JP6579889B2 - 炭化珪素単結晶基板の製造方法 - Google Patents
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Description
(1)炭化珪素単結晶インゴットの側面を外形加工する工程を含んで、炭化珪素単結晶基板を製造する方法であって、得られる炭化珪素単結晶基板の口径dに対して、炭化珪素単結晶インゴットの口径Dを1.05倍以上1.15倍以下に成長させて、これら口径の差分(D−d)を外形加工により取り除くことを特徴とする炭化珪素単結晶基板の製造方法、
(2)前記炭化珪素単結晶インゴットが、種結晶を用いた昇華再結晶法により得られたものである(1)に記載の炭化珪素単結晶基板の製造方法、
(3)炭化珪素単結晶基板の口径dが150mm以上である(1)又は2に記載の炭化珪素単結晶基板の製造方法、
(4)炭化珪素単結晶インゴットを外形加工した後に、所定の厚みに切断し、研磨して炭化珪素単結晶基板を製造するか、又は、炭化珪素単結晶インゴットを所定の厚みに切断した後に、外形加工し、研磨して炭化珪素単結晶基板を製造する(1)〜(3)のいずれかに記載の炭化珪素単結晶基板の製造方法、
である。
本発明においては、炭化珪素単結晶インゴットの側面を外形加工する工程を含んで炭化珪素単結晶基板を製造するにあたり、炭化珪素単結晶インゴットの口径Dを炭化珪素単結晶基板の口径dに対して1.05倍以上1.15倍以下(1.05×d≦D≦1.15×d)に成長させて、これら口径の差分(D−d)を外形加工により取り除くようにする。
次に、円筒研削盤を用いて上記試験基板の側面(外周部)を厚み1mmだけ研削して(研削後の基板直径は148mmになる)、反りを計測した。このときの反り量を外周研削量がゼロのときの試験基板の反りに対する相対値で記録し、以降、同様にして試験基板の側面を1mmずつ外周研削していき、最終的に外周研削の量が10mmになるまで試験基板を外形加工して、それらのときの反りの相対値を求めた。
(実施例1)
図2に示す単結晶成長装置を用いて、以下のようなSiC単結晶成長を実施した。なお、図2は、種結晶を用いた昇華再結晶法によってSiC単結晶を成長させる装置の一例であり、本発明の構成要件を限定するものではない。
実施例1とほぼ同じ条件で4H型ポリタイプの単結晶インゴットを作製した。実施例1と同様な方法により、口径が4インチ(100mm)、5インチ(125mm)、及び7インチ(175mm)のSiC単結晶基板が作製できる単結晶インゴットをそれぞれ複数の口径で成長させて準備し、目的の口径を有する基板を得るにあたって、それぞれのインゴットでの複数の口径に対する外周研削量とSORI値との関係を調べた。ここで、各口径における外形加工済み試験基板を得るまでの手順は実施例1と同様にし、また、両面CMP処理後の基板の厚さは、全て350μmとした。
6 SiC結晶粉末原料
7 坩堝
8 二重石英管(水冷)
9 断熱材
10 真空排気装置
11 ワークコイル
12 測温用窓
13 二色温度計(放射温度計)
Claims (3)
- 炭化珪素単結晶インゴットの側面を外形加工する工程を含んで、炭化珪素単結晶基板を製造する方法であって、得られる炭化珪素単結晶基板の口径dに対して、炭化珪素単結晶インゴットの口径Dを1.05倍以上1.073倍以下に成長させて、これら口径の差分(D−d)を外形加工により取り除くことを特徴とし、
前記炭化珪素単結晶インゴットが、種結晶を用いた昇華再結晶法により得られたものであって、
SORIが50μm以下である炭化珪素単結晶基板の製造方法。 - 炭化珪素単結晶基板の口径dが150mm以上である請求項1に記載の炭化珪素単結晶基板の製造方法。
- 炭化珪素単結晶インゴットを外形加工した後に、所定の厚みに切断し、研磨して炭化珪素単結晶基板を製造するか、又は、炭化珪素単結晶インゴットを所定の厚みに切断した後に、外形加工し、研磨して炭化珪素単結晶基板を製造する請求項1又は2に記載の炭化珪素単結晶基板の製造方法。
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