JP5304713B2 - 炭化珪素単結晶基板、炭化珪素エピタキシャルウェハ、及び薄膜エピタキシャルウェハ - Google Patents
炭化珪素単結晶基板、炭化珪素エピタキシャルウェハ、及び薄膜エピタキシャルウェハ Download PDFInfo
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Images
Description
(1)体積抵抗率が0.001Ωcm以上0.012Ωcm以下の炭化珪素単結晶基板であり、表裏面のうち少なくとも片面の表面粗さRaが1.0nm以下であると共に、外周側面の表面粗さRaが1.0nm以下であることを特徴とする炭化珪素単結晶基板。
(2)1000℃以上1800℃以下の熱負荷を受けた後に、該基板内で観察される基底面積層欠陥密度が30cm-1以下である(1)に記載の炭化珪素単結晶基板。
(3)上記(1)又は(2)に記載の低抵抗率炭化珪素単結晶基板に、炭化珪素薄膜をエピタキシャル成長してなる炭化珪素エピタキシャルウェハである。
(4)上記(1)又は(2)に記載の低抵抗率炭化珪素単結晶基板に、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化インジウム又はこれらの混晶をエピタキシャル成長してなる薄膜エピタキシャルウェハである。
図1は、本発明の低抵抗率SiC単結晶基板を得るのに用いるSiC単結晶インゴットを製造するための、改良レーリー法によるSiC単結晶成長装置の一例である。まず、この単結晶成長装置について簡単に説明する。結晶成長は、種結晶として用いたSiC単結晶1の上に、原料であるSiC粉末2を昇華再結晶化させることにより行われる。種結晶のSiC単結晶1は、黒鉛製坩堝3の蓋4の内面に取り付けられる。原料のSiC粉末2は、黒鉛製坩堝3の内部に充填されている。このような黒鉛製坩堝3は、二重石英管5の内部に、黒鉛の支持棒6により設置される。黒鉛製坩堝3の周囲には、熱シールドのための黒鉛製フェルト7が設置されている。二重石英管5は、真空排気装置13により高真空排気(10-3Pa以下)することができ、かつ、内部雰囲気をアルゴンガス及び窒素ガスにより圧力制御することができる。また、二重石英管5の外周には、ワークコイル8が設置されており、高周波電流を流すことにより黒鉛製坩堝3を加熱し、原料及び種結晶を所望の温度に加熱することができる。坩堝温度の計測は、坩堝上部及び下部を覆うフェルトの中央部に直径2〜4mmの光路を設け、坩堝上部及び下部からの光を取り出し、二色温度計を用いて行う。坩堝下部の温度を原料温度、坩堝上部の温度を種結晶温度とする。
炭化珪素単結晶基板の表面粗さの影響を確認する目的で、実施例1とは基板の研磨方法を一部変えて、下記のようにして炭化珪素単結晶基板を製造した。先ず、実施例1と同様にして成長させた低い体積抵抗率のSiC単結晶インゴットから、同じ仕様(面方位、厚さ)の基板を数枚切り出し、ベベリング工程、及びラップ工程まで実施例1と同様に行った。
炭化珪素単結晶基板の体積抵抗率の影響を確認する目的で、実施例1とは、体積抵抗率を変えて炭化珪素単結晶インゴットを作製し、下記のようにして炭化珪素単結晶基板を製造した。先ず、改良レーリー法により炭化珪素単結晶インゴットを製造する際に、雰囲気ガスとして窒素を33%含むアルゴンガスを流入させて、結晶成長を行った。その後、成長した炭化珪素単結晶インゴットから口径50.8mm、厚さ0.4mmの{0001}面8°オフセット基板(オフセット方向:[11-20]方向)を数枚切り出し、以降、ベベリング工程、ラップ工程、及び研磨工程は全て実施例1と同様にして、厚さ0.35mmの係る炭化珪素単結晶基板を得た。
炭化珪素単結晶基板の厚さの影響を確認する目的で、実施例1とは得られる基板の厚さを変えて、以下のようにして炭化珪素単結晶基板を製造した。先ず、実施例1と同様にして成長させた低抵抗率の炭化珪素単結晶インゴットから、厚さ0.30mmで切り出した以外は実施例1と同様にした。以降、ベベリング工程、ラップ工程、及び研磨工程は全て実施例1と同様にして、厚さ0.23mmの炭化珪素単結晶基板を得た。
実施例1と同様に成長させた低い体積抵抗率の4H型炭化珪素単結晶インゴットから、口径50.8mm、厚さ0.4mmの[0001]面SiC単結晶基板(基板のオフセット角度:8°、オフセット方向:[11-20]方向)を数枚切り出し、ベベリング工程、及びラップ工程まで実施例1と同様に行った。
基板外周側面の表面粗さの影響を更に確認する目的で、以下のようにして、比較例2に係る炭化珪素単結晶基板を製造した。先ず、実施例1と同様に成長させた低い体積抵抗率の4H型炭化珪素単結晶インゴットから、口径50.8mm、厚さ0.4mmの[0001]面SiC単結晶基板(基板のオフセット角度:8°、オフセット方向:[11-20]方向)を数枚切り出し、ベベリング工程、及びラップ工程まで実施例1と同様に行った。
2:SiC粉末原料
3:黒鉛製坩堝
4:黒鉛製坩堝蓋
5:二重石英管
6:支持棒
7:黒鉛製フェルト
8:ワークコイル
9:アルゴンガス配管
10:アルゴンガス用マスフローコントローラ
11:窒素ガス配管
12:窒素ガス用マスフローコントローラ
13:真空排気装置
21:炭化珪素単結晶基板
22:表面(裏面)の縁
23:加工端面の先端
24:仮想直線Lと表面(裏面)の縁とが交わる点
25:加工端面先端の投影点
26:チャック装置
27:原子間力顕微鏡
Claims (4)
- 体積抵抗率が0.001Ωcm以上0.012Ωcm以下の炭化珪素単結晶基板であり、表裏面のうち少なくとも片面の表面粗さRaが1.0nm以下であると共に、外周側面の表面粗さRaが1.0nm以下であることを特徴とする炭化珪素単結晶基板。
- 1000℃以上1800℃以下の熱負荷を受けた後に、該基板内で観察される基底面積層欠陥密度が30cm-1以下である請求項1に記載の炭化珪素単結晶基板。
- 請求項1又は2に記載の炭化珪素単結晶基板に、炭化珪素薄膜をエピタキシャル成長してなる炭化珪素エピタキシャルウェハ。
- 請求項1又は2に記載の炭化珪素単結晶基板に、窒化ガリウム、窒化アルミニウム、窒化インジウム又はこれらの混晶をエピタキシャル成長してなる薄膜エピタキシャルウェハ。
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