JP2003059851A - ウエハ支持体およびそれを用いた熱処理用ボート - Google Patents

ウエハ支持体およびそれを用いた熱処理用ボート

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久男 山本
Koji Furukawa
耕二 古川
Fumiaki Saito
文明 斎藤
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Abstract

(57)【要約】 【課題】200mm以上、特には300mm以上の直径
を有するウエハに対してもスリップや傷などの表面欠陥
が発生しないウエハ支持体およびそれを用いた熱処理用
ボートを提供する。 【解決手段】上面平坦部を有するリング形状または馬蹄
形状のウエハ支持体であって、リング形状または馬蹄形
状の内周上面コーナーが面取り部の幅が0.1〜4mm
となるように面取りされており、かつ該面取り部および
上面平坦部の表面粗さRyが5μm以下であることを特
徴とするウエハ支持体およびそれを用いた熱処理用ボー
ト。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、200mm以上、
特には300mm以上の直径を有するウエハに対しても
スリップや傷などの表面欠陥の発生がないウエハ支持体
およびそれを用いた熱処理用ボートに関する。
【0002】
【従来の技術】半導体製造プロセスにおいては、シリコ
ンウエハ(以下、単にウエハという)に対して拡散、酸
化、CVD等の熱処理が行われる。このような熱処理時
に使用されるボートとしては、水平配置した支柱に形成
した溝にウエハを垂直に載置する横型ボートと垂直配置
した支柱に形成した溝にウエハを水平に載置する縦型ボ
ートがある。なかでも縦型ボートは、半導体装置の高集
積度化に伴い、パーティクルの発生が少ないこと、クリ
ーンルームの床面積の減少が図れることなどから広く使
用されるようになってきた。
【0003】ところが、縦型ボートにおいてもウエハの
大型化とともに、ウエハ支持部にウエハの荷重が集中し
たり、自重によってウエハが反ったりして、スリップと
呼ばれる表面欠陥が生じやすいといった問題のほか、支
持体とウエハの接触する部分、すなわちウエハ裏面に傷
がつきやすい問題がある。
【0004】スリップ発生を防止する対策(以下、スリ
ップ対策という)やウエハ裏面の傷を防止する対策(以
下、単に傷対策という)として、特開平9−26029
5には、ウエハとの接触面を鏡面研磨した、馬蹄形状の
サファイア製プレートが提案されている。また、特開平
7−45691には、リング状または中央部が凹状のS
iC製支持板が提案されている。さらに、特開平10−
321543には、表面粗さをRaで0.05μm以
上、かつRmaxで50μm以下とした、円盤状やC型
状(馬蹄形状と実質的に同じ)のウエハ支持体が提案さ
れている。しかし、提案されている方法でもスリップ対
策や傷対策の面で必ずしも充分ではなかった。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、スリップ対
策や傷対策に効果のあるウエハ支持体およびそれを用い
た熱処理用ボートの提供を目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明は、上面平坦部を
有するリング形状または馬蹄形状のウエハ支持体であっ
て、リング形状または馬蹄形状の内周上面コーナーが面
取り部の幅が0.1〜4mmとなるように面取りされて
おり、かつ該面取り部および上面平坦部の表面粗さRy
が5μm以下であることを特徴とするウエハ支持体とそ
れを用いた熱処理用ボートを提供する。
【0007】
【発明の実施の形態】本発明のウエハ支持体(以下、本
支持体という)は、上面平坦部を有するリング形状また
は馬蹄形状である。図1にリング形状の一例を、図2に
馬蹄形状の一例をそれぞれ示す。図中、1、11が本支
持体、2、12が本支持体の上面平坦部の幅、3、13
が本支持体の厚さ、9、19が面取り部の幅である。
【0008】本支持体において、支持体の(上面平坦部
の幅/外径)の比(以下、幅外径比という)が0.03
以上0.5未満であると好ましい。幅外径比が0.03
未満であると、ウエハを支持する面積が小さすぎ、また
ウエハの支持位置がウエハの外周付近のみとなるため傷
やスリップの発生の抑制という本発明の効果が充分発現
しないおそれがあり好ましくない。一方、幅外径比が
0.5の場合は、内径がゼロの場合であり、リング形状
または馬蹄形状とならず、熱分布が大きくなるおそれが
ある。
【0009】なお、幅外径比が0.5に近づくほどウエ
ハと本支持体とが固着しやすくなるほか、表面を研磨加
工する面積が大きくなり、製作が難しくなる、熱処理ボ
ートの質量が重くなるなどのため好ましくない。幅外径
比が0.05〜0.2であるとさらに好ましい。
【0010】本支持体において、厚さ3、13は、1〜
5mmであると好ましい。厚さ3、13が1mm未満に
なると支持体の反りが無視できないレベルになり、一
方、厚さ3、13が5mmを超えると支持体の質量が重
くなり熱容量が大きくなるだけでなく、ボートに組み込
んだ場合、支持体の数、すなわち処理できるウエハの数
が少なくなり、生産性が低くなるため好ましくない。
【0011】本支持体において、上面6、16の内周コ
ーナー4、14は面取りされている。なお、本明細書に
おいて、上面6、16とはウエハと接する面をいい、下
面7、17とは上面とは反対の面でウエハと接しない面
をいう。面取りとしては、C面取りと称されるテーパ状
の面取りやR面取りと称される曲面状の面取りまたはそ
れらを複合した面取りなどがある。R面取りの例を図3
の(a)に、C面取りの例を図3の(b)に、それぞれ
示す。図中、34、44は面取り部を、35、45は上
面平坦部を、36、46は上面を、37、47は下面
を、32、42は上面平坦部の幅を、39、49は面取
り部の幅を、それぞれ示す。
【0012】本支持体においては、面取り部の幅9、1
9、39、49は0.1〜4mmである。面取り部の幅
9、19、39、49が4mmを超えると面取りの効果
は変わらないものの、本支持体の内周先端部の強度が弱
く破損しやすくなるほか、製造も困難になってくる。面
取り部の幅9、19、39、49が3mm以下であると
好ましく、2mm以下であるとさらに好ましい。一方、
面取り部の幅9、19、39、49は、0.1mm以上
である。0.1mm未満であると本発明の効果が発現し
ないおそれがある。好ましくは、0.5mm以上であ
り、1mm以上であるとさらに好ましい。
【0013】面取りがテーパ状の面取りの場合、C0.
1〜C3mmであると好ましく、C0.5〜C2.5m
mであるとさらに好ましく、C1〜C2mmであると特
に好ましい。
【0014】面取りが曲面状の面取りの場合、R0.1
〜R3mmであると好ましく、R0.5〜R2.5mm
であるとさらに好ましく、R1〜R2mmであると特に
好ましい。
【0015】なお、本発明において、上面の内周コーナ
ー4、14は面取りされ、しかも特定の面粗さを有する
ことが必要であるが、上面の外周コーナー8、18は必
ずしも面取りされている必要はない。上面の外周コーナ
ー8、18が面取りされているとウエハ支持体にウエハ
をセットする際にウエハに傷がつきにくいため好まし
く、面取り後、面取り面が研磨されているとさらに好ま
しい。また、下面の外周コーナーについては特に制限な
いが角かけを防ぐ程度の面取りをしてもよい。
【0016】本支持体において、面取り部4、14、3
4、44は表面粗さRyが5μm以下である。面取り部
の形成後、研磨して前記表面粗さにするのが好ましい。
面取り部4、14、34、44の表面粗さRyが5μm
以下であるため、ウエハ移載中、昇温中や降温中などの
熱処理中にウエハが反った場合にもウエハ裏面の傷発生
が防止できる。面取り部4、14、34、44の表面粗
さRyが4μm以下であると好ましく、3μm以下であ
るとさらに好ましい。表面粗さとしてRyの代わりにR
aを用いる場合には、Raで0.5μm以下であり、
0.4μm以下であると好ましく、0.3μm以下であ
るとさらに好ましい。表面粗さRyで5μmより大きい
かまたはRaで0.5μmより大きい場合にはウエハ裏
面に傷がついたり、スリップが発生するおそれが大であ
る。
【0017】前記表面粗さにするための加工手段として
は特に制限されるものではないが、研磨が好ましく採用
される。研磨の方法も特に制限されるものではないが、
砥石台金にダイヤモンド入り樹脂ファイバがブラシ状に
植毛されている研磨用砥石を使用すると面取り部4、1
4、34、44に過大な力がかからずしかも簡単に所望
の表面粗さに研磨できるため好適である。
【0018】本支持体において、一体品として形状付与
してもよいが、内周部と外周部のように複数の部品に分
割しそれぞれに形状を付与した後、それら複数の部品を
CVD接合(CVDを利用して接合)などの接合方法で
接合して一体としてもよい。
【0019】本支持体において、上面6、16、36、
46の平坦部5、15、35、45も表面粗さRyは5
μm以下であり、4μm以下であると好ましく、3μm
以下であるとさらに好ましい。
【0020】表面粗さとしてRyの代わりにRaを用い
る場合には、Raで0.5μm以下である。Raで0.
4μm以下であると好ましく、0.3μm以下であると
さらに好ましい。平坦部5、15、35、45と面取り
部4、14、34、44の表面粗さは異なっていてもよ
いが、同程度の表面粗さであると、同じ加工手段が採用
できるため好ましい。
【0021】平坦部5、15、35、45を特定の表面
粗さにする加工手段も特に限定されないが研磨が好まし
く採用できる。研磨の手段としては、前述したような、
砥石台金にダイヤモンド入り樹脂ファイバがブラシ状に
植毛されている研磨用砥石を使用すると面取り部4、1
4、34、44と同時に研磨できるため好ましい。
【0022】平坦部5、15、35、45は下面7、1
7、37、47と平行でもよいが、内周部の高さが外周
部の高さより低くなるようにテーパ状とすると、高温で
の熱処理でウエハが反ったときに該テーパ状の面でウエ
ハを支持することができ、自重による応力集中が低減で
き、場合によっては酸化膜等の固着防止にも役立つため
好ましい。この場合のテーパの角度としては水平に対し
て5°以下であるとさらに好ましい。
【0023】本支持体の材質としては、特に制限される
ものではないが、使用温度が減圧CVD(LPCVD)
工程で400℃以上、酸化・拡散工程で1000℃以上
の高温で熱処理されることから、炭化ケイ素、石英、合
成石英、サファイア、シリコンなどが挙げられる。材質
の純度としては、高純度であるほど、ウエハに対する汚
染が少ないため好ましく、特に99.999%以上であ
ると好ましい。なかでも、純度99.9995%以上の
炭化ケイ素であると1000℃以上の高温でのウエハ表
面への不純物汚染が防止できること、かつ初期洗浄やメ
ンテナンス洗浄などの洗浄工程で使用されるフッ酸、硝
酸などに対する耐酸性があり、耐久性もあるため好まし
い。
【0024】このような高純度の炭化ケイ素を得る手段
としては、SiCとCとからなる成形体をSiの溶融浴
中またはSiの気体と反応させる反応焼結を利用する方
法や、SiCからなる成形体を高温で一部気化、凝固さ
せる再結晶を利用する方法などが挙げられる。一例とし
ては、再結晶で得られたSiCにSiを含浸させ、さら
に表面に高純度のSiC膜をCVDで被覆し、必要によ
り研磨、接合する方法がある。
【0025】本発明の別の発明としては、ウエハを載置
する複数のウエハ支持体と、該ウエハ支持体を水平に保
持する複数の支柱と、これら支柱を立設可能に固定する
固定部とを含む熱処理用ボートであって、前記ウエハ支
持体が本支持体であることを特徴とする熱処理用ボート
(以下、本ボートという)がある。概略図を図4に示
す。図中、20が本ボート、21が本支持体、22が底
板、23が天板、24が支柱である。
【0026】本ボート20において、前記固定部は、通
常、底板22と天板23とからなる。支柱24も特に限
定されるものではないが、支持体を固定するための溝2
5が形成される。該溝25の間隔は、等間隔でもよい
が、間隔を場所により変更してもよい。支柱24の本数
としては、3本以上であるとボートの構造安定性が増す
ため好ましい。また、支柱24に形成された溝25への
本支持体21のセットは、単に差し込んで使用してもよ
く、また差し込んだ後、接合、接着して固定して使用し
てもよい。
【0027】底板22、天板23、支柱24の材質とし
ては、特に限定されないが、本支持体21と同材質であ
ると、熱処理時の熱膨張率の差に起因する熱応力が発生
しないため好ましい。材質の純度としては高純度である
程好ましいが、本支持体21と同レベルの純度であれば
よい。
【0028】
【実施例】本発明を実施例(例1〜例10)および比較
例(例11〜例16)によりさらに具体的に説明する。
【0029】支持体の外径は、外径300mmのウエハ
を熱処理することを想定し305mm一定とした。内径
は表1に記載した所定の値とした。また、支持体の厚さ
は、例10が5mmであるほかは4mm一定とした。
【0030】支持体の材質は、例10が溶融石英である
ほかは、SiC基材の表面を平面研削した後、CVDで
純度99.9995%以上のSiC膜(以下、単にCV
D−SiC膜という)を形成したものを使用した。
【0031】例7と例8のSiC基材の上面には1°の
テーパが、例9のSiC基材には5°のテーパが、それ
ぞれ形成されており、テーパのある状態で前記CVD−
SiC膜が形成されている。
【0032】支持体で、内周上面コーナーが面取りされ
ているものは、その種類と大きさを、また、内周上面コ
ーナーが面取りされていないものは「無」と、それぞれ
表1の面取りの欄に記載してある。
【0033】さらに、CVD−SiC膜の上面平坦部お
よび面取り部の研磨を表1記載のように実施した。粒度
♯2000のダイヤモンドを25質量%含有したナイロ
ン樹脂ファイバからなるブラシ状の砥石を用いて研磨し
た。なお、例14は面取りされていないので、面取り部
の研磨は「−」と記載してある。
【0034】[評価結果]各支持体の表面粗さRyを表
面粗さ計(ミツトヨ社製、商品名:サーフテスト)で測
定した。なお、表面粗さRyと同時に表面粗さRaにつ
いても測定したがRaの値は、ほぼRyの1/10であ
ることを確認した。
【0035】また、スリップ発生の有無、傷の発生の有
無等を確認するため、各支持体の上面に直径300mm
のウエハをのせてSiC製縦型ボートの溝に載置し、熱
処理炉内で熱処理した。なお、熱処理条件は、700℃
に保持された炉にSiC製縦型ボートを100mm/m
inの速度で昇降機により炉の下部より導入した後、炉
の下蓋を閉じ、1000℃までを450℃/hで昇温
し、1000℃から1200℃までを60℃/hで昇温
し、1200℃で1時間保持後、1200℃から100
0℃までを60℃/hで降温し、1000℃から700
℃までを120℃/hで降温させた後、700℃で下蓋
を開けウエハをのせたSiC製縦型ボートを炉内から取
り出した。
【0036】各支持体にのせてあるSiウエハについ
て、X線トポグラフィー(リガク社製、商品名:RU5
00)で裏面の傷、スリップの有無を検査した。検査結
果を表1に示す。傷やスリップのないものは「無」と、
傷やスリップのあるもののうち軽度のものは「少々有」
と、重度のものは「有」と、それぞれ略記してある。
【0037】
【表1】
【0038】
【発明の効果】本発明によれば、上面の内周コーナーが
面取りされ、しかも上面平坦部だけではなく前記面取り
部も表面粗さRyが5μm以下であるので、ウエハ裏面
に傷をつけず、均一に支持できるほか、ウエハが反って
も面で支持できるためスリップの発生を抑えることがで
きる。また、支持体が中抜き形状であるため熱分布が生
ずるおそれも小さい。
【図面の簡単な説明】
【図1】リング形状の本支持体。(a)は平面図。
(b)はAAでの断面図。
【図2】馬蹄形状の本支持体。(a)は平面図。(b)
はBBでの断面図。(c)はCCでの断面図。
【図3】本支持体の面取りの例。(a)はR面取り。
(b)はC面取り。
【図4】本ボートの概略斜視図。
【符号の簡単な説明】
1、11、21:本支持体 2、12、32、42:平坦部の幅 3、13:厚さ 4、14、34、44:面取り部 5、15、35、45:平坦部 6、16、36、46:上面 7、17、37、47:下面 8、18:上面の外周コーナー 9、19、39、49:面取り部の幅 20:本ボート 22:底板 23:天板 24:支柱 25:溝
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 斎藤 文明 兵庫県高砂市梅井5丁目6番1号 旭硝子 株式会社内 Fターム(参考) 5F031 CA02 HA03 HA05 HA09 HA42 HA65 PA11 PA14 PA18 5F045 AA03 BB13 DP19 EM08 EM09

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】上面平坦部を有するリング形状または馬蹄
    形状のウエハ支持体であって、リング形状または馬蹄形
    状の内周上面コーナーが面取り部の幅が0.1〜4mm
    となるように面取りされており、かつ該面取り部および
    上面平坦部の表面粗さRyが5μm以下であることを特
    徴とするウエハ支持体。
  2. 【請求項2】前記面取りがC0.1〜C3mmまたはR
    0.1〜R3mmである請求項1記載のウエハ支持体。
  3. 【請求項3】前記支持体の上面平坦部の幅/外径の比が
    0.03以上0.5未満である請求項1または2記載の
    ウエハ支持体。
  4. 【請求項4】内周部の高さが外周部の高さより低くなる
    ように、前記上面の平坦部が水平に対して5°以下のテ
    ーパを有する請求項1、2または3記載のウエハ支持
    体。
  5. 【請求項5】ウエハを載置する複数のウエハ支持体と、
    該ウエハ支持体を水平に保持する複数の支柱と、これら
    支柱を立設可能に固定する固定部とを含む熱処理用ボー
    トであって、前記ウエハ支持体が請求項1〜4記載のウ
    エハ支持体であることを特徴とする熱処理用ボート。
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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005124848A1 (ja) * 2004-06-21 2005-12-29 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 熱処理用治具及び半導体ウエーハの熱処理方法
JP2006310848A (ja) * 2005-04-25 2006-11-09 Tera Semicon Corp 半導体の製造装置とその基板ローディング用ホルダーの製造方法及びその基板ローディング用バッチ式ボート並びに半導体基板のローディング及び/又はアンローディング方法
JP2007134688A (ja) * 2005-10-07 2007-05-31 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 半導体処理
JP2008130695A (ja) * 2006-11-17 2008-06-05 Bridgestone Corp 熱処理用ホルダー
JP2009147383A (ja) * 2009-03-26 2009-07-02 Hitachi Kokusai Electric Inc 熱処理方法
JP2010016183A (ja) * 2008-07-03 2010-01-21 Sumco Corp 気相成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法
DE102011083041A1 (de) 2010-10-20 2012-04-26 Siltronic Ag Stützring zum Abstützen einer Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium während einer Wärmebehandlung, Verfahren zur Wärmebehandlung einer solchen Halbleiterscheibe und wärmebehandelte Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium
CN108630594A (zh) * 2017-03-21 2018-10-09 株式会社Eugene科技 衬底处理设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09251961A (ja) * 1996-03-15 1997-09-22 Toshiba Corp 熱処理用ボート
JPH09260296A (ja) * 1996-03-21 1997-10-03 Sumitomo Sitix Corp ウェーハ支持装置
JPH10321543A (ja) * 1997-05-20 1998-12-04 Sumitomo Metal Ind Ltd ウェハ支持体及び縦型ボート
JP2001176811A (ja) * 1999-12-16 2001-06-29 Tecnisco Ltd ウエーハ支持装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09251961A (ja) * 1996-03-15 1997-09-22 Toshiba Corp 熱処理用ボート
JPH09260296A (ja) * 1996-03-21 1997-10-03 Sumitomo Sitix Corp ウェーハ支持装置
JPH10321543A (ja) * 1997-05-20 1998-12-04 Sumitomo Metal Ind Ltd ウェハ支持体及び縦型ボート
JP2001176811A (ja) * 1999-12-16 2001-06-29 Tecnisco Ltd ウエーハ支持装置

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006005271A (ja) * 2004-06-21 2006-01-05 Shin Etsu Handotai Co Ltd 熱処理用治具及び半導体ウエーハの熱処理方法
WO2005124848A1 (ja) * 2004-06-21 2005-12-29 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. 熱処理用治具及び半導体ウエーハの熱処理方法
JP2006310848A (ja) * 2005-04-25 2006-11-09 Tera Semicon Corp 半導体の製造装置とその基板ローディング用ホルダーの製造方法及びその基板ローディング用バッチ式ボート並びに半導体基板のローディング及び/又はアンローディング方法
JP4619984B2 (ja) * 2005-04-25 2011-01-26 株式会社テラセミコン 半導体の製造装置及び半導体基板のローディング及び/又はアンローディング方法。
KR101264395B1 (ko) * 2005-10-07 2013-05-14 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머트어리얼즈, 엘.엘.씨. 반도체 처리 방법
JP2007134688A (ja) * 2005-10-07 2007-05-31 Rohm & Haas Electronic Materials Llc 半導体処理
JP2008130695A (ja) * 2006-11-17 2008-06-05 Bridgestone Corp 熱処理用ホルダー
JP2010016183A (ja) * 2008-07-03 2010-01-21 Sumco Corp 気相成長装置、エピタキシャルウェーハの製造方法
JP2009147383A (ja) * 2009-03-26 2009-07-02 Hitachi Kokusai Electric Inc 熱処理方法
DE102011083041A1 (de) 2010-10-20 2012-04-26 Siltronic Ag Stützring zum Abstützen einer Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium während einer Wärmebehandlung, Verfahren zur Wärmebehandlung einer solchen Halbleiterscheibe und wärmebehandelte Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium
US8460465B2 (en) 2010-10-20 2013-06-11 Siltronic Ag Support ring for supporting a semiconductor wafer composed of monocrystalline silicon during a thermal treatment, method for the thermal treatment of such a semiconductor wafer, and thermally treated semiconductor wafer composed of monocrystalline silicon
DE102011083041B4 (de) * 2010-10-20 2018-06-07 Siltronic Ag Stützring zum Abstützen einer Halbleiterscheibe aus einkristallinem Silizium während einer Wärmebehandlung und Verfahren zur Wärmebehandlung einer solchen Halbleiterscheibe unter Verwendung eines solchen Stützrings
CN108630594A (zh) * 2017-03-21 2018-10-09 株式会社Eugene科技 衬底处理设备
JP2018160660A (ja) * 2017-03-21 2018-10-11 ユ−ジーン テクノロジー カンパニー.リミテッド 基板処理装置
US10692745B2 (en) 2017-03-21 2020-06-23 Eugene Technology Co., Ltd. Substrate processing apparatus
CN108630594B (zh) * 2017-03-21 2023-01-24 株式会社Eugene科技 衬底处理设备

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