JP2015151278A - 単結晶の製造方法、シードシャフト、および単結晶の製造装置 - Google Patents
単結晶の製造方法、シードシャフト、および単結晶の製造装置 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】この単結晶の製造方法は、シードシャフト20に取り付けられた種結晶5の下面5bを原料溶液(Si−C溶液3)に接触させ、下面5bに単結晶を成長させる、溶液成長法によるものである。シードシャフト20は、底面11aを有するシャフト部11と、種結晶5の上面5aがシャフト部11の底面11aと間隔をおいて対向するよう、種結晶5aの周縁を保持可能な取り付け部材13とを備える。この製造方法は、種結晶5の上面5aとシャフト部11の底面11aとの間に0.1〜5mmの間隔を設けて、取り付け部材13により種結晶5をシャフト部11に取り付ける取り付け工程を含む。
【選択図】図3
Description
特許文献2では、筒状で底を有さない軸5が、種結晶1の上面において、周縁部近傍にのみ接着される。
次に、図面を参照して、本実施形態に係る単結晶の製造方法について具体的に説明する。以下の例では、この製造方法により製造する単結晶は、SiC単結晶であるものとする。
まず、種結晶5と、シードシャフト20とを準備する。そして、複数の取り付け部材13を介して、種結晶5を、シャフト部11の下方に取り付ける。
図2に示す製造装置と同様の構造を有する製造装置を用いて、SiC単結晶を製造した。用いた製造装置の取り付け部材は、図4Bに示す取り付け部材11Aのように、シャフト部と一体であった。SiC単結晶の製造条件は、下記の通りとした。
SiC種結晶の上面とシャフト部の底面との間隙に、Si−C溶液を侵入させた以外は、試験番号1の製造と同様にして、SiC単結晶を成長させた。当該間隙にSi−C溶液を侵入させるために、接触工程の前に、シャフト部の底面を、Si−C溶液の液面から1〜2mmの深さに沈めた。
SiC種結晶の上面とシャフト部の底面とを接着剤で接着して、当該上面と当該底面との間に、実質的に空隙を設けなかったこと以外は、試験番号1の製造と同様にして、SiC単結晶を成長させた。
SiC種結晶の上面とシャフト部の底面との間隔を6mmとした以外は、試験番号1の製造と同様にして、SiC単結晶を成長させた(試験番号4)。また、SiC種結晶の上面とシャフト部の底面との間隔を4mmとした以外は、試験番号1の製造と同様にして、SiC単結晶を成長させた(試験番号5)。
11:シャフト部、 11a:シャフト部の底面、
11A、13、13A:取り付け部材、 20:シードシャフト
Claims (9)
- シードシャフトに取り付けられた種結晶の下面を原料溶液に接触させ、前記下面に単結晶を成長させる、溶液成長法による単結晶の製造方法であって、
前記シードシャフトは、
底面を有するシャフト部と、
前記種結晶の上面が前記シャフト部の前記底面と間隔をおいて対向するよう、前記種結晶の周縁を保持可能な取り付け部材とを備え、
前記製造方法は、
前記種結晶の前記上面と前記シャフト部の前記底面との間に0.1〜5mmの間隔を設けて、前記取り付け部材により前記種結晶を前記シャフト部に取り付ける取り付け工程と、
前記シャフト部に取り付けられた前記種結晶の前記下面を前記原料溶液の液面に接触させる接触工程と、
前記原料溶液の液面に接触した前記種結晶の前記下面に単結晶を成長させる成長工程と
を含む、単結晶の製造方法。 - 前記接触工程において、前記シャフト部の前記底面と前記種結晶の前記上面との間隙が、前記原料溶液で満たされている、
請求項1に記載の単結晶の製造方法。 - 前記取り付け工程において、前記種結晶が、互いに離間する複数の前記取り付け部材により、前記シャフト部に取り付けられる、
請求項1または請求項2に記載の単結晶の製造方法。 - 前記取り付け工程において、前記種結晶の前記上面と前記シャフト部の前記底面との間隔が0.1〜2mmにされる、
請求項1〜請求項3のいずれかに記載の単結晶の製造方法。 - 前記単結晶がSiC単結晶である、請求項1〜請求項4のいずれかに記載の単結晶の製造方法。
- 種結晶の下面を原料溶液に接触させ、前記下面に単結晶を成長させる、溶液成長法により単結晶を製造するために用いるシードシャフトであって、
底面を有するシャフト部と、
前記種結晶の上面が前記シャフト部の前記底面と0.1〜5mmの間隔をおいて対向するよう、前記種結晶の周縁を保持可能な取り付け部材と
を備えたシードシャフト。 - 複数の前記取り付け部材であって、互いに離間して配置する複数の前記取り付け部材を備えた、
請求項6に記載のシードシャフト。 - 前記取り付け部材が、前記種結晶の前記上面が前記シャフト部の前記底面と0.1〜2mmの間隔をおいて対向するよう、前記種結晶の周縁を保持可能である、
請求項6または請求項7に記載のシードシャフト。 - 種結晶の下面を原料溶液に接触させ、前記下面に単結晶を成長させる、溶液成長法により単結晶の製造するための装置であって、
請求項6〜請求項8のいずれかに記載のシードシャフトを備えた、単結晶の製造装置。
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