DE102011083041B4

DE102011083041B4 - Stützring zum Abstützen einer Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium während einer Wärmebehandlung und Verfahren zur Wärmebehandlung einer solchen Halbleiterscheibe unter Verwendung eines solchen Stützrings

Info

Publication number: DE102011083041B4
Application number: DE102011083041.3A
Authority: DE
Inventors: Erich Daub; Raimund Kaiss; Michael Klösler; Thomas Loch
Original assignee: Siltronic AG
Current assignee: Siltronic AG
Priority date: 2010-10-20
Filing date: 2011-09-20
Publication date: 2018-06-07
Anticipated expiration: 2031-09-21
Also published as: DE102011083041A1; JP2012089842A; CN102664160B; JP2014057081A; TWI443234B; CN104152994B; CN102664160A; TW201239143A; TW201421583A; JP5622702B2; US20120098100A1; US8460465B2; SG180109A1; KR101312836B1; TWI506697B; MY155764A; CN104152994A; JP6016748B2; KR20120041146A

Abstract

Stützring zum Abstützen einer Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium während einer Wärmebehandlung der Halbleiterscheibe, umfassend eine äußere und eine innere Mantelfläche (2, 3) und eine sich von der äußeren bis zur inneren Mantelfläche (2, 3) erstreckende gekrümmte Fläche (4) zum Ablegen der Halbleiterscheibe mit einem Krümmungsradius von nicht weniger als 6000 mm und nicht mehr als 9000 mm, sofern die gekrümmte Fläche (4) zur Ablage einer Halbleiterscheibe mit einem Durchmesser von 300 mm ausgelegt ist oder mit einem Krümmungsradius von nicht weniger als 9000 mm und nicht mehr als 14000 mm, sofern die gekrümmte Fläche (4) zur Ablage einer Halbleiterscheibe mit einem Durchmesser von 450 mm ausgelegt ist, wobei die gekrümmte Fläche (4) einen Materialanteil Rmr(t) von nicht weniger als 85 % hat bei einer Materialtiefe t von 2 µm.

Description

Die beanspruchte Erfindung ist auf dem Gebiet der Wärmebehandlung einkristalliner Halbleiterscheiben aus Silizium angesiedelt. Die Wärmebehandlung wird in der Regel in einem Vertikalofen („wafer boat“) durchgeführt. In einem solchen Ofen werden eine Vielzahl von Halbleiterscheiben gleichzeitig über einen längeren Zeitraum auf hohe Temperaturen erhitzt. Sie liegen dabei übereinander gestapelt und voneinander beabstandet auf Stützringen auf. Ein solcher Stützring („susceptor ring, support ring“) besteht in der Regel aus Siliziumcarbid und hat die Aufgabe die darauf liegende Halbeiterscheibe während der Wärmebehandlung abzustützen.
Ziel der Wärmebehandlung ist es, eine von der Oberfläche ins Innere der Halbleiterscheibe reichende Zone („denuded zone“) für elektronisch aktive Strukturen zu schaffen, die frei von Defekten ist, welche die Funktion von elektronischen Bauelementen stören könnten. Solche Defekte sind insbesondere Ansammlungen von präzipitiertem Sauerstoff, BMD („bulk micro defects“), und Defekte, die von Ansammlungen von Leerstellen gebildet werden und unter anderem als COP-Defekte („crystal originated particles“) bezeichnet werden. Durch die Wärmebehandlung werden BMD bildende Keime und COP-Defekte aufgelöst und die Sauerstoffkonzentration in der Zone unter die zur BMD-Bildung notwendige Schwelle abgesenkt.
Je größer COP-Defekte sind, desto länger dauert es, um sie durch eine Wärmebehandlung der Halbleiterscheibe auflösen zu können. Es ist daher zweckmäßig, bereits während des Ziehens des die Halbleiterscheiben liefernden Einkristalls aus einem Tiegel Maßnahmen zu ergreifen, die COP-Defekte mit vergleichsweise kleinen Dimensionen entstehen lassen. Üblicherweise kommen dafür zwei Maßnahmen in Betracht, die auch kombiniert werden können. Zum einen verhindert ein schnelles Abkühlen des Einkristalls dass Leerstellen ausreichend lange beweglich bleiben, um sich zu vergleichsweise großen COP-Defekten zusammenlagern zu können. Zum anderen bewirkt das Dotieren des Einkristalls mit Stickstoff dass Leerstellen beim Abkühlen des Einkristalls später in Übersättigung geraten und entsprechend weniger Zeit zur Bildung der Leerstellen-Ansammlungen zur Verfügung steht.
Bei den während der Wärmebehandlung herrschenden Temperaturen im Bereich von 1050 °C bis 1300 °C ist das Kristallgitter von einkristallinem Silizium besonders empfindlich gegen Störungen. Temperaturgradienten, Relativbewegungen von Halbleiterscheibe und Stützring wegen unterschiedlicher Wärmeausdehnungskoeffizienten von Silizium und Siliziumcarbid und das auf den Stützring drückende Eigengewicht der Halbleiterscheibe können Vergleitungen („slip“) im Kristallgitter auslösen oder Kratzer verursachen.
Üblicherweise werden Messungen von Laser-Streulicht oder Messungen der Depolarisation von Laserlicht zum Nachweis von Spannungen und Vergleitungen herangezogen. Die auf Letzterem basierende Messmethode ist unter dem Akronym SIRD bekannt, das für „Scanning Infrared Depolarization“ steht. In der US 2004 / 0 021 097 A1 ist ein SIRD anwendendes Messverfahren beschrieben, mit dem vom Stützring verursachte Defekte an Halbleiterscheiben nachgewiesen werden können.
In der DE 10 2005 013 831A1 ist offenbart, dass sowohl die Temperatur während der Wärmebehandlung als auch die Konzentration an Stickstoff in der Halbleiterscheibe einen besonderen Einfluss auf die obere Streckgrenze („upper yield stress“, UYS) haben. Der UYS ist eine Kenngröße für die Widerstandsfähigkeit des Halbleitermaterials gegen die Bildung von Vergleitungen. Die Widerstandsfähigkeit nimmt demnach im Temperaturbereich von 1000 °C bis 1350 °C deutlich ab, ebenso mit einer Verringerung der Stickstoff-Konzentration. Um wärmebehandelte Halbleiterscheiben aus einkristallinem Silizium zu erhalten, die bei einer SIRD-Messung keine Vergleitungen zeigen, wird in der genannten Druckschrift empfohlen, die bei einer Temperatur von 1200 °C gemessene obere Streckgrenze als Kriterium zu verwenden, um die Wärmebehandlung in bestimmter Weise auszuführen. Demnach sind vergleichsweise hohe Aufheizraten im Temperaturbereich von über 900 °C beziehungsweise vergleichsweise hohe Abkühlraten im Temperaturbereich bis 900 °C und der Einsatz eines geschlossenen Rings als Stützring während der Wärmebehandlung eher nur für relativ widerstandsfähige Halbleiterscheiben geeignet.
In der JP 2003 - 59 851 A ist ein Stützring beschrieben, umfassend eine innere und eine äußere Mantelfläche, eine horizontale Fläche zum Ablegen der Halbleiterscheibe und eine abgerundete oder abgeschrägte Kante zwischen der inneren Mantelfläche und der horizontalen Ablagefläche. Der Abstand Ry zwischen der höchsten Erhebung („peak“) und dem tiefsten Einschnitt („valley“) innerhalb einer die Rauheit der Kante erfassenden Messstrecke ist nicht größer als 5 µm.
Die EP 1 772 901 A2 enthält die Beschreibung eines zweiteiligen Stützrings, dessen Oberflächenrauheit ausgedrückt in Form der gemittelten Rautiefe Rz nicht mehr als 15 µm sein soll. Eine Halbleiterscheibe aus Silizium, die auf einem solchen Stützring bei einer Temperatur von 1200 °C über einen Zeitraum von 600 min erhitzt wurde, zeigte im Anschluss an die Wärmebehandlung keine mittels Laser-Streulicht oder Depolarisation von Laserlicht nachweisbaren Vergleitungen.
Aus der JP H09- 251 961 A ist eine Haltevorrichtung zur Wärmebehandlung von Halbleiterwafern bekannt, die Stützringe mit gekrümmter Auflagefläche für die Wafer aufweist.
Die Erfinder der vorliegenden Erfindung haben jedoch herausgefunden, dass Halbleiterscheiben aus einkristallinem Silizium bei Verwendung bekannter Stützringe während einer Wärmebehandlung Spannungen ausgesetzt sind, die die Nanotopographie der Vorderseite der Halbleiterscheibe beeinträchtigen können.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist daher, einen verbesserten Stützring vorzustellen und ein besseres Verfahren zur Wärmebehandlung einer Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium aufzuzeigen, bei dem der Stützring eingesetzt wird.
Gelöst wird die Aufgabe durch einen Stützring entsprechend einem der Patentansprüche 1 bis 5 und durch ein Verfahren gemäß Patentanspruch 6.
Eine auf einem Stützring abgelegte Halbleiterscheibe aus Silizium biegt sich aufgrund ihres Eigengewichts durch, weil im Zentrumsbereich die Unterstützung durch den Stützring fehlt.
Die Erfinder der vorliegenden Erfindung haben herausgefunden, dass es ungünstig ist, einen Stützring mit horizontaler Fläche zum Ablegen einer Halbleiterscheibe zu verwenden, auch wenn die innere Kante zwischen der horizontalen Ablagefläche und der inneren Mantelfläche abgerundet ist. Die Durchbiegung der Halbleiterscheibe führt insbesondere im Bereich der inneren Kante des Stützrings zu einem Spannungsfeld, das regelmäßig Vergleitungen hervorruft. Die Wärmebehandlung der Halbleiterscheibe bewirkt gleichzeitig auch eine teilweise Glättung der von Vergleitungen hervorgerufenen Unebenheiten. Solche Vergleitungen sind deshalb häufig nicht nachweisbar. Sie führen jedoch zu einer Verschlechterung der Nanotopographie der Halbleiterscheibe und gegebenenfalls zu Defokussierungs-Problemen beim Belichten der Vorderseite der Halbleiterscheibe im Verlauf der Herstellung von elektronischen Bauelementen. Die Nanotopographie beschreibt Ebenheitsabweichungen in einem Messbereich mit einer räumlichen Wellenlänge von 0,2 bis 20 mm. Ein zweckmäßiges Messverfahren zur Bestimmung der Nanotopographie ist die optische Interferometrie. Darauf basierende Messgeräte sind kommerziell verfügbar. Im Rahmen der Erfindung wird die Nanotopographie der Vorderseite der Halbleiterscheibe gemessen, um die Ebenheit der Vorderseite zu charakterisieren und um die Wirkung der Wärmebehandlung auf die Ebenheit abschätzen zu können. Die Vorderseite der Halbleiterscheibe ist die Seite, die für die Integration elektronischer Strukturen vorgesehen ist.
1 zeigt in einer Schnittdarstellung einen zum Stand der Technik gehörenden Stützring. Dieser Stützring ist gekennzeichnet durch eine horizontale Fläche 1 zur Ablage einer Halbleiterscheibe.
2 zeigt einen erfindungsgemäß ausgebildeten Stützring. Dieser Stützring ist ein geschlossener Ring und zeichnet sich durch eine konkav gekrümmte Fläche 4 zur Ablage der Halbleiterscheibe aus. Die konkav gekrümmte Ablagefläche 4 erstreckt sich von der äußeren Mantelfläche 2 bis zur inneren Mantelfläche 3 und weist daher keinen horizontal liegenden Anteil auf. Sie hat einen von der äußeren zur inneren Mantelfläche konkav fallenden Querschnitt. Der Krümmungsradius der Ablagefläche 4 beträgt nicht weniger als 6000 mm und nicht mehr als 9000 mm, sofern die Ablagefläche zur Ablage einer Halbleiterscheibe mit einem Durchmesser von 300 mm ausgelegt ist, oder nicht weniger als 9000 mm und nicht mehr als 14000 mm, sofern die Ablagefläche zur Ablage einer Halbleiterscheibe mit einem Durchmesser von 450 mm ausgelegt ist, und entspricht vorzugsweise dem Radius der Durchbiegung der Halbleiterscheibe. Dadurch ist das Spannungsfeld, das während der Wärmebehandlung im Bereich der inneren Kante zwischen Ablagefläche und innerer Mantelfläche des Stützrings auf die Halbleiterscheibe einwirkt, deutlich geringer als bei Verwendung eines Stützrings mit vollständig oder teilweise horizontaler Ablagefläche. Durch die Verwendung eines erfindungsgemäß ausgebildeten Stützrings erwächst der Vorteil einer niedrigeren Dichte von durch Spannungen hervorgerufenen Defekte, die sich auch durch eine verbesserte Nanotopographie der Vorderseite der wärmebehandelten Halbleiterscheibe zeigt.
Der Außendurchmesser des Stützrings ist vorzugsweise gleich dem Durchmesser der zum Zweck der Wärmebehandlung auf der gekrümmten Fläche abgelegten Halbleiterscheibe oder um bis zu nicht mehr als 2 mm größer. Der Innendurchmesser des Stützrings ist vorzugsweise nicht weniger als 60 mm und nicht mehr als 100 mm kleiner als der Außendurchmesser.
Der Stützring besteht vorzugsweise aus Siliziumcarbid oder ist mit Siliziumcarbid beschichtet.
Es ist weiterhin von Vorteil, wenn die gekrümmte Fläche zum Ablegen der Halbleiterscheibe bestimmte Rauheits- und Ebenheits-Kriterien erfüllt.
Die gemittelte Rautiefe Rz sollte vorzugsweise nicht weniger als 3 µm und nicht mehr als 5 µm sein und die größte Einzelrautiefe Rmax vorzugsweise nicht mehr als 5 µm betragen. Die gemittelte Rautiefe Rz entspricht dem arithmetischen Mittel der Einzelrautiefen (der Differenz von höchster Erhebung und tiefsten Einschnitt bezogen auf eine Einzelmessstrecke). Die Einzelrautiefen werden mit Hilfe eines die Rauheit abbildenden Profils über eine in fünf Einzelmessstrecken untergliederte Gesamtmessstrecke bestimmt. Eine durch eine gemittelte Rautiefe Rz von unter 3 µm gekennzeichnete Rauheit ist weniger günstig, weil sie das Verrutschen der Halbleiterscheibe auf dem Stützring fördert. Eine durch einer gemittelte Rautiefe Rz von über 5 µm gekennzeichnete Rauheit birgt die Gefahr, dass lokale Materialspitzen die Nanotopographie der wärmebehandelten Halbleiterscheiben beeinträchtigen.
Darüber hinaus beträgt der Materialanteil Rmr(t) der gekrümmten Ablagefläche in einer Schnitttiefe t von 2 µm nicht weniger als 85 %. Der Kennwert ist in der Norm DIN EN ISO 4287 1997 definiert und bezeichnet den prozentualen Anteil (Traganteil) der Material umfassenden Strecken an der Gesamtmessstrecke in der angegebenen Schnitttiefe. Die Letztere wird von der höchsten Erhebung des Profils aus berechnet. Ein Rmr(2 µm) von weniger als 85 %, insbesondere von weniger als 50 % ist nicht günstig, weil der geringe Materialanteil ein Indikator für das Vorhandensein lokaler Materialspitzen ist und sich entsprechend nachteilig auf die Nanotopographie der wärmebehandelten Halbleiterscheiben auswirkt. Bei einem Rmr(2 µm) von nicht weniger als 85 % sind Materialerhebungen breiter und eher abgerundet als spitz zulaufend.
Der Stützring sollte schließlich möglichst ideal geformt sein. Damit die Nanotopographie der Vorderseite wärmebehandelter Halbleiterscheiben zuverlässig im angestrebten Bereich bleibt, sollte die Ablagefläche um vorzugsweise nicht mehr als 30 µm von einer geometrisch ideal geformten Fläche abweichen, deren Krümmungsradius im genannten Bereich liegt. Die Flächenform gemäß der Norm DIN ISO 1101 2004 sollte also vorzugsweise nicht mehr als 0,03 mm sein. Demnach muss die Ablagefläche zwischen zwei Hüllflächen liegen, deren Abstand durch Kugeln mit einem Durchmesser von 30µm bestimmt ist, wobei der Mittelpunkt der Kugeln auf der geometrisch idealen Fläche liegt.
Bei Einhaltung der genannten Kriterien weisen wärmebehandelte Halbleiterscheiben aus einkristallinem Silizium die vergleichsweise beste Nanotopographie der Vorderseite auf.
Das Verfahren zur Wärmebehandlung einer Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium gemäß Patentanspruch 6 umfasst das Ablegen der Halbleiterscheibe auf dem Stützring und das Erhitzen der auf dem Stützring abgelegten Halbleiterscheibe auf eine Temperatur von nicht weniger als 1050 °C und nicht mehr als 1300 °C für einen Zeitraum von nicht weniger als 30 min und nicht mehr als 180 min.
Wird die untere Temperaturgrenze nicht erreicht oder ist der Zeitraum der Wärmebehandlung kürzer als 30 min, entsteht keine „denuded zone“ oder eine, die nicht tief genug ins Innere der Halbleiterscheibe reicht. Wird die obere Temperaturgrenze überschritten oder ist der Zeitraum der Wärmebehandlung länger als 180 min, wird das Verfahren unwirtschaftlich.
Das Verfahren zeichnet sich auch dadurch aus, dass Kriterien wie die obere Streckgrenze des Halbleiterscheiben-Materials oder die Aufheizrate im Temperaturbereich über 900 °C beziehungsweise die Abkühlrate im Temperaturbereich bis 900 °C nicht besonders berücksichtigt werden müssen. So können auch Halbleiterscheiben mit einer vergleichsweise niedrigen Konzentration an Stickstoff wärmebehandelt werden, ohne dass sich Vergleitungen bilden.
Es ist dennoch bevorzugt, die Aufheizrate im Temperaturbereich von über 900 °C und die Abkühlrate im Temperaturbereich bis 900 °C auf Werte im Bereich von 1°C/min bis 10°C/min einzustellen.
Die Wärmebehandlung wird vorzugsweise in einer unter den herrschenden Bedingungen mit Silizium chemisch nicht reagierenden Atmosphäre oder in einer reduzierenden Atmosphäre durchgeführt. Beispiele sind eine Wärmebehandlung in Argon oder in einem Gemisch aus Argon und Wasserstoff.
Beispiel:
Halbleiterscheiben aus einkristallinem Silizium mit einem Durchmesser von 300 mm wurden einer Wärmebehandlung in einem Vertikalofen vom Typ A412 des Herstellers ASM unterzogen. Die Halbleiterscheiben wurden im Verlauf der Wärmebehandlung auf eine Temperatur von 1200°C über einen Zeitraum von 120 min erhitzt.
Die Halbleiterscheiben wurden aus Einkristallen geschnitten, die im die Halbleiterscheiben liefernden Abschnitt der Einkristalle mit einer mittleren Ziehgeschwindigkeit von 0,86mm/min aus einer in einem Tiegel enthaltenen und mit Stickstoff dotierten Schmelze aus Silizium nach der Czochralski-Methode gezogen und aktiv gekühlt worden waren. Die Abkühlrate im Temperaturbereich von 1150 bis 1000 °C betrug 2,5 K/min im Zentrum und 3,2 K/min am Rand des jeweiligen Einkristalls.
Während der Wärmebehandlung lagen die Halbleiterscheiben auf Stützringen aus Siliziumcarbid, die wie in 2 dargestellt ausgebildet waren. Der Außendurchmesser der Stützringe war 1 mm größer als der Durchmesser der Halbleiterscheiben.
Das Rauheitsprofil der Auflagefläche wurde mit einem Taster („Profiler“) gemessen.
Die gemittelte Rautiefe Rz lag bei den eingesetzten Stützringen im Bereich von 3 µm bis 5 µm und die größte gemessene Einzelrautiefe Rmax betrug nicht mehr als 5 µm. Darüber hinaus lag der Materialanteil Rmr(t) der gekrümmten Ablagefläche in einer Schnitttiefe t von 2 µm bei keinem der Stützringe unter 85 %.
Nach einem Zeitraum von 1000 Prozessfahrten wurde kein einziger Ausfall wegen des Überschreitens der oberen Grenze der zulässigen Nanotopographie der Vorderseite der Halbleiterscheibe beobachtet.
Die Messung der Nanotopographie wurde entsprechend der SEMI-Norm M78-1110 vom Oktober 2010 durchgeführt, mit einer „fixed quality area“ (FQA) von 297 mm, den „Key Options“ NT-CC, der „threshold area“ x = 0.25 % und der „cut-off wavelength“ λ_c = 20 mm. Die Auswertung erfolgte entsprechend der „Deviation Metric“.
Unter ansonsten gleichartigen Bedingungen wurden auch Halbleiterscheiben wärmebehandelt, die auf einem Stützring abgelegt wurden, der entsprechend der Darstellung in 1 ausgebildet war. Bei diesen Halbleiterscheiben wurden Ausfälle in signifikanter Anzahl sowohl nach SIRD-Messung als auch nach Messung der Nanotopographie beobachtet.
3 und 4 zeigen typische SIRD-Abbildungen einer ausgefallenen Halbleiterscheibe und einer erfindungsgemäß wärmebehandelten Halbleiterscheibe. Die Aufnahmen wurden mit einem Messgerät vom Typ SIRD A300P des Herstellers PVA TePla erstellt. In 3 sind lokale SIRD-Spannungen als Grund des Ausfalls der Halbleiterscheibe markiert. Die Lage der Markierungen zeigt, dass die Spannungen durch das Zusammenwirken von Halbleiterscheibe und innerer Kante des Stützrings hervorgerufen wurden.
5 und 6 zeigen typische Nanotopographie-Messungen der Vorderseite einer ausgefallenen Halbleiterscheibe und einer erfindungsgemäß wärmebehandelten Halbleiterscheibe. Die Aufnahmen wurden mit einem Messgerät vom Typ WaferSight2 des Herstellers KLA Tencor erstellt. In 5 ist eine Überschreitung der lokalen Nanotopographie als Grund des Ausfalls der Halbleiterscheibe markiert. Ihre Lage im Bereich der inneren Kante des verwendeten Stützrings zeigt, dass die Form des Stützrings für die Überschreitung verantwortlich ist.
Die in 5 dargestellte Halbleiterscheibe hatte eine Nanotopographie von 8,68 nm, bezogen auf ein Messfenster mit einem Durchmesser von 4 mm Durchmesser und von 55,56 nm, bezogen auf ein Messfenster mit einem Durchmesser von 20 mm. Bei der in 6 dargestellten erfindungsgemäß wärmebehandelten Halbleiterscheibe waren die entsprechenden Messwerte 4,48 nm, beziehungsweise 10,01 nm.

Claims

Stützring zum Abstützen einer Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium während einer Wärmebehandlung der Halbleiterscheibe, umfassend eine äußere und eine innere Mantelfläche (2, 3) und eine sich von der äußeren bis zur inneren Mantelfläche (2, 3) erstreckende gekrümmte Fläche (4) zum Ablegen der Halbleiterscheibe mit einem Krümmungsradius von nicht weniger als 6000 mm und nicht mehr als 9000 mm, sofern die gekrümmte Fläche (4) zur Ablage einer Halbleiterscheibe mit einem Durchmesser von 300 mm ausgelegt ist oder mit einem Krümmungsradius von nicht weniger als 9000 mm und nicht mehr als 14000 mm, sofern die gekrümmte Fläche (4) zur Ablage einer Halbleiterscheibe mit einem Durchmesser von 450 mm ausgelegt ist, wobei die gekrümmte Fläche (4) einen Materialanteil Rmr(t) von nicht weniger als 85 % hat bei einer Materialtiefe t von 2 µm.
Stützring nach Anspruch 1, wobei die gekrümmte Fläche (4) eine gemittelte Rautiefe Rz von nicht weniger als 3 µm und nicht mehr als 5 µm und eine größte Einzelrautiefe Rmax von nicht mehr als 5 um aufweist.
Stützring nach Anspruch 1 oder Anspruch 2, wobei die Flächenform der gekrümmten Fläche (4) nicht mehr als 0,03 mm beträgt.
Stützring nach einem der Ansprüche 1 bis 3, wobei der Außendurchmesser des Stützrings gleich dem Durchmesser der Halbleiterscheibe ist oder um bis zu nicht mehr als 2 mm größer ist, und der Innendurchmesser des Stützrings nicht weniger als 60 mm und nicht mehr als 100 mm kleiner als der Außendurchmesser ist.
Stützring nach einem der Ansprüche 1 bis 4, bestehend aus Siliziumcarbid oder beschichtet mit Siliziumcarbid.
Verfahren zur Wärmebehandlung einer Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium, umfassend das Ablegen der Halbleiterscheibe auf einem Stützring gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5 und das Erhitzen der auf dem Stützring abgelegten Halbleiterscheibe auf eine Temperatur von nicht weniger als 1050 °C und nicht mehr als 1300 °C für einen Zeitraum von nicht weniger als 30 min und nicht mehr als 180 min.