JP2011207691A - 炭化珪素単結晶の製造装置および炭化珪素単結晶の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】オフ角が０．５°以下とほとんどないオン基板のＳｉＣ単結晶からなる種結晶を用いてＳｉＣ単結晶を成長させる際に、異種多形のＳｉＣ単結晶の成長を防止し、高品質のＳｉＣ単結晶を製造することが可能なＳｉＣ単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】種結晶４を配置する台座３に空洞部３ａを設け、空洞部３ａにおいて台座３の他の部分よりも放熱性を高める。そして、空洞部３ａのうち種結晶４側の部位が直径１ｍｍ以上、５ｍｍ以下の円形内に収まるようにすることで、種結晶４の表面に１つの成長核のみが形成され、その成長核からＳｉＣ単結晶が広がりながら成長する。これにより、初めに形成された成長核となる部分の上、つまりファッセットが形成される部分では、マイクロパイプ欠陥やらせん転位が発生するが、それら以外の領域では、基底面転位や積層欠陥の発生を防ぐことが可能となり、異種多形が発生しないようにできる。
【選択図】図２

Description

本発明は、パワーＭＯＳＦＥＴ等の素材に利用することができる炭化珪素（以下、ＳｉＣという）単結晶の製造を行うＳｉＣ単結晶製造装置およびＳｉＣ単結晶製造方法に関するものである。

従来、ＳｉＣ単結晶を成長させる方法として、昇華再結晶法やガス供給法が用いられている。昇華再結晶法は、黒鉛製の坩堝内に配置した黒鉛台座に種結晶を接合すると共に、坩堝底部に配したＳｉＣ原料を加熱昇華させ、その昇華ガスを種結晶に供給することによって種結晶上にＳｉＣ単結晶を成長させるものである。ガス供給法は、台座に接合した種結晶に対して、ガス導入孔を通じて、シランガスとプロパンガスのＳｉＣ原料ガスを供給することによって種結晶上にＳｉＣ単結晶を成長させるものである。

ＳｉＣ単結晶を成長させる際には、種結晶として例えば１〜２０°のオフ角を有するオフ基板を用いると、ＳｉＣ単結晶を成長させ易いが、その反面積層欠陥が発生し易いという問題がある。このため、積層欠陥の発生を抑制するために、例えばオフ角が０．５°以下とほとんどないオン基板を種結晶としてＳｉＣ単結晶を成長させることが考えられている。

特開平０８−０５９３８９号公報

しかしながら、オン基板を用いる場合、ファセットが不特定の場所に形成されるので、４Ｈ−ＳｉＣの上に結晶構造が異なる６Ｈ−ＳｉＣが形成されるなど、異種多形が不特定の場所に発生してしまう可能性がある。

これに対して、種結晶の中央等に人為的に凹みなどを形成するようにすれば（例えば、特許文献１参照）、成長中心にファセットが形成されるようにでき、異種多形のＳｉＣ単結晶が成長することを防ぐことができると考えられる。しかし、種結晶に対する人為的な凹みなどの形成の有無に関わらず、不特定の場所に異種多形のＳｉＣ単結晶が成長することを防げるようにすることが望まれる。

本発明は上記点に鑑みて、オン基板のＳｉＣ単結晶からなる種結晶を用いてＳｉＣ単結晶を成長させる際に、不特定の場所に所望の多形以外の異種多形のＳｉＣ単結晶が成長することを防止でき、かつ基底面転位や積層欠陥の発生を抑制できる高品質のＳｉＣ単結晶を製造するためのＳｉＣ単結晶の製造装置およびＳｉＣ単結晶の製造方法を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、台座（３）における種結晶（４）が取り付けられる一面のうち、該台座（３）の外縁部よりも内側に、種結晶（４）側の部位が直径１ｍｍ以上、５ｍｍ以下の円形内に収まり、前記一面の他の部位よりも放熱性が高くされた放熱部（３ａ、３ｃ、３ｅ）が備えられていることを特徴としている。

このように構成されたＳｉＣ単結晶製造装置では、種結晶（４）を配置する台座（３）に放熱部（３ａ、３ｃ、３ｅ）を設け、放熱部（３ａ、３ｃ、３ｅ）において台座（３）の他の部分よりも放熱性を高めるようにしている。そして、放熱部（３ａ、３ｃ、３ｅ）のうち種結晶（４）側の部位が直径１ｍｍ以上、５ｍｍ以下の円形内に収まるようにすることで、種結晶（４）の表面に１つの成長核のみが形成されるようにでき、その成長核から広がりながら成長する（ステップフロー成長）ようにＳｉＣ単結晶（６）を形成することができる。これにより、初めに形成された成長核となる部分の上、つまりファッセットが形成される部分では、マイクロパイプ欠陥やらせん転位が発生するが、それら以外の領域では、基底面転位や積層欠陥の発生を防ぐことが可能となり、異種多形が発生しないようにできる。したがって、オン基板のＳｉＣ単結晶からなる種結晶（４）を用いてＳｉＣ単結晶（６）を成長させる際に、異種多形のＳｉＣ単結晶（６）が成長することを防止することが可能となる。

例えば、請求項２に記載したように、放熱部を台座（３）に対して一面に形成された空洞部（３ａ）で構成することができる。

また、請求項３に記載したように、台座（３）を、台座本体（３ｂ）と、該台座本体（３ｂ）に形成された空洞部（３ａ）内に配置され、台座本体（３ｂ）の構成材料よりも高熱伝導度の材料で構成された高熱伝導部材（３ｃ）とを有した構成とし、放熱部を高熱伝導部材（３ｃ）により構成することもできる。

さらに、請求項４に記載したように、台座（３）を、台座本体（３ｂ）と、該台座本体（３ｂ）の種結晶（４）側の面に形成された凸部（３ｅ）を囲む凹部（３ｆ）内に配置され、台座本体（３ｂ）の構成材料よりも低熱伝導度の材料で構成された低熱伝導部材（３ｄ）とを有した構成とし、放熱部を凸部（３ｅ）により構成することもできる。

請求項５に記載の発明では、台座（３）として、該台座（３）における種結晶（４）が取り付けられる一面のうち、該台座（３）の外縁部よりも内側に、前記一面の他の部位よりも放熱性が高くされた放熱部（３ａ、３ｃ、３ｅ）が備えられたものを用意する工程と、台座（３）の一面に種結晶（４）を取り付け、原料ガスを供給することにより、種結晶（４）のうち放熱部（３ａ、３ｃ、３ｅ）と対応する場所に初めに１つの成長核を形成し、その後、当該成長核よりＳｉＣ単結晶（６）を成長させる工程と、を含んでいることを特徴としている。

このように、種結晶（４）の表面に１つの成長核のみが形成されるようにし、その成長核から広がりながら成長する（ステップフロー成長）ようにＳｉＣ単結晶（６）を形成している。これにより、初めに形成された成長核となる部分の上、つまりファセットが形成される部分では、マイクロパイプ欠陥やらせん転位が発生するが、それら以外の領域では、基底面転位や積層欠陥の発生を防ぐことが可能となり、異種多形が発生しないようにできる。したがって、オン基板のＳｉＣ単結晶からなる種結晶（４）を用いてＳｉＣ単結晶（６）を成長させる際に、異種多形のＳｉＣ単結晶（６）が成長することを防止することが可能となる。

具体的には、請求項６に記載したように、種結晶（４）として、該種結晶（４）のうち放熱部（３ａ、３ｃ、３ｅ）に対応する箇所にマイクロパイプ欠陥もしくは、らせん転位が１個以上存在するものを用いるようにすれば、マイクロパイプ欠陥もしくはらせん転位に基づいて成長核が形成されるようにできる。

なお、上記各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。

本発明の第１実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置１の断面構成図である。 （ａ）は、種結晶４を貼り付けた台座３の断面図、（ｂ）は、台座３の正面図である。 ＳｉＣ単結晶６の成長中の様子を示した断面図である。 本発明の第２実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置１に備えられる台座３に種結晶４を貼り付けたときの様子を示した断面図である。 本発明の第３実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置１に備えられる台座３に種結晶４を貼り付けたときの様子を示した断面図である。 他の実施形態で説明する台座３の正面図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、図中、同一符号を付してある。

（第１実施形態）
以下、本発明の第１実施形態について図を参照して説明する。図１は、本実施形態に係るＳｉＣ単結晶製造装置１の断面構成図である。

図１に示すように、ＳｉＣ単結晶製造装置１の容器として円筒状の黒鉛製の坩堝１が用いられている。坩堝２は、台座３に取り付けられたＳｉＣ単結晶基板からなる種結晶４に対して、坩堝２の底部に備えられたＳｉＣの粉末原料（ＳｉＣ原料）５の昇華ガスを供給し、種結晶４上にＳｉＣ単結晶６を結晶成長させるものである。

この坩堝２は、上面が開口している有底円筒状の坩堝本体２ａと、坩堝本体２ａの開口部を塞ぐ円盤状の蓋材２ｂとを備えて構成されている。また、坩堝２を構成する蓋材２ｂの中央部において突き出した部分を台座３として、台座３上にＳｉＣ単結晶基板３が図示しない接着剤等を介して接合される。台座３は、接合される種結晶４とほぼ同等の寸法とされている。本実施形態では、種結晶４を円形としており、台座３も種結晶４と同じく円形とされている。そして、台座３の中心が坩堝２の中心軸上に配置されることで、種結晶４もその中心軸上に配置されるようにしている。また、種結晶４は、例えば円形状の（０００１）Ｓｉ面もしくは（０００−１）Ｃ面を主表面とするオフ角が０．５°以下の４Ｈ−ＳｉＣのオン基板とされている。

なお、種結晶４および台座３の形状は任意であり、円形に限らず、四角形、六角形、八角形など、他の多角形状であっても構わない。

図２（ａ）は、種結晶４を貼り付けた台座３の断面図、図２（ｂ）は、台座３の正面図である。この図に示されるように、台座３の中央部には、種結晶４の貼り付け面に対して垂直方向に伸びる放熱用の空洞部３ａを形成してある。空洞部３ａは、種結晶４側の部位（開口部）が直径１ｍｍ以上、５ｍｍ以下の円形内に収まるように構成されている。この空洞部３ａを備えることにより、台座３を構成する他の部分よりも放熱性が高められるようにしている。

一方、坩堝２のうち容器本体２ａの底部には、昇華ガスの供給源となるＳｉＣの粉末原料５が配置されている。そして、坩堝２内の空間のうち種結晶４と粉末原料５との間を成長空間領域として、粉末原料５からの昇華ガスが種結晶４の表面上に再結晶化して、種結晶４の表面にＳｉＣ単結晶６が成長させられる構成とされている。

そして、このように種結晶４および粉末原料５を収容した坩堝２を囲むように断熱材７が備えられている。例えば、断熱材７は、坩堝２の外周面および底面を構成する坩堝本体２ａと蓋材２ｂを囲むように配置され、多孔質カーボンなどで構成されることにより、孔を通じて雰囲気ガスの導入が行えるようになっている。断熱材７は複数部品に分割できるように構成され、複数部品を組付けることによって坩堝２を囲めるようになっている。

また、ＳｉＣ単結晶製造装置１は、回転機構８を備えている。回転機構８は、上記の坩堝２を搭載するための円板状のテーブル８ａと、坩堝２の中心軸を中心にテーブル８ａを回転させるための棒状のシャフト８ｂとを備えて構成されている。

テーブル８ａの一面には坩堝２が配置され、テーブル８ａの他面には当該他面に対して垂直方向にシャフト８ｂが延びるようにシャフト８ｂの一端が接続されている。シャフト８ｂの他端は図示しないモータに支持され、当該モータによってシャフト８ｂの中心軸を中心にシャフト８ｂが回転させられるようになっている。

例えば、坩堝２の中心軸はシャフト８ｂの中心軸上に配置されている。これにより、テーブル８ａおよび坩堝２がシャフト８ｂの中心軸すなわち坩堝２の中心軸を中心に回転する。

さらに、坩堝２の外周を囲むように円筒型の誘導コイル９、１０が配置されている。本実施形態では、この誘導コイル９、１０が加熱装置となる。一方の誘導コイル９は、坩堝２のうち粉末原料５が配置された箇所の側面と対向するように配置され、他方の誘導コイル１０は、坩堝２のうち種結晶４が配置された箇所の側面と対向するように配置されている。各誘導コイル９、１０の中心は坩堝２やテーブル８ａの中心軸と同心軸とされている。このように配置された誘導コイル９、１０のパワーを制御することにより、坩堝２を誘導加熱する際の温度が図示しない測温孔を通じて適宜調整される。例えば、ＳｉＣ単結晶６を結晶成長させる際には、この誘導コイル９、１０のパワーを調節することによって種結晶４の温度が粉末原料５の温度よりも１００℃程度低温に保たれるようにすることができる。なお、図示しないが、坩堝２やテーブル８ａ等は、アルゴンガスが導入できる真空容器の中に収容されており、この真空容器内で加熱できるようになっている。以上のようにして、本実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置１が構成されている。

続いて、上記のような構成のＳｉＣ単結晶製造装置１によるＳｉＣ単結晶６の製造方法について説明する。図３は、ＳｉＣ単結晶６の成長中の様子を示した断面図である。

まず、台座３に対して種結晶４を貼り付ける。このとき、種結晶４として、空洞部３ａに対応する箇所にマイクロパイプ欠陥もしくは、らせん転位が１個以上存在するものを用いるようにする。そして、図示しない排気機構を用いて、ガス排出を行って坩堝２を収容する真空容器内を真空にすると共に、ヒータ９、１０を加熱し、その輻射熱により坩堝２を加熱することで坩堝２内を所定温度にする。

その後、真空容器内に、例えば不活性ガス（Ａｒガス等）や水素、結晶へのドーパントとなる窒素などの混入ガスを流入させる。そして、種結晶４の成長面の温度および粉末原料５の温度を目標温度まで上昇させる。例えば、成長結晶を４Ｈ−ＳｉＣとする場合、粉末原料５の温度を２１００〜２３００℃とし、成長結晶表面の温度をそれよりも１０〜１００℃程度低くする。そして、シャフト８ｂを回転させることで坩堝２を回転させる。このようにして、種結晶４上にＳｉＣ単結晶６を成長させることができる。

このＳｉＣ単結晶６の成長時に、図３に示すように、空洞部３ａが台座３の他の部分よりも放熱性が高められていることから、種結晶４のうち温度の低くなった空洞部３ａと対応する箇所に初めにＳｉＣ単結晶６が成長し、それを成長核として広がりながらＳｉＣ単結晶６が成長していく。このとき、種結晶４のうち初めに形成された成長核となる部分と対応する場所に存在していたマイクロパイプ欠陥やらせん転位上にファセットが成長するので、らせん転位で種結晶４と同一多形のステップが承継され、異種多形が発生しないようにでき、種結晶４の表面のうち成長核以外の部分では微小なオフ成長（ステップフロー成長）が行われることで、ＳｉＣ単結晶６が成長していく。

このため、初めに形成された成長核となる部分の上、つまりファッセットが形成される部分では、マイクロパイプ欠陥やらせん転位が発生するが、それら以外の領域では、基底面転位や積層欠陥の発生を防ぐことが可能となり、異種多形が発生しないようにできる。また、種結晶４のうち空洞部３ａと対応する部分に傷などによる凹み部を形成しておけば、その傷上にファセットが形成され易くなるため、より上記効果を得ることが可能となる。

以上説明したように、本実施形態のＳｉＣ単結晶製造装置１では、種結晶４を配置する台座３に空洞部３ａを設け、空洞部３ａにおいて台座３の他の部分よりも放熱性を高めるようにしている。そして、空洞部３ａのうち種結晶４側の部位が直径１ｍｍ以上、５ｍｍ以下の円形内に収まるようにすることで、種結晶４の表面に１つの成長核のみが形成されるようにし、その成長核から広がりながら成長するようにＳｉＣ単結晶６を形成している。これにより、初めに形成された成長核となる部分の上、つまりファッセットが形成される部分では、マイクロパイプ欠陥やらせん転位が発生するが、それら以外の領域では、基底面転位や積層欠陥の発生を防ぐことが可能となり、不特定の場所に異種多形が発生しないようにできる。したがって、オン基板のＳｉＣ単結晶からなる種結晶４を用いてＳｉＣ単結晶６を成長させる際に、不特定の場所に異種多形のＳｉＣ単結晶６が成長することを防止することが可能となる。

（第２実施形態）
本発明の第２実施形態について説明する。本実施形態は、第１実施形態に対して台座３の構成を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、異なる部分についてのみ説明する。

図４は、本実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置１に備えられる台座３に種結晶４を貼り付けたときの様子を示した断面図である。この図に示されるように、本実施形態では、台座３を台座本体３ｂと高熱伝導部材３ｃとによって構成している。具体的には、台座３の空洞部３ａ内に台座本体３ｂを構成する材料、つまり黒鉛よりも熱伝導度が高い材料で構成された高熱伝導部材３ｃを配置している。この高熱伝導部材３ｃは、例えば台座本体３ｂを構成する黒鉛の熱伝導度が１００［W/m・k］程度のとき、台座本体３ｂを構成する黒鉛とは結晶構造が異なる熱伝導度が１１０［W/m・k］以上の黒鉛にて構成されるように、台座本体３ｂと高熱伝導部材３ｃの黒鉛の熱伝導度の差は１０［W/m・k］以上あると効果的である。１０［W/m・k］未満では、種結晶（４）のうち高熱伝導部材３ｃに対応する場所に初めに１つの成長核が形成されず、他の場所に所望の多形でない成長核が形成され異種多形が発生する恐れがある。

このように、空洞部３ａ内に高熱伝導部材３ｃを備えることにより、より高い熱伝導度を得ることが可能となり、より種結晶４の表面のうち高熱伝導部材３ｃと対応する場所を放熱し易くなって、そこに１つの成長核を形成することが可能となる。これにより、第１実施形態と同様の効果をより効果的に得ることが可能となる。

（第３実施形態）
本発明の第３実施形態について説明する。本実施形態も、第１実施形態に対して台座３の構成を変更したものであり、その他に関しては第１実施形態と同様であるため、異なる部分についてのみ説明する。

図５は、本実施形態にかかるＳｉＣ単結晶製造装置１に備えられる台座３に種結晶４を貼り付けたときの様子を示した断面図である。この図に示されるように、本実施形態では、
台座３を台座本体３ｂと低熱伝導部材３ｄによって構成している。具体的には、台座本体３ｂのうちの種結晶４側の面について、中央部が凸部３ｅ、それ以外の部分が凹部３ｆとなるようにし、凹部３ｆ内に台座本体３ｂを構成する黒鉛よりも熱伝導度が低い材料、例えば耐熱性カーボンシートで構成された低熱伝導部材３ｄを配置することで、黒鉛で構成された台座本体３ｂの凸部３ｅが低熱伝導部材３ｄで囲まれた構造とされている。これにより、凸部３ｅが相対的にその周囲を囲む低熱伝導部材３ｄよりも熱伝導度が高くなる。

このように、台座本体３ｂの凸部３ｅが低熱伝導部材３ｄで囲まれる構造としても、台座本体３ｂの凸部３ｅが相対的に熱伝導度が高くなるようにでき、種結晶４の表面のうち台座本体３ｂの凸部３ｅと対応する場所が相対的に放熱し易くなって、その場所に１つの成長核を形成することが可能となる。これにより、第１実施形態と同様の効果を得ることが可能となる。

（他の実施形態）
上記第１、第２実施形態では、放熱部の一例として、台座３の中央部に空洞部３ａを備えたり、空洞部３ａ内に高熱伝導部材３ｃを配置した例を示した。また、第３実施形態では、台座本体３ｂの中央部のみを残して凹部３ｆを形成し、凹部３ｆ内に低熱伝導部材３ｄを配置することで台座本体３ｂの凸部３ｅが相対的に高熱伝導度となるようにし、放熱部として機能するようにした。

しかしながら、台座３における種結晶４が取り付けられる一面のうち、他の部分と放熱性を高くできる場所、つまり放熱部として機能する場所は必ずしも中央部である必要はなく、台座３の外縁部よりも内側の一箇所が放熱部として機能していれば良い。また、第１、第２実施形態で示した空洞部３ａや高熱伝導部材３ｃは、種結晶４の貼り付け面に対して垂直方向に伸びる構造でなくても良く、例えば、種結晶４から離れるほど拡径する形状であっても構わない。

また、上記第１〜第３実施形態では、放熱部として機能する空洞部３ａ、高熱伝導部材３ｃ、凸部３ｅが直径１ｍｍ以上、５ｍｍ以下の円形内に収まるようにしているが、これらを円形以外の形状としても良い。図６（ａ）〜（ｃ）は、その一例を示した台座３の正面図である。なお、ここでは、第１実施形態のように台座３に対して空洞部３ａを形成する場合について図示してあるが、高熱伝導部材３ｃ、凸部３ｅについても同様の形状を適用することができる。すなわち、空洞部３ａ、高熱伝導部材３ｃ、凸部３ｅについては、１ｍｍ以上、５ｍｍ以下の円形以外にも、図６（ａ）〜（ｃ）に示したように、対辺が１ｍｍ以上、対角線が５ｍｍ以下となる四角形、六角形、八角形などの多角形状としても構わない。

また、上記各実施形態では、昇華再結晶法によりＳｉＣ単結晶６を成長させるＳｉＣ単結晶製造装置１において、台座３のうち種結晶４が取り付けられる一面の一部を放熱部として機能させる場合について説明したが、Ｓｉ含有ガス、具体的には例えばシランガスと、Ｃ含有ガス、具体的には例えばプロパンガスを供給するガス供給法によりＳｉＣ単結晶６を成長させる場合にも同様の構成の台座３を適用することにより、上記各実施形態と同様の効果を得ることができる。

さらに、上記各実施形態では、台座３を黒鉛で構成する場合について説明した。黒鉛にも様々な組成があるが、いずれの組成の黒鉛にて台座３を構成しても構わない。ただし、第２、第３実施形態において高熱伝導部材３ｃや凸部３ｅを放熱部として機能させるためには、第２実施形態の高熱伝導部材３ｃを台座本体３ｂの構成材料よりも高熱伝導の材料とする必要があるし、第３実施形態の低熱伝導部材３ｄを台座本体３ｂの構成材料よりも低熱伝導の材料とする必要がある。
（比較例）
台座３に放熱部として形成された空洞部３ａ、もしくは、高熱伝導部材３ｃ、凸部３ｅのうち種結晶４側の部位が直径５ｍｍを超えた円形にすると、種結晶４に存在するマイクロパイプ欠陥やらせん転位以外の場所の種結晶４の表面に多数の成長核が形成され、不特定の場所に異種多形が発生した。また、台座３に放熱部として形成された空洞部３ａ、もしくは、高熱伝導部材３ｃ、凸部３ｅのうち種結晶４側の部位が直径１ｍｍ未満の円形にしても、種結晶４に存在するマイクロパイプ欠陥やらせん転位以外の場所の種結晶４の表面に多数の成長核が形成され、不特定の場所に異種多形が発生した。この比較例からも、上記したように、空洞部３ａのうち種結晶４側の部位が直径１ｍｍ以上、５ｍｍ以下となるようにするのが好ましいといえる。

なお、結晶の方位を示す場合、本来ならば所望の数字の上にバー（−）を付すべきであるが、パソコン出願に基づく表現上の制限が存在するため、本明細書においては、所望の数字の前にバーを付すものとする。

１ ＳｉＣ単結晶製造装置
２ 坩堝
３ 台座
３ａ 空洞部
３ｂ 台座本体
３ｃ 高熱伝導部材
３ｄ 低熱伝導部材
３ｅ 凸部
３ｆ 凹部
４ 種結晶
５ 粉末原料
６ ＳｉＣ単結晶

Claims (6)

1. 台座（３）に対して炭化珪素単結晶基板にて構成された種結晶（４）を取り付け、該種結晶（４）の下方から炭化珪素の原料ガスを供給することにより、前記種結晶（４）の表面に炭化珪素単結晶（６）を成長させる炭化珪素単結晶の製造装置において、
   前記台座（３）における前記種結晶（４）が取り付けられる一面のうち、該台座（３）の外縁部よりも内側に、前記種結晶（４）側の部位が直径１ｍｍ以上、５ｍｍ以下の円形内に収まり、前記一面の他の部位よりも放熱性が高くされた放熱部（３ａ、３ｃ、３ｅ）が備えられていることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造装置。
2. 前記放熱部は、前記台座（３）に対して前記一面に形成された空洞部（３ａ）であることを特徴とする請求項１に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
3. 前記台座（３）は、台座本体（３ｂ）と、該台座本体（３ｂ）に形成された空洞部（３ａ）内に配置され、前記台座本体（３ｂ）の構成材料よりも高熱伝導度の材料で構成された高熱伝導部材（３ｃ）とを有して構成され、
   前記放熱部は、前記高熱伝導部材（３ｃ）により構成されていることを特徴とする請求項１に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
4. 前記台座（３）は、台座本体（３ｂ）と、該台座本体（３ｂ）の前記種結晶（４）側の面に形成された凸部（３ｅ）を囲む凹部（３ｆ）内に配置され、前記台座本体（３ｂ）の構成材料よりも低熱伝導度の材料で構成された低熱伝導部材（３ｄ）とを有して構成され、
   前記放熱部は、前記凸部（３ｅ）により構成されていることを特徴とする請求項１に記載の炭化珪素単結晶の製造装置。
5. 台座（３）に対して炭化珪素単結晶基板にて構成された種結晶（４）を取り付け、該種結晶（４）の下方から炭化珪素の原料ガスを供給することにより、前記種結晶（４）の表面に炭化珪素単結晶（６）を成長させる炭化珪素単結晶の製造方法において、
   前記台座（３）として、該台座（３）における前記種結晶（４）が取り付けられる一面のうち、該台座（３）の外縁部よりも内側に、前記一面の他の部位よりも放熱性が高くされた放熱部（３ａ、３ｃ、３ｅ）が備えられたものを用意する工程と、
   前記台座（３）の前記一面に前記種結晶（４）を取り付け、前記原料ガスを供給することにより、前記種結晶（４）のうち前記放熱部（３ａ、３ｃ、３ｅ）と対応する場所に初めに１つの成長核を形成し、その後、当該成長核より前記ＳｉＣ単結晶（６）を成長させる工程と、を含んでいることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方法。
6. 前記種結晶（４）として、該種結晶（４）のうち前記放熱部（３ａ、３ｃ、３ｅ）に対応する箇所にマイクロパイプ欠陥もしくは、らせん転位が１個以上存在するものを用いることを特徴とする請求項５に記載の炭化珪素単結晶の製造方法。

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