DE10159833C1 - Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterscheiben - Google Patents

Abstract

Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterscheiben aus Silicium durch gleichzeitig beidseitige Politur der Vielzahl von Halbleiterscheiben zwischen je einem mit Poliertuch beklebten parallelen rotierenden unteren und oberen Polierteller unter Zuführung eines Abrasivstoffs oder Kolloide enthaltenden Poliermittels unter Abtrag von mindestens 2 mum Silicium, das sich dadurch auszeichnet, dass eine vorher festgelegte Teilmenge der Halbleiterscheiben zumindest teilweise mit einem niedrigeren Polierdruck poliert wird und eine andere Teilmenge der Halbleiterscheiben mit einem höheren Polierdruck poliert wird.

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur gleichzeitig beidseitigen Politur einer Vielzahl von Halbleiterscheiben aus Silicium. Halbleiterscheiben aus Silicium finden als Grund­ material zur Herstellung elektronischer Bauelemente Verwendung.

Auch wenn für Spezialanwendungen im Bereich der elektronischen Bauelemente teil­ weise Verbindungshalbleiter wie Galliumarsenid als Grundlage zum Einsatz kommen, liegt das Hauptgewicht der Scheiben ("wafer") für die Anwendung in der Halbleiterindus­ trie auf Silicium als halbleitendes Trägermaterial. Moderne Bauelemente mit integrierten Schaltkreisen, beispielsweise Prozessoren oder Speicherkomponenten, werden heut­ zutage auf Siliciumscheiben mit Durchmessern bis zu 300 mm in teilweise 400 bis 500 Prozessschritten generiert, deren Einzelausbeuten sich über einen solchen Fertigungs­ ablauf multiplizieren und im Hinblick auf die Erzielung einer wirtschaftlich vertretbaren Gesamtausbeute genauestens kontrolliert und optimiert werden müssen. Neben der Prozessstabilität dieser Einzelprozesse spielt dabei auch die Qualität der eingesetzten Siliciumscheiben eine kritische Rolle, welche in einer Fülle von Spezifikationsparameter, die überwiegend die gesamte Scheibe oder für die Beaufschlagung mit Bauelementen vorgesehene Vorderseite betreffen, ihren Niederschlag findet.

Beispielsweise muss die Siliciumscheibe eine hohe Ebenheit in allen Teilbereichen auf­ weisen, um den Anforderungen von Belichtungsprozessen zur Aufbringung von Foto­ masken Rechnung zu tragen, die spezifische Bereiche gegenüber Folgeoperationen wie Ionenimplantation, Abscheidungen oder Ätzverfahren schützen und so die Erzeugung von Bauelementstrukturen ermöglichen. Die lokale Ebenheit kann durch den SFQR- Wert angegeben werden, wobei die Siliciumscheibe mit einem fiktiven Bauelemen­ teraster belegt wird, für deren Teilflächen sich die SFQR-Werte bestimmen lassen; oft wird der höchste Wert, der SFQR_max-Wert, auf einer Si­ liciumscheibe spezifiziert. Aus der EP-1 195 798 A1 ist eine Halbleiterscheibe mit einem SFQR_max-Wert von kleiner oder gleich 0,18 µm bezogen auf Teilflächen von 26 mm × 33 mm bekannt. Zu hohe Werte führen zu Fokussierungsproblemen des Steppers zum Aufbringen der Fotomasken und damit zum Verlust des betreffenden Bauelementes. Dabei ist zu berücksichtigen, dass die Siliciumscheibe bei diesem Verfahren in der Re­ gel mittels Anlegen von Vakuum auf einem nicht verformbaren Träger ("chuck") bei­ spielsweise aus Keramik, der zu hoher Ebenheit geschliffen wurde, gehalten wird und sich die lokalen Ebenheiten von Scheibe und Träger über die Summe der Wurzel der Quadrate addieren; dies verschärft die Anforderungen an die Siliciumscheibe.

Moderne Sequenzen zur Herstellung elektronischer Bauelemente schließen teilweise die Durchführung von Planarisierungsschritten mit ein, die dem Fachmann als CMP- Politur ("chemical mechanical planarization") bekannt sind und beispielsweise nach dem CVD-Verfahren ("chemical vapor decomposition") abgeschiedene SiO₂-Schichten bei Verwendung relativ harter Poliertücher mit hoher Präzision einebnen. Die beschichteten Siliciumscheiben werden dabei in der Regel mit sehr wenig oder gänzlich ohne Vakuum durch Adhäsion auf einem mit einer weichen Auflage belegten Träger gehalten, wodurch Unebenheiten der Rückseite ausgeglichen werden können. Die Dickenhomogenität der SiO₂-Schicht nach der CMP-Politur, die im Hinblick auf elektrische Durchbrüche beim Betrieb des integrierten Schaltkreises als kritischer Parameter anzusehen ist, hängt deshalb weniger von der lokalen Dickenverteilung als vielmehr von der lokalen Höhen­ abweichung der beschichteten Vorderseite von einer Idealebene ab. Die derart defi­ nierte Angabe ist eine Maßzahl für die lokale Steigung auf der Siliciumoberfläche; bei zu starker Ausprägung gelingt es bei der CMP-Politur nicht, beispielsweise die SiO₂- Beschichtung in den Tälern ("valley") eines begrenzten Gebietes in gleichem Maße ab­ zutragen wie auf den stärker exponierten Erhebungen ("peak"), was zu den genannten Schichtdickenabweichungen führt.

Die lokale Höhenabweichung der Vorderseite von einer Idealebene wird ebenfalls für flächendeckende Teilbereiche der Scheibe spezifiziert, die jedoch in Abstimmung mit dem CMP-Prozess meist kleiner als die Bauelementeflächen sind und in Form eines überlappend gleiten­ den Vorgabefensters bestimmt werden. Als Maßzahl bezieht man sich auf die maximale Höhendifferenz zwischen der Idealebene am nächsten gelegenen und am weitesten entfernten Punkt ("peak-to-valley") in einem Teilbereich und gibt oft den höchsten Wert für eine bestimmte Teilbereichabmessung n × n (in mm) für die gesamte Scheibe P/N(n × n)_max an; dadurch werden globale Scheibenverbiegungen ("warp"), welche für die CMP-Politur von Schichten unkritisch sind, der Betrachtung entzogen.

Eine typische Prozesskette zur Herstellung von Halbleiterscheiben aus Silicium umfasst die Prozessschritte Sägen - Kantenverrunden - Läppen oder Schleifen - nasschemi­ sches Ätzen - Polieren. Während die Silicium abtragenden Schritte durch die bis dahin erzeugte Formgebung bereits die Vorarbeit zum Erreichen der spezifizierten Formpara­ meter leisten müssen und daher im Spannungsfeld von Qualität und Kosten sorgfältig aufeinander abgestimmt sein müssen, werden die endgültige lokale Ebenheit und die lokale Höhenabweichung der Vorderseite der Siliciumscheibe von einer Idealebene durch einen Polierprozess erzeugt.

Konventionelle Einseiten-Polierverfahren, zu denen beispielsweise das in der EP-847 835 B1 beschriebene Verfahren zählt, genügen nicht mehr den verschärften Anforde­ rungen in Bezug auf die genannten Parameter; vielmehr wurden zu diesem Zweck Ap­ parate und Verfahren zum gleichzeitig beidseitigen Polieren von Vorder- und Rückseite der Halbleiterscheiben aus Silicium entwickelt, die heutzutage zunehmend Verbreitung finden. Die Halbleiterscheiben werden dabei in Läuferscheiben, die über geeignet di­ mensionierte Aussparungen verfügen, auf einer durch die Maschinen- und Prozesspara­ meter vorbestimmten Bahn zwischen zwei parallelen rotierenden, mit Poliertuch beleg­ ten Poliertellern in Gegenwart eines Abrasivstoffe oder Kolloide enthaltenden Poliermit­ tels bewegt und dadurch unter Erzeugung einer hohen Planparallelität poliert. Beispiele für geeignete Polieranlagen sind in der DE 37 30 795 A1 und der US 6,080,048 be­ schrieben.

Ein beidseitig angreifendes Polierverfahren zur Erzielung ver­ besserter Ebenheiten ist in der DE 199 05 737 C2 beansprucht. Es zeichnet sich dadurch aus, dass die Dicke der fertig polier­ ten Halbleiterscheiben um 2 bis 20 µm größer ist als die Dicke der eingesetzten Läuferscheiben. In der DE 199 38 340 C1 wird ein Verfahren zur Aufbringung eine epitaktischen Beschichtung aus Silicium auf eine beidseitig polierte Siliciumscheibe vor­ geschlagen. DE 100 12 840 C2 beschreibt ein kostenoptimiertes Verfahren zur Oberflächenpolitur beidseitig polierter Silicium­ scheiben. In den genannten Fällen wurden bei einer Belegung einer geeignet dimensionierten Polieranlage beispielsweise mit 15 Siliciumscheiben des Durchmessers 300 mm bei einem Polier­ druck von 0,15 bar Abtragsraten von 0,5 bis 0,6 µm/min er­ reicht. Anlagen- und Prozessverbesserungen, die beispielsweise in den noch nicht veröffentlichten deutschen Patentanmeldungen mit den Aktenzeichen 100 650 697.0 und 101 54 942.3 beansprucht sind, erlauben bei gleicher Anlagenkonfiguration und gleichen Qualitätsanforderungen an die polierten Scheiben Polierdrücke von gleich oder größer 0,20 bar, was zu Abtragsraten von gleich oder größer 0,8 µm/min führt.

Nachteil der beidseitig angreifenden Polierverfahren nach dem Stand der Technik ist, dass Halbleiterscheiben aus Silicium, die neben der Erfüllung gängiger Spezifikationen für die lokale Ebenheit bestimmte Anforderungen an die maximale lokale Höhenabweichung der Vorderseite von einer Idealebene erfüllen müssen, in der betrieblichen Praxis gleichzeitig mit ansonsten gleichwertigen Scheiben, die das Kriterium der lokalen Höhen­ abweichung nicht erfüllen müssen, nur unter Inkaufnahme hoher Prozesskosten gefertigt werden können.

Es war daher die Aufgabe gestellt, ein Verfahren zur gleich­ zeitig beidseitigen Politur einer Vielzahl von Halbleiterschei­ ben aus Silicium bereitzustellen, das über eine höhere Ausbrin­ gung von Halbleiterscheiben unter paralleler Bereitstellung verschiedener geforderter Qualitäten aus einer großtechnischen Fertigung, in diesem Falle von einer Sorte von Scheiben mit einer Spezifikation für die maximale lokale Höhenabweichung der Vorderseite von einer Idealebene und einer anderen Sorte ohne diese Einschränkung, zu Kostenvorteilen führt.

Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halblei­ terscheiben aus Silicium durch gleichzeitig beidseitige Politur zwischen je einem mit Po­ liertuch beklebten parallelen rotierenden unteren und oberen Polierteller unter Zufüh­ rung eines Abrasivstoffe oder Kolloide enthaltenden Poliermittels unter Abtrag von min­ destens 2 µm Silicium, das dadurch gekennzeichnet ist, dass eine vorher festgelegte Teilmenge der Halbleiterscheiben zumindest teilweise mit einem niedrigeren Polierdruck poliert wird und eine andere Teilmenge der Halbleiterscheiben mit einem höheren Po­ lierdruck poliert wird.

Charakteristisch für die Erfindung ist, dass die beidseitige Politur von Halbleiterscheiben aus Silicium mit verschiedenartigen Qualitätsansprüchen bei unterschiedlichen Polier­ drücken zu Kostenvorteilen führt, wenn einer der Qualitätsansprüche die maximale lo­ kale Höhenabweichung der Vorderseite von einer Idealebene ist. Während Scheiben ohne diese Anforderung bei möglichst hohem Druck und damit möglichst kurzer Polier­ zeit bearbeitet werden, erfolgt die Politur der Scheiben, welche die An­ forderung an die Höhenabweichung erfüllen müssen, bei niedrigerem Druck, wobei ein lokales Minimum bei einem optimalen Polierdruck vorliegen kann. Das Auffinden dieser Zusammenhänge und ihre Nutzbarkeit in Gestalt des erfindungsgemäßen Verfahrens ist überraschend und nicht vorhersehbar. Die Erfindung eröffnet die Möglichkeit der Hertstellung von Halbleiterscheiben aus Silicium mit verringerter maximaler lokaler Hö­ henabweichung der Vorderseite von einer Idealebene, die von der Bau­ elementeindustrie für neu entwickelte CMP-Prozesse gefordert werden.

Ausgangsprodukt des beanspruchten Verfahrens ist eine Vielzahl von Halb­ leiterscheiben aus Silicium, die auf bekannte Weise von einem Kristall abgetrennt und kantenverrundet und gegebenenfalls weiteren Prozessschritten unterworfen wurden. Die Halbleiterscheiben können eine geläppte, geschliffene, geätzte, polierte, epitaxierte oder anderweitig beschichtete Oberfläche besitzen. Falls dies gewünscht wird, kann die Kante der Halbleiterscheiben poliert sein.

Endprodukt des beanspruchten Verfahrens ist eine Vielzahl von beidseitig polierten Halbleiterscheiben aus Silicium, die Halbleiterscheiben mit den nachfolgend spezifizier­ ten Merkmalen enthält.

Das erfindungsgemäße Verfahren kann zur prinzipiell beidseitigen Politur verschieden­ artiger scheibenförmiger Körper werden; derartige Materialien sind beispielsweise Glä­ ser, etwa auf Siliciumdioxid-Basis, und Halbleiter, etwa Silicium, Silicium/Germanium und Galliumarsenid. Seine vollen Vorteile lassen sich bei der Politur von Halbleiter­ scheiben aus Silicium nutzen, wobei beispielsweise bei Zuführung eines alkalischen, Abrasivstoffe oder Kolloide enthaltenden Poliermittels eine Kombination von mecha­ nisch und chemisch bedingtem Abtrag vorliegt. Für den Fachmann ist es dabei selbst­ verständlich, dass eine Siliciumscheibe bis zu 1 Mol-% Fremdmaterial, beispielsweise Bor, Kohlenstoff, Stickstoff, Phosphor, Arsen oder Sauerstoff enthalten kann, welche die Eigenschaften des Kristallgitters etwa im Hinblick auf elektrische oder Defekteigen­ schaften gezielt beeinflussen. Die Erfindung lässt sich problemlos auch bei Vorliegen derartiger Dotierstoffe ausführen. Silicium in einkristalliner Form zur Weiterverwendung in der Fertigung von elektronischen Bauelementen, beispielsweise Prozessoren und Speicherelementen, ist im Rahmen der Erfindung besonders bevor­ zugt.

Das Verfahren eignet sich besonders zur Bearbeitung von Silici­ umscheiben mit Durchmessern von gleich oder größer 200 mm und Dicken von 500 µm bis 1200 µm. Prinzipiell ist es möglich, eine Anzahl beispielsweise durch ein Innenloch- oder Drahtsägever­ fahren gesägter Siliciumscheiben direkt dem erfindungsgemäßen beidseitigen Polierschritt zu unterziehen. Es ist jedoch bevor­ zugt, die scharf begrenzten und daher mechanisch sehr empfind­ lichen Scheibenkanten mit Hilfe einer geeignet profilierten Schleifscheibe zu verrunden. Weiterhin ist es zwecks Verbes­ serung der Geometrie und teilweisem Abtrag der zerstörten Kristallschichten bevorzugt, die Siliciumscheiben abtragenden Schritten wie Läppen und/oder Schleifen und/oder Ätzen zu un­ terziehen, wobei alle genannten Schritte nach dem Stand der Technik ausgeführt werden.

Zur Durchführung des erfindungsgemäßen Polierschrittes kann eine handelsübliche Anlage zur gleichzeitig beidseitigen Po­ litur geeigneter Größe verwendet werden, welche die gleichzei­ tige Politur von mindestens drei Siliciumscheiben unter Verwen­ dung von mindestens drei Läuferscheiben ermöglicht. Gemäß der Aufgabenstellung, den Durchsatz der Bearbeitungsanlage zu erhöhen, schlägt die Erfindung eine Belegung mit der maximal möglichen Anzahl an Läuferscheiben vor. Bevorzugt ist aus Grün­ den der Anlagenstabilität der gleichzeitige Einsatz einer ungeraden Anzahl an Läuferscheiben; der gleichzeitige Einsatz von fünf Läuferscheiben, die mit jeweils mindestens drei in gleichen Abständen auf einer kreisförmigen Bahn angeordneten Siliciumscheiben belegt sind, ist besonders bevorzugt. Jedoch ist bei Vorliegen von Sachzwängen auch die Belegung jeder Läu­ ferscheibe mit nur jeweils einer Siliciumscheibe möglich, die, um die Aufgabe der Erfindung zu lösen, azentrisch in der Läu­ ferscheibe angeordnet sein sollte.

Die Polieranlage besteht im Wesentlichen aus einem frei hori­ zontal drehbaren unteren Polierteller und einem parallelen frei horizontal drehbaren oberen Polierteller, die beide mit Polier­ tuch bedeckt, bevorzugt beklebt sind, und erlaubt unter konti­ nuierlichem Fluss eines Poliermittels geeigneter chemischer Zu­ sammensetzung über Schläuche und/oder Rohre durch den oberen Polierteller zu den Siliciumscheiben das beidseitige abtragende Polieren. Das Poliermittel wird dabei bevorzugt durch die Gra­ vitationskraft zugeführt und durch Tellerbewegung und Zentrifu­ galkraft verteilt. Die Läuferscheiben bestehen bevorzugt aus rostfreiem Chromstahl und verfügen über geeignet dimensionier­ te, mit Kunststoff ausgekleidete Aussparungen zur Aufnahme der Siliciumscheiben. Sie sind beispielsweise mit einer Triebstock- Stiftverzahnung mit der Polieranlage über einen sich drehenden inneren und einen sich gegenläufig drehenden äußeren Stift- oder Zahnkranz in Kontakt und werden dadurch in eine rotierende Bewegung zwischen den beiden gegenläufig rotierenden Poliertel­ lern versetzt.

Im Rahmen der Ausführung der Erfindung in der betrieblichen Praxis wird das Ausgangsmaterial in zwei Gruppen unterteilt, die sich in der für nur eine Gruppe geltenden Begrenzung der maximalen lokalen Höhenabweichung der Vorderseite von einer Idealebene nach der beidseitigen Politur unterscheiden. Die Anforderungen hinsichtlich der lokalen Ebenheit an Scheiben beider Gruppen können, müssen sich aber nicht unterscheiden. Die lokale Ebenheit wird vom Dickenunterschied zwischen fertig polierter Siliciumscheibe und Läuferscheibe beeinflusst. Im Hinblick auf die Herstellung sehr ebener Siliciumscheiben ist bevorzugt, dass die Enddicke der polierten Scheiben gemäß dem in der DE 199 05 737 C2 beanspruchten Verfahren um 1 bis 20 µm größer ist als die Läuferscheibendicke. Für die Gruppe der Siliciumscheiben mit der Begrenzung der maximalen lokalen Höhenabweichung der Vorderseite von einer Idealebene ist eine Dickendifferenz von 1 bis 5 µm besonders bevorzugt. Zahlreiche Versuche zur Bereitstellung der Erfindung haben gezeigt, dass die Bereitstellung der geforderten maximalen lokalen Ebenheit der Siliciumscheiben weitgehend unabhängig von der Erreichung der maximalen lokalen Höhenabweichung erfolgt. Die Messung lokaler Ebenheitswerte an Siliciumscheiben kann durch handelsübliche Geräte erfolgen, die nach dem kapazitiven oder optischen Messprinzip arbeiten.

Die beispielsweise für CMP-Verfahren wichtige maximale lokale Höhenabweichung der Vorderseite der einen Scheibengruppe von einer Idealebene wird wie die lokale Ebenheit für Teilbereiche, jedoch in Form eines überlappend über die Scheibe gleitenden Vorgabefensters bestimmt. Meist wird die für eine Scheibe ge­ messene maximale Höhendifferenz ("peak-to-valley") in einem Teilbereich von beispielsweise 10 mm × 10 mm (ausgedrückt als P/V(10 × 10)_max) und/oder in einem Teilbereich von beispielsweise 2 mm × 2 mm (ausgedrückt als P/V(2 × 2)_max) begrenzt, um CMP- Verfahren mit vorgegebenen Ergebnissen durchführen zu können und zu den beabsichtigten Ausbeuten an elektronischen Bauele­ menten zu kommen. Es ist jedoch auch möglich, den maximalen Flächenanteil einer Siliciumscheibe festzulegen, der oberhalb eines erforderlichen P/V_max-Wertes liegt. Weiterhin in der Pra­ xis üblich ist, eine bestimmte Ausfallfläche, beispielsweise 0,05%, von der Betrachtung auszuschließen und den P/V_max-Wert der übrigen Fläche zu begrenzen. Die Messung lokaler Höhen­ abweichungen von einer Idealebene kann durch inzwischen eben­ falls handelsübliche Geräte erfolgen, die in der Regel durch flächendeckendes Abtasten der Oberfläche der Siliciumscheibe mit einem Laserstrahl Informationen über die Steigung der Ober­ fläche an allen Punkten sammeln, die über passende Algorithmen in P/V-Werte umgerechnet werden.

Im Rahmen der Arbeiten, die zur Erfindung geführt haben, hat sich gezeigt, dass das mechanisch und gegebenenfalls nassche­ misch bearbeitete Ausgangsprodukt eine Reihe von lokalen Abwei­ chungen von der idealen Oberfläche mitbringt. Als beidseitig angreifender Prozess ist das erfindungsgemäße Polierverfahren in der Lage, eine Glättung der Vorder- und Rückseite der Sili­ ciumscheiben zu bewirken, was sich positiv auf die Höhenabwei­ chung beispielsweise der Vorderseite von einer Idealebene aus­ wirkt. Erfindungsgemäß wird eine Anforderung erfüllt, die ausgedrückt ist als P/V(10 × 10)_max-Wert von gleich oder kleiner 70 nm und/oder als P/V(2 × 2)_max-Wert von gleich oder kleiner 20 nm. Die Halbleiterscheiben werden zu diesem Zweck mit einem Polierdruck im Bereich von 0,12 bis 0,18 bar poliert, wobei der Polierdruck in einem Bereich von 0,12 bis 0,16 bar vorzugsweise umgekehrt proportional und in einem Bereich zwischen 0,16 bar und 0,18 bar vorzugsweise proportional gewählt wird zu einer mit der Politur angestrebten, maximalen lokalen Höhenabweichung einer Vorderseite der Halbleiterscheiben von einer Idealebene.

Die Erfindung sieht darüber hinaus aber auch vor, die Gruppe von Siliciumscheiben ohne die genannte Anforderung an den P/V_max-Wert weiterhin mit einem zur Kostenminimierung auf maximalen Durchsatz der Polieranlagen hin optimierten Prozess beidseitig zu polieren, was beispielsweise bei gleichzeitiger Politur von 15 Siliciumscheiben des Durchmessers 300 mm durch Wahl eines Polierdrucks von bevorzugt 0,18 bis 0,30 bar und besonders bevorzugt von 0,20 bis 0,25 bar bei Abtragsraten von bevorzugt 0,6 bis 2,0 µm/min und besonders bevorzugt von 0,7 bis 1,5 µm/min möglich ist. Bei dieser Fahrweise würden die Mittelwerte der P/V_max-Werte deutlich über den genannten Mittelwerten liegen, was den Anforderungen des Marktes nicht gerecht wird.

Die Erfinder stellten fest, dass mit einer Reduktion des Po­ lierdruckes ein Absinken der P/V_max-Werte einhergeht. Die Idee der Erfindung ist daher, die Gruppe der Scheiben mit einer Be­ grenzung des P/V_max-Wertes bei einem niedrigeren Druck beidsei­ tig zu polieren als die andere Gruppe. Dies führt, je nach Ver­ teilung der zu polierenden Scheiben über die beiden Gruppen, zu gemittelten Kostenvorteilen von bis zu 20% beim Polierprozess und von bis zu 5% für die Herstellkosten der fertig prozes­ sierten Siliciumscheibe. Kostenvorteile in dieser Größenordnung sind signifikant zum Erhalt und Ausbau der Wettbewerbsfähig­ keit. Für die P/V_max-Werte lässt sich in einem bestimmten Po­ lierdruckbereich ein Minimum identifizieren. Die Lage dieses Minimums kann durch Prozessparameter wie Drehzahlen von Polier­ tellern und Läuferscheiben und Poliertucheigenschaften in ge­ wissem Umfang beeinflusst werden, jedoch wird beispielsweise bei der Politur von 300-mm-Scheiben in den meisten Fällen bei Verwendung eines Poliertuches einer bevorzugten Härte von 60 bis 90 (Shore A) und einer besonders bevorzugten Härte von 70 bis 80 (Shore A) ein optimaler Bereich von 0,12 bis 0,18 bar gefunden, der damit ebenfalls bevorzugt ist. Eine mögliche Er­ klärung für dieses Verhalten ist, dass in diesem für die Redu­ zierung der lokalen Höhenabweichung optimalen Druckbereich Un­ ebenheiten der Oberflächen der Siliciumscheibe zu einer lokalen Poliertuchkompression führen, welche zu einem lokal erhöhten mechanischen Abtrag führen. Der chemische Abtrag ist in allen Teilbereichen der Scheibe in etwa vergleichbar. Bei zunehmendem Druck während der beidseitigen Politur wird die Scheibe zuneh­ mend flach gepresst, wodurch sich die erhöhte mechanisch be­ dingte Abtragsrate an den exponierten Stellen reduziert. Unter­ halb des optimalen Bereiches reichen die eingestellten Drücke nicht mehr aus, eine nennenswerte lokale Tuchkomprimierung zu bewirken, wodurch die mechanisch bedingte Abtragsrate an den exponierten Stellen ebenfalls sinkt.

Der Siliciumabtrag durch die beidseitige Politur beträgt im Rahmen der Erfindung bevorzugt 2 bis 70 µm und besonders be­ vorzugt 5 bis 50 µm. In gewissen Fällen kann es sich als sinn­ voll erweisen und gehört daher ebenfalls zu den bevorzugten Ausführungsvarianten, die beidseitige Politur der Gruppe von Scheiben mit Begrenzung des P/V_max-Wertes in einem zweistufigen Verfahren auszuführen, wenn mindestens die Hälfte des Silicium­ abtrages mit einem niedrigeren Druck erzielt wird. Besonders bevorzugt ist in diesem Falle, zunächst mit einem höheren und anschließend mit einem niedrigeren Druck zu polieren.

Im Rahmen einer Umsetzung der Erfindung im betrieblichen Maß­ stab bei Verfügbarkeit mehrerer Polieranlagen kann es aus lo­ gistischen Gründen sinnvoll sein, die bei einem niedrigeren und die bei einem höheren Polierdruck zu polierenden Gruppen von Siliciumscheiben auf getrennten Anlagen zu bearbeiten. Vom technologischen Standpunkt aus betrachtet ist es jedoch durch­ aus möglich, Scheiben mit beiden Prozessen nacheinander auf derselben Polieranlage zu bearbeiten, das sich nach Entlastung der Anlage das Poliertuch rasch wieder entspannt und in der Regel keinen so genannten Memoryeffekt aufweist. Dies gilt auch für eine betriebliche Fahrweise, bei der Siliciumscheiben von verschiedenen Durchmessern, beispielsweise 300 mm und 200 mm, nacheinander ebenfalls auf derselben Polieranlage gefahren wer­ den. In keinem der genannten Fälle wird der durch die Erfindung erzielte Kostenvorteil geschmälert.

Zur Ausführung des erfindungsgemäßen Polierschrittes empfiehlt sich die kontinuierliche Zuführung eines Poliermittels mit ei­ nem pH-Wert von bevorzugt 9,5 bis 12,5 aus bevorzugt 1 bis 10 Gew.-% SiO₂ und besonders bevorzugt 1 bis 5 Gew.-% SiO₂ als Kol­ loid in Wasser. Nach Erreichen des geplanten Abtrags muss die chemisch sehr reaktive hydrophobe Scheibenoberfläche passiviert werden. Im Rahmen der Erfindung erfolgt dies bevorzugt durch Zuführung von Reinstwasser, das geringe Anteile an Alkoholen und/oder Tensiden enthält. Abschließend werden die Silicium­ scheiben aus der Polieranlage entnommen und gereinigt und ge­ trocknet. Es schließt sich eine Bewertung hinsichtlich durch den Polierschritt beeinflusster spezifizierter Qualitätsmerk­ male nach dem Fachmann bekannten Methoden an. Dabei weisen die erfindungsgemäß hergestellten Siliciumscheiben keine Nachteile gegenüber Siliciumscheiben auf, die nach einem Verfahren nach dem Stand der Technik hergestellt wurden, lassen sich jedoch im Vergleich zu einer Politur aller Scheiben bei einem höheren oder bei niedrigeren Polierdruck mit dem genannten Kostenvor­ teil fertigen, was einen entscheidenden Wettbewerbsvorteil be­ deutet.

Die Siliciumscheiben lassen sich bereits in der nach beidseiti­ ger Politur und Reinigung vorliegenden Qualität in Prozessen zur Herstellung von Bauelementen einsetzen. Abhängig von ihrer weiteren Bestimmung kann es jedoch notwendig sein, mindestens die Scheibenvorderseite beispielsweise zur weiteren Glättung oder Defektreduktion einer Oberflächenpolitur nach dem Stand der Technik zu unterziehen, beispielsweise mit einem weichen Poliertuch unter Zuhilfenahme eines alkalischen Poliermittels auf SiO₂-Basis. Zum Erhalt der an dieser Stelle vorliegenden sehr niedrigen SFQR_max- und P/V_max-Werte sollte der Siliciumab­ trag relativ niedrig sein und beispielsweise nur 0,1 µm bis 1 µm betragen.

Die so vorbereiteten Siliciumscheiben können nach Standard­ verfahren mit einer epitaktischen Beschichtung mindestens auf der Vorderseite versehen werden, wobei Silicium als Beschich­ tungsmaterial bevorzugt ist. Die epitaktische Beschichtung kann für verschiedene Anwendungen in der Halbleiterfertigung von Vorteil sein, ist jedoch für die Ausführung der Erfindung nicht zwingend erforderlich. Die epitaktische Beschichtung unter­ scheidet sich durch ihren Dotierstoffgehalt in ihren elektri­ schen Eigenschaften oft von denen der Siliciumscheibe, was in der Konstruktion der integrierten Halbleiter-Bauelemente ausge­ nutzt wird.

Die Aufbringung einer epitaktischen Siliciumschicht geschieht bevorzugt nach dem CVD-Verfahren, indem Silane zur Scheiben­ oberfläche geführt werden, sich dort bei Temperaturen von 900°C bis 1250°C zu elementarem Silicium und flüchtigen Nebenpro­ dukten zersetzen und eine epitaktische, das heißt einkristalli­ ne, kristallografisch an der Siliciumscheibe orientiert aufge­ wachsene Siliciumschicht bilden. Bevorzugt werden Silicium­ schichten mit einer Dicke von maximal 5 µm epitaktisch aufge­ wachsen, um die sehr niedrigen SFQR_max- und P/V_max-Werte nicht signifikant zu erhöhen. Nach der Beschichtung ist bevorzugt, die Scheibenoberfläche zum Schutz vor Kontamination zu hydro­ philieren, das heißt, sie mit einer dünnen Oxidschicht zu über­ ziehen, beispielsweise einer Oxidschicht einer Dicke von etwa 1 nm, die dem Fachmann als "native oxide" bekannt ist. Dies kann prinzipiell auf zwei verschiedene Arten geschehen: Zum einen kann die Oberfläche der epitaktisch beschichteten Silicium­ scheibe mit einem oxidativ wirkenden Gas, beispielsweise Ozon, behandelt werden, was in der Epitaxiekammer selbst oder in einer separaten Anlage durchgeführt werden kann. Zum anderen ist eine Hydrophilierung in einer Badanlage beispielsweise mit einer Wasserstoffperoxid enthaltenden wässrigen Lösung möglich.

Falls notwendig, kann an einer beliebigen Stelle der Prozess­ kette eine Wärmebehandlung der Siliciumscheibe eingefügt wer­ den, beispielsweise um eine Störung von oberflächennahen Kris­ tallschichten auszuheilen. Weiterhin können eine Laserbeschrif­ tung zur Scheibenidentifizierung und/oder ein Kantenpolier­ schritt an geeigneter Stelle eingefügt werden, zum Beispiel nach dem Abrasivschritt im Falle der Lasermarkierung sowie vor, im oder nach dem beidseitigen Polieren im Falle der Kantenpoli­ tur. Eine Reihe weiterer, für bestimmte Produkte erforderlicher Prozessschritte wie beispielsweise die Aufbringung von Rücksei­ tenbeschichtungen aus Polysilicium, Siliciumdioxid oder Silici­ umnitrid lässt sich ebenfalls nach dem Fachmann bekannten Ver­ fahren sinnvoll in die Prozesssequenz einbauen. Neben der Her­ stellung von Scheiben aus einem homogenen Material kann die Erfindung natürlich auch zur Herstellung von mehrschichtig auf­ gebauten Halbleitersubstraten wie SOI-Scheiben ("silicon-on- insulator") eingesetzt werden, obwohl hierbei Kostenvorteil so­ wie hohe lokale Ebenheit und geringe lokale Höhenabweichung der Vorderseite verloren gehen können.

Zur Beschreibung der Erfindung gehören Figuren, welche diese verdeutlichen, jedoch keinesfalls eine Einschränkung bedeuten.

Fig. 1 zeigt die Anordnung von fünf Läuferscheiben 1 in einer Polieranlage für die beidseitige Politur von Halbleiterschei­ ben, belegt mit jeweils drei Halbleiterscheiben 2 des Durchmes­ sers 300 mm auf einem mit Poliertuch beklebten unteren Polier­ teller 3 zwischen zwei mit Stiftverzahnung ausgestatteten An­ triebskränzen 4 und 5. Der obere Polierteller ist in dieser Aufsicht nicht dargestellt.

Fig. 2 zeigt als "box"-Darstellung für die im Rahmen der Vergleichsbeispiele und des Beispiels hergestellten Silici­ umscheiben des Durchmessers 300 mm die Verteilung der maximalen lokalen Höhenabweichung der Vorderseite von einer Idealebene, bezogen auf gleitende Teilbereiche der Abmessung 10 mm × 10 mm (P/V(10 × 10)_max-Werte). Die Rechtecke (box) umfassen 80% der Da­ ten, wobei eine zusätzliche Linie den Mittelwert kennzeichnet; die vertikalen Linien (whisker) markieren den Bereich, in dem 99% der Daten liegen.

Fig. 3 zeigt in zu Fig. 2 analoger Darstellung die P/V(2 × 2)_max- Werte.

Fig. 4 zeigt einen Vergleich der mittleren relativen Kosten des beidseitigen Polierschrittes und der mittleren relativen Kosten für die Herstellung der Siliciumscheibe, jeweils einschließlich der Kosten für Scheibenverluste, für eine Vielzahl gemäß der Vergleichbeispiele und des Beispiels hergestellter Silicium­ scheiben des Durchmessers 300 mm.

Vergleichsbeispiele und Beispiel

Vergleichsbeispiel und Beispiel betreffen die beidseitige Po­ litur von Siliciumscheiben mit einem Durchmesser von 300 mm im Produktionsmaßstab auf einer Anlage des Typs AC2000 von Fa. Peter Wolters. Dabei waren zwei unterschiedliche Gruppen von Scheiben zu polieren, an die neben den ansonsten gleichen An­ forderungen wie die Abwesenheit von Oberflächenkratzern und -flecken folgende zusätzliche Anforderungen gestellt waren: für Gruppe 1 SFQR_max gleich oder kleiner 0,13 µm; für Gruppe 2 SFQR_max gleich oder kleiner 0,13 µm und zusätzlich P/V(10 × 10)_max gleich oder kleiner 70 nm sowie P/V(2 × 2)_max gleich oder kleiner 20 nm.

Die Siliciumscheiben wurden nach dem Stand der Technik durch Drahtsägen eines Einkristalls, Kantenverrunden, beidseitiges sequenzielles Oberflächenschleifen, Ätzen in einem konzen­ trierten Salpetersäure/Flusssäure-Gemisch und Kantenpolieren hergestellt und besaßen eine Dicke von 805 µm. Es standen fünf Läuferscheiben aus rostfreiem Chromstahl der Dicke 773 µm zur Verfügung. Als Poliertuch fand ein handelsübliches Poliertuch des Typs SUBA500 von Fa. Rodel mit der Härte 74 (Shore A) Ver­ wendung. Das wässrige Poliermittel enthielt 3 Gew.-% kolloidal gelöstes SiO₂ und besaß eine pH-Wert von 11,5. Oberer und un­ terer Polierteller wurden jeweils auf 38°C temperiert. Die Siliciumscheiben wurden bis zu einer Enddicke von 775 µm po­ liert.

Nach Beendigung der Politur wurde unter reduziertem Druck ein wässriges Stoppmittel zugeführt, das 1 Vol-% Glycerin, 1 Vol-% Butanol und 0,07 Vol-% Tensid enthielt. Nach Reinigung und Trocknung erfolgte eine visuelle Inspektion in einer abgedun­ kelten Beurteilungskammer unter Hazelicht sowie eine Geometrie­ messung der Siliciumscheiben beider Gruppen auf einem nach dem kapazitiven Prinzip arbeitenden Geometriemessgerät des Typs 3220 von Fa. ADE. An den Scheiben von Gruppe 2 wurde zusätzlich eine Messung der lokalen Höhenabweichung der Vorderseite von einer Idealebene auf einem laserbasierten Gerät des Typs Nano­ mapper von Fa. ADE durchgeführt.

Es wurden zunächst Vorversuche durchgeführt, im Rahmen derer mehrere Fahrten bei Drücken von 0,10, 0,12, 0,15 und 0,20 bar poliert poliert wurde. Dabei zeigte sich bei Einhaltung der Spezifikation für die lokale Geometrie, dass eine nennenswerte Ausbeute hinsichtlich der P/V(10 × 10)_max- und P/V(2 × 2)_max-Werte nur bei 0,15 bar Polierdruck zu erzielen waren. Anschließend wurden weitere Versuche bei 0,14, 0,16 und 0,18 bar Polierdruck durchgeführt, die bestätigten, das sowohl der P/V(10 × 10)_max- als auch der P/V(2 × 2)_max-Wert bei den gewählten sonstigen Polierbe­ dingungen im Bereich von 0,14 bis 0,16 bar Polierdruck ein lo­ kales Minimum besaßen. Die Messdaten sind in Fig. 2 und 3 gra­ fisch dargestellt.

Basierend auf den Ergebnissen dieses Vorversuches wurden an Hand einer größeren Zahl von Produktionsscheiben, von denen 80% die Anforderungen von Gruppe 1 und 20% die erweiterten An­ forderungen von Gruppe 2 zu erfüllen hatten, folgende beiden Vergleichsbeispiele und folgendes Beispiel durchgeführt:
In Vergleichsbeispiel 1 wurden die Siliciumscheiben beider Gruppen bei einem Polierdruck von 0,15 bar und einer mittleren Abtragsrate von 0,6 µm/min poliert. Bei 30 µm Abtrag und Neben­ zeiten von 20 min pro Polierfahrt betrug die Zykluszeit 70 min für 15 300-mm-Scheiben. Alle Scheiben erfüllten die Anforderun­ gen an SFQR_max-, P/V(10 × 10)_max und P/V(2 × 2)_max-Werte; 5% der Scheiben mussten auf Grund von Kratzern, Flecken, Lichtpunkt­ defekten und sonstigen nicht tolerierbaren Abweichungen von der perfekten Siliciumoberfläche verworfen oder für weniger an­ spruchsvolle Anwendungen vorgesehen werden.

In Vergleichsbeispiel 2 wurden die Siliciumscheiben beider Gruppen bei einem Polierdruck von 0,20 bar und einer mittleren Abtragsrate von 0,9 µm/min poliert. Diesmal betrug die Zyklus­ zeit 53 min für 15 300-mm-Scheiben. Alle Scheiben erfüllten die Anforderungen an den SFQR_max-Wert, jedoch betrug die Ausbeute der Scheiben in Gruppe 2 hinsichtlich der P/V(10 × 10)_max- und P/V(2 × 2)_max-Werte nur 25%, weshalb entsprechend viele Scheiben nachgefertigt werden mussten. Wiederum 5% der Scheiben mussten auf Grund Oberflächendefekten verworfen oder herabgestuft wer­ den.

Im Beispiel wurde wie folgt vorgegangen: Die Scheiben der Grup­ pe 1 wurden bei 0,20 bar und 0,9 µm/min. die Scheiben der Grup­ pe 2 bei 0,15 bar und 0,6 µm/min poliert. Diesmal erfüllten wiederum alle Scheiben die Anforderungen an SFQR_max-, P/V(10 × 10)_max- und P/V(2 × 2)_max-Werte, und 5% der Scheiben muss­ ten auf Grund von Oberflächendefekten verworfen oder herabge­ stuft werden.

Herstellkosten der in den Vergleichsbeispielen 1 (V1) und 2 (V2) und dem Beispiel (B) hergestellten Siliciumscheiben

Die Herstellkosten der nach den oben aufgeführten Vergleichs­ beispielen und dem Beispiel hergestellten Scheiben wurden nach einem der üblichen Kostenrechnungsverfahren ermittelt, wobei die durch Ausbeuteverluste entstandenen Mehrkosten berücksich­ tigt wurden. Nachfolgende Tabelle enthält die mittleren relati­ ven Kosten für den Polierprozess und für die Herstellung einer Siliciumscheibe, wobei immer eine Mischung aus 80% Gruppe 1 und 20% Gruppe 2 zu Grunde gelegt wurde. Während die Auswir­ kungen auf Vergleichsbeispiel 1 und Beispiel bei einer Ver­ schiebung dieses Verhältnisses nur geringfügig sind, wirken sich zunehmende Mengen des anspruchvollen Gruppe-2-Materials äußerst negativ auf die Herstellkosten in Vergleichsbeispiel 2 aus, da hohe Ausfälle durch Nichterfüllung der P/V(10 × 10)_max und P/V(2 × 2)_max-Werte zu verzeichnen sind. Aus der Tabelle in Verbindung mit Fig. 4 wird die Leistungsfähigkeit des erfin­ dungsgemäßen Verfahrens im Hinblick auf eine Minimierung der Herstellkosten deutlich.

Claims (20)

1. Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Halbleiterscheiben aus Silicium durch gleichzeitig beidseitige Politur der Vielzahl von Halbleiterscheiben zwischen je einem mit Poliertuch beklebten parallelen ro­ tierenden unteren und oberen Polierteller unter Zuführung eines Abrasivstoffe oder Kol­ loide enthaltenden Poliermittels unter Abtrag von mindestens 2 µm Silicium, dadurch ge­ kennzeichnet, dass eine vorher festgelegte Teilmenge der Halbleiterscheiben zumindest teilweise mit einem niedrigeren Polierdruck poliert wird und eine andere Teilmenge der Halbleiterscheiben mit einem höheren Polierdruck poliert wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Halbleiterscheiben während der beidseitigen Politur in Aussparungen von angetriebenen Läuferscheiben liegen und so auf einer geometrischen Bahn bewegt werden.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass ein un­ teres und oberes Poliertuch mit einer Härte von 60 bis 90 (Shore A) zum Einsatz kommt und ein Poliermittel mit einem SiO₂-Feststoffgehalt von 1 bis 10 Gew.-% und einem pH- Wert von 9,5 bis 12,5 zugeführt wird.

4. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, dass die zu­ mindest teilweise mit einem niedrigeren Polierdruck polierte Teilmenge der Vielzahl der Halbleiterscheiben mit Läuferscheiben poliert wird, deren Dicke um 1 bis 20 µm geringer bemessen ist als die Dicke dieser Teilmenge der fertig polierten Halbleiterscheiben.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, dass die zu­ mindest teilweise mit einem niedrigeren Polierdruck polierte Teilmenge der Vielzahl der Halbleiterscheiben bei einem solchen Polierdruck poliert wird, der zu einer möglichst niedrigen maximalen lokalen Höhenabweichung P/V(10 × 10)_max der Vorderseite der Halbleiterscheibe von einer Idealebene in gleitenden Teilbereichen von 10 mm × 10 mm führt, und die mit einem höheren Polierdruck polierte Teilmenge der Vielzahl der Halblei­ terscheiben bei einem solchen Polierdruck poliert wird, der ohne Berücksichtigung der Höhenabweichung von einer Idealebene zu einem möglichst hohen Anlagendurchsatz bei Bereitstellung von im Vergleich zu den mit einem niedrigeren Polierdruck polierten Halbleiterscheiben qualitativ ansonsten gleichwertigen Halbleiterscheiben führt.

6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, dass ein optimaler niedrigerer Polierdruck in Vorversuchen ermittelt und anschließend in eine großtechnische Ferti­ gung übertragen wird.

7. Verfahren nach Anspruch 5 oder Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, dass der op­ timale niedrigere Polierdruck einen Wert von 0,12 bis 0,18 bar besitzt.

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 7, dadurch gekennzeichnet, dass bei ei­ nem Siliciumabtrag von 5 µm bis 50 µm mindestens die Hälfte des Siliciumabtrages mit dem optimalen niedrigeren Polierdruck poliert wird.

9. Verfahren nach einem der Ansprüche 5 bis 8, dadurch gekennzeichnet, dass jede Halbleiterscheibe der mit dem optimalen niedrigeren Polierdruck polierten Teilmenge der Vielzahl der Halbleiterscheiben einen maximalen lokalen Ebenheitswert SFQR_max von gleich oder kleiner 0,13 µm, bezogen auf ein Flächenraster von Segmenten der Größe 26 mm × 8 mm auf der Vorderseite, und eine maximale lokale Höhenabweichung P/V(10 × 10)_max der Vorderseite von einer Idealebene von gleich oder kleiner 70 nm, be­ zogen auf gleitende Teilbereiche der Abmessung 10 mm × 10 mm, besitzt.

10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass jede Halbleiterscheibe der mit dem optimalen niedrigeren Polierdruck polierten Teilmenge der Vielzahl der Halbleiterscheiben aus Silicium zusätzlich eine maximale lokale Höhenabweichung P/V(2 × 2)_max der Vorderseite von einer Idealebene von gleich oder kleiner 20 nm, bezo­ gen auf gleitende Teilbereiche der Abmessung 2 mm × 2 mm, besitzt.

11. Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe aus Silicium, gekennzeichnet durch eine sequenzielle Ausführung folgender Prozessschritte:

• a) Aufsägen eines im Wesentlichen aus Silicium bestehenden Einkristalls auf einer Drahtsäge;
• b) Erzeugung eines mechanischen Siliciumabtrages von einer Vorderseite und einer Rückseite der Halbleiterscheibe; und
• c) gleichzeitig beidseitiges Polieren einer Vorderseite und einer Rückseite der Halblei­ terscheibe gemäß Anspruch 1.

12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass Schritt (b) als Läppschritt ausgeführt wird.

13. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, dass Schritt (b) als Schleif­ schritt oder als Kombination mehrerer Schleifschritte ausgeführt wird.

14. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 13, dadurch gekennzeichnet, dass zwi­ schen den Schritten (b) und (c) ein nasschemisches Ätzen der mechanisch bearbeiteten Halbleiterscheibe erfolgt.

15. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 14, dadurch gekennzeichnet, dass vor, während oder nach dem gleichzeitigen Polieren einer Vorderseite und einer Rückseite eine Politur einer Kante der Siliciumscheiben erfolgt.

16. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 15, dadurch gekennzeichnet, dass Schritt (c) bei einem für die Minimierung der Höhenabweichung der Vorderseite von ei­ ner Idealebene optimalen Polierdruck gemäß einem der Ansprüche 9 bis 14 ausgeführt wird.

17. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 16, dadurch gekennzeichnet, dass nach Schritt (c) ein Oberflächen-Polierschritt mindestens einer Vorderseite durchgeführt wird, bei dem unter Anwendung eines weichen Poliertuchs bei einem Materialabtrag von 0,1 µm bis 1 µm eine weitere Glättung der Oberfläche erzielt wird.

18. Verfahren nach einem der Ansprüche 11 bis 17, dadurch gekennzeichnet, dass nach Schritt (c) oder nach einer Schritt (c) folgenden Oberflächenpolitur eine Abschei­ dung einer epitaktischen Beschichtung im Wesentlichen aus Silicium mindestens auf einer Vorderseite der Halbleiterscheibe erfolgt.

19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, dass die Oberfläche der Sili­ ciumscheiben vor dem Aufbringen der epitaktischen Beschichtung nasschemisch oder mittels Angriff von Gasen gereinigt wird.

20. Verfahren nach Anspruch 18 oder Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, dass die epitaktische Siliciumbeschichtung bei einer Temperatur von 900°C bis 1250°C abge­ schieden wird.