JP2009046367A - 炭化珪素単結晶の製造装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】昇華再結晶法による炭化珪素単結晶の製造装置において、容器1は、一面が開口しており内部に記炭化珪素原料2が配置される中空形状の本体1aと、前記本体1aの前記開口する一面側に配置される蓋材1bと、炭化珪素単結晶基板3が配置される台座5とを備え、前記蓋材1bと前記台座5とが別部材で構成され、前記台座5が接合部材6を介して前記蓋材1bに貼り合わされた構成とする。
【選択図】図1
Description
本発明の第1実施形態について説明する。図1は、本実施形態にかかるSiC単結晶の製造装置を用いてSiC単結晶を成長させている様子を示した断面図である。
本発明の第2実施形態について説明する。本実施形態は、第1実施形態に対してSiC単結晶の製造装置の構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、異なる部分についてのみ説明する。
緩衝材7および接合部材8、9の厚みが凹部1cの深さよりも大きくなるようにすることで、緩衝材7および接合部材8、9を介して蓋材1bに台座5を貼り合せたときに、蓋材1bと台座5とが接触しない程度の厚みにすると好ましい。蓋材1bと台座5とが異なる部材として構成されているため、蓋材1bの熱膨張による影響が台座5に伝わり難くなっているが、このように蓋材1bと台座5とが接触しないようにしてあれば、よりその影響を抑制することが可能となる。
本発明の第3実施形態について説明する。本実施形態は、第2実施形態に対してSiC単結晶の製造装置の構成を変更したものであり、その他に関しては第1実施形態と同様であるため、異なる部分についてのみ説明する。
上記第1〜第3実施形態では、SiC単結晶の製造装置の容器の一例として円筒状の黒鉛製るつぼ1を例に挙げたが、これは単なる一例であり、黒鉛製るつぼ1の形状は必ずしも円筒状でなくても良いし、すべてが黒鉛製でなくても構わない。例えば、容器の外形が正多角柱形状であっても良いし、Ta(タンタル)等で内壁面がコーティングされていても良い。
11…SiC多結晶
Claims (10)
- 容器(1)内に、炭化珪素原料(2)と種結晶となる炭化珪素単結晶基板(3)を配置し、前記炭化珪素原料(2)を加熱昇華させて前記炭化珪素単結晶基板(3)上に炭化珪素単結晶(4)を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置において、
前記容器(1)は、
一面が開口しており内部に前記炭化珪素原料(2)が配置される中空形状の本体(1a)と、
前記本体(1a)の前記開口する一面側に配置される蓋材(1b)と、
前記炭化珪素単結晶基板(3)が配置される台座(5)とを備え、
前記蓋材(1b)と前記台座(5)とが別部材で構成され、前記台座(5)が接合部材(6、8、9)を介して前記蓋材(1b)に貼り合わされた構成とされていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。 - 前記台座(5)の材料が、炭化珪素単結晶基板と同等な熱膨張係数をもつ材料であることを特徴とする請求項1に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記台座(5)の材料が、等方性黒鉛材料であることを特徴とする請求項2に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記台座(5)の形状が、円柱形状であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記台座(5)の形状が、多角柱形状であることを特徴とする請求項1ないし3のいずれか1つに記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記台座(5)が、剛体であることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか1つに記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記蓋材(1b)には凹部(1c)が形成されており、該凹部(1c)内に前記接合部材(6)を介して前記台座(5)が配置されていることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1つに記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記蓋材(1b)と前記台座(5)との間に薄板状の緩衝材(7)が配置されており、該緩衝材(7)の両面に前記接合部材(8、9)が配置されることで、前記緩衝材(7)および前記接合部材(8、9)を介して前記蓋材(1b)に前記台座(5)が貼り合わされていることを特徴とする請求項1ないし6のいずれか1つに記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記蓋材(1b)には凹部(1c)が形成されており、該凹部(1c)内に前記緩衝材(7)および前記接合部材(8、9)が配置されていることを特徴とする請求項8に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
- 前記凹部(1c)の深さよりも前記緩衝材(7)および前記接合部材(8、9)の厚みの方が厚くなっていることを特徴とする請求項9に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
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