JP7268784B1 - SiC基板及びSiCエピタキシャルウェハ - Google Patents
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Abstract
Description
図2は、本実施形態に係るSiC基板10である。SiC基板10は、SiCからなる。SiC基板10のポリタイプは、特に問わず、2H、3C、4H、6Hのいずれでもよい。SiC基板10は、例えば、4H-SiCである。
第2実施形態に係るSiC基板10は、第2外周点3の円周方向である<11-20>方向の引張応力が、第1中心点2における第2外周点3の円周方向と同じ方向である<11-20>方向に作用する引張応力より大きい。第2実施形態におけるSiC基板10は、SiC基板10の状態を規定するための測定箇所が異なることを除いて、第1実施形態におけるSiC基板10と同様である。例えば、第2実施形態に係るSiC基板10のWarp、Bow、直径、表面粗さ等の好ましい範囲は、第1実施形態に係るSiC基板10と同様である。
SiC基板の表面に、SiCエピタキシャル層を積層した際の反りをシミュレーションにより求めた。シミュレーションは、有限要素法シミュレータANSYSを用いて行った。有限要素法シミュレータANSYSを用いたシミュレーションが、実際に作製した物の結果と一致することは別途確認した。
実施例2は、SiC基板の第1外周点1の引張応力を第1中心点2の引張応力より20MPa大きく設定した点が実施例1と異なる。すなわち、第1外周点1と第1中心点2の応力差は、20MPaに設定し、第1外周点1が第1中心点より強く引張応力がかかるように設定した。その他のパラメータは実施例1と同じとし、実施例1と同様に、シミュレーションで表面層付きSiC基板の反り(Warp)を求めた。実施例2の反り(Warp)は、78μmであった。
比較例1は、SiC基板の第1外周点1の引張応力を第1中心点2の引張応力と同じに設定した点が実施例1と異なる。すなわち、第1外周点1と第1中心点2の応力差は、0MPaに設定し、第1外周点1が第1中心点2と同じ応力がかかるように設定した。その他のパラメータは実施例1と同じとし、実施例1と同様に、シミュレーションで表面層付きSiC基板の反り(Warp)を求めた。比較例1の反り(Warp)は、116μmであった。
比較例2は、SiC基板の第1中心点2の引張応力を第1外周点1の引張応力より20MPa大きく設定した点が実施例1と異なる。すなわち、第1外周点1と第1中心点2の応力差は、-20MPaに設定し、第1中心点2が第1外周点1より強く引張応力がかかるように設定した。すなわち、第1外周点1は、第1中心点2より圧縮応力がかかっている。その他のパラメータは実施例1と同じとした、実施例1と同様に、シミュレーションで表面層付きSiC基板の反り(Warp)を求めた。比較例2の反り(Warp)は、189μmであった。
2 第1中心点
3 第2外周点
5 外周部
6 中心部
10 SiC基板
10a 第1面
10b 第2面
11 SiCエピタキシャル層
20 SiCエピタキシャルウェハ
hp 最高点
lp 最低点
sp 支持点
Shp、Slp 仮想面
Sr 基準面
Claims (18)
- 中心から[11-20]方向で外周端から10mm内側の点を第1外周点とし、中心から直径10mmの円内の任意の点を第1中心点とした際に、
前記第1外周点における前記第1外周点の円周方向である<1-100>方向の引張応力は、前記第1中心点における前記第1外周点の円周方向と同じ方向である<1-100>方向の引張応力より大きく、
前記第1外周点の円周方向の引張応力は、前記第1中心点における前記第1外周点の円周方向と同じ方向に作用する引張応力より10MPa以上大きく、
前記引張応力は、歪とヤング率との積で算出され、歪は、(a 0 -a)/a 0 で求められ、a 0 は基準格子定数であり、aはX線回折法から求められる格子定数である、SiC基板。 - 中心から[-1100]方向で外周端から10mm内側の点を第2外周点とした際に、
前記第2外周点における前記第2外周点の円周方向と同じ方向である<11-20>方向の引張応力は、前記第1中心点における前記第2外周点の円周方向と同じ方向である<11-20>方向の引張応力より大きい、請求項1に記載のSiC基板。 - 中心から[-1100]方向で外周端から10mm内側の点を第2外周点とし、中心から直径10mmの円内の任意の点を第1中心点とした際に、
前記第2外周点における前記第2外周点の円周方向である<11-20>方向の引張応力は、前記第1中心点における前記第2外周点の円周方向と同じ方向である<11-20>方向の引張応力より大きく、
前記第2外周点の円周方向の引張応力は、前記第1中心点における前記第2外周点の円周方向と同じ方向に作用する引張応力より10MPa以上大きく、
前記引張応力は、歪とヤング率との積で算出され、歪は、(a 0 -a)/a 0 で求められ、a 0 は基準格子定数であり、aはX線回折法から求められる格子定数である、SiC基板。 - 中心から[11-20]方向で外周端から10mm内側の点を第1外周点とした際に、
前記第1外周点における前記第1外周点の円周方向と同じ方向である<1-100>方向の引張応力は、前記第1中心点における前記第1外周点の円周方向と同じ方向である<1-100>方向の引張応力より大きい、請求項3に記載のSiC基板。 - 前記第1外周点の円周方向の引張応力は、前記第1中心点における前記第1外周点の円周方向と同じ方向に作用する引張応力より30MPa以上大きい、請求項1に記載のSiC基板。
- 前記第2外周点の円周方向の引張応力は、前記第1中心点における前記第2外周点の円周方向と同じ方向に作用する引張応力より10MPa以上大きい、請求項2に記載のSiC基板。
- 前記第2外周点の円周方向の引張応力は、前記第1中心点における前記第2外周点の円周方向と同じ方向に作用する引張応力より30MPa以上大きい、請求項2に記載のSiC基板。
- 第1面の表面粗さ(Ra)が、1nm以下である、請求項1に記載のSiC基板。
- Warpが50μm以下である、請求項1に記載のSiC基板。
- 第1面において、最外周から7.5mm内側の円周と重なる位置にある支持体と、厚み方向から見て重なる部分を繋ぐ面を基準面とした際のBowが30μm以下である、請求項1に記載のSiC基板。
- 直径が145mm以上である、請求項1に記載のSiC基板。
- 直径が195mm以上である、請求項1~11のいずれか一項に記載のSiC基板。
- 請求項1~11のいずれか一項に記載のSiC基板と、前記SiC基板の一面に積層されたSiCエピタキシャル層とを有する、SiCエピタキシャルウェハ。
- Warpが50μm以下である、請求項13に記載のSiCエピタキシャルウェハ。
- 前記エピタキシャル層の表面において、最外周から7.5mm内側の円周と重なる位置にある支持体と、厚み方向から見て重なる部分を通る面を基準面とした際のBowが30μm以下である、請求項13に記載のSiCエピタキシャルウェハ。
- 請求項12に記載のSiC基板と、前記SiC基板の一面に積層されたSiCエピタキシャル層とを有する、SiCエピタキシャルウェハ。
- Warpが50μm以下である、請求項16に記載のSiCエピタキシャルウェハ。
- 前記エピタキシャル層の表面において、最外周から7.5mm内側の円周と重なる位置にある支持体と、厚み方向から見て重なる部分を通る面を基準面とした際のBowが30μm以下である、請求項16に記載のSiCエピタキシャルウェハ。
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11866846B2 (en) * | 2022-05-31 | 2024-01-09 | Resonac Corporation | SiC substrate and SiC epitaxial wafer |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007290880A (ja) | 2006-04-21 | 2007-11-08 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法 |
JP2015059073A (ja) | 2013-09-20 | 2015-03-30 | 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 | 炭化珪素単結晶ウェハの内部応力評価方法、及び炭化珪素単結晶ウェハの反りの予測方法 |
JP2017069334A (ja) | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 新日鐵住金株式会社 | 炭化珪素単結晶基板の製造方法 |
US20210198804A1 (en) | 2019-12-27 | 2021-07-01 | Cree, Inc. | Large diameter silicon carbide wafers |
JP2021102533A (ja) | 2019-12-25 | 2021-07-15 | 昭和電工株式会社 | SiC単結晶の製造方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5392169B2 (ja) * | 2010-04-07 | 2014-01-22 | 株式会社デンソー | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
CN102543718A (zh) * | 2010-12-14 | 2012-07-04 | 北京天科合达蓝光半导体有限公司 | 一种降低碳化硅晶片翘曲度、弯曲度的方法 |
JP5746013B2 (ja) | 2011-12-28 | 2015-07-08 | 株式会社豊田中央研究所 | 単結晶製造装置、及び単結晶の製造方法 |
US9018639B2 (en) | 2012-10-26 | 2015-04-28 | Dow Corning Corporation | Flat SiC semiconductor substrate |
JP6136731B2 (ja) * | 2013-08-06 | 2017-05-31 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素半導体基板およびその製造方法、ならびに炭化珪素半導体装置の製造方法 |
KR20170012272A (ko) * | 2014-05-30 | 2017-02-02 | 신닛테츠스미킹 마테리알즈 가부시키가이샤 | 벌크상 탄화 규소 단결정의 평가 방법, 및 그 방법에 사용되는 참조용 탄화 규소 단결정 |
US20180282902A1 (en) * | 2015-10-02 | 2018-10-04 | Showa Denko K. K. | Sic single crystal ingot |
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JP6960866B2 (ja) * | 2018-01-24 | 2021-11-05 | 昭和電工株式会社 | 単結晶4H−SiC成長用種結晶及びその加工方法 |
WO2019167337A1 (ja) * | 2018-03-01 | 2019-09-06 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素基板 |
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CN113046825B (zh) * | 2019-12-27 | 2022-04-12 | 北京天科合达半导体股份有限公司 | 一种高质量SiC单晶片及其制备方法 |
CN113604883B (zh) * | 2021-08-09 | 2023-05-09 | 北京天科合达半导体股份有限公司 | 一种高结晶质量碳化硅单晶片及其制备方法 |
JP7132454B1 (ja) * | 2022-05-31 | 2022-09-06 | 昭和電工株式会社 | SiC基板及びSiCエピタキシャルウェハ |
JP7268784B1 (ja) * | 2022-05-31 | 2023-05-08 | 株式会社レゾナック | SiC基板及びSiCエピタキシャルウェハ |
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007290880A (ja) | 2006-04-21 | 2007-11-08 | Nippon Steel Corp | 炭化珪素単結晶インゴット及びその製造方法 |
JP2015059073A (ja) | 2013-09-20 | 2015-03-30 | 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 | 炭化珪素単結晶ウェハの内部応力評価方法、及び炭化珪素単結晶ウェハの反りの予測方法 |
JP2017069334A (ja) | 2015-09-29 | 2017-04-06 | 新日鐵住金株式会社 | 炭化珪素単結晶基板の製造方法 |
JP2021102533A (ja) | 2019-12-25 | 2021-07-15 | 昭和電工株式会社 | SiC単結晶の製造方法 |
US20210198804A1 (en) | 2019-12-27 | 2021-07-01 | Cree, Inc. | Large diameter silicon carbide wafers |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US11866846B2 (en) * | 2022-05-31 | 2024-01-09 | Resonac Corporation | SiC substrate and SiC epitaxial wafer |
Also Published As
Publication number | Publication date |
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