DE112014003787T5 - Verfahren zum Herstellen eines spiegelpolierten Wafers - Google Patents

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Abstract

Die vorliegende Erfindung stellt ein Verfahren zum Herstellen eines spiegelpolierten Wafers dar, wobei im Verfahren eine Vielzahl spiegelpolierter Wafer hergestellt wird, indem an einer Vielzahl von Siliziumwafern, die durch Scheibenschneiden eines Siliziumbarrens gewonnen wird, ein Schritt des Entfernens schnittbedingter Verspannung an einer Oberfläche, die durch das Scheibenschneiden verursacht wird, ein Ätzschritt zum Entfernen von Verspannung, die durch den Schritt des Entfernens schnittbedingter Verspannung verursacht wird, und ein Doppelseiten-Polierschritt des Durchführens eines Spiegelpolierens auf beiden Flächen der dem Ätzen unterzogenen Siliziumwafer durchgeführt werden, wobei jeder Schritt durch Chargenverarbeitung durchgeführt wird, wobei die Siliziumwafer, die im Doppelseiten-Polierschritt durch Chargenverarbeitung verarbeitet werden, aus den Siliziumwafern, die im Schritt des Entfernens schnittbedingter Verspannung in derselben Charge verarbeitet wurden, ausgewählt werden und die Anzahl der auszuwählenden Siliziumwafer so festgelegt wird, dass sie gleich der Anzahl der Siliziumwafer ist, die im Schritt des Entfernens schnittbedingter Verspannung verarbeitet wurden, oder ein Teiler davon ist. Als Ergebnis wird ein Verfahren bereitgestellt, mit dem spiegelpolierte Wafer mit hoher Ebenheit hergestellt werden können.

Description

  • GEBIET DER TECHNIK
  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen eines spiegelpolierten Wafers, wobei in dem Verfahren eine Vielzahl spiegelpolierter Wafer hergestellt wird.
  • STAND DER TECHNIK
  • In der Vergangenheit wurde ein Verfahren zum Herstellen eines Siliziumwafers im Allgemeinen aus den folgenden Prozessen gebildet. Zuerst wird ein Scheibenschneidprozess durchgeführt, bei dem ein Siliziumbarren, der durch eine Silizium-Einkristallziehanlage nach oben gezogen wurde, durch eine Drahtsäge unter Verwendung von feinem SiC-Pulver in Scheiben geschnitten wird, um Siliziumwafer in Form einer dünnen Scheibe zu erhalten. Dann wird ein Anfasprozess durchgeführt, bei dem ein äußerer Kantenabschnitt jedes Siliziumwafers angefast wird, um Absplitterung und Rissbildung im durch Scheibenschneiden gewonnenen Siliziumwafer zu verhindern.
  • Als Nächstes wird ein Läppprozess mit Planetenbewegungsverfahren durchgeführt, wobei im Läppprozess eine Vielzahl von Siliziumwafern sandwichartig zwischen einem gusseisernen oberen und unteren Drehtisch angeordnet und bearbeitet werden, um eine Verspannung an einer Oberfläche jedes Siliziumwafers zu entfernen, wobei die Verspannung durch den Scheibenschneidprozess verursacht ist, und die Siliziumwafer auf eine einheitliche Dicke gebracht werden. Dabei werden die Siliziumwafer geläppt, während sie eine Zufuhr freier Schleifkörner wie etwa Aluminiumoxid erhalten.
  • Dann wird ein Nassätzprozess durchgeführt, bei dem eine beim Anfas- und Läppprozess erzeugte mechanisch beschädigte Schicht entfernt wird. Dann werden ein doppelseitiger Polierprozess, bei dem ein Spiegelpolieren auf beiden Oberflächen der geätzten Siliziumwafer durch das Planetenbewegungsverfahren unter Verwendung der freien Schleifkörner durchgeführt wird, ein Kantenpolierprozess, bei dem der Kantenabschnitt auf einen spiegelglatten Zustand hin poliert wird, und ein einseitiger Spiegelpolierprozess, bei dem ein Spiegelpolieren auf einer Seite jedes Wafers durchgeführt wird, durchgeführt. Schließlich wird ein Reinigungsprozess durchgeführt, bei dem das Poliermittel und die Fremdstoffe, die auf den polierten Wafern verbleiben, entfernt werden, um die Reinheit zu erhöhen, und die Herstellung der Siliziumwafer wird abgeschlossen (siehe Patentdokumentation 1).
  • Mit einer Erhöhung der Integration elektronischer Bauelemente werden die Ebenheitsstandards für Siliziumwafer strenger. Von den Prozessen des Produktionsablaufs für Halbleiterwafer ist ein Prozess mit der größten Auswirkung auf die Ebenheit ein doppelseitiger Polierprozess, bei dem Spiegelpolieren auf beiden Oberflächen der Siliziumwafer durchgeführt wird.
  • Diese Doppelseiten-Poliervorrichtung beinhaltet einen oberen und einen unteren Drehtisch, ein Sonnenrad, das in der Mitte der Oberseite des unteren Drehtischs bereitgestellt ist, einen Innenkranz, der neben der Außenkante des unteren Drehtischs bereitgestellt ist, und eine Vielzahl von Trägern. Die Träger sind sandwichartig drehbar zwischen dem oberen und dem unteren Drehtisch angeordnet, und jeder Träger weist ein oder mehrere darin bereitgestellte Trägerlöcher auf. Die Siliziumwafer werden in diesen Trägerlöchern gehalten und eine Last wird durch einen Druckmechanismus, der am oberen Drehtisch befestigt ist, nach unten aufgebracht, wobei die Siliziumwafer mit den Trägern relativ zu Polierkissen, die am oberen und unteren Drehtisch befestigt sind, bewegt werden, wobei ein doppelseitiges Polieren an einer Vielzahl von Wafern in einer Chargenverarbeitung gleichzeitig durchgeführt wird.
  • LISTE DER ANFÜHRUNGEN
  • PATENTLITERTUR
    • Patentschrift 1: Ungeprüfte japanische Patentveröffentlichung (Kokai) Nr. 2012-186338
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • TECHNISCHES PROBLEM
  • Wie oben beschrieben, hat eine Waferdickenschwankung zwischen den Siliziumwafern, die in derselben Charge poliert werden, eine große Auswirkung auf die Ebenheit der Siliziumwafer, die dem doppelseitigen Polieren unterzogen werden, wenn eine Vielzahl von Wafern durch sandwichartiges Anordnen zwischen dem oberen und dem unteren Drehtisch poliert wird. In 10 wird die Beziehung zwischen der Waferdickenschwankung zwischen den Siliziumwafern, die in einem bestehenden doppelseitigen Polierprozess in derselben Charge poliert werden, und der Erreichungsquote spiegelpolierter Wafer, deren SFQRmax 22 nm oder weniger beträgt, der SFQRmax der Oberfläche des Wafers, an dem der doppelseitige Polierprozess durchgeführt wurde, gezeigt. Wie in 10 gezeigt, ist die Ebenheit der Oberfläche des Siliziumwafers, an dem der doppelseitige Polierprozess durchgeführt wurde, signifikant verschlechtert, wenn die Dickenschwankung zwischen den Siliziumwafern, die im doppelseitigen Polierprozess in einer Charge dem doppelseitigen Polieren unterzogen werden, über 1,25 μm steigt.
  • Ein Prozess, der die Dickenschwankung zwischen den Wafern, die einem doppelseitigen Polierprozess unterzogen werden, bestimmt, ist im Wesentlichen ein Prozess zum Entfernen schnittbedingter Verspannung.
  • Beim Prozess zum Entfernen schnittbedingter Verspannung wird eine Vielzahl von Wafern durch Chargenverarbeitung geläppt und die Dickenschwankung zwischen den Wafern, die in derselben Charge bearbeitet werden, kann auf eine relativ kleine Schwankung verringert werden; jedoch wird die Dickenschwankung zwischen den Wafern, die in verschiedenen Chargen verarbeitet werden, größer.
  • Darüber hinaus wird beim Nassätzen eine Vielzahl von Wafern in einem Ätzbehälter durch Chargenverarbeitung geätzt und die Schwankung beim Ätzabtrag kann verringert werden; jedoch tritt aufgrund des Einflusses einer Änderung in einem Ätzmittel im Verlauf der Zeit eine Schwankung beim Ätzabtrag zwischen den Wafern auf, die in verschiedenen Chargen geätzt werden, was in einer größeren Waferdickenschwankung nach dem Prozess des Entfernens schnittbedingter Verspannung resultiert. Übrigens gibt es als Nassätzen ein Einzelwafer-Verarbeitungsverfahren, bei dem eine Vielzahl von Siliziumwafern einzeln geätzt wird, indem ein Ätzmittel auf die Vorder- und Rückfläche des Siliziumwafers gesprüht wird, anstatt die Ätzverarbeitung an der Vielzahl von Siliziumwafern durch Chargenverarbeitung durchzuführen, aber dieses Verfahren weist eine geringe Produktivität auf und steigert die Kosten.
  • Die vorliegende Erfindung wurde im Hinblick auf das Problem gemacht, und deren eine Aufgabe besteht darin, ein Verfahren zum Herstellen eines spiegelpolierten Wafers bereitzustellen, wobei im Verfahren spiegelpolierte Wafer mit einer hohen Ebenheit hergestellt werden können.
  • TECHNISCHE LÖSUNG
  • Um die Aufgabe zu erfüllen, stellt die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Herstellen eines spiegelpolierten Wafers bereit, wobei im Verfahren eine Vielzahl spiegelpolierter Wafer hergestellt wird, indem an einer Vielzahl von Siliziumwafern, die durch Scheibenschneiden eines Siliziumbarrens gewonnen wird, ein Schritt des Entfernens schnittbedingter Verspannung an einer Oberfläche, die durch das Scheibenschneiden verursacht wird, ein Ätzschritt zum Entfernen von Verspannung, die durch den Schritt des Entfernens schnittbedingter Verspannung verursacht wird, und ein Doppelseiten-Polierschritt des Durchführens eines Spiegelpolierens auf der Vorder- und Rückfläche der dem Ätzen unterzogenen Siliziumwafer durchgeführt werden und dabei jeder Schritt durch Chargenverarbeitung durchgeführt wird, wobei die Siliziumwafer, die im Doppelseiten-Polierschritt durch Chargenverarbeitung verarbeitet werden, aus den Siliziumwafern, die im Schritt des Entfernens schnittbedingter Verspannung in derselben Charge verarbeitet wurden, ausgewählt werden und die Anzahl der auszuwählenden Siliziumwafer so festgelegt wird, dass sie gleich der Anzahl der Siliziumwafer ist, die im Schritt des Entfernens schnittbedingter Verspannung verarbeitet wurden, oder ein Teiler davon ist.
  • Da die Dickenschwankung zwischen der Vielzahl der Siliziumwafer, die im Schritt des Entfernens schnittbedingter Verspannung in derselben Charge verarbeitet werden, gering ist, können als Ergebnis dessen, dass diese Siliziumwafer im Doppelseiten-Polierschritt, der ein nachfolgender Schritt ist, in derselben Charge verarbeitet werden, spiegelpolierte Wafer mit hoher Ebenheit hergestellt werden.
  • Dabei ist vorzuziehen, dass beim Auswählen aller Siliziumwafer, die im Schritt des Entfernens schnittbedingter Verspannung in einer Charge oder einer Vielzahl von Chargen verarbeitet werden, als Siliziumwafer, die im Ätzschritt durch Chargenverarbeitung verarbeitet werden, die Anzahl der auszuwählenden Siliziumwafer so festgelegt wird, dass sie gleich der Anzahl der Siliziumwafer, die im Schritt des Entfernens schnittbedingter Verspannung verarbeitet wurden, oder ein Vielfaches davon ist.
  • Dadurch wird die Dickenschwankung zwischen den Siliziumwafern, die im Ätzschritt der Ätzverarbeitung unterzogen werden, geringer und als Ergebnis dessen, dass diese Siliziumwafer im Doppelseiten-Polierschritt, der ein nachfolgender Schritt ist, in derselben Charge verarbeitet werden, können spiegelpolierte Wafer mit höherer Ebenheit zuverlässig hergestellt werden.
  • Dabei kann im Schritt des Entfernens schnittbedingter Verspannung eine Verspannung an den Oberflächen der Siliziumwafer entfernt werden, indem die Siliziumwafer mit einem Bearbeitungsfluid, das freie Schleifkörner enthält, geläppt werden und dabei die Dicke der Siliziumwafer durch eine kristallartige Größenbestimmungsvorrichtung gemessen wird.
  • Durch Messen der Dicke der Siliziumwafer durch die kristallartige Größenbestimmungsvorrichtung und Steuern der Läppabschlussbedingung entsprechend der gemessenen Dicke ist es möglich, einen Fehler zu verringern, der eine Abweichung von einer Zieldicke darstellt. Als Ergebnis ist es auch möglich, die Dickenschwankung bei den Siliziumwafern zwischen den Chargen nach dem Läppen zu verringern. Wie oben beschrieben, ist es möglich, spiegelpolierte Wafer mit hoher Ebenheit zuverlässiger herzustellen und die Dickenschwankung zwischen den Wafern zu verringern, wenn die Dickenschwankung zwischen den Siliziumwafern, die im Schritt des Entfernens schnittbedingter Verspannung geläppt werden, gering ist.
  • Darüber hinaus wird vorzugsweise im Schritt des Entfernens schnittbedingter Verspannung eine Verspannung an der Oberfläche der Siliziumwafer durch Durchführen eines Schleifens entfernt, indem die Vorder- und Rückfläche der Siliziumwafer in Kontakt mit Schleifblättern mit daran gebundenen Schleifkörnern gleiten gelassen wird, wobei die Schleifkörner eine Körnung aufweisen, die das Durchführen eines Schleifens ermöglicht, durch das die Oberflächenrauheit Ra der Siliziumwafer 0,3 μm oder weniger wird, wobei Wasser zugeführt wird und die Dicke der Siliziumwafer durch eine reflexionsinterferenzoptische Größenbestimmungsvorrichtung gemessen wird.
  • Durch Durchführen des Schleifens unter Verwendung der Schleifblätter, so dass die Oberflächenrauheit Ra der Siliziumwafer 0,3 μm oder weniger wird, tritt eine diffuse Reflexion eines Laserlichts, das aus der reflexionsinterferenzoptischen Größenbestimmungsvorrichtung ausgesendet wird, an der bearbeiteten Oberfläche des Siliziumwafers nicht ohne Weiteres auf, was es ermöglicht, ein Interferenzlicht ausreichend zu erkennen. Deshalb ist es möglich, beide Oberflächen des Siliziumwafers zu schleifen, während die Dicke des Siliziumwafers mit sehr hoher Genauigkeit gemessen wird. Als Ergebnis ist es möglich, die Dickenschwankung bei den Siliziumwafern zwischen den Chargen nach dem Schleifen wirksamer zu verringern. Wie oben beschrieben, ist es möglich, spiegelpolierte Wafer mit höherer Ebenheit zuverlässiger herzustellen und die Dickenschwankung zwischen den Wafern weiter zu verringern, wenn die Dickenschwankung zwischen den Siliziumwafern, die im Schritt des Entfernens schnittbedingter Verspannung geschliffen werden, gering ist.
  • VORTEILHAFTE WIRKUNGEN DER ERFINDUNG
  • Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren zum Herstellen eines spiegelpolierten Wafers ist es möglich, spiegelpolierte Wafer mit hoher Ebenheit herzustellen.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • 1 ist ein Ablaufdiagramm eines erfindungsgemäßen Verfahrens zum Herstellen eines spiegelpolierten Wafers;
  • 2 ist ein schematisches Schaubild, das ein Beispiel für eine Läppvorrichtung zeigt, die in einem Prozess des Entfernens schnittbedingter Verspannung der vorliegenden Erfindung verwendet wird;
  • 3 ist eine Draufsicht, die ein Beispiel für einen unteren Drehtisch der Läppvorrichtung zeigt, die im Prozess des Entfernens schnittbedingter Verspannung der vorliegenden Erfindung verwendet wird;
  • 4 ist ein schematisches Schaubild, das ein Beispiel für eine Schleifvorrichtung zeigt, die im Prozess des Entfernens schnittbedingter Verspannung der vorliegenden Erfindung verwendet wird;
  • 5 ist eine Draufsicht, die ein Beispiel für einen unteren Drehtisch der Schleifvorrichtung zeigt, die im Prozess des Entfernens schnittbedingter Verspannung der vorliegenden Erfindung verwendet wird;
  • 6 ist ein Schaubild, das die Beziehung zwischen der Lichtstärke eines störenden Lichts und der Waferdicke bei verschiedenen Graden der Oberflächenrauheit Ra zeigt;
  • 7 ist eine Draufsicht, die ein Beispiel für eine Ätzvorrichtung zeigt, die in einem Ätzprozess der vorliegenden Erfindung verwendet wird;
  • 8 ist ein schematisches Schaubild, das ein Beispiel für eine Doppelseiten-Poliervorrichtung zeigt, die in einem Doppelseiten-Polierprozess der vorliegenden Erfindung verwendet wird;
  • 9 ist eine Draufsicht, die ein Beispiel für einen unteren Drehtisch der Doppelseiten-Poliervorrichtung zeigt, die im Doppelseiten-Polierprozess der vorliegenden Erfindung verwendet wird;
  • 10 zeigt die Beziehung zwischen der Dickenschwankung zwischen Wafern und der Erreichungsquote spiegelpolierter Wafer, deren SFQRmax 22 nm oder weniger beträgt.
  • BESCHREIBUNG DER AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Im Folgenden wird eine Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben, aber die vorliegende Erfindung ist nicht darauf beschränkt.
  • Wenn bei der Herstellung spiegelpolierter Wafer die Dickenschwankung zwischen Siliziumwafern, die in derselben Charge dem Spiegelpolieren unterzogen werden, groß ist, verschlechtert sich in einem Doppelseiten-Polierprozess die Ebenheit der spiegelpolierten Wafer, deren beide Oberflächen dem Spiegelpolieren unterzogen wurden, in unerwünschter Weise.
  • Somit haben sich die Erfinder der vorliegenden Erfindung vorgestellt, in der Lage zu sein, die Ebenheit der spiegelpolierten Wafer, deren beide Oberflächen dem Spiegelpolieren unterzogen wurden, zu verbessern, indem Siliziumwafer, die in derselben Charge eines Prozesses des Entfernens schnittbedingter Verspannung verarbeitet werden, in derselben Charge eines Doppelseiten-Polierprozesses verarbeitet werden, und die vorliegende Erfindung hervorgebracht.
  • Im Folgenden wird ein erfindungsgemäßes Verfahren zum Herstellen eines spiegelpolierten Wafers unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben.
  • Als erstes wird eine Vielzahl von Siliziumwafern vorbereitet, die durch Scheibenschneiden eines Siliziumbarrens gewonnen wurden (A von 1). In diesem Prozess wird ein Siliziumbarren in Wafer geschnitten, indem eine Scheibenschneidvorrichtung wie etwa eine Drahtsäge verwendet wird. Als Nächstes werden die Siliziumwafer angefast (B von 1). In diesem Prozess wird ein äußerer Kantenabschnitt jedes Siliziumwafers angefast, um Absplitterung und Rissbildung im durch Scheibenschneiden gewonnenen Siliziumwafer zu verhindern.
  • Als Nächstes wird ein Prozess des Entfernens schnittbedingter Verspannung durchgeführt (C von 1). In diesem Prozess des Entfernens schnittbedingter Verspannung werden die Verspannung an der Oberfläche jedes Siliziumwafers, die durch Scheibenschneiden verursachte Verspannung, entfernt, die Oberfläche eingeebnet und die Siliziumwafer mit einer einheitlichen Dicke versehen. Dabei kann die schnittbedingte Verspannung durch Chargenverarbeitung der Siliziumwafer durch Läppen entfernt werden, indem eine Läppvorrichtung 1 mit einem Planetenbewegungsverfahren, die in 2 und 3 gezeigte Läppvorrichtung 1, verwendet wird.
  • Wie in 2 und 3 gezeigt, enthält die Läppvorrichtung 1 einen oberen Drehtisch 2, einen unteren Drehtisch 3, Träger 4, ein Sonnenrad 5, einen Innenkranz 6 und eine Kristallgrößenbestimmungsvorrichtung 7. Als oberer Drehtisch 2 und unterer Drehtisch 3 können beispielsweise gusseiserne obere Drehtische angenommen werden. Im oberen Drehtisch 2 sind Durchgangslöcher für Bearbeitungsfluid 9 bereitgestellt und durch diese Durchgangslöcher für Bearbeitungsfluid 9 wird ein Bearbeitungsfluid 11, das freie Schleifkörner enthält, zugeführt. Darüber hinaus kann als Bearbeitungsfluid 11, das durch Suspendieren freier Schleifkörner, wie etwa Aluminiumoxid in Wasser, gewonnen wird, verwendet werden. Am unteren Drehtisch 3 sind die Träger 4 angeordnet, wobei jeder eine Vielzahl von darin bereitgestellten Trägerlöchern 10 zum Halten einer Vielzahl von Siliziumwafern W aufweist. Ferner ist das Sonnenrad 5 in einem mittigen Teil auf dem unteren Drehtisch 3 bereitgestellt und der Innenkranz 6 ist so bereitgestellt, dass er sich neben der Außenkante des unteren Drehtischs 3 befindet, und indem diese Zahnkränze auf deren Achsen in Rotation versetzt werden, erzeugen die Träger 4 eine Planetenbewegung um das Sonnenrad 5.
  • Darüber hinaus ist auf dem oberen Drehtisch 2 die kristallartige Größenbestimmungsvorrichtung 7 angeordnet. Diese kristallartige Größenbestimmungsvorrichtung 7 nutzt einen piezoelektrischen Effekt, der erzeugt wird, wenn ein auf dem Träger 4 montiertes Kristallstück 8 mit den Siliziumwafern W geschliffen wird und die Dicke der Siliziumwafer misst, indem es die Dicke des Kristallstücks durch Ausnutzung des Umstands misst, dass sich die Schwingungsfrequenz mit einer Verringerung der Dicke des Kristallstücks erhöht. Ferner kann die kristallartige Größenbestimmungsvorrichtung 7 auf der Grundlage des Messwerts den Abschluss des Läppens steuern.
  • Eine Vielzahl von Siliziumwafern W werden sandwichartig zwischen dem oberen und dem unteren Drehtisch 2 und 3 angeordnet, die sich in relativen Richtungen in einem Zustand bewegen, in dem die Dicke der Siliziumwafer W durch die kristallartige Größenbestimmungsvorrichtung 7 gemessen wird, und die Träger werden veranlasst, eine Planetenbewegung zu erzeugen und dabei wird das Bearbeitungsfluid 11 zugeführt, wodurch die Siliziumwafer W durch Chargenverarbeitung geläppt werden. Durch Durchführen des Läppens durch diese Läppvorrichtung bei Durchführung einer Steuerung, so dass in jeder Charge dieselbe Zieldicke erreicht wird, ist es möglich, nicht nur die Dickenschwankung zwischen den Siliziumwafern W in der Charge zu verringern, sondern auch die Dickenschwankung der Siliziumwafer W zwischen den Chargen.
  • Darüber wird zur Verringerung der Dickenschwankungen bei den Siliziumwafern W zwischen den Chargen vorzugsweise die schnittbedingte Verspannung durch Schleifen der Siliziumwafer W durch Chargenverarbeitung entfernt, indem eine in 4 und 5 gezeigte Schleifvorrichtung 12 verwendet wird.
  • Wie in 4 und 5 gezeigt, enthält die Schleifvorrichtung 12 einen oberen und unteren Drehtisch 2' und 3', Träger 4', ein Sonnenrad 5', einen Innenkranz 6' und eine reflexionsinterferenzoptische Größenbestimmungsvorrichtung 13.
  • Im oberen Drehtisch 2 sind Durchgangslöcher für Wasser 15 bereitgestellt und durch diese Durchgangslöcher für Wasser 15 wird dem unteren Drehtisch 3' Wasser 16 zugeführt. Am unteren Drehtisch 3' sind die Träger 4' angeordnet, wobei jeder eine Vielzahl von darin bereitgestellten Trägerlöchern 10' zum Halten einer Vielzahl von Siliziumwafern W aufweist. Ferner ist das Sonnenrad 5' in einem mittigen Teil auf dem unteren Drehtisch 3' bereitgestellt und der Innenkranz 6' ist so bereitgestellt, das er sich neben der Außenkante des unteren Drehtischs 3' befindet, und indem diese Zahnkränze auf deren Achsen in Rotation versetzt werden, erzeugen die Träger 4' eine Planetenbewegung um das Sonnenrad 5'.
  • Darüber hinaus ist auf dem oberen Drehtisch 2' die reflexionsinterferenzoptische Größenbestimmungsvorrichtung 13 angeordnet. In einem Verfahren zum Messen der Dicke eines Wafers, wobei das Verfahren durch diese reflexionsinterferenzoptische Größenbestimmungsvorrichtung 13 durchgeführt wird, sendet die reflexionsinterferenzoptische Größenbestimmungsvorrichtung 13 zuerst ein Laserlicht nach unten aus. Das ausgesendete Laserlicht strahlt auf die Oberfläche des dem Schleifen unterzogenen Siliziumwafers, nachdem es die Durchgangslöcher für Laserlicht 17, die im oberen Drehtisch 2' bereitgestellt sind, passiert hat. Dann erkennt die reflexionsinterferenzoptische Größenbestimmungsvorrichtung 13 ein Interferenzlicht und misst die Dicke der Siliziumwafer auf der Grundlage des erkannten Interferenzlichts. Die reflexionsinterferenzoptische Größenbestimmungsvorrichtung 13 kann auf der Grundlage des Messwerts den Abschluss des Schleifens steuern.
  • An jeder von der Unterseite des oberen Drehtischs 2' und der Oberseite des unteren Drehtischs 3' ist ein Schleifblatt 14 mit daran gebundenen Schleifkörnern, das Schleifblatt 14 zum Schleifen der Siliziumwafer, befestigt. Die Schleifkörner sind Schleifkörner mit einer Körnung, die es ermöglicht, ein Schleifen durchzuführen, durch das die Oberflächenrauheit Ra der Siliziumwafer W 0,3 μm oder weniger wird, und vorzugsweise werden Diamantschleifkörner verwendet, die am härtesten und verschleißfest sind. Wenn die Oberflächenrauheit Ra der dem Schleifen unterzogenen Siliziumwafer W 0,3 μm oder weniger ist, tritt keine diffuse Reflexion auf, auch wenn durch die reflexionsinterferenzoptische Größenbestimmungsvorrichtung 13 das Laserlicht auf eine Schleiffläche abgestrahlt wird, und es ist möglich, das Interferenzlicht zu erkennen, was die Dickenmessung mit hoher Genauigkeit ermöglicht. Die Ergebnisse der Untersuchung der Beziehung zwischen der Oberflächenrauheit Ra der Siliziumwafer und der Stärke des Interferenzlichts, der von den Erfindern der vorliegenden Erfindung durchgeführten Untersuchung, werden in 6 gezeigt. Wenn die Dicke der Siliziumwafer mit Hilfe der reflexionsinterferenzoptischen Größenbestimmungsvorrichtung gemessen wird, während die Oberflächenrauheit Ra der Siliziumwafer verschieden ist, wird die Stärke des Interferenzlichts erhöht, wenn Ra 0,03 μm und 0,2 μm beträgt, und es ist möglich, eine Messung mit höherer Genauigkeit durchzuführen, als wenn Ra 0,44 μm beträgt. Übrigens wurde die Wellenlänge des Laserlichts, das von der reflexionsinterferenzoptischen Größenbestimmungsvorrichtung ausgesendet wurde, auf 1300 nm eingestellt. Zur Messung der Oberflächenrauheit Ra wurde ein von der KEYANCE CORPORATION hergestelltes Lasermikroskop der Serie VK-X100 verwendet und die Messlänge wurde auf 4 mm eingestellt.
  • Mit Hilfe der oben beschriebenen Schleifvorrichtung 12 werden die Siliziumwafer W durch Chargenverarbeitung geschliffen, indem die Vielzahl von Siliziumwafern W sandwichartig zwischen dem oberen und dem unteren Drehtisch 2' und 3' angeordnet wird, die sich in relativen Richtungen drehen, wobei die Dicke der Siliziumwafer W durch die reflexionsinterferenzoptische Größenbestimmungsvorrichtung 13 gemessen wird und beide Oberflächen der Siliziumwafer W in Kontakt mit dem Schleifblättern 14 gleiten gelassen werden, indem die Träger 4' zur Erzeugung einer Planetenbewegung veranlasst werden, wobei Wasser 16 zugeführt wird. Durch Durchführen des Schleifens mit Hilfe dieser Schleifvorrichtung 12 bei Durchführung einer Steuerung, so dass in jeder Charge dieselbe Zieldicke erreicht wird, kann nicht nur die Dickenschwankung zwischen den Siliziumwafern W in der Charge, sondern auch die Dickenschwankung der Siliziumwafer W zwischen den Chargen verringert werden.
  • Nach Abschluss des Prozess des Entfernens schnittbedingter Verspannung wird ein Ätzprozess zum Entfernen der Verspannung, die durch den Schritt des Entfernens schnittbedingter Verspannung verursacht wird, durchgeführt (D von 1). Im Ätzprozess wird Nassätzen an der Vielzahl von Wafern durch Chargenverarbeitung durchgeführt. Wie in 7 gezeigt, wird beispielsweise die Vielzahl von Siliziumwafern W in eine Ätzvorrichtung 18 gesetzt, die mit einem aus Ätznatron oder dergleichen gebildeten Ätzmittel gefüllt wird, und die Ätzverarbeitung wird an der Vielzahl der Siliziumwafer W gleichzeitig durchgeführt.
  • In diesem Ätzprozess ist es vorzuziehen, als durch Chargenverarbeitung zu ätzende Siliziumwafer alle Siliziumwafer, die im Prozess des Entfernens schnittbedingter Verspannung in einer Charge oder einer Vielzahl von Chargen verarbeitet wurden, auszuwählen und die Anzahl der auszuwählenden Siliziumwafer der Anzahl der Siliziumwafer, die im Prozess des Entfernens schnittbedingter Verspannung verarbeitet wurden, oder einem Vielfachen davon gleich zu machen. Wenn beispielsweise 100 Siliziumwafer in fünf Chargen verarbeitet werden, wobei die Anzahl der in einer Charge zu verarbeitenden Siliziumwafer im Prozess des Entfernens schnittbedingter Verspannung auf 20 eingestellt wird, werden 20 Siliziumwafer aus einer Wafergruppe, die in einer beliebigen Charge aus diesen fünf Chargen verarbeitet wurde, ausgewählt und der Ätzprozess kann an diesen ausgewählten Siliziumwafern durch Chargenverarbeitung durchgeführt werden. Alternativ werden alle Siliziumwafer (in diesem Fall 40 bis 100 Wafer), die in beliebigen Chargen (in diesem Fall eine Vielzahl von Chargen von der ersten bis zur fünften Charge) der fünf Chargen im Prozess des Entfernens schnittbedingter Verspannung des oben beschriebenen Beispiels ausgewählt, und der Ätzprozess kann an den ausgewählten Siliziumwafern durch Chargenverarbeitung durchgeführt werden.
  • Dadurch ist es möglich, die Dickenschwankung zwischen den Wafern, die im Ätzprozess in einer Charge verarbeitet werden, zu verringern.
  • Nach Abschluss des Ätzprozesses wird ein Doppelseiten-Polierprozess durchgeführt, bei dem ein Spiegelpolieren auf beiden Oberflächen der Vielzahl von Siliziumwafern durch Chargenverarbeitung durchgeführt wird (E von 1) Bei einem erfindungsgemäßen Verfahren zum Herstellen eines spiegelpolierten Wafers werden Wafer, deren beide Oberflächen durch Chargenverarbeitung dem Spiegelpolieren unterzogen werden, aus Siliziumwafern ausgewählt, die im Prozess des Entfernens schnittbedingter Verspannung in derselben Charge verarbeitet wurden. Die Waferdickenschwankung zwischen diesen Verspannungen ist sehr gering. Deshalb ist es möglich, die Dickenschwankung zwischen der Vielzahl von Wafern, die im Doppelseiten-Polierprozess poliert werden, zu verringern. Dabei kann die Anzahl der auszuwählenden Siliziumwafer gleich der Anzahl der Siliziumwafer sein, die im Prozess des Entfernens schnittbedingter Verspannung verarbeitet wurden, oder auf einen Teiler der Anzahl der Siliziumwafer eingestellt sein, die im Prozess des Entfernens schnittbedingter Verspannung verarbeitet wurden, und die Anzahl der Chargen kann mehrfach geteilt werden.
  • Zur Durchführung des Spiegelpolierens auf beiden Seiten der ausgewählten Siliziumwafer durch Chargenverarbeitung in der oben beschriebenen Art und Weise kann eine Doppelseiten-Poliervorrichtung 19 mit einem Planetenbewegungsverfahren, die in 8 und 9 gezeigte Doppelseiten-Poliervorrichtung 19, verwendet werden.
  • Zuerst werden Träger 4'' mit einem Sonnenrad 5'' und einen Innenkranz 6'' der Doppelseiten-Poliervorrichtung 19 in Eingriff gebracht und Siliziumwafer in Trägerlöcher 10'' der Träger 4'' eingesetzt. Dann werden beide Oberflächen der Siliziumwafer W so gehalten, dass sie sandwichartig zwischen einem oberen Drehtisch 2'' und einem unteren Drehtisch 3'' angeordnet sind, ein Poliermittel 21 wird durch Durchgangslöcher 20 zugeführt, die Träger 4'' werden durch das Sonnenrad 5'' und den Innenkranz 6'' veranlasst, eine Planetenbewegung zu erzeugen, und gleichzeitig werden der obere Drehtisch 2'' und der untere Drehtisch 3'' in relative Richtungen in Rotation versetzt, wobei beide Oberflächen der Siliziumwafer W in Kontakt mit den Polierkissen 22 gleiten gelassen werden. Auf diese Weise werden spiegelpolierte Wafer hergestellt.
  • Durch Herstellen spiegelpolierter Wafer in der oben beschriebenen Art und Weise ist es möglich, die Ebenheit der spiegelpolierten Wafer, die einem doppelseitigen Polieren unterzogen werden, zu verbessern, da es möglich ist, die Siliziumwafer mit geringer Dickenschwankung zwischen ihnen, die Siliziumwafer, die im Prozess des Entfernens schnittbedingter Verspannung in derselben Charge verarbeitet wurden, im Doppelseiten-Polierprozess in derselben Charge zu verarbeiten.
  • [Beispiele]
  • Im Folgenden wird die vorliegende Erfindung anhand von Beispielen für die vorliegende Erfindung und eines Vergleichsbeispiels genauer beschrieben, jedoch ist die vorliegende Erfindung nicht auf diese Beispiele beschränkt.
  • (Beispiel 1)
  • Ein Siliziumeinkristallbarren mit einem Durchmesser von 300 mm wurde in Scheiben geschnitten. 100 Siliziumwafer, die durch Scheibenschneiden gewonnen wurden, wurden angefast. Dann wurden spiegelpolierte Wafer gemäß einem Ablaufplan des in 1 gezeigten erfindungsgemäßen Verfahrens zum Herstellen eines spiegelpolierten Wafers hergestellt. Zuerst wurden im Prozess des Entfernens schnittbedingter Verspannung mit Hilfe einer 4-Weg-Läppmaschine mit Planetenbewegungsverfahren, der 4-Weg-Läppmaschine mit einem gusseisernen oberen und unteren Drehtisch, die 20 Siliziumwafer in einer Charge verarbeiten kann, 20 Siliziumwafer in einer Charge geläppt, und die 100 Siliziumwafer wurden durch Läppen in fünf aufeinanderfolgenden Chargen geläppt. Schleifkörner aus Aluminiumoxid mit einer durchschnittlichen Körnung von 6 μm wurden in Wasser suspendiert und als Bearbeitungsfluid verwendet, eine kristallartige Größenbestimmungsvorrichtung wurde verwendet und eine Endzieldicke wurde eingestellt. Nach Abschluss des Läppens wurde die Dicke der Siliziumwafer mit einem kapazitiven Sensor gemessen. Wie in Tabelle 1 angegeben beträgt die Dicke der Siliziumwafer, die nach Abschluss des Läppens beobachtet wurde, in Bezug auf die Zieldicke durchschnittlich –0,7 μm in der ersten Charge, +1,1 μm in der zweiten Charge, +0,5 μm in der dritten Charge, +1,6 μm in der vierten Charge und –3,0 μm in der fünften Charge. Die Dickenschwankung in einer Charge (eine Differenz zwischen dem Höchstwert der Dicke der Siliziumwafer in einer Charge und dem Mindestwert der Dicke der Siliziumwafer in der Charge) betrug 0,1 μm in der ersten und zweiten Charge und 0,2 μm in den anderen drei Chargen.
  • Als Nächstes wurde der Ätzprozess durchgeführt. Gemäß dem Herstellungsverfahren der vorliegenden Erfindung wurden die 100 Wafer, die im Prozess des Entfernens schnittbedingter Verspannung dem Läppen unterzogen wurden, in fünf aufeinanderfolgenden Chargen geätzt, 20 Wafer in einer Charge, so dass die Siliziumwafer, die in derselben Läppcharge geläppt wurden, in derselben Ätzcharge der Ätzverarbeitung unterzogen wurden. Als Ätzmittel wurde Ätznatron in 50-prozentiger Konzentration, erhitzt auf 80°C, verwendet. Als Ergebnis betrug die Dickenschwankung nach dem Ätzen, wie in Tabelle 1 angegeben, 0,1 μm in der ersten Charge und 0,2 μm in der zweiten bis fünften Charge.
  • Als Nächstes wurde der Doppelseiten-Polierprozess durchgeführt. Das Spiegelpolieren wurde auf beiden Oberflächen der 100 Siliziumwafer durch Spiegelpolieren in fünf aufeinanderfolgenden Chargen durchgeführt, indem eine 4-Weg-Doppelseiten-Poliermaschine mit Planetenbewegungsverfahren, die 4-Weg-Doppelseiten-Poliermaschine, die 20 Wafer in einer Charge polieren kann, verwendet wurde, so dass die Wafer derselben Läppcharge (d. h. derselben Ätzcharge) in derselben Doppelseiten-Poliercharge bearbeitet wurden. Als Poliermittel wurde kolloidales Siliziumdioxid mit einer durchschnittlichen Körnung von 35 bis 70 nm, das kolloidale Siliziumdioxid, dem Ätzkali beigemischt wurde, mit reinem Wasser auf einen pH-Wert von 10,5 verdünnt. Als Polierkissen wurde ein handelsübliches Vlies-Polierkissen verwendet. Nach Abschluss des Doppelseiten-Polierprozesses wurden die spiegelpolierten Wafer gereinigt. Dann wurde die Ebenheit der Wafer mit Hilfe von WaferSight, hergestellt von KLA-Tencor Corporation, gemessen und SFQRmax wurde bewertet. Als Ergebnis betrug die Erreichungsquote von Wafern, deren SFQRmax 22 nm oder weniger betrug, 52%, wie in Tabelle 1 angegeben.
  • Es wurde bestätigt, dass in Beispiel 1 die Erreichungsquote spiegelpolierter Wafer mit hoher Ebenheit höher ist als die Quote im Vergleichsbeispiel, das weiter unten beschrieben wird, und spiegelpolierte Wafer mit hoher Ebenheit zuverlässiger hergestellt werden können.
  • (Beispiel 2)
  • Ein Siliziumeinkristallbarren mit einem Durchmesser von 300 mm wurde in Scheiben geschnitten. Die Siliziumwafer, die durch Scheibenschneiden gewonnen wurden, wurden angefast. Dann wurden spiegelpolierte Wafer gemäß dem Ablaufplan des in 1 gezeigten Verfahrens zum Herstellen eines spiegelpolierten Wafers hergestellt. Als Erstes wurden im Prozess des Entfernens schnittbedingter Verspannung unter denselben Bedingungen wie in Beispiel 1 20 Siliziumwafer in einer Charge geläppt. Nach Abschluss des Läppens wurde die Dicke der Siliziumwafer mit dem kapazitiven Sensor gemessen. Wie in Tabelle 1 angegeben, betrug die Dicke der Siliziumwafer, die nach Abschluss des Läppens beobachtet wurde, durchschnittlich +1,4 μm in Bezug auf den Zielwert. Die Dickenschwankung zwischen den Wafern in einer Charge betrug 0,2 μm.
  • Als Nächstes wurde der Ätzprozess durchgeführt. Unter denselben Bedingungen wie in Beispiel 1 wurden 20 Siliziumwafer in einer Charge geätzt. Nach Abschluss des Ätzens wurde die Dicke der Siliziumwafer mit dem kapazitiven Sensor gemessen. Nach den Ergebnissen betrug die Dickenschwankung zwischen den Wafern 0,2 μm.
  • Als Nächstes wurde der Doppelseiten-Polierprozess durchgeführt. Das doppelseitige Polieren wurde unter denselben Bedingungen durchgeführt wie in Beispiel 1, außer dass eine 4-Weg-Doppelseiten-Poliermaschine mit Planetenbewegungsverfahren, die 4-Weg-Doppelseiten-Poliermaschine, die fünf Wafer in einer Charge polieren kann, verwendet wurde und das Spiegelpolieren auf beiden Oberflächen der 20 Siliziumwafer durch Polieren in vier aufeinanderfolgenden Chargen durchgeführt wurde. Als Ergebnis betrug die Erreichungsquote von Wafern, deren SFQRmax 22 nm oder weniger betrug, 50%, wie in Tabelle 1 angegeben.
  • Es wurde bestätigt, dass auch in Beispiel 2 die Erreichungsquote spiegelpolierter Wafer mit hoher Ebenheit höher ist als die Quote im Vergleichsbeispiel, das weiter unten beschrieben wird, und spiegelpolierte Wafer mit hoher Ebenheit zuverlässiger hergestellt werden können.
  • (Beispiel 3)
  • Ein Siliziumeinkristallbarren mit einem Durchmesser von 300 mm wurde in Scheiben geschnitten und 100 Wafer wurde vorbereitet. Nach dem Anfasen wurde die in 4 gezeigte Schleifvorrichtung vorbereitet, wobei die Schleifvorrichtung mit Schleifblättern versehen war, die Diamantschleifkörner mit einer durchschnittlichen Körnung von 4 μm enthalten und mit einem doppelseitigen Klebeband am oberen und unteren Drehtisch einer 4-Weg-Läppmaschine mit Planetenbewegungsverfahren befestigt wurden, wobei die 4-Weg-Läppmaschine mit dem gusseisernen oberen und unteren Drehtisch bereitgestellt ist und 20 Wafer in einer Charge verarbeiten kann. Als Nächstes wurde eine Endzieldicke durch eine reflexionsinterferenzoptische Größenbestimmungsvorrichtung eingestellt, und das Schleifen wurde in fünf aufeinanderfolgenden Chargen, 20 Wafer in einer Charge, durchgeführt, wobei den Schleifblättern Wasser zugeführt wurde. Dabei wurde die Wellenlänge eines Laserlichts, das von der reflexionsinterferenzoptischen Größenbestimmungsvorrichtung ausgesendet wurde, auf 1300 nm eingestellt. Als die Oberflächenrauheit der Siliziumwafer nach dem Schleifen mit einem von der KEYANCE CORPORATION hergestellten Lasermikroskop der Serie VK-X100 mit einer Messlänge von 4 mm gemessen wurde, betrug Ra 0,2 μm. Die Dicke der Siliziumwafer nach dem Schleifen wurde mit dem kapazitiven Sensor gemessen. Die Dicke, die nach Abschluss des Schleifens beobachtet wurde, betrug in Bezug auf die Zieldicke durchschnittlich 0 μm in der ersten Charge, +0,1 μm in der zweiten Charge, +0,4 μm in der dritten Charge, –0,4 μm in der vierten Charge und –0,1 μm in der fünften Charge. Wie in Tabelle 1 angegeben, betrug die Dickenschwankung zwischen den Wafern einer Charge 0,2 μm in der zweiten, vierten und fünften Charge und 0,1 μm in der ersten und dritten Charge.
  • Als Nächstes wurde der Ätzprozess durchgeführt. Unter denselben Bedingungen wie in Beispiel 1 wurden die Siliziumwafer, die in derselben Charge geschliffen wurden, unter Verwendung einer Ätzvorrichtung, die 20 Wafer in einer Charge ätzt, in fünf aufeinanderfolgenden Chargen geätzt, 20 Wafer in einer Charge, so dass die Siliziumwafer, die in derselben Schleifcharge geschliffen wurden, in derselben Ätzcharge der Ätzverarbeitung unterzogen wurden. Nach den Ergebnissen betrug die Dickenschwankung in allen Chargen 0,2 μm.
  • Als Nächstes wurde der Doppelseiten-Polierprozess durchgeführt. Unter denselben Bedingungen wie in Beispiel 1 wurde unter Verwendung einer 4-Weg-Doppelseiten-Poliermaschine mit Planetenbewegungsverfahren, wobei die 4-Weg-Doppelseiten-Poliermaschine 20 Wafer in einer Charge polieren kann, das Spiegelpolieren auf beiden Oberflächen der 100 Siliziumwafer durch Polieren in fünf aufeinanderfolgenden Chargen so durchgeführt, dass die Wafer, die in derselben Schleifcharge geschliffen wurden, in derselben Doppelseiten-Poliercharge poliert wurden. Nachdem die so hergestellten spiegelpolierten Wafer gereinigt waren, wurde die Ebenheit der Wafer mit Hilfe von WaferSight, hergestellt von KLA-Tencor Corporation, gemessen und SFQRmax wurde bewertet. Nach den Ergebnissen betrug die Erreichungsquote von Wafern, deren SFQRmax 22 nm oder weniger betrug, 53%.
  • Es wurde bestätigt, dass in Beispiel 3 mehr spiegelpolierte Wafer mit hoher Ebenheit hergestellt werden können als in Beispiel 1 und 2.
  • (Vergleichsbeispiel)
  • Ein Siliziumeinkristallbarren mit einem Durchmesser von 300 mm wurde in Scheiben geschnitten. Nach den Anfasen wurden 100 Siliziumwafer in fünf Chargen, 20 Wafer in einer Charge, unter denselben Bedingungen wie in Beispiel 1 geläppt, und nach Abschluss des Läppens wurde die Dicke der Siliziumwafer mit dem kapazitiven Sensor gemessen. Die Dicke betrug in Bezug auf die Zieldicke durchschnittlich +2,1 um in der ersten Charge, –1,0 μm in der zweiten Charge, 0 μm in der dritten Charge, +1,2 μm in der vierten Charge und –0,8 μm in der fünften Charge. Die Dickenschwankung in einer Charge betrug 0,2 μm in der ersten und fünften Charge und 0,1 μm in den anderen drei Chargen.
  • Als Nächstes wurden 100 Siliziumwafer, die auf diese Art dem Läppen unterzogen wurden, in vier aufeinanderfolgenden Chargen in derselben Reihenfolge wie beim Läppen geätzt, indem eine Ätzvorrichtung, die 25 Wafer in einer Charge ätzt, verwendet wurde. Das heißt, die Ätzverarbeitung wurde in einer solchen Art und Weise durchgeführt, dass eine Wafergruppe die aus in verschiedenen Läppchargen geläppten Siliziumwafern gebildet wurde, in derselben Ätzcharge geätzt wurde. Als Ätzmittel wurde Ätznatron in 50-prozentiger Konzentration, erhitzt auf 80°C, verwendet. Nach Abschluss des Ätzens wurde die Dicke der Siliziumwafer mit dem kapazitiven Sensor gemessen. Als Ergebnis betrug die Dickenschwankung zwischen den Wafern einer Charge, wie in Tabelle 1 angegeben, 3,3 μm in der ersten Charge, 1,0 μm in der zweiten Charge, 1,5 μm in der dritten Charge und 2,2 μm in der vierten Charge.
  • Als Nächstes wurde Spiegelpolieren an den 100 Siliziumwafern, die auf diese Weise in 20 aufeinanderfolgenden Chargen geätzt wurden, unter Verwendung einer 4-Weg-Doppelseiten-Poliermaschine mit Planetenbewegungsverfahren, wobei die 4-Weg-Doppelseiten-Poliermaschine fünf Wafer in einer Charge verarbeiten kann, in der Reihenfolge des Läppens durchgeführt. Die anderen Bedingungen waren dieselben wie bei Beispiel 1. Nachdem das doppelseitige Polieren an allen Chargen durchgeführt war, wurden die spiegelpolierten Wafer gereinigt. Nach dem Reinigen wurde die Ebenheit der Wafer mit Hilfe von WaferSight, hergestellt von KLA-Tencor Corporation, gemessen und SFQRmax wurde bewertet. Nach den Ergebnissen betrug die Erreichungsquote spiegelpolierter Wafer, deren SFQRmax 22 nm oder weniger betrug, 24%. Im Vergleich zu den oben beschriebenen Beispielen 1 bis 3 fiel der Prozentsatz spiegelpolierter Wafer mit hoher Ebenheit bei den hergestellten spiegelpolierten Wafern unter 50%.
  • In Tabelle 1 ist die Zusammenfassung der Ergebnisse der Beispiele und des Vergleichsbeispiels aufgeführt. [Tabelle 1]
    Figure DE112014003787T5_0002
  • Es versteht sich, dass die vorliegende Erfindung keineswegs durch ihre oben beschriebene Ausführungsform beschränkt ist. Die Ausführungsform ist nur ein Beispiel und alles, was im Wesentlichen dieselbe Struktur aufweist wie der technische Gedanke, der in den Ansprüchen zitiert der vorliegenden Erfindung zitiert wird und ähnliche Funktionsweisen und Vorteile bietet, fällt in den technischen Umfang der vorliegenden Erfindung.

Claims (3)

  1. Verfahren zum Herstellen eines spiegelpolierten Wafers, wobei im Verfahren eine Vielzahl spiegelpolierter Wafer hergestellt wird, indem an einer Vielzahl von Siliziumwafern, die durch Scheibenschneiden eines Siliziumbarrens gewonnen wird, ein Schritt des Entfernens schnittbedingter Verspannung an einer Oberfläche, die durch das Scheibenschneiden verursacht wird, ein Ätzschritt zum Entfernen von Verspannung, die durch den Schritt des Entfernens schnittbedingter Verspannung verursacht wird, und ein Doppelseiten-Polierschritt des Durchführens eines Spiegelpolierens auf der Vorder- und Rückfläche der dem Ätzen unterzogenen Siliziumwafer durchgeführt werden und dabei jeder Schritt durch Chargenverarbeitung durchgeführt wird, wobei die Siliziumwafer, die im Doppelseiten-Polierschritt durch Chargenverarbeitung verarbeitet werden, aus den Siliziumwafern, die im Schritt des Entfernens schnittbedingter Verspannung in einer selben Charge verarbeitet wurden, ausgewählt werden und eine Anzahl der auszuwählenden Siliziumwafer so festgelegt wird, dass sie gleich einer Anzahl der Siliziumwafer ist, die im Schritt des Entfernens schnittbedingter Verspannung verarbeitet wurden, oder ein Teiler davon ist, und durch Auswählen aller Siliziumwafer, die im Schritt des Entfernens schnittbedingter Verspannung in einer Charge oder einer Vielzahl von Chargen verarbeitet werden, als die Siliziumwafer, die im Ätzschritt durch Chargenverarbeitung verarbeitet werden, wobei eine Anzahl der auszuwählenden Siliziumwafer so festgelegt wird, dass sie gleich einer Anzahl der Siliziumwafer ist, die im Schritt des Entfernens schnittbedingter Verspannung verarbeitet wurden, oder ein Vielfaches davon ist
  2. Verfahren zum Herstellen eines spiegelpolierten Wafers nach Anspruch 1, wobei im Schritt des Entfernens schnittbedingter Verspannung eine Verspannung an der Oberfläche der Siliziumwafer entfernt wird, indem die Siliziumwafer mit einem Bearbeitungsfluid, das freie Schleifkörner enthält, geläppt werden, wobei eine Dicke der Siliziumwafer durch eine kristallartige Größenbestimmungsvorrichtung gemessen wird.
  3. Verfahren zum Herstellen eines spiegelpolierten Wafers nach Anspruch 1, wobei im Schritt des Entfernens schnittbedingter Verspannung eine Verspannung an der Oberfläche der Siliziumwafer durch Durchführen von Schleifen entfernt wird, indem die Vorder- und Rückfläche der Siliziumwafer in Kontakt mit Schleifblättern mit daran gebundenen Schleifkörnern gleiten gelassen werden, wobei die Schleifkörner eine Körnung aufweisen, die das Durchführen von Schleifen ermöglicht, durch das die Oberflächenrauheit Ra der Siliziumwafer 0,3 μm oder weniger wird, wobei Wasser zugeführt wird und die Dicke der Siliziumwafer durch eine reflexionsinterferenzoptische Größenbestimmungsvorrichtung gemessen wird.
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