JP6722578B2 - SiCウェハの製造方法 - Google Patents
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Description
すなわち、本発明は、上記課題を解決するため、以下の手段を提供する。
(11)上記態様にかかるSiCウェハは、厚さが800μm以下であってもよい。
<第1実施形態>
第1実施形態にかかるSiCウェハの製造方法は、種結晶上にSiC単結晶を成長させてSiCインゴットを作製する単結晶成長工程と、SiCインゴットを切断し、SiCウェハを作製するスライス工程と、を有する。
まず、単結晶成長工程を行う前の種結晶準備工程について説明する。種結晶準備工程では、SiCインゴットを作製する基準となる種結晶を準備する。種結晶は、作製されるSiCインゴットの状態に大きく寄与する。所定のSiCインゴットを得るためには、所定の種結晶を準備する。
次いで、単結晶成長工程について説明する。単結晶成長工程は、種結晶準備工程で作製した種結晶を基にSiCインゴットを作製する。SiCインゴットの製造方法は、公知の方法を用いることができる。例えば、上述のように、原料粉末からの昇華ガスを利用した昇華法等を用いることができる。
スライス工程では、単結晶成長工程で得られたSiCインゴットをスライスし、SiCウェハの厚みにする。スライス工程は、公知の方法を用いることができる。例えば、ワイヤーソー等を用いて切断することができる。
まずRAF法を用いて種結晶を作製した。そして、種結晶の直径は6.5インチでオフ上流側の端部から8mm内側の位置に、機械加工処理で螺旋転位発生領域を設けた。
実施例2〜5では、低転位密度の種結晶上に成長したSiCインゴットを作製し、切断方法を比較した。種結晶のオフセット方向は<11−20>方向であることは実施例1と同じである。実施例1と同様に螺旋転位発生領域を設けた種結晶(オフセット角4°、)上に、昇華法を用いてSiC単結晶を結晶成長し、SiCインゴットを作製した。SiCインゴットの結晶成長方法は、実施例1と同様に行い、成長長さも20mm程度と同程度とした。
また、比較例1〜4として、同様のSiCインゴットに対し、切断方向及び切断向きを変えてスライスを行った。切り出したウェハの測定を行い、測定したウェハの内で最も反りの小さいウェハについて、貫通転位密度の測定を行った。比較例1と比較例2は、<11−20>方向であって貫通転位密度の高いオフ上流側から下流側に向かう向きで切断した。比較例3は、オフ上流側から下流側に向かう方向と直交する<1−100>方向に切断した。比較例4は、実施例1に対して120度回転した方向に切断した。結果を表2に示す。
Claims (6)
- 種結晶上にSiC単結晶を成長させてSiCインゴットを作製する単結晶成長工程と、
前記SiCインゴットを切断し、SiCウェハを作製するスライス工程と、を有し、
前記SiCインゴットは成長面内に貫通転位密度の高い領域と低い領域とを有し、前記貫通転位密度の高い領域の内、貫通転位密度が最大となる部分は前記SiCインゴットの平面視中心より外側に位置し、
前記スライス工程において前記SiCインゴットを、貫通転位密度が最大の部分と前記中心を結んだ第1の方向に、貫通転位密度が低い側から高い側へ向かって切断する、SiCウェハの製造方法。 - 前記種結晶の主面が<11−20>方向にオフセット角を有する(0001)面であり、前記第1の方向が<11−20>である、請求項1に記載のSiCウェハの製造方法。
- 前記スライス工程で切断された前記SiCインゴットの切断面の最大直径が150mm以上である、請求項1または2に記載のSiCウェハの製造方法。
- 前記スライス工程において切断されたSiCウェハの厚みが800μm以下である、請求項1〜3のいずれか一項に記載のSiCウェハの製造方法。
- 前記SiC単結晶の貫通転位密度の低い領域の貫通転位密度が2.5×103/cm2以下である、請求項1〜4のいずれか一項に記載のSiCウェハの製造方法。
- 前記単結晶成長工程において前記種結晶上に螺旋転位発生領域を設ける、請求項1〜5のいずれか一項に記載のSiCウェハの製造方法。
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