JP2008130695A - 熱処理用ホルダー - Google Patents

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文弥 小林
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Abstract

【課題】半導体ウェハの熱処理用ホルダー１の接触部分にスリップが発生することを抑制する。
【解決手段】半導体ウェハを支持する凸部領域４ａ，４ｂの周縁部に傾斜面領域Ａ，Ｂを形成することにより、凸部領域４ａ，４ｂの周縁部のエッジが除去されている。これにより、半導体ウェハと熱処理用ホルダー１が線接触することにより半導体ウェハと熱処理用ホルダー１が一部分だけで強く接触することがなくなるので、半導体ウェハの熱処理用ホルダー１との接触部分にスリップが発生することを抑制し、歩留まりを向上させることができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、半導体ウェハの高温熱処理工程において用いられる熱処理用ホルダーに関する。
一般に、半導体製造工程中における半導体ウェハの高温熱処理プロセスは、耐熱性や高温時の形状安定性の観点から、炭化珪素（ＳｉＣ）により形成された熱処理用ホルダーの上面に半導体ウェハを載置して行われる。
特開平７−１６１６５４号公報
しかしながら、熱処理用ホルダーの上面に半導体ウェハを載置して高温熱処理プロセスを行った場合、半導体ウェハの熱処理用ホルダーとの接触部分にスリップと呼ばれる表面欠陥が発生することによって歩留まりが低下する。
本発明は、上記課題を解決するためになされたものであり、その目的は、半導体ウェハの熱処理用ホルダーとの接触部分にスリップが発生することを抑制可能な熱処理用ホルダーを提供することにある。
本発明に係る熱処理用ホルダーは、面内方向に形成された凸部領域において半導体ウェハの平面部を支持する半導体ウェハの熱処理用ホルダーであって、凸部領域の周縁部が９０°以上の傾斜面を有することを特徴とする。
本発明に係る熱処理用ホルダーによれば、半導体ウェハの熱処理用ホルダーとの接触部分にスリップが発生することを抑制し、歩留まりを向上させることができる。
本願発明の発明者は、鋭意研究を重ねてきた結果、スリップが熱処理用ホルダーとの接触領域の周縁部に発生していることを知見した。そして発明者は、この原因は、半導体ウェハと熱処理用ホルダーが接触領域の周縁部（エッジ部分）において線接触することにより半導体ウェハと熱処理用ホルダーが一部分だけで強く接触することにあるという考えに至った。以下、図１（ａ），（ｂ）を参照してこの考えに基づいて想到された本発明の実施形態となる熱処理用ホルダーの構成について説明する。なお、図１（ａ），（ｂ）はそれぞれ本発明の実施形態となる熱処理用ホルダーの上面図及び断面図を示す。
本発明の実施形態となる熱処理用ホルダー１は、貫通孔２が形成されたリング形状を有し、炭化珪素により形成されている。また、この熱処理ホルダー１では、円周方向に所定幅の溝部３を形成することにより内周部及び外周部にそれぞれ上面において半導体ウェハを支持する凸部領域４ａ及び凸部領域４ｂが形成されている。また、凸部領域４ａの内周側周縁部には９０°以上の傾斜角度を有する傾斜面領域Ａが形成され、凸部領域４ｂの外周側周縁部及び凸部領域４ｂの内周側周縁部にも同様に９０°以上の傾斜角度を有する傾斜面領域Ｂが形成されている。なお、傾斜面領域Ａと傾斜面領域Ｂの傾斜角度が同じであると必要はなく、互いに異なっていてもよい。
このように本発明の実施形態となる熱処理用ホルダー１では、半導体ウェハを支持する凸部領域４ａ，４ｂの周縁部に傾斜面領域Ａ，Ｂを形成することにより、凸部領域４ａ，４ｂの周縁部のエッジが除去されている。そしてこのような構成によれば、半導体ウェハと熱処理用ホルダーが接触領域の周縁部において線接触することにより半導体ウェハと熱処理用ホルダーが一部分だけで強く接触することがなくなるので、半導体ウェハの熱処理用ホルダーとの接触部分にスリップが発生することを抑制し、歩留まりを向上させることができる。
以上、本発明者によってなされた発明を適用した実施の形態について説明したが、この実施の形態による本発明の開示の一部をなす論述及び図面により本発明は限定されることはない。例えば、図２に示すように凸部領域の側壁５をテーパー形状にすることにより、側壁と上面が傾斜面領域と滑らかに繋がるようにしてもよい。このような構成によれば、半導体ウェハと凸部領域が点接触する可能性をより低減し、スリップの発生を効果的に抑制することができる。また本実施形態では熱処理用ホルダーの形状はリング形状であるとしたが、熱処理用ホルダーの形状はこの形状に限られることはなく、馬蹄形状等のその他の形状であってもよい。
また、本実施形態では熱処理用ホルダーは凸部領域の上面において半導体ウェハを支持するが、周縁部に傾斜面領域が形成されていれば熱処理用ホルダーの内周部に形成した凹部領域において半導体ウェハを支持するように構成してもよい。また、本実施形態では熱処理用ホルダーは２つの凸部領域の上面において半導体ウェハを支持するが、凸部領域を１つだけ形成して１つの凸部領域の上面において半導体ウェハを支持するようにしてもよい。また本実施形態では、凸部領域はリング形状であるとしたが、図３に示すようにリング形状を分割したものを凸部領域４としてもよい。
また、本実形態では熱処理用ホルダーは炭化珪素により形成されているとしたが、本発明は、炭化珪素を基材として表面がＣＶＤ（化学気相成長）コーティングされたもの、カーボンを基材として表面がＣＶＤコーティングされたもの、ＣＶＤ膜が積層されたもの、及び炭化珪素以外の耐熱性を有するセラミックス素材により形成されたものにも適用することができる。このように、上記実施の形態に基づいて当業者等によりなされる他の実施の形態、実施例及び運用技術等は全て本発明の範疇に含まれることは勿論であることを付け加えておく。
本発明の実施形態となる熱処理用ホルダーの構成を示す上面図及び断面図である。 図１に示す熱処理用ホルダーの応用例の構成を示す部分断面図である。 図１に示す熱処理用ホルダーの応用例の構成を示す部分断面図である。
符号の説明
１：熱処理用ホルダー
２：貫通孔
３：溝部
４，４ａ，４ｂ：凸部領域
Ａ，Ｂ：傾斜面領域

Claims (1)

  1. 面内方向に形成された凸部領域において半導体ウェハの平面部を支持する半導体ウェハの熱処理用ホルダーであって、凸部領域の周縁部が９０°以上の傾斜面を有することを特徴とする熱処理用ホルダー。
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