JP6352174B2 - 炭化珪素単結晶インゴットの側面加工方法 - Google Patents
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Description
(2)前記砥粒が、ダイヤモンド、炭化ホウ素、又は炭化珪素のいずれか1種以上から構成される(1)に記載の炭化珪素単結晶インゴットの側面加工方法、
(3)前記砥粒の平均粒径が0.1μm超50μm以下である(1)又は(2)に記載の炭化珪素単結晶インゴットの側面加工方法、
(4)前記砥粒スラリーの溶媒が油性溶媒である(1)〜(3)のいずれかに記載の炭化珪素単結晶インゴットの側面加工方法、
(5)炭化珪素単結晶インゴットを前記砥粒スラリー中に浸漬させて研削する(1)〜(4)のいずれかに記載の炭化珪素単結晶インゴットの側面加工方法、
(6)砥石を当接させる炭化珪素単結晶インゴットの外周側面に前記砥粒スラリーを供給して研削する(1)〜(4)のいずれかに記載の炭化珪素単結晶インゴットの側面加工方法、
(7)炭化珪素単結晶インゴットのいずれか一方の端面にリング状の砥石を当接して、該リング状砥石を炭化珪素単結晶インゴットに対して相対的に回転させると共に炭化珪素単結晶インゴットの円柱軸方向に相対的に移動させて研削する(1)〜(6)のいずれかに記載の炭化珪素単結晶インゴットの側面加工方法、
(8)(1)〜(7)のいずれかに記載の方法で側面加工した円柱状のバルク炭化珪素単結晶の直径が100mm以上である炭化珪素単結晶インゴットの側面加工方法、
(9)前記炭化珪素単結晶インゴットのポリタイプが、4H、6H、又は15Rのいずれか1種以上から構成される(1)〜(8)のいずれかに記載の炭化珪素単結晶インゴットの側面加工方法、
である。
先ず、従来のSiC単結晶インゴット側面の研削加工では、一般に、研削砥粒を樹脂やメタルボンド等で外周縁に固定した円盤状の固定砥粒砥石を用いる。このような砥石を用いて研削加工を行う場合、砥石表面に固定された研削砥粒によって、いわば切削加工を行うことになり、このため、SiC単結晶インゴットの加工表面は、比較的大きなスクラッチ状のマイクロクラックが多数発生し、結晶的に乱れた脆性破壊痕が表層部に残存しやすい。その脆性破壊痕の深さは、固定されている砥粒の大きさにもよるが、数十μmを超える場合があることが発明者らの解析により明らかになった。
図3に示す、改良型レーリー法(昇華再結晶法)をベースとするSiC単結晶インゴット成長装置を用いて、以下に記す条件にてSiC単結晶の成長を実施した。なお、図3はSiC単結晶成長装置の一例であり、本発明の構成要件を規定するものではない。
次いで、石英管内を真空排気した後、ワークコイルに電流を流し、坩堝上部の表面温度が1700℃となるまで上げた。その後、雰囲気ガスとして高純度Arガスと高純度窒素ガス(純度99.9995%以上)の混合ガスを流入させ、石英管内圧力を約80kPaに保ちながら、温度を目標温度である2250℃まで上昇させた。雰囲気ガス中の窒素濃度は体積比で7%とした。その後、成長圧力である1.3kPaに約30分かけて減圧し、この状態を所定の時間維持して結晶成長を実施した。この際、坩堝内における種結晶側から原料側への温度勾配は15℃/cmである。成長終了後、坩堝内よりSiC単結晶インゴットを取り出したところ、得られたSiC単結晶インゴットの口径は概ね152mmであり、また高さは最頂部で40mm程度であった。更に、SiC単結晶インゴットの成長上面の表面は、光沢のある滑らか、かつ凸状の形状を有した、概ね中心部に頂部を有する緩やかな略円錐形状であった。
・使用ワイヤー:素線径160μm
・スラリー:油性スラリー、ダイヤモンド砥粒の平均粒径10μm、遊離砥粒
・スラリー温度:30℃
・ワイヤー揺動角:±0.5°
・ワイヤー走行速度:500m/min
・ワイヤー張力:30N
引き続いて、各実施例に係るas-sliced基板を用いて、それぞれ1バッチ3枚の構成で両面研磨を行い、同条件での研磨を異なるas-sliced基板を用いて10回繰り返した(実施例ごとに合計30枚のas-sliced基板を研磨)。使用した研磨定盤は直径約90cm、材質は鋳鉄製であり、研磨加重は150g/cm2で統一した。研磨スラリーは平均粒径が9μmのダイヤモンド砥粒が50カラット/ccとなるように純水中に分散させた。このとき分散剤は一切使用していない。循環ポンプでスラリーを連続的に供給しながら、約30minの両面研磨を行い、終了後に基板を取り出して、目視観察による表面状態の観察を行って基板のクラック発生状況を調査した。必要に応じて(特に目視でも判別できる大きなクラック(マクロクラック)が確認されない場合について)、集光灯および光学実体顕微鏡を用いて基板表面の状態を詳しく観察した。表2にその観察結果を示す。○はクラック無し、×は研磨中にクラックを発生した基板があることを示す。表2中の実施例1〜4に示すように、本発明の側面研削方法によれば、試験ウェハ数が30枚である本実施例においては両面研磨時のクラック発生は全く無く、安定した研磨加工が実現可能であることが判る。
次に、実施例5〜6について説明する。
実施例1〜4と同様な結晶成長により得られたSiC単結晶インゴットについて、側面研削加工、及びマルチワイヤーソー切断によりas-sliced基板を作製し、両面研磨機により実施例1〜4と同様な条件で研磨加工を行った。ただし、側面研削加工時に使用するスラリーを表2に示すように変え、側面研削加工時のスラリー供給量等は実施例1〜4と全く同一とした。表2中の実施例5〜6に結果を示す。
比較例として、ダイヤモンド砥粒を含まない精製鉱物油のみを研削加工時に供給して行った。その結果を表2中に比較例1として示す。ダイヤモンド砥粒の粒子による圧搾加工効果が得られず、5枚の試験ウェハにおいて研磨時にクラックが発生していることが判った。ダイヤモンド砥粒を全く含まない場合、本発明の効果が一切得られず、引き続く研磨工程でクラック発生頻度が頻発することが判る。
4H型ポリタイプを有した口径が100mmのSiC単結晶基板を種結晶として用いた以外は実施例1〜4とほぼ同様な成長条件にて、SiC単結晶成長を実施した。得られたSiC単結晶インゴットは、口径は概ね100.6mmであり、また、高さは最頂部で51mmであった。
コアリング装置による側面研削加工時に使用する砥粒スラリーとして、平均粒径5μmのアルミナ(Al2O3)粒子(すなわち、メッシュサイズで2500番及び5000番を質量比で1:2の割合で混合したアルミナ粒子)を用いた以外は実施例7〜8と同様にして、インゴット外周側面の研削加工を行った。そして、実施例1〜4と同様にしてマルチワイヤーソーによる切断、及び両面研磨を実施し、30minの両面研磨後に取り出して目視観察を行った結果、30枚のas-sliced基板のうち約12枚にクラックが発生していることが判明した。
12:円筒ドリル状砥石ユニット
13:インゴット固定冶具
14:SiC単結晶インゴット
15:コアリングドリル回転軸
16:インゴット固定テーブル
17:スラリー
21:SiC単結晶インゴット
22:側面研削砥石
23:円筒ドリル状砥石ユニット
24:旋盤固定部(砥石側)
25:旋盤固定部(研削試料側)
26:スラリー導入パイプ
27:スラリー
28:試料固定用三つ爪
31:SiC粉末原料
32:種結晶(SiC単結晶基板)
33:黒鉛坩堝
34:二重石英管
35:断熱材
36:真空排気装置
37:マスフローコントローラ
38:ワークコイル
39:温度測定用上部孔
40:放射温度計
Claims (9)
- 炭化珪素単結晶インゴットの外周側面を砥石にて研削して円柱状に加工する側面加工方法において、炭化珪素以上のヌープ硬度を有する砥粒を懸濁させた砥粒スラリーを用いて、砥石を当接させる炭化珪素単結晶インゴットの外周側面に前記砥粒スラリーを存在させた状態で研削することを特徴とする炭化珪素単結晶インゴットの側面加工方法。
- 前記砥粒が、ダイヤモンド、炭化ホウ素、又は炭化珪素のいずれか1種以上から構成される請求項1に記載の炭化珪素単結晶インゴットの側面加工方法。
- 前記砥粒の平均粒径が0.1μm超50μm以下である請求項1又は請求項2に記載の炭化珪素単結晶インゴットの側面加工方法。
- 前記砥粒スラリーの溶媒が油性溶媒である請求項1〜3のいずれかに記載の炭化珪素単結晶インゴットの側面加工方法。
- 炭化珪素単結晶インゴットを前記砥粒スラリー中に浸漬させて研削する請求項1〜4のいずれかに記載の炭化珪素単結晶インゴットの側面加工方法。
- 砥石を当接させる炭化珪素単結晶インゴットの外周側面に前記砥粒スラリーを供給して研削する請求項1〜4のいずれかに記載の炭化珪素単結晶インゴットの側面加工方法。
- 炭化珪素単結晶インゴットのいずれか一方の端面にリング状の砥石を当接して、該リング状砥石を炭化珪素単結晶インゴットに対して相対的に回転させると共に炭化珪素単結晶インゴットの円柱軸方向に相対的に移動させて研削する請求項1〜6のいずれかに記載の炭化珪素単結晶インゴットの側面加工方法。
- 請求項1〜7のいずれかに記載の方法で側面加工した円柱状のバルク炭化珪素単結晶の直径が100mm以上である炭化珪素単結晶インゴットの側面加工方法。
- 前記炭化珪素単結晶インゴットのポリタイプが、4H、6H、又は15Rのいずれか1種以上から構成される請求項1〜8のいずれかに記載の炭化珪素単結晶インゴットの側面加工方法。
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