JPWO2016125404A1 - 炭化ケイ素半導体装置の製造方法及び炭化ケイ素半導体装置 - Google Patents

炭化ケイ素半導体装置の製造方法及び炭化ケイ素半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2016125404A1
JPWO2016125404A1 JP2016573204A JP2016573204A JPWO2016125404A1 JP WO2016125404 A1 JPWO2016125404 A1 JP WO2016125404A1 JP 2016573204 A JP2016573204 A JP 2016573204A JP 2016573204 A JP2016573204 A JP 2016573204A JP WO2016125404 A1 JPWO2016125404 A1 JP WO2016125404A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
silicon carbide
semiconductor device
sic
epitaxial film
sacrificial oxide
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2016573204A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6361747B2 (ja
Inventor
正行 宮崎
正行 宮崎
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Co Ltd filed Critical Fuji Electric Co Ltd
Publication of JPWO2016125404A1 publication Critical patent/JPWO2016125404A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6361747B2 publication Critical patent/JP6361747B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B33/005—Oxydation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
    • B24B37/10—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for single side lapping
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/11—Lapping tools
    • B24B37/20—Lapping pads for working plane surfaces
    • B24B37/24—Lapping pads for working plane surfaces characterised by the composition or properties of the pad materials
    • B24B37/245—Pads with fixed abrasives
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/32—Carbides
    • C23C16/325—Silicon carbide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/56—After-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • C30B25/186—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate being specially pre-treated by, e.g. chemical or physical means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/18—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate
    • C30B25/20—Epitaxial-layer growth characterised by the substrate the substrate being of the same materials as the epitaxial layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/36—Carbides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B33/02—Heat treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B33/08—Etching
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B33/08—Etching
    • C30B33/10—Etching in solutions or melts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02041—Cleaning
    • H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
    • H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
    • H01L21/02227—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process
    • H01L21/0223—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate
    • H01L21/02233—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer
    • H01L21/02236—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a process other than a deposition process formation by oxidation, e.g. oxidation of the substrate of the semiconductor substrate or a semiconductor layer group IV semiconductor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02378—Silicon carbide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02529—Silicon carbide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30604—Chemical etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
    • H01L29/1608—Silicon carbide
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02656—Special treatments
    • H01L21/02664—Aftertreatments

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Recrystallisation Techniques (AREA)

Abstract

ＳｉＣ基板上に形成されるＳｉＣエピタキシャル膜の欠陥を低減できるＳｉＣ半導体装置の製造方法、及びそれによって得られるＳｉＣ半導体装置を提供する。ＳｉＣ基板上にＳｉＣエピタキシャル膜を形成する工程（Ａ）と、該エピタキシャル膜の表面を化学機械研磨して、算術平均表面粗さＲａが０．３ｎｍ以下となるまで平坦化処理する工程（Ｂ）と、前記エピタキシャル膜の表面を熱酸化して犠牲酸化膜を形成する工程（Ｃ）と、該犠牲酸化膜を除去する工程（Ｄ）と、前記犠牲酸化膜を除去したエピタキシャル膜の表面を純水で洗浄する工程（Ｅ）とを含む、ＳｉＣ半導体装置の製造方法を用いる。

Description

本発明は、炭化ケイ素半導体装置の製造方法、及び炭化ケイ素半導体装置に関するもので、より詳細には、炭化ケイ素基板上に形成された炭化ケイ素エピタキシャル膜の欠陥数を低減する方法に関する。
従来のパワー半導体装置はシリコン基板上に形成されていたが、シリコン材料では物性的に性能限界に近づきつつあり、基板耐圧が高く、電力損失が低く、高温動作と高周波動作が可能な炭化ケイ素（ＳｉＣ）半導体装置が注目されている。ＳｉＣ半導体装置は、低抵抗のＳｉＣ基板を下地として、その上にＳｉＣエピタキシャル膜を形成し、不純物をイオン注入して、デバイス構造を作り込む方法が一般的である。
ＳｉＣには、ＳｉとＣの結合時の周期構造の違いにより、２Ｈ、３Ｃ、４Ｈ、６Ｈ、１５Ｒなどのポリタイプ（結晶多形）が多く存在し、結晶成長中に不整合が発生し易いという問題がある。このため、ＳｉＣ単結晶の作製時には、異種ポリタイプの結晶混在が避けられず、結晶不整合による転位等の結晶欠陥が多数存在する。ＳｉＣ基板上にＳｉＣエピタキシャル膜を形成すると、ＳｉＣ基板表面の貫通螺旋転位や貫通刃状転位などがそのままの形態で、あるいは基底面転位やキャロット欠陥に転換されて、エピタキシャル膜に伝搬し、エピタキシャル膜の欠陥となる可能性がある。
一方、ＳｉＣエピタキシャル膜には、下地起因ではない欠陥も存在する。例えば、成膜によって生じるステップバンチング、他にはダウンホールと呼ばれるエピタキシャル成長中にウエハ表面に異物が付着することによって生じる欠陥などがある。
ＳｉＣエピタキシャル膜中に結晶欠陥があると、製造されたＳｉＣ半導体装置において漏れ電流異常や耐圧不良となるため、製品歩留まりが低下する。
下記の特許文献１〜５には、エピタキシャル膜形成前にＳｉＣ基板表面に対して実施される欠陥低減方法が開示されている。また、特許文献６には、ＳｉＣ基板上にＳｉＣエピタキシャル膜を形成し、該エピタキシャル膜の表面粗さＲａが１ｎｍ以上になるまで加熱し、次いでＲａが０．５ｎｍ未満になるまで平坦化処理する、エピタキシャル膜の欠陥低減方法が開示されている。
特開２００５−３１１３４８号公報 特開２００６−３２６５５号公報 特開２００８−２３０９４４号公報 特開２０１０−１８２７８２号公報 国際公開２０１０／０９００２４号 特開２００８−２２２５０９号公報
しかしながら、特許文献１〜５に記載された方法には、下地起因ではないエピタキシャル膜の欠陥は除去できない、という問題がある。一方、特許文献６に記載された方法には、副作用としてステップバンチングを生じる、という問題がある。
よって、本発明の目的は、炭化ケイ素基板上に形成される炭化ケイ素エピタキシャル膜の欠陥を低減できる炭化ケイ素半導体装置の製造方法、及びそれによって得られる炭化ケイ素半導体装置を提供することにある。
上記目的を達成するため、本発明の炭化ケイ素半導体装置の製造方法は、炭化ケイ素基板上に炭化ケイ素のエピタキシャル膜を形成する工程（Ａ）と、該エピタキシャル膜の表面を化学機械研磨して、算術平均表面粗さＲａが０．３ｎｍ以下となるまで平坦化処理する工程（Ｂ）と、前記エピタキシャル膜の表面を熱酸化して犠牲酸化膜を形成する工程（Ｃ）と、該犠牲酸化膜を除去する工程（Ｄ）と、前記犠牲酸化膜を除去したエピタキシャル膜の表面を脱イオン水で洗浄する工程（Ｅ）と、を含むことを特徴とする。
本発明によれば、エピタキシャル膜の成長中に発生した欠陥を化学機械研磨で除去し、更に化学機械研磨による加工ダメージを犠牲酸化膜と共に除去することができる。
本発明の炭化ケイ素半導体装置の製造方法において、前記工程（Ａ）に用いられる炭化ケイ素基板は、化学機械研磨によって、算術平均表面粗さＲａが１ｎｍ以下に平坦化されていることが好ましい。
上記態様によれば、炭化ケイ素基板の表面に露出している欠陥をエピタキシャル膜成長前に除くことにより、炭化ケイ素基板の結晶欠陥を起点とするエピタキシャル膜の欠陥数を低減することができる。
本発明の炭化ケイ素半導体装置の製造方法において、前記工程（Ｂ）の前記エピタキシャル膜の研磨量が０．３μｍ以上１μｍ以下であることが好ましい。
上記態様によれば、エピタキシャル膜の欠陥、特に欠陥の大多数を占めるピット状の欠陥を除去することができる。
本発明の炭化ケイ素半導体装置の製造方法において、前記工程（Ｃ）の前記犠牲酸化膜の厚さが２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下であることが好ましい。
上記態様によれば、化学機械研磨による加工ダメージを除くことができる。
本発明の炭化ケイ素半導体装置の製造方法において、前記工程（Ｃ）の前記犠牲酸化膜の形成温度が８００℃以上１３５０℃以下であることが好ましい。
上記態様によれば、犠牲酸化膜の膜厚を正確に制御できる。
本発明の炭化ケイ素半導体装置の製造方法において、前記工程（Ｄ）の前記犠牲酸化膜をフッ化水素酸を含む水溶液で除去することが好ましい。
上記態様によれば、炭化ケイ素エピタキシャル層に対して、選択的に犠牲酸化膜を除去できるので、犠牲酸化前の滑らかな表面粗さを維持できる。
本発明の炭化ケイ素半導体装置は、上記のいずれかの方法によって製造された炭化ケイ素半導体装置であることが好ましい。
エピタキシャル膜の欠陥数を低減することにより、信頼性と電気特性に優れた炭化ケイ素半導体装置を高歩留まりで生産することができる。
本発明によれば、エピタキシャル膜の成長中に発生した結晶欠陥を化学機械研磨で除去し、化学機械研磨による加工ダメージを犠牲酸化膜と共に除去することができる。エピタキシャル膜の欠陥数を低減することによって、信頼性と電気特性に優れた炭化ケイ素半導体装置を高歩留まりで生産することができる。
本発明のＳｉＣ半導体装置の製造方法の一実施形態を表す工程図である。 実施例に係るＳｉＣエピタキシャル膜の欠陥マップを表す図である。 比較例に係るＳｉＣエピタキシャル膜の欠陥マップを表す図である。 実施例に係るＳｉＣエピタキシャル膜表面の原子間力顕微鏡の画像である。 比較例に係るＳｉＣエピタキシャル膜表面の原子間力顕微鏡の画像である。
本発明のＳｉＣ半導体装置の製造方法は、
（Ａ）ＳｉＣエピタキシャル膜の形成工程と、
（Ｂ）化学機械研磨（ＣＭＰ）工程と、
（Ｃ）犠牲酸化膜の形成工程と、
（Ｄ）犠牲酸化膜の除去工程と、
（Ｅ）洗浄工程とを、
上記に記載された順に含む製造工程から構成されていることを特徴とする。
ただし、上記各工程の前後に、他の工程を挿入してもよい。例えば、工程（Ａ）の前に化学機械研磨工程を挿入して、ＳｉＣ基板の平坦性を高めることができる。あるいは、工程（Ａ）の前に反応性プラズマを照射する工程を挿入して、ＳｉＣ基板の表面をクリーニングすることができる。また、工程（Ｂ）の後にスクラブ洗浄を挿入して、ＳｉＣエピタキシャル膜の表面に付着した研磨剤を除去することができる。
図１に上記工程フローを模式的に図示した。工程（Ａ）においてＳｉＣ基板１の上にＳｉＣエピタキシャル膜２を形成し、工程（Ｂ）においてＳｉＣエピタキシャル膜２を化学機械研磨し、工程（Ｃ）において犠牲酸化膜３を形成し、工程（Ｄ）において犠牲酸化膜３を除去し、工程（Ｅ）において脱イオン水（ＤＩＷ）で洗浄している。工程（Ａ）で発生した欠陥４は、工程（Ｂ）の化学機械研磨によって除去されている。
［ＳｉＣ基板］
本発明に用いられるＳｉＣ基板は、特に限定されず、例えば昇華法あるいは化学気相成長（ＣＶＤ）法によって得られたバルク結晶をスライスしたものを用いることができる。
ＳｉＣ単結晶のポリタイプは、特に限定されず、例えば４Ｈ−ＳｉＣ、６Ｈ−ＳｉＣ、３Ｃ−ＳｉＣなどが挙げられるが、パワー半導体装置では、絶縁耐圧及びキャリア移動度が高い４Ｈ−ＳｉＣが好ましく用いられる。エピタキシャル成長を行う基板主面は、特に限定されず、例えば４Ｈ−ＳｉＣ基板では、（０００１）Ｓｉ面、（０００１）Ｃ面などが挙げられる。
また、エピタキシャル成長の際にポリタイプの混入を防ぐため、［０００１］方向に対して１〜１２°のオフ角を有するオフ基板であることが好ましく、４°又は８°のオフ角で傾斜させて切り出された基板がより好ましい。
また、ＳｉＣ基板の表面は、算術平均表面粗さＲａが１ｎｍ以下となるように平坦化されていることが好ましい。例えば、ＳｉＣエピタキシャル膜を形成する前に、ＳｉＣ基板の表面を化学機械研磨することができる。このような態様によれば、ＳｉＣ基板表面からＳｉＣエピタキシャル膜に伝搬する欠陥数を低減することができる。
［ＳｉＣエピタキシャル膜の形成工程］
ＳｉＣ基板上にＳｉＣエピタキシャル膜を形成する方法は、特に限定されず、例えば、減圧ＣＶＤ法、あるいは常圧ＣＶＤ法によっても形成できる。
原料ガスにおける、Ｓｉの供給源としてはモノシラン、ジクロロシランなどが挙げられ、Ｃの供給源としてはプロパン、メタンなどが挙げられる。また、ｎ型ドーパントガスとして窒素、アンモニア等、ｐ型ドーパントガスとしてトリメチルアルミニウム等を適宜添加することができる。また、上記ガスを希釈するため、キャリアガスとして水素、アルゴン等を用いることができる。
ＣＶＤ温度は、１４００℃以上１８００℃以下が好ましく、１５００℃以上１７５０℃以下がより好ましい。１５００℃未満であると成長速度が遅く、１７５０℃よりも高いと表面欠陥が発生するため好ましくない。減圧ＣＶＤ法による場合は、ＣＶＤ圧力は０Ｐａ以上２０Ｐａ以下が好ましく、１Ｐａ以上１５Ｐａ以下がより好ましい。
ＳｉＣエピタキシャル膜を形成するためのＣＶＤ装置は、特に限定されず、例えば、水冷２重円筒管内にグラファイトで形成されたホットウォールを有し誘導コイルで加熱する方式等が挙げられる。
なお、ＳｉＣエピタキシャル膜を形成する際に、前処理としてＳｉＣ基板の表面をガスエッチングしてもよい。例えば、１０００℃以上に加熱されたＳｉＣ基板に塩化水素ガスを接触させて、ＳｉＣ表面をエッチングし、表面欠陥を低減することができる。
［化学機械研磨工程］
本発明においては、化学機械研磨によって、ＳｉＣエピタキシャル膜の算術平均表面粗さＲａが０．３ｎｍ以下となるように平坦化することができる。ＳｉＣエピタキシャル膜のＲａが０．３ｎｍよりも大きいと、ＳｉＣエピタキシャル膜上に形成されるゲート酸化膜はピンホールや界面準位の多い膜となり、信頼性やデバイス性能が低下するので好ましくない。
また、ＳｉＣエピタキシャル膜の研磨量は、０．３μｍ以上１μｍ以下であることが好ましい。このように研磨すれば、ＳｉＣエピタキシャル膜の欠陥、特に欠陥の大多数を占めるピット状の欠陥を除去することができる。
ＳｉＣエピタキシャル膜の表面を化学機械研磨する方法は、特に限定されず、例えば、固定砥粒を用いる化学機械研磨法、軟質の研磨パッドと研磨剤溶液を用いる化学機械研磨法、あるいは固定砥粒を用いて研磨した後に軟質の研磨パッドと研磨剤溶液を用いる化学機械研磨法であってもよい。研磨パッド及び研磨剤溶液は市販のものを使用することができる。
［犠牲酸化膜の形成工程］
本発明においては、化学機械研磨によって導入されたＳｉＣエピタキシャル膜の加工ダメージを除去するために、ＳｉＣエピタキシャル膜の表面を熱酸化して厚さ２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下の犠牲酸化膜を形成することができる。ここで、加工ダメージとは、ＳｉＣエピタキシャル膜の表面が砥粒や研磨パッドに擦られることによって生じる、微細な傷や、結晶格子の乱れ、及び異物固着のことを意味し、これらの加工ダメージは、犠牲酸化膜の成長に伴ない、犠牲酸化膜中に吸収されて消失するか、分解されて昇華するため、犠牲酸化膜の下には結晶性のよいＳｉＣエピタキシャル膜を残こすことができる。
犠牲酸化膜を形成する方法は、特に限定されず、例えば８００℃以上１３５０℃以下において、水蒸気を含む酸化性ガスを流通するウェット酸化法、又は乾燥した酸素を含む酸化性ガスを流通するドライ酸化法を用いることができる。この際、金属汚染を積極的に除くために、上記酸化性ガスにハロゲン元素を含むガス（例えば、塩化水素）を混合してもよい。
また、熱酸化の前に、ＳｉＣエピタキシャル膜を、アンモニア水と過酸化水素水を混合した水溶液、塩酸と過酸化水素水を混合した水溶液、又はフッ化水素酸を含む水溶液で洗浄してもよい。このようにすれば、有機物や金属汚染が少ない状態で、ＳｉＣエピタキシャル膜を酸化することができる。
［犠牲酸化膜の除去工程］
犠牲酸化膜は、ＳｉＣエピタキシャル膜の欠陥を吸収しながら成長した、ピンホールやトラップ準位の多い膜であるため、ゲート絶縁膜やアイソレーション膜として使用することは好ましくない。そこで、本発明においては、ＳｉＣエピタキシャル膜を熱酸化して形成した犠牲酸化膜を、例えばフッ化水素酸を含む水溶液に浸漬して選択的に除去することができる。ＳｉＣはフッ化水素酸には溶解しないため、犠牲酸化前の滑らかな表面粗さが維持され、この上に高品質のゲート絶縁膜を形成することができる。
［洗浄工程］
本発明においては、犠牲酸化膜を除去した後に脱イオン水（ＤＩＷ）で流水洗浄し、その後乾燥して、清浄表面を得ることができる。乾燥方法は、特に限定されず、例えばスピン乾燥、イソプロピルアルコール蒸気乾燥などを用いることができる。
［ＳｉＣ半導体装置の製造］
上記工程によって得られた、欠陥数が少ないＳｉＣエピタキシャル膜を有するＳｉＣ基板を用いて、ＳｉＣ半導体装置を製造することができる。
このようにして製造されたＳｉＣ半導体装置は、ピンホールがなく、界面準位が少ないゲート絶縁膜を有し、絶縁耐圧が高く、漏れ電流が少なく、飽和電流が大きい、信頼性と性能に優れている。
［実施例］
ＳｉＣ基板（ポリタイプ４Ｈ、４°オフ基板）の表面を化学機械研磨し、原子間力顕微鏡によって算術平均表面粗さＲａを測定した。次に、減圧ＣＶＤ法によって膜厚１０μｍのＳｉＣエピタキシャル膜を形成した後、化学機械研磨によりＳｉＣエピタキシャル膜を表面から５０ｎｍの深さまで研磨除去した。この後、コンフォーカル顕微鏡を用いた表面欠陥検査装置によって欠陥マップを取得し、さらに原子間力顕微鏡によって、ＳｉＣエピタキシャル膜の算術平均表面粗さＲａを測定した。
［比較例］
ＳｉＣ基板（ポリタイプ４Ｈ、４°オフ基板）の表面を化学機械研磨し、原子間力顕微鏡によって算術平均表面粗さＲａを測定した。次に、減圧ＣＶＤ法によって膜厚１０μｍのＳｉＣエピタキシャル膜を形成した後、コンフォーカル顕微鏡を用いた表面欠陥検査装置によって欠陥マップを取得し、さらに原子間力顕微鏡によって、ＳｉＣエピタキシャル膜の算術平均表面粗さＲａを測定した。
図２，３に、取得した欠陥マップを示す。ＳｉＣエピタキシャル膜の欠陥は黒い点で示されている。ＳｉＣエピタキシャル膜形成後に化学機械研磨しなかった比較例（図３）に対し、化学機械研磨した実施例（図２）では、欠陥数が劇的に減少している。
図４，５に、原子間力顕微鏡によって測定したＳｉＣエピタキシャル膜の表面凹凸画像を示す。ＳｉＣエピタキシャル膜形成後に化学機械研磨しなかった比較例（図５）ではＲａは１．０ｎｍであったが、化学機械研磨した実施例（図４）ではＲａが０．２５４ｎｍまで低減されており、目標値の０．３ｎｍ以下を実現している。
１：ＳｉＣ基板
２：ＳｉＣエピタキシャル膜
３：犠牲酸化膜
４：欠陥
一方、ＳｉＣエピタキシャル膜には、下地起因ではない欠陥も存在する。例えば、成膜によって生じるステップバンチング、他にはダウンフォールと呼ばれるエピタキシャル成長中にウエハ表面に異物が付着することによって生じる欠陥などがある。
ＳｉＣ単結晶のポリタイプは、特に限定されず、例えば４Ｈ−ＳｉＣ、６Ｈ−ＳｉＣ、３Ｃ−ＳｉＣなどが挙げられるが、パワー半導体装置では、絶縁耐圧及びキャリア移動度が高い４Ｈ−ＳｉＣが好ましく用いられる。エピタキシャル成長を行う基板主面は、特に限定されず、例えば４Ｈ−ＳｉＣ基板では、（０００１）Ｓｉ面、（０００−１）Ｃ面などが挙げられる。
本発明においては、犠牲酸化膜を除去した後に、基板を脱イオン水（ＤＩＷ）で流水洗浄し、その後乾燥して、清浄表面を得ることができる。基板の乾燥方法は、特に限定されず、例えばスピン乾燥、イソプロピルアルコール蒸気乾燥などを用いることができる。

Claims (7)

  1. 炭化ケイ素基板上に炭化ケイ素のエピタキシャル膜を形成する工程（Ａ）と、
    該エピタキシャル膜の表面を化学機械研磨して、算術平均表面粗さＲａが０．３ｎｍ以下となるまで平坦化処理する工程（Ｂ）と、
    前記エピタキシャル膜の表面を熱酸化して犠牲酸化膜を形成する工程（Ｃ）と、
    該犠牲酸化膜を除去する工程（Ｄ）と、
    前記犠牲酸化膜を除去したエピタキシャル膜の表面を脱イオン水で洗浄する工程（Ｅ）と、
    を含む、炭化ケイ素半導体装置の製造方法。
  2. 前記工程（Ａ）に用いられる炭化ケイ素基板は、化学機械研磨によって、算術平均表面粗さＲａが１ｎｍ以下に平坦化されている請求項１に記載の炭化ケイ素半導体装置の製造方法。
  3. 前記工程（Ｂ）において、
    前記エピタキシャル膜の研磨量が０．３μｍ以上１μｍ以下である請求項１記載の炭化ケイ素半導体装置の製造方法。
  4. 前記工程（Ｃ）において、
    前記犠牲酸化膜の厚さが２０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である請求項１記載の炭化ケイ素半導体装置の製造方法。
  5. 前記工程（Ｃ）において、
    前記犠牲酸化膜の形成温度が８００℃以上１３５０℃以下である請求項１記載の炭化ケイ素半導体装置の製造方法。
  6. 前記工程（Ｄ）において、
    前記犠牲酸化膜をフッ化水素酸を含む水溶液で除去する請求項１記載の炭化ケイ素半導体装置の製造方法。
  7. 前記請求項１〜６のいずれか一項に記載された方法によって製造された炭化ケイ素半導体装置。
JP2016573204A 2015-02-02 2015-12-16 炭化ケイ素半導体装置の製造方法及び炭化ケイ素半導体装置 Expired - Fee Related JP6361747B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015018481 2015-02-02
JP2015018481 2015-02-02
PCT/JP2015/085248 WO2016125404A1 (ja) 2015-02-02 2015-12-16 炭化ケイ素半導体装置の製造方法及び炭化ケイ素半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2016125404A1 true JPWO2016125404A1 (ja) 2017-04-27
JP6361747B2 JP6361747B2 (ja) 2018-07-25

Family

ID=56563761

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016573204A Expired - Fee Related JP6361747B2 (ja) 2015-02-02 2015-12-16 炭化ケイ素半導体装置の製造方法及び炭化ケイ素半導体装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US10208400B2 (ja)
JP (1) JP6361747B2 (ja)
CN (1) CN106536793B (ja)
DE (1) DE112015002906B4 (ja)
WO (1) WO2016125404A1 (ja)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11189518B2 (en) * 2019-11-15 2021-11-30 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Method of processing a semiconductor wafer
CN111403273B (zh) * 2020-03-12 2022-06-14 上海华力集成电路制造有限公司 晶圆减薄工艺方法
TWI716304B (zh) * 2020-03-30 2021-01-11 環球晶圓股份有限公司 碳化矽晶片的表面加工方法
IT202000016279A1 (it) * 2020-07-06 2022-01-06 St Microelectronics Srl Procedimento di fabbricazione di un dispositivo semiconduttore in carburo di silicio con migliorate caratteristiche
CN112259451B (zh) * 2020-09-22 2022-11-29 山东天岳先进科技股份有限公司 一种碳化硅晶片的位错识别方法及碳化硅晶片与应用

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008222509A (ja) * 2007-03-14 2008-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd ＳｉＣエピタキシャル膜付き単結晶基板の製造方法
JP2012004270A (ja) * 2010-06-16 2012-01-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 炭化珪素半導体の洗浄方法、炭化珪素半導体および炭化珪素半導体装置
JP2012248859A (ja) * 2012-07-17 2012-12-13 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
JP2013063891A (ja) * 2011-08-31 2013-04-11 Rohm Co Ltd ＳｉＣエピタキシャルウエハおよびそれを用いたＳｉＣ半導体素子
WO2016063632A1 (ja) * 2014-10-23 2016-04-28 住友電気工業株式会社 炭化珪素基板およびその製造方法
JP2016127177A (ja) * 2015-01-06 2016-07-11 住友電気工業株式会社 炭化珪素基板、炭化珪素半導体装置および炭化珪素基板の製造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1446263B1 (en) 2001-11-20 2008-12-24 Rensselaer Polytechnic Institute Method for polishing a substrate surface
JP5285202B2 (ja) * 2004-03-26 2013-09-11 一般財団法人電力中央研究所 バイポーラ型半導体装置およびその製造方法
EP1739726A4 (en) 2004-03-26 2009-08-26 Kansai Electric Power Co BIPOLAR SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
JP2006032655A (ja) 2004-07-16 2006-02-02 Kyoto Univ 炭化珪素基板の製造方法
JP4293165B2 (ja) * 2005-06-23 2009-07-08 住友電気工業株式会社 炭化ケイ素基板の表面再構成方法
JP5213095B2 (ja) * 2007-03-23 2013-06-19 学校法人関西学院 単結晶炭化ケイ素基板の表面平坦化方法、単結晶炭化ケイ素基板の製造方法、及び単結晶炭化ケイ素基板
JP5267177B2 (ja) 2009-02-04 2013-08-21 日立金属株式会社 炭化珪素単結晶基板の製造方法
WO2010090024A1 (ja) * 2009-02-04 2010-08-12 日立金属株式会社 炭化珪素単結晶基板およびその製造方法
DE102009030296B4 (de) 2009-06-24 2013-05-08 Siltronic Ag Verfahren zur Herstellung einer epitaxierten Siliciumscheibe
JP5459585B2 (ja) 2009-06-29 2014-04-02 日立金属株式会社 炭化珪素単結晶基板およびその製造方法
US8653533B2 (en) * 2009-09-07 2014-02-18 Rohm Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
US8445386B2 (en) 2010-05-27 2013-05-21 Cree, Inc. Smoothing method for semiconductor material and wafers produced by same
DE112012004193T5 (de) 2011-10-07 2014-07-03 Asahi Glass Co., Ltd. Siliziumcarbid-Einkristallsubstrat und Polierlösung
JP2016063190A (ja) * 2014-09-22 2016-04-25 住友電気工業株式会社 炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法、炭化珪素エピタキシャル基板および炭化珪素半導体装置
DE102015201606A1 (de) 2015-01-30 2016-08-04 Schaeffler Technologies AG & Co. KG Kupplungseinrichtung

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008222509A (ja) * 2007-03-14 2008-09-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd ＳｉＣエピタキシャル膜付き単結晶基板の製造方法
JP2012004270A (ja) * 2010-06-16 2012-01-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 炭化珪素半導体の洗浄方法、炭化珪素半導体および炭化珪素半導体装置
JP2013063891A (ja) * 2011-08-31 2013-04-11 Rohm Co Ltd ＳｉＣエピタキシャルウエハおよびそれを用いたＳｉＣ半導体素子
JP2012248859A (ja) * 2012-07-17 2012-12-13 Hitachi Ltd 半導体装置の製造方法
WO2016063632A1 (ja) * 2014-10-23 2016-04-28 住友電気工業株式会社 炭化珪素基板およびその製造方法
JP2016127177A (ja) * 2015-01-06 2016-07-11 住友電気工業株式会社 炭化珪素基板、炭化珪素半導体装置および炭化珪素基板の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US10208400B2 (en) 2019-02-19
JP6361747B2 (ja) 2018-07-25
CN106536793A (zh) 2017-03-22
US20170121850A1 (en) 2017-05-04
WO2016125404A1 (ja) 2016-08-11
DE112015002906T5 (de) 2017-03-02
DE112015002906B4 (de) 2022-12-22
CN106536793B (zh) 2019-04-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6361747B2 (ja) 炭化ケイ素半導体装置の製造方法及び炭化ケイ素半導体装置
JP6122704B2 (ja) ＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法
JP6311384B2 (ja) 炭化珪素半導体装置の製造方法
JP6904899B2 (ja) 昇華による大径シリコンカーバイド結晶の製造方法及び関連する半導体ｓｉｃウェハ
JP5018066B2 (ja) 歪Ｓｉ基板の製造方法
Deng et al. Plasma-assisted polishing of gallium nitride to obtain a pit-free and atomically flat surface
JP5839069B2 (ja) 炭化珪素単結晶基板、炭化珪素エピタキシャル基板およびこれらの製造方法
WO2011074453A1 (ja) ＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法
JP2011049496A (ja) ＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法
JP5572085B2 (ja) Ｓｏｉウェーハの製造方法
JP2009218575A (ja) 半導体基板の製造方法
JP5384714B2 (ja) ＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法
JP2010111540A (ja) 炭化珪素単結晶の結晶成長方法、種結晶及び炭化珪素単結晶
JP2013149733A (ja) 半導体基板及び半導体基板の製造方法
JP2006032655A (ja) 炭化珪素基板の製造方法
JP6381229B2 (ja) 炭化珪素エピタキシャルウエハの製造方法
CN106169497B (zh) 碳化硅基板以及碳化硅基板的制造方法
JP5604577B2 (ja) ＳｉＣエピタキシャルウェハ
JP4700652B2 (ja) 層構造の製造方法
JP2020202289A (ja) ＳｉＣエピタキシャルウェハの製造方法
JP2018067736A (ja) 炭化珪素半導体装置及びその製造方法
JP2016052991A (ja) 炭化珪素単結晶基板、炭化珪素エピタキシャル基板およびこれらの製造方法
JP6421505B2 (ja) サファイア基板の製造方法
JPWO2019044841A1 (ja) 炭化珪素エピタキシャル基板
JP2012142597A (ja) ＳｉＣエピタキシャルウェハ及びその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161227

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20161227

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20180227

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20180424

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20180529

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20180611

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6361747

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees