JP4427472B2 - SiC単結晶基板の製造方法 - Google Patents

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本発明は、炭化珪素(SiC)単結晶基板の表面に存在する加工変質部やイオン損傷部が除去され、かつその除去処理に伴う残渣や表面荒れが無く、清浄で平坦性に優れた表面を有する基板の製造方法に関するものである。
炭化珪素(SiC)は、耐熱性及び機械的強度に優れ、物理的、化学的に安定なことから、耐環境性半導体材料として注目されている。また、近年、高周波高耐圧電子デバイス等の基板としてSiC単結晶基板の需要が高まっている。
SiC単結晶のインゴットからSiC単結晶基板を加工する工程は、まず前記インゴットをスライスしてウエハ状に切り出す工程と、所定の厚さまで荒削りする研削工程と、基板の両面を平坦かつ鏡面に仕上げる研磨工程と、上記各工程で基板に付着した汚れを除去する洗浄工程と、加工工程で導入された表面加工変質部を除去する工程とからなる。
このようなSiC単結晶基板を用いて、電力デバイス、高周波デバイス等を作製する場合には、通常基板上に熱CVD法(熱化学蒸着法)と呼ばれる方法を用いてSiC薄膜をエピタキシャル成長させたり、イオン注入法により直接ドーパントを打ち込んだりするのが一般的である。
この際、SiC単結晶基板の表面に、上記加工変質部が残存していると、正常なエピタキシャル成長を阻害したり、打ち込まれたドーパントの活性化率が低下したりする等の問題が発生することが知られており、さらに、その変質部が電流のリークパスになり、デバイスの性能を落とすこと等も考えられる。
通常、SiC単結晶基板の表面は、ダイヤモンド砥粒等による研磨加工による仕上げがされているが、近年のデバイスの微細化に伴い、さらに表面の平坦化が求められているため、メカノケミカル研磨等も行われている。このような基板の表面には、研磨による加工変質部が数百nm存在し、これが十分に除去されていないと、上記のような問題を引き起こすことが想定されるため、通常は、Siとの反応性が高いフッ素系反応性ガスを用いたエッチングにより、この加工変質部を取り除いている。
図1は、このようにして加工変質部を取り除いた基板表面の10μm×10μm部分を原子間力顕微鏡(AFM)で観察した像である。エッチングに用いた反応性ガスはCFであり、このガスは、酸化シリコンや窒化シリコン等の絶縁膜のエッチングにも用いられる、半導体プロセスにおいては、一般的なガスである。図1において、表面に針状の異物として見えているのが、エッチング後の表面の荒れ、あるいは残渣であり、一度このような残渣が生じてしまうと、その後に酸素ガスプラズマ処理あるいはRCA洗浄等のプロセスを通しても除去することは難しい。この残渣は、フッ素系のガスを用いることによるフロロカーボン系の反応生成物が表面に残ったものと考えられる(非特許文献1)。
このような表面では、表面粗さを表すRa値がRa=1.48nmであり、デバイスの微細化に求められるRa<1nmはクリアできず、また、残渣がある場合には、その上に形成されるデバイスの特性にも悪影響を及ぼす。一方、不活性ガスを用いたエッチング(スパッタエッチング)によって加工変質部を除去すれば、上記反応生成物は防げると考えられるが、この場合は、イオン損傷部が残存してしまい、これを除去するためには、やはり反応性ガスエッチングが必要になる。したがって、最終的には、表面の荒れや残渣の問題は避けられず、図1と同様な表面状態になる。
特許文献1に記載の発明も、CFによるエッチングを行っており、SiC表面のダメージ部が選択的にエッチングされないよう、スパッタ性の強いエッチング条件を用いている。しかし、CFの反応性ガスを用いている以上、表面に反応生成物が残ることは避けられず、スパッタ性の強いエッチング条件であることから、加えてイオン損傷部が発生する問題もある。
また、特許文献2に記載の発明も、反応性ガスを用いたエッチングで表面の加工変質部を除去する方法を開示しているが、使用するガスがNFをベースとしているため、やはりフッ素に起因するフロロカーボン系の反応生成物の生成は避けられない。
したがって、研磨によって平坦な表面が得られたとしても、表面の加工変質部を取り除くため、あるいは、スパッタエッチングによって加工変質部を除去した場合には、その後のイオン損傷部を取り除くため、最終的には反応性ガスを用いたエッチングが必要になる。従来方法ではフッ素系の反応性ガスを用いてエッチングを行っていたため、表面には再び荒れあるいは残渣が生じてしまい、デバイス作成に必要な変質部が無くかつ清浄、平坦な表面を得ることは難しかった。
特開平6−188163号公報 米国特許第4946547号明細書 大森正道編、菅野卓雄監修、超高速化合物半導体デバイス、p.222 (1986) 培風館
本発明は、上記表面加工変質部あるいはイオン損傷部の除去処理に伴う残渣や表面荒れが無く、清浄で平坦性に優れた表面を有するSiC単結晶基板の製造方法を提供するものである。
本発明は、表面加工変質部あるいはイオン損傷部除去処理のための反応性イオンエッチングにおいて、エッチングに用いるガス種を考慮することにより、上記課題を解決できることを見出し、完成したものである。即ち、本発明は、
(1) SiC単結晶基板表面の加工変質部を、並行平板型の電極を有する反応性イオンエッチング装置で塩素ガス(Cl、HCl、又はBCl を用いたエッチングによって、除去する工程と、前記工程の後に、酸素ガス(O )プラズマを用いて表面清浄化処理を行う工程と、を有することを特徴とするS i C 単結晶基板の製造方法、
(2) S i C 単結晶基板表面の加工変質部を、不活性ガスを用いたエッチングによって除去し、前記エッチングの際に生じるイオン損傷部を、並行平板型の電極を有する反応性イオンエッチング装置で塩素ガス(Cl、HCl、又はBCl を用いたエッチングによって除去する工程と、前記工程の後に、酸素ガス(O )プラズマを用いて表面清浄化処理を行う工程と、を有することを特徴とするS i C 単結晶基板の製造方法、
(3) 前記不活性ガスを用いたエッチングを行う際に使用するガスがアルゴンガス(Ar)である(2)記載のSiC単結晶基板の製造方法
ある。
) 前記塩素ガス(Cl)を用いたエッチング条件として、エッチング時の圧力が5〜10Pa、Cl流量が毎分20〜30cm、入力パワーが1.0W/cmで、エッチング速度は毎分40〜50nmであることを特徴とする(1)又は(2)に記載の炭化珪素単結晶基板の製造方法。
) 前記不活性ガスを用いたエッチングの条件として、エッチング時の圧力が1〜50Pa、ガス流量が毎分10〜50cm、入力パワーが0.2〜1.0W/cmであることを特徴とする(2)又は(3)に記載の炭化珪素単結晶基板の製造方法。
) 前記酸素(O)プラズマを用いて表面清浄化処理を行う条件として、処理時の圧力が40〜50Pa、O流量が毎分30〜40cm、入力パワーが1.0W/cmであることを特徴とする(又は(2)に記載の炭化珪素単結晶基板の製造方法。
この発明によれば、SiC単結晶基板の表面に存在する加工変質部あるいはイオン損傷部が除去され、かつ、その除去処理に伴う残渣や表面荒れが無く、清浄で平坦性に優れた表面を有するSiC単結晶基板を作成することが可能である。
まず、SiC単結晶のインゴットからSiC単結晶基板を加工する工程についての概略を説明する。SiC単結晶のインゴットを作製後、それをスライスして、ウエハ状の基板に切り出し、所定の厚さまで荒削りを行う。その後、基板の両面を平坦かつ鏡面に仕上げるための研磨を行い、続いて、基板に付着した汚れを除去するための洗浄を行う。最後に、上記各工程で基板に導入された表面加工変質部を除去する工程となるが、この工程が本発明が対象としている工程である。
本発明では、反応性ガスを用いたエッチングによってSiC単結晶基板表面の加工変質部を除去する際に、使用するガス種を考慮したものである。SiCに対してエッチング性を有するガスとしては、CF、CHF等のフッ素系のガスやCl等の塩素系ガスがあるが、フッ素系のガスでは、Fに起因するフロロカーボン系の反応生成物が表面に残り、それが残渣になるのではないかと考え、Fを含まないガスでエッチングを行うことを試みた。また、塩素系ガスでも純塩素(Cl)を使用すれば、エッチングに寄与するイオンが塩素のみであり、SiCとは蒸気圧の高い反応生成物が形成されるため、SiC表面での残渣、汚染等を考慮する必要はなく、最適であると判断された。
そこで、本発明の内容は、フッ素系ガスを除く反応性ガス、特に、Clを用いて、SiC単結晶基板表面の加工変質部のエッチングを行う、場合によっては、エッチングを行った後、酸素ガス(O)を用いて、表面清浄化処理を行うものである。また、上記加工変質部をAr等の不活性ガスによるスパッタエッチングで除去した際には、それに伴うイオン損傷部をフッ素系ガスを除く反応性ガス、特に、Clのエッチングで除去、場合によっては、エッチング後Oによる表面清浄化処理を行うものである。実際に使用した装置は、通常の平行平板型の電極を有する反応性イオンエッチング装置であり、フッ素系ガスを除く反応性ガスを用いる場合のエッチング条件の例としては、エッチング時の圧力が5〜50Pa、ガス流量が毎分10〜50cm、入力パワーが0.5〜1.0W/cmである。Clのエッチング条件としては、エッチング時の圧力が5〜10Pa、Cl流量が毎分20〜30cm、入力パワーが1.0W/cmであることが望ましい。この条件は、エッチング後の残渣の発生を極力避けるために、エッチングのスパッタ性を高め、かつ生産性を落とさない程度にSiCに対して適度なエッチング速度を有すると言う観点から設定されたものであり、SiCに対するエッチング速度は毎分40〜50nmである。
また、不活性ガスによるエッチングの条件の例としては、エッチング時の圧力が1〜50Pa、ガス流量が毎分10〜50cm、入力パワーが0.2〜1.0W/cmである。Arのスパッタエッチング条件としては、エッチング時の圧力が5〜10Pa、Ar流量が毎分20〜30cm、入力パワーが0.25W/cmであり、Oプラズマを用いた表面清浄化処理の条件は、処理時の圧力が40〜50Pa、O流量が毎分30〜40cm、入力パワーが1.0W/cmであることが好ましい。上記の条件で、フッ素系ガスを除く反応性ガス、特に、Clによるエッチングを行ったところ、処理後の表面には殆ど残渣は残らず、Ra値も良好であった。さらに、Oプラズマを用いて表面清浄化処理を追加すると、残渣をほぼ完全に除去することができた。なお、SiC表面は化学的に安定であり、Oプラズマ処理後の表面に酸化膜による干渉色が観察されなかったことからも、処理後の表面が酸化膜で覆われていることは無かった。
参考例1)
図2は、SiC単結晶インゴットからウエハ状にスライスし、粒径の大きいダイヤモンド研磨剤から順次粒径を小さくして研磨していき、最終的に平均粒径1μmのダイヤモンド研磨剤で研磨した後のSiC単結晶基板に、Arによるスパッタエッチングを行い、その後Clによる反応性エッチングを行った場合の表面のAFM像である。具体的なエッチング条件としては、Arについては、流量が毎分20cm、エッチング時の真空度が6.7Pa、入力パワーが0.25W/cmであり、Clについては、流量が毎分30cm、エッチング時の真空度が6.7Pa、入力パワーが1.0W/cmである。図1で、針状の異物として見えていたエッチング後の表面の荒れあるいは残渣が、図2においては、かなり除去されていることから、Clを用いた効果が明瞭に現れており、Ra値もRa=0.38nmと良好である。
(実施例2)
参考例1によって得られた表面に、さらに、Oプラズマによる清浄化処理を追加した後のAFM像を図3に示す。処理条件としては、Oの流量が毎分40cm、処理時の真空度が50Pa、入力パワーが1.0W/cmであり、図2で多少見られていたエッチング後の残渣が、ほぼ完全に除去されており、Ra値もRa=0.30nmと更に改善された。
参考例3)
参考例1で用いたのと同様の表面状態を有するSiC単結晶基板に、Clによる反応性エッチングのみを行った場合の表面のAFM像を図4に示す。エッチングの条件は、実施例1の場合と同じである。この場合も、表面に残渣は殆ど見られず、Ra値もRa=0.34nmと良好であり、Clのみでも効果のあることは明らかである。
なお、本実施例においては、Clによる反応性エッチングについて示したが、HCl、BCl等の塩素系ガスについても同様であることも確認している。
(比較例)
比較例として、フッ素系の反応性ガスを用いてエッチングを行った場合の表面のAFM像を図1に示す。ガスとしては、CFとOの混合ガスを用いており、CFについては、流量が毎分20cm、Oは、流量が毎分40cmで、エッチング時の真空度が50Pa、入力パワーが0.25W/cmである。Ra値がRa=1.48nmであり、実施例で得られた表面状態に比べ、明らかに劣っている。
本発明によれば、SiC単結晶基板の表面に存在する加工変質部やイオン損傷部が除去され、かつ、その除去処理に伴う残渣や表面荒れが無く、清浄で平坦性に優れた表面を有する基板を作成することが可能である。そのため、このような基板上に電子デバイスを形成すれば、デバイスの特性が向上することが期待できる。
従来技術によって表面処理されたSiC単結晶基板のAFM像の一例 参考例1で表面処理されたSiC単結晶基板AFM像の一例 実施例2で表面処理されたSiC単結晶基板AFM像の他の例 参考例3で表面処理されたSiC単結晶基板AFM像の他の例

Claims (6)

  1. 炭化珪素単結晶基板表面の加工変質部を、並行平板型の電極を有する反応性イオンエッチング装置で塩素ガス(Cl、HCl、又はBCl を用いたエッチングによって除去する工程と、
    前記工程の後に、酸素ガス(O )プラズマを用いて表面清浄化処理を行う工程と、を有することを特徴とする炭化珪素単結晶基板の製造方法。
  2. SiC単結晶基板表面の加工変質部を、不活性ガスを用いたエッチングによって除去し、前記エッチングの際に生じるイオン損傷層を、並行平板型の電極を有する反応性イオンエッチング装置で塩素ガス(Cl、HCl、又はBCl を用いたエッチングによって除去する工程と、
    前記工程の後に、酸素ガス(O )プラズマを用いて表面清浄化処理を行う工程と、を有することを特徴とする炭化珪素単結晶基板の製造方法。
  3. 前記不活性ガスを用いたエッチングを行う際に使用するガスがアルゴンガス(Ar)である請求項2記載の炭化珪素単結晶基板の製造方法。
  4. 前記塩素ガス(Cl)を用いたエッチング条件として、エッチング時の圧力が5〜10Pa、Cl流量が毎分20〜30cm、入力パワーが1.0W/cmで、エッチング速度は毎分40〜50nmであることを特徴とする請求項1又は2に記載の炭化珪素単結晶基板の製造方法。
  5. 前記不活性ガスを用いたエッチングの条件として、エッチング時の圧力が1〜50Pa、ガス流量が毎分10〜50cm、入力パワーが0.2〜1.0W/cmであることを特徴とする請求項2又は3に記載の炭化珪素単結晶基板の製造方法。
  6. 前記酸素(O)プラズマを用いて表面清浄化処理を行う条件として、処理時の圧力が40〜50Pa、O流量が毎分30〜40cm、入力パワーが1.0W/cmであることを特徴とする請求項1又は2に記載の炭化珪素単結晶基板の製造方法。
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Cited By (1)

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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4744535B2 (ja) * 2008-01-09 2011-08-10 三菱電機株式会社 エッチング処理方法および炭化珪素半導体装置の製造方法
JP5542325B2 (ja) 2008-12-02 2014-07-09 昭和電工株式会社 半導体デバイスの製造方法
EP2395133B1 (en) 2009-01-30 2020-03-04 Showa Denko K.K. Method for producing epitaxial silicon carbide single crystal substrate
JP5304713B2 (ja) * 2010-04-07 2013-10-02 新日鐵住金株式会社 炭化珪素単結晶基板、炭化珪素エピタキシャルウェハ、及び薄膜エピタキシャルウェハ
WO2012157679A1 (ja) * 2011-05-18 2012-11-22 ローム株式会社 半導体装置およびその製造方法
JP5400228B1 (ja) 2012-04-27 2014-01-29 三井金属鉱業株式会社 SiC単結晶基板
JP2014027093A (ja) * 2012-07-26 2014-02-06 Sumitomo Electric Ind Ltd 炭化珪素基板の製造方法
CN110299403B (zh) * 2014-11-27 2022-03-25 住友电气工业株式会社 碳化硅基板
JP6415360B2 (ja) * 2015-03-12 2018-10-31 昭和電工株式会社 炭化珪素単結晶基板の製造方法
CN115799061B (zh) * 2023-01-09 2023-09-05 浙江大学杭州国际科创中心 SiC晶圆切割片加工方法及SiC晶圆切割片加工装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102534808A (zh) * 2010-12-14 2012-07-04 北京天科合达蓝光半导体有限公司 高质量碳化硅表面的获得方法
CN102534808B (zh) * 2010-12-14 2014-11-05 北京天科合达蓝光半导体有限公司 高质量碳化硅表面的获得方法

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