JP2019112261A - SiC単結晶の加工方法及びSiCインゴットの製造方法 - Google Patents
SiC単結晶の加工方法及びSiCインゴットの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2019112261A JP2019112261A JP2017246943A JP2017246943A JP2019112261A JP 2019112261 A JP2019112261 A JP 2019112261A JP 2017246943 A JP2017246943 A JP 2017246943A JP 2017246943 A JP2017246943 A JP 2017246943A JP 2019112261 A JP2019112261 A JP 2019112261A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- single crystal
- sic single
- atomic arrangement
- sic
- grinding
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/002—Controlling or regulating
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
- C30B23/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/36—Carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
- C30B29/605—Products containing multiple oriented crystallites, e.g. columnar crystallites
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/60—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape characterised by shape
- C30B29/66—Crystals of complex geometrical shape, e.g. tubes, cylinders
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
- C30B35/007—Apparatus for preparing, pre-treating the source material to be used for crystal growth
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/0237—Materials
- H01L21/02373—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02378—Silicon carbide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02367—Substrates
- H01L21/02433—Crystal orientation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Description
すなわち、本発明は、上記課題を解決するために、以下の手段を提供する。
本実施形態にかかるSiC単結晶の加工方法は、測定工程と、表面加工工程と、を有する。測定工程では、SiC単結晶の原子配列面の形状を、少なくとも平面視中央を通る第1の方向と、第1の方向と直交する第2の方向とに沿って測定する。また表面加工工程では、SiC単結晶の貼付面となる第1面を加工する。以下、各工程について具体的に説明する。
図1は、SiC単結晶1を平面視中心を通る第1の方向に延在する直線に沿って切断した切断面の模式図である。第1の方向は、任意の方向を設定できる。図1では、第1の方向を[1−100]としている。図1において上側は[000−1]方向、すなわち<0001>方向に垂直に切断をした時にカーボン面(C面、(000−1)面)が現れる方向である。以下、第1の方向を[1−100]とした場合を例に説明する。
SiC単結晶をスライスした試料(以下、ウェハ20と言う)の外周端部分のXRDの測定値から原子配列面の湾曲方向及び湾曲量を測定する方法について具体的に説明する。一例としてウェハ20を用いて測定方法を説明するが、スライスする前のインゴット状のSiC単結晶においても同様の方法を用いて測定できる。
原子配列面の形状は、別の方法で求めてもよい。図9に平面視中心を通り原子配列面の測定の方向、例えば[1−100]方向に沿って切断した切断面を模式的に示す。図9では、原子配列面22の形状が凹状に湾曲している場合を例に説明する。
この方法は、それぞれの測定箇所で原子配列面における原子の相対位置が求められる。そのため、局所的な原子配列面の湾曲量を求めることができる。また、ウェハ20全体における原子配列面22の相対的な原子位置をグラフとして示すことができ、原子配列面22のならびを感覚的に把握するために有益である。
通常、単結晶成長に用いる種結晶は、成長面となる面は鏡面となるように表面状態を考慮して仕上げる。一方、種結晶の台座側となる裏面(第1面)については、台座へ貼り付ける程度に平坦化する必要はあるが、通常表面状態は問わない。表面加工工程では、この裏面(第1面)側の表面状態を調整する。
これに対して、図3に示すように原子配列面2の形状が鞍型(図3)の場合は、湾曲量の小さい第3の方向に沿って研削を行う。所定の方向に沿った研削は、所定の方向に沿って平面研削することで実現できる。
本実施形態にかかるSiCインゴットの製造方法は、上述のSiC単結晶の加工方法によって加工されたSiC単結晶を種結晶として結晶成長を行う。SiCインゴットは、例えば昇華法を用いて製造できる。昇華法は、原料を加熱することによって生じた原料ガスを単結晶(種結晶)上で再結晶化し、大きな単結晶(インゴット)を得る方法である。
2,22 原子配列面
20 ウェハ
60 台座
100 坩堝
101 コイル
102 テーパーガイド
A 原子
I SiCインゴット
G 原料
F1,F2 力
Claims (7)
- SiC単結晶の原子配列面の形状を少なくとも平面視中央を通る第1の方向と前記第1の方向と直交する第2の方向に沿って測定する測定工程と、
前記SiC単結晶の貼付面となる第1面を加工する表面加工工程と、を有し、
前記表面加工工程は、前記第1面を研削する研削工程を有し、
前記研削工程では、前記第1面と前記第1面と対向する第2面との表面状態に違いを与え、前記原子配列面をトワイマン効果により平坦化する、SiC単結晶の加工方法。 - 前記研削工程において、前記原子配列面の形状が鞍型の場合は湾曲量の小さい第3の方向に沿って研削し、前記原子配列面の形状がお椀型の場合は同心円状に研削する、請求項1に記載のSiC単結晶の加工方法。
- 前記表面加工工程は、前記SiC単結晶の反り量を調整する反り量調整工程を有し、
前記反り量調整工程では、前記SiC単結晶の厚みを設定し、前記SiC単結晶の反り量を調整する、請求項1又は2に記載のSiC単結晶の加工方法。 - 前記表面加工工程は、前記SiC単結晶の反り量を調整する反り量調整工程を有し、
前記反り量調整工程では、前記SiC単結晶の研削に使用する砥石の番手を選択し、前記SiC単結晶の反り量を調整する、請求項1〜3のいずれか一項に記載のSiC単結晶の加工方法。 - 前記表面加工工程で加工するSiC単結晶の前記原子配列面の曲率半径が28m以上である、又は、湾曲量の最大値が100μm以下である、請求項1〜4のいずれか一項に記載のSiC単結晶の加工方法。
- 請求項1〜5のいずれか一項に記載のSiC単結晶の加工方法を用いて加工されたSiC単結晶を種結晶としてSiCインゴットを作製するSiCインゴットの製造方法であって、
前記SiC単結晶の前記第1面を貼付面として台座に貼り付ける工程と、
前記台座に貼りつけたSiC単結晶を種結晶として結晶成長を行う結晶成長工程と、を有する、SiCインゴットの製造方法。 - 前記台座と前記SiC単結晶との結晶成長温度における熱膨張係数の差が、0.3×10−6/℃以下である、請求項6に記載のSiCインゴットの製造方法。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017246943A JP2019112261A (ja) | 2017-12-22 | 2017-12-22 | SiC単結晶の加工方法及びSiCインゴットの製造方法 |
CN201811532230.7A CN109957839B (zh) | 2017-12-22 | 2018-12-14 | SiC单晶的加工方法及SiC锭的制造方法 |
US16/225,848 US10844517B2 (en) | 2017-12-22 | 2018-12-19 | Method of processing SiC single crystal and method of manufacturing SiC ingot |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017246943A JP2019112261A (ja) | 2017-12-22 | 2017-12-22 | SiC単結晶の加工方法及びSiCインゴットの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2019112261A true JP2019112261A (ja) | 2019-07-11 |
Family
ID=66949502
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017246943A Pending JP2019112261A (ja) | 2017-12-22 | 2017-12-22 | SiC単結晶の加工方法及びSiCインゴットの製造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10844517B2 (ja) |
JP (1) | JP2019112261A (ja) |
CN (1) | CN109957839B (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI786735B (zh) * | 2021-07-15 | 2022-12-11 | 環球晶圓股份有限公司 | 碳化矽晶碇評估方法及裝置 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008103650A (ja) * | 2006-09-21 | 2008-05-01 | Nippon Steel Corp | SiC単結晶基板の製造方法、及びSiC単結晶基板 |
JP2009046367A (ja) * | 2007-08-22 | 2009-03-05 | Denso Corp | 炭化珪素単結晶の製造装置 |
WO2011087061A1 (ja) * | 2010-01-15 | 2011-07-21 | 三菱化学株式会社 | 単結晶基板、それを用いて得られるiii族窒化物結晶及びiii族窒化物結晶の製造方法 |
WO2013058352A1 (ja) * | 2011-10-21 | 2013-04-25 | 三菱化学株式会社 | Iii族窒化物半導体結晶 |
JP2015059073A (ja) * | 2013-09-20 | 2015-03-30 | 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 | 炭化珪素単結晶ウェハの内部応力評価方法、及び炭化珪素単結晶ウェハの反りの予測方法 |
JP2017028162A (ja) * | 2015-07-24 | 2017-02-02 | 昭和電工株式会社 | 単結晶SiC基板 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4850807B2 (ja) | 2007-10-22 | 2012-01-11 | 新日本製鐵株式会社 | 炭化珪素単結晶育成用坩堝、及びこれを用いた炭化珪素単結晶の製造方法 |
JP5398492B2 (ja) | 2009-11-27 | 2014-01-29 | 昭和電工株式会社 | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
CN107002284B (zh) | 2014-12-03 | 2019-07-09 | 日本碍子株式会社 | 13族元素氮化物层的分离方法及复合基板 |
US10283595B2 (en) * | 2015-04-10 | 2019-05-07 | Panasonic Corporation | Silicon carbide semiconductor substrate used to form semiconductor epitaxial layer thereon |
-
2017
- 2017-12-22 JP JP2017246943A patent/JP2019112261A/ja active Pending
-
2018
- 2018-12-14 CN CN201811532230.7A patent/CN109957839B/zh active Active
- 2018-12-19 US US16/225,848 patent/US10844517B2/en active Active
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008103650A (ja) * | 2006-09-21 | 2008-05-01 | Nippon Steel Corp | SiC単結晶基板の製造方法、及びSiC単結晶基板 |
JP2009046367A (ja) * | 2007-08-22 | 2009-03-05 | Denso Corp | 炭化珪素単結晶の製造装置 |
WO2011087061A1 (ja) * | 2010-01-15 | 2011-07-21 | 三菱化学株式会社 | 単結晶基板、それを用いて得られるiii族窒化物結晶及びiii族窒化物結晶の製造方法 |
WO2013058352A1 (ja) * | 2011-10-21 | 2013-04-25 | 三菱化学株式会社 | Iii族窒化物半導体結晶 |
JP2015059073A (ja) * | 2013-09-20 | 2015-03-30 | 新日鉄住金マテリアルズ株式会社 | 炭化珪素単結晶ウェハの内部応力評価方法、及び炭化珪素単結晶ウェハの反りの予測方法 |
JP2017028162A (ja) * | 2015-07-24 | 2017-02-02 | 昭和電工株式会社 | 単結晶SiC基板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN109957839A (zh) | 2019-07-02 |
US10844517B2 (en) | 2020-11-24 |
US20190194824A1 (en) | 2019-06-27 |
CN109957839B (zh) | 2021-01-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6916835B2 (ja) | 面取り炭化ケイ素基板および面取り方法 | |
JP7002932B2 (ja) | SiCインゴットの製造方法 | |
US11905621B2 (en) | SiC single crystal, method of manufacturing SiC ingot, and method of manufacturing SiC wafer | |
JP2024032023A (ja) | SiC単結晶、SiC種結晶及びSiCインゴットの製造方法 | |
WO2016006442A1 (ja) | 炭化珪素単結晶の製造方法および炭化珪素基板 | |
JP7042996B2 (ja) | ウエハ及びウエハの製造方法 | |
US10844517B2 (en) | Method of processing SiC single crystal and method of manufacturing SiC ingot | |
JP6722578B2 (ja) | SiCウェハの製造方法 | |
JP7149767B2 (ja) | SiC単結晶の貼合方法、SiCインゴットの製造方法及びSiC単結晶成長用台座 | |
JP7268784B1 (ja) | SiC基板及びSiCエピタキシャルウェハ | |
JP7117938B2 (ja) | SiC単結晶の評価方法及びSiCウェハの製造方法 | |
WO2020036170A1 (ja) | SiC単結晶、SiCインゴットの製造方法及びSiCウェハの製造方法 | |
EP4177382A1 (en) | Silicon carbide wafer and method of manufacturing same | |
JP2011051861A (ja) | AlN単結晶の製造方法および種基板 | |
WO2020036163A1 (ja) | SiC単結晶の評価方法、及び品質検査方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200925 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20210512 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210518 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20210716 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211102 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211217 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20220412 |