JPWO2019044841A1 - 炭化珪素エピタキシャル基板 - Google Patents
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Abstract
Description
最初に本開示の実施態様を列記して説明する。以下の説明では、同一または対応する要素には同一の符号を付し、それらについて同じ説明は繰り返さない。また本明細書の結晶学的記載においては、個別方位を[]、集合方位を<>、個別面を()、集合面を{}でそれぞれ示している。ここで結晶学上の指数が負であることは、通常、数字の上に”−”(バー)を付すことによって表現されるが、本明細書では数字の前に負の符号を付すことによって結晶学上の負の指数を表現している。また、本開示のエピタキシャル成長は、ホモエピタキシャル成長である。
以下、本開示の一実施形態(以下「本実施形態」と記す)について詳細に説明するが、本実施形態はこれらに限定されるものではない。
以下、本実施形態における炭化珪素エピタキシャル基板100について説明する。
上述した斜め線欠陥とらせん転位のピットとのペアについて、図2から図5に基づき説明する。図2は、炭化珪素エピタキシャル基板100の上面図であり、図3は斜視図であり、図4は断面図であり、図5は図4に示す断面の拡大図である。上述した斜め線欠陥111とらせん転位のピット112とのペアは、炭化珪素エピタキシャル基板100の表面において離れて存在しているが、図3及び図4等に示されるように、炭化珪素単結晶基板10に発生している細長い積層欠陥101の端より生じている。細長い積層欠陥101は、幅Wsが約0.5μmである幅の狭い積層欠陥である。
次に、斜め線欠陥111が発生する原因について説明する。上記のように、炭化珪素エピタキシャル基板100の表面100Aに生じる斜め線欠陥111は、炭化珪素エピタキシャル層11が形成される前の炭化珪素単結晶基板10に発生している細長い積層欠陥101に起因して生じる。この細長い積層欠陥101は、上記のように幅Wsが約0.5μmの積層欠陥であり、炭化珪素単結晶基板10を形成する際に生じるらせん転位に起因して発生するものと考えられる。
上記のように、昇華法により炭化珪素単結晶基板10を作製した場合には、炭化珪素単結晶基板10には、細長い積層欠陥101が含まれる場合がある。本実施形態は、このような炭化珪素単結晶基板10を用いて製造される炭化珪素エピタキシャル基板であり、炭化珪素エピタキシャル層11に生じるらせん転位112aのピット112と斜め線欠陥111とのペアが2個/cm2以下である。
炭化珪素単結晶基板10の研磨は、図12に示すような研磨装置300を用いて行う。この研磨装置300は、定盤310、ホルダ320、研磨液供給部330等を有している。定盤310は、円盤状の形状を有する本体部311と、本体部311の中心311aを軸に本体部311を回転させる回転軸312とを有しており、本体部311の一方の面には、研磨布313が設けられており、研磨面となっている。従って、回転軸312は、本体部311の他方の面に設けられており、モータ等の不図示の回転機構部により回転軸312を破線矢印12Aに示す向きに回転させることにより定盤310を回転させることができる。
次に、本実施形態における炭化珪素エピタキシャル基板を製造するための成膜装置について図13及び図14に基づき説明する。図13は、本実施形態に用いられる成膜装置の構成の一例を示す模式的な断面図であり、図14は、この成膜装置のチャンバの内部を上面より見た上面図である。図13及び図14に示される成膜装置400は、横型ホットウォールCVD(chemical vapor deposition)装置である。図13に示されるように、成膜装置400は、誘導加熱コイル403と、石英管404と、断熱材405と、発熱体406とを備えている。発熱体406は、たとえばカーボン製である。発熱体406は、角筒形状となるように一体で形成されており、角筒形状の発熱体406の内部には、2つの平坦部が互いに対向するように形成されている。2つの平坦部に取り囲まれた空間が、チャンバ401となっている。チャンバ401は、「ガスフローチャネル」とも呼ばれる。図14に示されるように、チャンバ401内の回転サセプタ408の上には、複数、例えば、3枚の炭化珪素単結晶基板10を載置することのできる基板ホルダ407が設置されている。
本実施形態の炭化珪素エピタキシャル基板の製造方法について、図15に基づき説明する。
次に、本実施形態における炭化珪素エピタキシャル基板の実施例となる試料1〜4の炭化珪素エピタキシャル基板について説明する。下記の表1には、試料1〜4の炭化珪素エピタキシャル基板において、炭化珪素単結晶基板10のらせん転位の密度(A)、炭化珪素エピタキシャル層11の表面11Aのピット112と斜め線欠陥111のペアの密度(B)を示す。更に、炭化珪素単結晶基板10のらせん転位の密度(A)に対する炭化珪素エピタキシャル層11の表面11Aのピット112と斜め線欠陥111のペアの密度(B)の割合(B/A)についても併せて記載する。
10A 主面
10B 裏面
11 炭化珪素エピタキシャル層
11A 表面
100 炭化珪素エピタキシャル基板
100A 表面
101 細長い積層欠陥
111 斜め線欠陥
111a 積層欠陥
112 ピット
112a らせん転位
210 種結晶となる炭化珪素単結晶基板
211 らせん転位
220 炭化珪素単結晶
221、222 らせん転位
221a、222a 変化部
223、224 細長い積層欠陥
300 研磨装置
310 定盤
311 本体部
312 回転軸
313 研磨布
320 ホルダ
321 本体部
322 回転軸
323 保持面
330 研磨液供給部
400 成膜装置
401 チャンバ
403 誘導加熱コイル
404 石英管
405 断熱材
406 発熱体
407 基板ホルダ
408 回転サセプタ
Claims (6)
- ポリタイプが4Hであり、{0001}面から<11−20>方位に角度θ傾斜した主面を有する炭化珪素単結晶基板と、
前記主面の上に形成された膜厚tの炭化珪素エピタキシャル層と、
を備え、
前記炭化珪素単結晶基板の径は150mm以上であり、
角度θは0°を超え6°以下であって、
前記炭化珪素エピタキシャル層の表面には、らせん転位のピットと、前記ピットよりt/tanθ離れた位置に存在する斜め線欠陥とのペアが存在しており、
前記ピットと前記斜め線欠陥のペアの密度が2個/cm2以下である炭化珪素エピタキシャル基板。 - 前記斜め線欠陥の線幅が、1μm以上、5μm以下である請求項1に記載の炭化珪素エピタキシャル基板。
- 前記斜め線欠陥は、前記斜め線欠陥とペアとなる前記ピットよりも、前記炭化珪素エピタキシャル層の表面と、前記炭化珪素エピタキシャル層における{0001}面とが近づく方向に存在している請求項1に記載の炭化珪素エピタキシャル基板。
- 前記斜め線欠陥は、前記斜め線欠陥とペアとなる前記ピットよりも、前記炭化珪素エピタキシャル層の表面と、前記炭化珪素エピタキシャル層における{0001}面とが近づく方向に存在している請求項2に記載の炭化珪素エピタキシャル基板。
- 前記炭化珪素単結晶基板のらせん転位の密度に対する前記ピットと前記斜め線欠陥のペアの密度は0.11%以下である請求項1〜請求項4のうちのいずれか一項に記載の炭化珪素エピタキシャル基板。
- ポリタイプが4Hであり、{0001}面から<11−20>方位に角度θ傾斜した主面を有する炭化珪素単結晶基板と、
前記主面の上に形成された膜厚tの炭化珪素エピタキシャル層と、
を備え、
前記炭化珪素単結晶基板の径は150mm以上であり、
角度θは0°を超え6°以下であって、
前記炭化珪素エピタキシャル層の表面には、らせん転位のピットと、前記ピットよりt/tanθ離れた位置に存在する斜め線欠陥とのペアが存在しており、
前記ピットと前記斜め線欠陥のペアの密度が2個/cm2以下であり、
前記斜め線欠陥の線幅が、1μm以上、5μm以下であって、
前記斜め線欠陥は、前記斜め線欠陥とペアとなる前記ピットよりも、前記炭化珪素エピタキシャル層の表面と、前記炭化珪素エピタキシャル層における{0001}面とが近づく方向に存在しており、
前記炭化珪素単結晶基板のらせん転位の密度に対する前記ピットと前記斜め線欠陥のペアの密度は0.11%以下である炭化珪素エピタキシャル基板。
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