JP5527902B2 - シリコンウェーハの熱処理方法 - Google Patents
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Description
従って、特に、シリコンウェーハをディスクリート素子用として使用する場合には、デバイス特性向上のため、基板の極表面のみならず、基板内部のCOP等を低減させることが要求されている。
図1は、本発明に係るシリコンウェーハの熱処理方法に使用される熱処理炉の一例を示す概念図である。図2は、図1に示す熱処理炉をA−A線で切った時の縦断面を示す概念図である。また、図3は、図2に示す熱処理用部材をB−B線で切った時の縦断面を示す概念図である。
詳しくは、本発明に係るシリコンウェーハの熱処理方法は、シリコンウェーハWの平面全体にシリカパウダーを散布させて、該シリコンウェーハWの平面同士を複数枚積層してウェーハブロックWBを形成しているため、積層するウェーハ数を多くした場合でも、当該シリカパウダーによって積層したウェーハ相互間の直接的な接着を抑制することができる。
なお、シリカパウダーの散布をその一部のみ(例えば、ウェーハ中心部のみやウェーハ外周部のみ)に行った場合は、自重応力が大きいため、シリカパウダーを散布していない部分が直接的に接着してしまい、剥離性が悪化するため好ましくない。
また、該ウェーハブロックWBの最下部のシリコンウェーハWUの平面のみを第1熱処理用部材32の一面上に全面支持させて該ウェーハブロックWBを水平保持させると共に、第2熱処理用部材34により前記水平保持させたウェーハブロックWBの外周囲全体を囲繞させて熱処理を行うため、当該平面の外周部のみをリング状に支持する場合や、外周部のみを点支持する場合(すなわち、上記特許文献1に記載された支持の場合)よりも、ウェーハブロックWBの最下部のシリコンウェーハWUを含むウェーハブロックWBの積層方向及びウェーハブロックWBを構成するシリコンウェーハWの面内径方向の熱均一性を図ることができる。従って、積層されたシリコンウェーハWの各々における熱変形ばらつきを抑制することができるため、積層するウェーハ数を多くした場合でも、ウェーハブロックWBの最下部のシリコンウェーハWUを含むウェーハブロックWB全体においてスリップ転位の発生を抑制することができる。
前記最高到達温度が1270℃未満である場合には、シリコンウェーハ内(極表面及び内部)のCOP等を消滅させる効果が低いため好ましくない。前記最高到達温度がシリコンの融点を超える場合には、シリコンウェーハWが溶解してしまうため好ましくない。
また、前記最高到達温度の上限値は使用する熱処理炉や熱処理用部材の寿命等の観点から、1340℃以下であることが好ましい。
図4は、ウェーハブロックWBを保持した状態の熱処理用部材30を斜視方向から見た概念図であり、図5は、熱処理用部材30にウェーハブロックWBを保持する態様を説明するための概念図である。
支持ピン38は、例えば、図6に示すように、円柱形状のものや、ピン形状のものが用いられる。
第1熱処理用部材32、第2熱処理用部材34、水平保持部材36及び支持ピン38は、Si又はSiCで構成されている。
ウェーハブロックWBの上方には、熱処理用部材30が設けられておらず、直接的に加熱体20の熱の影響を受けるため、ウェーハブロックWBの上方(特に、最上部のシリコンウェーハWT)においてはウェーハブロックWBの積層方向の熱均一性が阻害される場合があるため、ウェーハブロックWBの上方(特に、最上部のシリコンウェーハWT)とその下方のシリコンウェーハWとの間で熱変形ばらつきが生じるため、ウェーハブロックWBの上方(特に、最上部のシリコンウェーハWT)に、スリップが発生する場合がある。
従って、以上の構成とすることで、製品へのスリップの発生を抑制することができるため、製品歩留向上に寄与することができる。
前記シリカパウダーの平均粒径が10μm未満である場合には、積層前の各々のシリコンウェーハの平面全体にシリカパウダーを付着させる際、シリカパウダーの飛散が大きくなるため、作業性が低下する場合がある。前記平均粒径が80μmを超える場合には、シリカパウダーを構成するシリカ粒子間に空隙が発生し、この空隙からウェーハブロックWBの上方のウェーハ相互間にはプロセスガスPAが流入しやすくなるため、ウェーハブロックWBの積層方向の熱均一性が阻害される場合があり、スリップ転位が発生する場合がある。
前記距離D1がシリコンウェーハWの直径の3%未満である場合には、図5に示すように、第2熱処理用部材34を第1熱処理用部材32の一面上に設置する際に、ウェーハブロックWBの外周部と第2熱処理用部材34の内壁とが接触し、ウェーハブロックWBを構成するシリコンウェーハWの外周部や第2熱処理用部材34の内壁に欠けが生じる場合がある。前記距離D1がシリコンウェーハWの直径の6%を超える場合には、第2熱処理用部材34の内壁とウェーハブロックWBの外周との間にプロセスガスPAが流入しやすくなるため、ウェーハブロックWBの積層方向及びウェーハブロックWBを構成するシリコンウェーハWの面内径方向の熱均一性が阻害される場合があり、スリップ転位が発生する場合がある。
前記関係がWD>UDとなる場合には、前記ウェーハブロックWBの上方が第2熱処理用部材34に囲繞されない状態となるため、ウェーハブロックWBの積層方向の熱均一性が阻害される場合があり、スリップ転位が発生する場合がある。
このような構成とすることで、ウェーハブロックWBの積層方向の熱均一性を確実に保つことができるため好ましい。
図7から図9で説明するシリコンウェーハの熱処理方法は、前述した第2熱処理用部材34が第2熱処理用部材34Aに置き換えられた構成を有している。その他は、上述した図1から図6に示す構成と同様であるため説明を省略する。
前記第2熱処理用部材は、前記第2熱処理用部材の上端から縦方向下方に向かって長軸を有し、かつ前記縦方向と垂直する水平方向に短軸を有する長方形形状のスリット(図番50)が、前記第2熱処理用部材の周面方向に複数設けられていることが好ましい。
従って、ウェーハブロックWBの積層方向における温度差をより小さくすることができるため、積層したウェーハ相互間においてスリップ転位の発生を抑制することができる。
前記スリット50は、前記第2熱処理用部材34Aの周面方向全周に渡って所定の間隔を有して等間隔で複数設けられていることがより好ましい。
このような構成とすることで確実に前記ウェーハブロックWBの周面方向のガス流れを作ることができる。
前記長さSD1が前記高さUDの20%未満である場合には、当該スリット50から導入されたプロセスガスPAがウェーハブロックWBの積層方向における周面全体に供給されにくい場合があり、この場合はプロセスガスPAが供給される位置とされない位置とで温度差が生じ、スリップ転位の発生を抑制することが難しい場合がある。前記長さSD1が前記高さUDの70%を超える場合には、第2熱処理用部材34Aとしての強度低下につながる場合がある。
前記スリット50の幅SD2は、好ましくは、5mm以上15mm以下である。
前記熱処理時間が5分未満である場合には、基板極表面や基板内部のCOP等を低減させる効果が低い場合がある。前記熱処理時間が10時間を超える場合には、熱処理時間が長くなるため生産性が低下する場合があり、また、スリップ転位の発生やウェーハ内への金属不純物の汚染等、他の問題が発生する場合がある。
このような構成とすることで、積層したウェーハ相互間における接着を更に防止することができると共に、窒化膜などの形成が無いため好ましい。
このような構成とすることで、積層したウェーハ相互間における接着を更に防止することができる。
直径150.5mm、厚さ1130μmのラップドウェーハを15枚用意し、当該ラップドウェーハに対して、希HF洗浄及びSC−1洗浄を行って、ラップドウェーハの表面に付着したラップ用砥粒を除去した。
その後、積層するラップドウェーハの平面全体に平均粒径51.9μmのシリカパウダーを散布させた後に、当該ラップドウェーハの平面同士を各々積層してウェーハブロックを形成した。
次に、形成したウェーハブロックを図3に示すような態様(WD<UD)にて熱処理用部材30に保持して、650℃で保持された図1に示すような横型熱処理炉1の炉本体10内にウェーハブロックを配置して、プロセスガスPAとして酸素100%ガスを用い、プロセスガス流量を5リットル/分として、1306℃(最高到達温度)まで昇温して、当該最高到達温度を1時間保持して熱処理を行った。その後、650℃まで降温した後、熱処理用部材30を炉本体10内から取り出し、更に、常温(25℃)まで冷却した後、ウェーハブロックを熱処理用部材30から取り出した。
得られたウェーハブロックに対してウェーハ相互間の剥離性及びスリップ転位の発生状況を評価した。剥離性については、作業者が積層したウェーハ同士を手で容易に剥離できる場合を「○」とし、剥離用治具等を用いても剥離できない場合を「×」として評価した。また、スリップ転位の発生状況については、X線トポグラフにより評価を行い、ウェーハ全面の一部にでもスリップ転位が確認された場合を「×」とし、確認されなかった場合を「○」として評価した。
直径150.5mm、厚さ600μmのラップドウェーハを30枚用意し、その他は実施例1と同様な方法により熱処理を行い、ウェーハブロックを得た。得られたウェーハブロックに対して実施例1と同様な方法でウェーハ相互間の剥離性及びスリップ転位の発生状況を評価した。
使用するシリカパウダーとして平均粒径25.3μmのものを用い、その他は実施例1と同様な方法により熱処理を行い、ウェーハブロックを得た。得られたウェーハブロックに対して実施例1と同様な方法でウェーハ相互間の剥離性及びスリップ転位の発生状況を評価した。
使用するシリカパウダーとして平均粒径25.3μmのものを用い、その他は実施例2と同様な方法により熱処理を行い、ウェーハブロックを得た。得られたウェーハブロックに対して実施例1と同様な方法でウェーハ相互間の剥離性及びスリップ転位の発生状況を評価した。
直径150.5mm、厚さ1130μmのラップドウェーハを30枚用意し、その他は実施例1と同様な方法により熱処理を行い、ウェーハブロックを得た。得られたウェーハブロックに対して実施例1と同様な方法でウェーハ相互間の剥離性及びスリップ転位の発生状況を評価した。
直径150.5mm、厚さ600μmのラップドウェーハを60枚用意し、その他は実施例1と同様な方法により熱処理を行い、ウェーハブロックを得た。得られたウェーハブロックに対して実施例1と同様な方法でウェーハ相互間の剥離性及びスリップ転位の発生状況を評価した。
シリカパウダーを積層するラップドウェーハの平面の外周部のみ(ウェーハ最外周から30mmの範囲のみ)にシリカパウダーを散布し、その他は実施例1と同様な方法により熱処理を行い、ウェーハブロックを得た。得られたウェーハブロックに対して実施例1と同様な方法でウェーハ相互間の剥離性及びスリップ転位の発生状況を評価した。
シリカパウダーを積層するラップドウェーハの平面の中央部のみ(ウェーハ中心から半径30mmの円状の範囲のみ)にシリカパウダーを散布し、その他は実施例1と同様な方法により熱処理を行い、ウェーハブロックを得た。得られたウェーハブロックに対して実施例1と同様な方法でウェーハ相互間の剥離性及びスリップ転位の発生状況を評価した。
熱処理用部材30のうち、第2熱処理用部材34を用いず、ウェーハブロックの崩れ防止のため、炉本体10のプロセスガス導入口10aから導入されるプロセスガスPAの直接的な接触を防止する板状のプロセスガス整流板を、ウェーハブロックのプロセスガス導入口10a側及び炉口10b側にそれぞれ設置し、ウェーハブロックの炉本体10の内壁方向には当該整流板を設置せず(すなわち、第2熱処理用部材34によりウェーハブロックの外周囲全体を囲繞させず)、その他は実施例1と同様な方法により熱処理を行い、ウェーハブロックを得た。得られたウェーハブロックに対して実施例1と同様な方法でウェーハ相互間の剥離性及びスリップ転位の発生状況を評価した。
積層する前のラップドウェーハに酸化処理を施して平面を含むウェーハ全体に厚さ1μmの酸化膜を形成したのち、シリカパウダーを用いず、当該ラップドウェーハの平面同士を各々積層して、その他は実施例1と同様な方法により熱処理を行い、ウェーハブロックを得た。得られたウェーハブロックに対して実施例1と同様な方法でウェーハ相互間の剥離性及びスリップ転位の発生状況を評価した。
また、シリカパウダーを平面全体に散布しない場合(比較例1、2)には、散布していない部分が接着してしまい剥離性が悪いことが認められた。また、ウェーハブロックの外周囲全体を囲繞させない場合(比較例3)は、積層したウェーハのほとんどでスリップ転位の発生が認められた。また、酸化膜を全面に形成して積層した場合(比較例4)においてもウェーハ全体が接着してしまい剥離性が悪いことが認められた。なお、比較例1、2、4については、ウェーハ同士の剥離が困難であったため、スリップ転位の評価は行わなかった。
図8に示すような第2熱処理用部材34A(スリット50の長さSD1を高さUDの40%、幅SD2を10mmとし、かつ、第2熱処理用部材34Aの周面方向全周に渡って等間隔で計4つ(言い換えれば、第2熱処理用部材34Aを上面から見たときに90度間隔で計4つ)を用いて、その他は実施例5と同様な方法により熱処理を行い、ウェーハブロックを得た。得られたウェーハブロックに対して実施例1と同様な方法でウェーハ相互間の剥離性及びスリップ転位の発生状況を評価した。
実施例7と同様の第2熱処理用部材34Aを用いて、その他は実施例6と同様な方法により熱処理を行い、ウェーハブロックを得た。得られたウェーハブロックに対して実施例1と同様な方法でウェーハ相互間の剥離性及びスリップ転位の発生状況を評価した。
32 第1熱処理用部材
34 第2熱処理用部材
Claims (3)
- シリコンウェーハの平面全体にシリカパウダーを散布させて、該シリコンウェーハの平面同士を複数枚積層してウェーハブロックを形成し、該ウェーハブロックの最下部のシリコンウェーハの平面のみを第1熱処理用部材の一面上に全面支持させて該ウェーハブロックを水平保持させると共に、第2熱処理用部材により前記水平保持させたウェーハブロックの外周囲全体を囲繞させて、1270℃以上シリコンの融点以下の最高到達温度で熱処理を行うことを特徴とするシリコンウェーハの熱処理方法。
- 少なくとも前記ウェーハブロックの最上部のシリコンウェーハをダミーウェーハとしてウェーハブロックを形成することを特徴とする請求項1に記載のシリコンウェーハの熱処理方法。
- 前記最高到達温度における熱処理時間は、5分以上10時間以下であることを特徴とする請求項1又は2に記載のシリコンウェーハの熱処理方法。
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