2ガス中に暴露すると共に、該基板を加熱
するか該基板に紫外光を照射することにより、該基板の
表面を平坦化することができる。本方法では従来問題で
あったトレンチ底部の平坦化を可能にし、また工程短縮
等のメリットも得られる。
第１図は本発明を実施するための装置例の模式断面図で
ある。 １……真空槽、２……ガス導入系、 ３……排気系、４……基板保持加熱機構、 ５……紫外線照射系、10……Siウェハ、 11……ヒータ、12……水銀ランプ、 13……石英窓。
ある。 １……真空槽、２……ガス導入系、 ３……排気系、４……基板保持加熱機構、 ５……紫外線照射系、10……Siウェハ、 11……ヒータ、12……水銀ランプ、 13……石英窓。
Claims (2)
- 【請求項１】H2希釈のF2ガス中にシリコン半導体基板を
暴露すると共に該基板を加熱することを特徴とするシリ
コン半導体基板の平坦化方法。 - 【請求項２】H2希釈のF2ガス中にシリコン半導体基板を
暴露すると共に該基板に紫外光を照射することを特徴と
するシリコン半導体基板の平坦化方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2269326A JP3023854B2 (ja) | 1990-10-09 | 1990-10-09 | シリコン半導体基板の平坦化方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2269326A JP3023854B2 (ja) | 1990-10-09 | 1990-10-09 | シリコン半導体基板の平坦化方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04146620A JPH04146620A (ja) | 1992-05-20 |
| JP3023854B2 true JP3023854B2 (ja) | 2000-03-21 |
Family
ID=17470800
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2269326A Expired - Lifetime JP3023854B2 (ja) | 1990-10-09 | 1990-10-09 | シリコン半導体基板の平坦化方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3023854B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3334578B2 (ja) * | 1996-12-16 | 2002-10-15 | 信越半導体株式会社 | シリコン単結晶薄膜の製造方法 |
| JP3932181B2 (ja) * | 2002-07-10 | 2007-06-20 | 雄二 高桑 | 基板の表面処理方法および装置 |
| DE102006020823B4 (de) * | 2006-05-04 | 2008-04-03 | Siltronic Ag | Verfahren zur Herstellung einer polierten Halbleiterscheibe |
| JP5210549B2 (ja) * | 2007-05-31 | 2013-06-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | レーザアニール方法 |
-
1990
- 1990-10-09 JP JP2269326A patent/JP3023854B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04146620A (ja) | 1992-05-20 |
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