JP2010076967A - 炭化ケイ素基板の製造方法および炭化ケイ素基板 - Google Patents

Abstract

【課題】転位密度の低いＳｉＣ基板を歩留まりを向上して製造するＳｉＣ基板の製造方法およびＳｉＣ基板を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ基板１０は、オフ角θを有しているとともに、主面１１を有している。また、ＳｉＣ基板１０には、基底面転位の転位線１２が形成されている。転位線１２は、基底面において一方向に揃っている。またＳｉＣ基板の製造方法は、以下の工程を備えている。｛０００１｝面に対してオフ角を有する種基板を準備する。種基板上にＳｉＣ結晶を成長する。基底面転位の転位線１２の方向と、ＳｉＣ基板１０のオフ方向Ｄとのなす角度が７５°以上１０５°以下になるように、ＳｉＣ結晶からＳｉＣ基板１０を切り出す。
【選択図】図１

Description

本発明は、炭化ケイ素（ＳｉＣ）基板の製造方法およびＳｉＣ基板に関する。

ＳｉＣは、バンドギャップが大きく、また最大絶縁破壊電界および熱伝導率はシリコン（Ｓｉ）と比較して大きい一方、キャリアの移動度はシリコンと同程度に大きく、電子の飽和ドリフト速度および耐圧も大きい。そのため、高効率化、高耐圧化、および大容量化を要求される半導体デバイスへの適用が期待される。

このようなＳｉＣ半導体デバイスは、ＳｉＣ基板と、ＳｉＣ基板上に形成されたエピタキシャル層とを備えている。ＳｉＣ半導体デバイスの特性を向上するためには、高品質のエピタキシャル層を形成する必要がある。このため、米国特許第５，０１１，５４９号明細書（特許文献１）、特開２００５−２７６９９９号公報（特許文献２）、特許第３８５４５０８号（特許文献３）、特許第３６９２０７６号（特許文献４）などに、オフ角が形成された主面を有するＳｉＣ基板が開示されている。
米国特許第５，０１１，５４９号明細書 特開２００５−２７６９９９号公報 特許第３８５４５０８号 特許第３６９２０７６号

上記特許文献１〜４では、オフ角が形成された主面を有するＳｉＣ基板を作製している。しかし、ＳｉＣ基板を作製するために、種基板から加工する方法が開示されていない。このため、ＳｉＣ基板の主面に転位線が露出してしまうことにより、転位密度が高くなるという問題があることを本発明者は初めて明らかにした。ＳｉＣ基板上に形成されたエピタキシャル層はＳｉＣ基板の転位を引き継ぐために、ＳｉＣ基板の転位密度が高いとエピタキシャル層の転位密度も高くなる。このため、ＳｉＣ半導体デバイスの特性を十分に向上することができない。

また、転位密度の低いＳｉＣ基板が仮に得られた場合であっても、転位線に着目していないため、歩留まりが悪いという問題があることを本発明者は初めて明らかにした。このため、特性を向上したＳｉＣ半導体デバイスを歩留まりを向上して製造することができない。

それゆえ本発明の目的は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、転位密度の低いＳｉＣ基板を歩留まりを向上して製造するＳｉＣ基板の製造方法およびＳｉＣ基板を提供することである。

本発明のＳｉＣ基板の製造方法は、オフ角を有し、主面が形成されたＳｉＣ基板の製造方法であって、以下の工程を備えている。｛０００１｝面に対してオフ角を有する種基板を準備する。種基板上にＳｉＣ結晶を成長する。基底面転位の転位線の方向と、ＳｉＣ基板のオフ方向とのなす角度が７５°以上１０５°以下になるように、ＳｉＣ結晶からＳｉＣ基板を切り出す。

本発明のＳｉＣ基板は、オフ角を有し、主面が形成されたＳｉＣ基板であって、基底面転位の転位線の方向と、オフ方向とのなす角度が７５°以上１０５°以下であることを特徴としている。

本発明のＳｉＣ基板の製造方法およびＳｉＣ基板によれば、オフ角を有する種基板上にＳｉＣ結晶を成長させている。これにより、基底面転位の転位線が一方向に並ぶことを、本発明者は鋭意研究の結果見い出した。さらに、上記なす角度が７５°以上１０５°以下の場合に、基底面転位の転位線と主面とが交差することを抑制できる、つまり転位密度が低いＳｉＣ基板を製造できることを、本発明者は鋭意研究の結果見い出した。基底面転位の転位線は一方向に並んでいるので、上記なす角度を設定することで、転位密度の低いＳｉＣ基板を歩留まりを向上して製造することができる。

上記ＳｉＣ基板の製造方法において好ましくは、上記切り出す工程では、上記なす角度が８５°以上９５°以下になるようにＳｉＣ基板を切り出す。

上記ＳｉＣ基板において好ましくは、上記なす角度が８５°以上９５°以下であることを特徴としている。

これにより、基底面転位の転位線と主面との交差をより抑制することができる。このため、転位密度のより低いＳｉＣ基板をより歩留まりを向上して製造することができる。

上記ＳｉＣ基板の製造方法において好ましくは、主面が１０ｃｍ^-2以下の基底面転位密度を有するようにＳｉＣ基板を切り出す。

上記ＳｉＣ基板において好ましくは、主面は、１０ｃｍ^-2以下の基底面転位密度を有することを特徴としている。

上述したように、基底面転位の転位線と主面とが交差することが抑制されているので、このように基底面転位密度を低減したＳｉＣ基板を実現することができる。

上記ＳｉＣ基板の製造方法において好ましくは、上記切り出す工程では、主面が｛０３−３８｝面に対して±１０°の範囲で傾斜するようにＳｉＣ基板を切り出す。

上記ＳｉＣ基板において好ましくは、｛０３−３８｝面に対して±１０°の範囲で傾斜していることを特徴としている。

これにより、このＳｉＣ基板を用いて作製された半導体デバイスの特性を向上することができる。

上記ＳｉＣ基板の製造方法において好ましくは、上記切り出す工程では、主面が１０００ｍｍ²以上の面積を有するようにＳｉＣ基板を切り出す。

上記ＳｉＣ基板において好ましくは、主面が、１０００ｍｍ²以上の面積を有することを特徴としている。

これにより、半導体デバイスの基板として利便性の高いＳｉＣ基板を実現することができる。

本発明のＳｉＣ基板の製造方法およびＳｉＣ基板によれば、転位密度の低いＳｉＣ基板を歩留まりを向上して製造することができる。

以下、図面に基づいて本発明の実施の形態を説明する。なお、以下の図面において同一または相当する部分には、同一の参照符号を付し、その説明は繰り返さない。また、本明細書中においては、個別方位を［］、集合方位を＜＞、個別面を（）、集合面を｛｝でそれぞれ示している。また、負の指数については、結晶学上、”−”（バー）を数字の上に付けることになっているが、本明細書中では、数字の前に負の符号を付けている。

図１は、本発明の一実施の形態におけるＳｉＣ基板を概略的に示す斜視図である。図１を参照して、本実施の形態におけるＳｉＣ基板１０を説明する。図１に示すように、ＳｉＣ基板１０は、オフ角θを有しているとともに、主面１１を有している。また、ＳｉＣ基板１０には、基底面転位の転位線１２が形成されている。転位線１２は、基底面において一方向に揃っている。

図２は、転位線の方向とオフ方向とのなす角度を示す図である。図１および図２に示すように、ＳｉＣ基板１０において、基底面転位の転位線１２の方向と、オフ方向Ｄとのなす角度αは、７５°以上１０５°以下であり、好ましくは８５°以上９５°以下である。図３は、転位線の方向とオフ方向とのなす角度αが９０°の場合の図である。角度αは、図３に示すように９０°近傍であることが特に好ましい。角度αが上記範囲の場合、基底面転位の転位線１２と主面１１とが交差することを抑制することができる。言い換えると、転位線１２と主面１１とはほぼ交差していない。さらに言い換えると、主面１１に露出する転位線１２は少ない。このため、主面１１における転位密度が低くなる。角度αが７５°以上１０５°以下の場合、主面１１は１０ｃｍ^-2以下の低い基底面転位密度を有している。角度αが８５°以上９５°以下の場合、１０ｃｍ^-2未満のより低い基底面転位密度を有している。角度αが９０°近傍の場合、４ｃｍ^-2以下のより低い基底面転位密度を有している。

このように、角度αを７５°以上１０５°以下にすることにより、主面１１の基底面転位密度を１０ｃｍ^-2以下にすることができる。この場合、このＳｉＣ基板１０の主面１１上に形成するエピタキシャル層に引き継がれる転位密度が低くなる。このため、特性を向上したエピタキシャル層を形成できるので、特性を向上したＳｉＣ半導体デバイスを実現することができる。

なお、上記転位密度は、たとえばＫＯＨ（水酸化カリウム）融液中にＳｉＣ基板１０を浸し、エッチングされた表面についてノマルスキー微分干渉顕微鏡を用いてカウントされたエッチピット数から求められるエッチピット密度（Etch Pit Density）とする。

ここで、上述した用語について説明する。転位とは、一次元（線状）の結晶欠陥を言う。つまり、転位は、方向を有している。基底面とは、｛０００１｝面（ｃ面）を言う。基底面転位とは、結晶の基底面内に転位線がある転位を言う。

図４は、オフ角θおよびオフ方向を説明するための図である。図４を参照して、（０００１）面からのオフ角θおよびオフ方向Ｄについて説明する。図４に示すように、オフ角θとは、主面１１の法線（基板面法線）Ｎと、＜０００１＞方向（ｃ軸方向）とのなす角度を言う。オフ方向Ｄとは、主面１１の法線Ｎの（０００１）面への投影ベクトルの方向を言う。つまり、オフ方向Ｄは、法線Ｎの（０００１）面への投影ベクトルが（０００１）面内のどの方向を向いているのかを意味する。

また、主面１１は、｛０３−３８｝面に対して±１０°の範囲で傾斜していることが好ましい。この場合、ＳｉＣ基板１０を用いて作製された半導体デバイスの特性を向上することができる。

ここで、図５を参照して、｛０３−３８｝面とは、｛０００１｝面に対して約５５°（５４．７°）の傾斜を有する面である。言い換えると、｛０３−３８｝面とは、＜０００１＞軸方向に対して約３５°（３５．３°）の傾斜を有している面である。つまり、主面１１は、｛０００１｝面に対して４５°以上６５°以下傾斜していることが好ましい。なお、図５は、｛０３−３８｝面を説明するための図である。

主面１１は、１０００ｍｍ²以上の面積を有することが好ましい。この場合、、ＳｉＣ基板１０を半導体デバイスの基板として用いた場合、利便性を向上することができる。

ＳｉＣ基板１０は、１周期の積層数が４の４Ｈ（Hexagonal）型であることが好ましい。４Ｈ型のＳｉＣ基板を用いたＳｉＣ半導体デバイスは、移動度が大きく、損失を低減できるので、パワーデバイスに好適に用いることができる。なお、本発明のＳｉＣ基板は、１周期の積層数が６の６Ｈ型などであってもよい。

続いて、本実施の形態におけるＳｉＣ基板１０の製造方法について説明する。
図６は、本実施の形態における種基板を概略的に示す斜視図である。まず、図６に示すように、ｃ面に対してオフ角を有する種基板２０を準備する。種基板２０は、主面２０ａを有している。また、種基板２０は、ＳｉＣ基板であることが好ましい。

図７は、本実施の形態における種基板上に成長したＳｉＣ結晶を概略的に示す斜視図である。次に、図７に示すように、種基板２０の主面２０ａ上にＳｉＣ結晶２１を成長する。ＳｉＣ結晶２１の成長方法は、オフ方向に向かって進むステップフロー成長である。つまり、ＳｉＣ結晶２１の成長方向を一方向に制限している。この結果、ＳｉＣ結晶２１において、基底面転位の転位線１２を一方向に揃えることができる。

この成長する工程では、結晶成長空間の温度分布を最適化することにより、一方向へのステップフロー成長をＳｉＣ結晶２１の全工程に渡って維持することが好ましい。

また、この成長する工程では、ＳｉＣバルク結晶を成長することが好ましい。なお、ＳｉＣ結晶２１の厚みは特に限定されない。

なお、成長方法は特に限定されず、昇華法、ＨＶＰＥ（Hydride Vapor Phase Epitaxy：ハイドライド気相成長）法、ＭＢＥ（Molecular Beam Epitaxy：分子線エピタキシ）法、ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition：有機金属化学気相堆積）法などの気相成長法、あるいは溶媒を用いた液相成長法などを採用することができる。

次に、基底面転位の転位線１２の方向と、ＳｉＣ基板１０のオフ方向とのなす角度αが７５°以上１０５°以下になるように、ＳｉＣ結晶２１からＳｉＣ基板１０を切り出す。この工程では、なす角度αが８５°以上９５°以下になるようにＳｉＣ基板１０を切り出すことが好ましい。

具体的には、たとえば図７において矢印Ｔと平行な方向に沿って、ＳｉＣ基板１０を切り出している。なお、切り出す方向は、矢印Ｔと垂直に交差する方向であってもよい。

この切り出す工程では、主面１１が１０ｃｍ^-2以下の基底面転位密度を有するようにＳｉＣ基板１０を切り出すことが好ましい。特に、主面１１が４ｃｍ^-2以下の基底面転位密度を有するようにＳｉＣ基板１０を切り出すことが好ましい。

また、切り出す工程では、主面１１が｛０３−３８｝面に対して±１０°の範囲で傾斜するようにＳｉＣ基板１０を切り出すことが好ましい。

また、主面１１が１０００ｍｍ²以上の面積を有するようにＳｉＣ基板１０を切り出すことが好ましい。また、主面１１の口径が５０ｍｍ以上になるようにＳｉＣ基板１０を切り出すことが好ましい。

ＳｉＣ基板１０を切り出す方法は特に限定されず、たとえば切断など機械的な加工方法を用いることができる。なお、切断とは、外周刃を持つスライサー、内周刃を持つスライサー、ワイヤーソーなどで機械的にＳｉＣ結晶２１からＳｉＣ基板１０を切り出すことをいう。

以上の工程を実施することにより、図１に示すＳｉＣ基板１０を製造することができる。なお、必要に応じて、ＳｉＣ基板１０の主面１１に研磨、表面処理などをさらに施してもよい。研磨する方法および表面処理方法については特に限定されず、任意の方法を採用できる。

続いて、本実施の形態におけるＳｉＣ基板１０およびその製造方法の効果について説明する。

図８は、一般的な基底面転位を示す図である。一般的に、基底面転位は、図８に示すように、結晶の基底面内に転位線１２ａ、１２ｂがある転位を言う。転位線１２ａ、１２ｂは基底面内に存在しているが、転位線１２ａ、１２ｂの方向は異なっている。

本発明者は、基底面において転位線１２ａ、１２ｂを一定の方向に揃える条件について鋭意研究した。その結果、転位線１２ａ、１２ｂが結晶成長方向に伸展する性質を有していることを本発明者は見い出した。つまり、結晶成長の方向と、転位線の伸びる方向とはほぼ同じになることを本発明者は見い出した。このため、本実施の形態では、種基板２０にオフ角を導入し、結晶成長方向を一方向に制限している。したがって、図７に示すように基底面転位の転位線１２の方向を一方向に揃えたＳｉＣ結晶２１を得ている。

加えて、ＳｉＣ結晶２１は基底面転位の転位線１２の方向が一方向に揃っているので、ＳｉＣ基板１０の切り出す方向により、主面１１に転位線１２が露出することを抑制できることを、本発明者は見い出した。そこで、転位線１２の主面１１への露出を効果的に抑制する条件について鋭意研究した結果、基底面転位の転位線１２の方向と、ＳｉＣ基板１０のオフ方向Ｄとのなす角度αが７５°以上１０５°以下になるように、ＳｉＣ結晶２１からＳｉＣ基板１０を切り出すことを見い出した。この場合、ＳｉＣ基板１０において、基底面転位の転位線１２と主面１１とがほぼ交差せず、ＳｉＣ基板１０の内部を貫通するように転位線１２が形成される。このため、主面１１の転位密度が低いＳｉＣ基板１０を製造できる。

図９は、本実施の形態のＳｉＣ基板とは異なるＳｉＣ基板を概略的に示す斜視図である。複数枚のＳｉＣ基板１０を切り出すと、図９に示すように、主面１１にストライプ状の転位線１２が露出するＳｉＣ基板を製造する場合がある。しかし、このようなＳｉＣ基板を製造する場合とは、図７において転位線１２が切り出し面に含まれる場合のみである。言い換えると、図７において転位線１２が切り出し面に含まれることを抑制されると、図１に示すように主面１１に転位線１２が露出することが抑制されたＳｉＣ基板１０を製造することができる。このため、ＳｉＣ基板１０の主面に、転位線１２が露出する確率は低い。したがって、図１に示すように、主面１１に転位線１２がほとんど露出しない転位密度が低いＳｉＣ基板１０を歩留まりを向上して製造することができる。

ＳｉＣ基板１０を用いてＳｉＣ半導体デバイスを作製する場合、ＳｉＣ基板１０上に形成するエピタキシャル層は、ＳｉＣ基板１０の主面１１の転位密度を引き継ぐ。しかし、本実施の形態では、上述したようにＳｉＣ基板１０の主面１１の転位密度が低いので、エピタキシャル層に引き継がれる転位密度も低くなる。また転位密度の低いＳｉＣ基板１０を歩留まりを向上して製造できる。このため、特性を向上したＳｉＣ半導体デバイスを歩留まりを向上して製造することができる。

図１０は、比較例におけるＳｉＣ基板を概略的に示す斜視図である。図１１は、比較例における転位線の方向とオフ方向とのなす角度を示す図である。図１０および図１１に示すように、比較例におけるＳｉＣ基板１００は、基底面転位の転位線１２の方向と、ＳｉＣ基板１００のオフ方向Ｄとのなす角度が０°になるように、ＳｉＣ結晶２１からＳｉＣ基板１００を切り出している。このため、ＳｉＣ基板１００の主面１０１には、基底面転位の転位線１２がドット状に露出している。このため、ＳｉＣ基板１００の主面１０１の転位密度は高くなる。

また、ＳｉＣ結晶２１からＳｉＣ基板１００を切り出すと、角度αが０°の場合、切り出し方に依らずに、転位線１２と切り出し面とはほぼ交差する。このため、転位線１２が主面１０１に露出する確率は高い。このため、転位密度の低いＳｉＣ基板を作製することは難しく、かつ歩留まりが極めて悪くなる。

本実施例では、基底面転位の転位線の方向と、オフ方向とのなす角度が７５°以上１０５°以下になるように、ＳｉＣ結晶からＳｉＣ基板を切り出す工程を備えることによる効果について調べた。

（本発明例１〜３）
本発明例１〜３は、上述した実施の形態におけるＳｉＣ基板の製造方法にしたがって、それぞれＳｉＣ基板を製造した。

具体的には、まず、主面２０ａが（０００−１）面で、＜１１−２０＞方向から１５°傾斜したオフ角を有する４Ｈ−ＳｉＣ基板を種基板２０として準備した。

次に、成長温度が２３００℃で、かつ成長圧力が１０Ｔｏｏｒの条件で、種基板２０の主面２０ａ上にＳｉＣ結晶２１を成長した。

次に、ＳｉＣ結晶２１からＳｉＣ基板１０を切り出した。詳細には、本発明例１〜３のＳｉＣ基板１０のオフ方向を、種基板２０のオフ方向である＜１１−２０＞方向に垂直な方向である＜１−１００＞方向、＜１−１００＞方向から＋１５°、＜１−１００＞方向から−１５°になるように、それぞれ切り出した。また、主面１１が（０３−３８）面になるように、ＳｉＣ基板１０を切り出した。

以上の工程より、基底面転位の転位線１２の方向と、オフ方向とのなす角度αがそれぞれ９０°、１０５°、７５°である本発明例１〜３のＳｉＣ基板１０を製造した。なお、本発明例１〜３のＳｉＣ基板１０の主面は、２０２６ｍｍ²の面積を有していた。

（比較例１〜６）
比較例１〜６は、基本的には、本発明例１と同様に製造したが、オフ方向を、＜１１−２０＞方向から＋３０°、＋４５°、＋６０°、−３０°、−４５°、−６０°になるようにそれぞれ切り出した点において異なっていた。つまり、比較例１〜６のＳｉＣ基板は、基底面転位の転位線１２の方向と、オフ方向とのなす角度αがそれぞれ１２０°、１３５°、１５０°、６０°、４５°、３０°であった。

（測定方法）
本発明例１〜３および比較例１〜６のＳｉＣ基板について、主面における基底面転位密度を以下の方法で測定した。すなわち、ＫＯＨ中のエッチングによりできるピットを、図１２に示すように、ノマルスキー微分干渉顕微鏡を用いて観察し、ピットの数を測定した。なお、図１２は、ＳｉＣ基板の主面のエッチピットを観察した状態を示す図である。たとえば図１２において丸で囲んだ細長いピットは基底面転位に対応し、この視野には、基底面転位は２個存在していたことがわかる。この観察により求めた基底面転位密度の結果を図１３に示す。なお、図１３は、実施例におけるなす角度αと基底面転位密度との関係を示す図である。図１３中、縦軸は、主面の基底面転位密度（単位：ｃｍ^-2）を示し、横軸は、なす角度（単位：°）を示す。

（測定結果）
図１３に示すように、基底面転位の転位線の方向と、オフ方向とのなす角度αが７５°以上１０５°以下である本発明例１〜３のＳｉＣ基板は、主面における基底面転位密度が１０ｃｍ^-2以下と低かった。特に、角度αが９０°の場合には、基底面転位密度が４ｃｍ^-2と非常に低かった。

一方、基底面転位の転位線の方向と、オフ方向とのなす角度αが７５°以上１０５°以下の範囲外の比較例１〜６のＳｉＣ基板は、主面における基底面転位密度が５０ｃｍ^-2を超え、本発明例１〜３のＳｉＣ基板の主面の基底転位密度よりも非常に高かった。

以上より、本実施例によれば、基底面転位の転位線の方向と、ＳｉＣ基板のオフ方向とのなす角度が７５°以上１０５°以下になるように、ＳｉＣ結晶からＳｉＣ基板を切り出すことにより、転位密度の低いＳｉＣ基板を製造することができることがわかった。

今回開示された実施の形態および実施例はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した実施の形態ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

本発明の実施の形態におけるＳｉＣ基板を概略的に示す斜視図である。 本発明の実施の形態において、転位線の方向とオフ方向とのなす角度を示す図である。 本発明の実施の形態において、転位線の方向とオフ方向とのなす角度αが９０°の場合の図である。 本発明の実施の形態におけるオフ角θおよびオフ方向を説明するための図である。 本発明の実施の形態において、｛０３−３８｝面を説明するための図である。 本発明の実施の形態における種基板を概略的に示す斜視図である。 本発明の実施の形態における種基板上に成長したＳｉＣ結晶を概略的に示す斜視図である。 一般的な基底面転位を示す図である。 本発明の実施の形態のＳｉＣ基板とは異なるＳｉＣ基板を概略的に示す斜視図である。 比較例におけるＳｉＣ基板を概略的に示す斜視図である。 比較例における転位線の方向とオフ方向とのなす角度を示す図である。 実施例におけるＳｉＣ基板の主面のエッチピットを観察した状態を示す図である。 実施例におけるなす角度αと基底面転位密度との関係を示す図である

符号の説明

１０ ＳｉＣ基板、１１，２０ａ 主面、１２，１２ａ，１２ｂ 転位線、２０ 種基板、２１ ＳｉＣ結晶、Ｄ オフ方向、Ｎ 法線、Ｔ 矢印、α 角度、θ オフ角。

Claims (10)

1. オフ角を有し、主面が形成された炭化ケイ素基板の製造方法であって、
   ｛０００１｝面に対してオフ角を有する種基板を準備する工程と、
   前記種基板上に炭化ケイ素結晶を成長する工程と、
   基底面転位の転位線の方向と、オフ方向とのなす角度が７５°以上１０５°以下になるように、前記炭化ケイ素結晶から前記炭化ケイ素基板を切り出す工程とを備えた、炭化ケイ素基板の製造方法。
2. 前記切り出す工程では、前記なす角度が８５°以上９５°以下になるように前記炭化ケイ素基板を切り出す、請求項１に記載の炭化ケイ素基板の製造方法。
3. 前記切り出す工程では、前記主面が１０ｃｍ^-2以下の基底面転位密度を有するように前記炭化ケイ素基板を切り出す、請求項１または２に記載の炭化ケイ素基板の製造方法。
4. 前記切り出す工程では、前記主面が｛０３−３８｝面に対して±１０°の範囲で傾斜するように前記炭化ケイ素基板を切り出す、請求項１〜３のいずれか１項に記載の炭化ケイ素基板の製造方法。
5. 前記切り出す工程では、前記主面が１０００ｍｍ²以上の面積を有するように前記炭化ケイ素基板を切り出す、請求項１〜４のいずれか１項に記載の炭化ケイ素基板の製造方法。
6. オフ角を有し、主面が形成された炭化ケイ素基板であって、
   基底面転位の転位線の方向と、オフ方向とのなす角度が７５°以上１０５°以下であることを特徴としている、炭化ケイ素基板。
7. 前記なす角度が８５°以上９５°以下であることを特徴としている、請求項６に記載の炭化ケイ素基板。
8. 前記主面は、１０ｃｍ^-2以下の基底面転位密度を有することを特徴としている、請求項６または７に記載の炭化ケイ素基板。
9. 前記主面は、｛０３−３８｝面に対して±１０°の範囲で傾斜していることを特徴としている、請求項６〜８のいずれか１項に記載の炭化ケイ素基板。
10. 前記主面が、１０００ｍｍ²以上の面積を有することを特徴としている、請求項６〜９のいずれか１項に記載の炭化ケイ素基板。