JPH10509943A - 炭化ケイ素のエピタキシー成長における、およびその結果形成される炭化ケイ素構造におけるマイクロパイプの形成を減少させる方法 - Google Patents
炭化ケイ素のエピタキシー成長における、およびその結果形成される炭化ケイ素構造におけるマイクロパイプの形成を減少させる方法Info
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Abstract
Description
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1. マイクロパイプ欠陥をほぼ免れた炭化ケイ素エピタキシャル層の形成 方法であって、 種晶添加昇華技術を用いて炭化ケイ素のバルク結晶を成長させる工程と、 後記基板から後記第一のエピタキシャル層の成長部の中に伝播したマイクロ パイプ欠陥を、後記第一のエピタキシャル層の溶融成長においてマイクロパイプ 欠陥の複製をかなり減らすようにふさぐのに十分な厚みのものとなるまで、バル ク結晶から製造された基板の上に炭化ケイ素の、第一のエピタキシャル層を、液 相エピタキシー技術により形成する工程と、その後、 化学蒸着により炭化ケイ素の前記第一のエピタキシャル層の上に炭化ケイ素 の第二のエピタキシャル層を形成する工程と を有する、炭素ケイ素エピタキシャル層の形成方法。 2. バルク単結晶を成長させる前記工程が、6Hまたは4Hポリタイプか らバルク単結晶を成長させる工程から成り、第一のエピタキシャル層を形成する 前記工程が、前記基板のと同じポリタイプの前記第一のエピタキシャル層を形成 する工程から成る請求項1記載のエピタキシー成長法。 3. 第一のエピタキシャル層を形成する前記工程が、第1の導電性の前記 第一のエピタキシャル層を形成する工程から成り、第二のエピタキシャル層を形 成する前記工程が、前記第一のエピタキシャル層とは反対の導電性をもつ前記第 2の層を形成して、前記第一の、第二のエピタキシャル層の間にpn接合を形成 する工程から成る請求項1記載のエピタキシー成長法。 4. 前記第一の、および第二のエピタキシャル層を形成する前記工程が、 第1の導電性の前記第一の、および第二のエピタキシャル層を形成する工程を有 し、前記第二のエピタキシャル層上に反対の導電性をもつ第三のエピタキシャル 層を形成することにより前記第二の、および第三のエピタキシャル層の間にpn 接合を形成する工程をさらに有する請求項1記載のエピタキシー成長法。 5. マイクロパイプ欠陥をほぼ免れた炭化ケイ素エピタキシャル層の形成 方法であって、 ケイ素中に炭化ケイ素を溶融した溶融物と前記溶融物中の炭化ケイ素の溶解 度を上げる元素とから液相エピタキシーにより炭化ケイ素基板上に炭化ケイ素の エピタキシャル層を成長させる工程を有し、前記溶融物における前記元素の原子 濃度がケイ素の原子濃度よりはるかに高いことと、さらに 前記基板にあるマイクロパイプ欠陥が前記エピタキシャル層で複製されるこ とがほぼなくなり、かつ、前記エピタキシャル層のマイクロパイプ欠陥の数がか なり減少する厚みになるまで前記エピタキシャル層を成長させ続けることによっ て、前記基板から前記エピタキシャル層に伝播したマイクロパイプ欠陥をふさぐ 工程を有することとを特徴とする、炭化ケイ素エピタキシャル層の形成方法。 6. ケイ素と他の元素との溶融物中で前記エピタキシャル層を成長させる 前記工程が、ケイ素とゲルマニウムとの溶融物中で前記エピタキシャル層を成長 させる工程から成る請求項5記載の、エピタキシャル層の形成方法。 7. 前記溶融物から前記エピタキシャル層を成長させる前記工程が、ゲル マニウムの原子濃度が約70ないし90パーセントである溶融物中で前記エピタ キシャル層を成長させる工程から成る請求項6記載の、エピタキシャル層の形成 方法。 8. ケイ素と他の元素との溶融物中で前記エピタキシャル層を成長させる 前記工程が、 適切な成長率を導くのに十分であるが、前記溶融物中で結晶の自然発生を引 き起こすケイ素量より小さい原子濃度のケイ素と、 前記溶融物中の炭化ケイ素の成長を最適化するのに十分であるが、前記成長 中のエピタキシャル層の表面をグラファイト化し得る量よりは小さい原子濃度の 溶解度向上元素と を有する溶融物中で前記エピタキシャル層を成長させる工程から成る請求項 5記載の、エピタキシャル層の形成方法。 9. 炭化ケイ素基板上にエピタキシャル層を成長させる前記工程が、平方 センチメータ当り約50ないし400のマイクロパイプ密度により特徴付けられ る基板上に、前記層を成長させる工程から成る請求項5記載の、エピタキシャル 層の形成方法。 10. マイクロパイプ欠陥をほぼ無くした炭化ケイ素エピタキシャル層の形 成方法であって、炭化ケイ素昇華成長技術によって、基板と請求項5の方法によ り形成されるエピタキシャル層とに種晶添加する工程から成る前記方法。 11. バルク単結晶炭化ケイ素基板と、 前記炭化ケイ素基板の表面における炭化ケイ素エピタキシャル層とを有し、 特に電子工学的電力デバイスで使用される高品質の炭化ケイ素構造において 、 前記エピタキシャル層がX線ロッキングカーブにおいて25アーク秒以下の 半値幅を示すことを特徴とする炭化ケイ素構造。 12. 前記基板が、X線ロッキングカーブにおいて約100アーク秒以下の 半値幅を有する請求項11記載の炭化ケイ素構造。 13. 前記基板が、6Hまたは4Hポリタイプのものであり、前記エピタキ シャル層が前記基板と同じポリタイプを有する請求項11記載の炭化ケイ素構造 。 14. 前記第一のエピタキシャル層とは反対の導電性の第二のエピタキシャ ル層を有し、前記両エピタキシャル層がpn接合を形成する請求項11記載の炭 化ケイ素構造。 15. 電子工学的電力デバイスで特に使用される高品質の炭化ケイ素構造で あって、 表面に約50ないし400/cm2のマイクロパイプ密度を有するバルク単 結晶炭化ケイ素基板と、 前記炭化ケイ素基板の表面上の炭化ケイ素エピタキシャル層とを有し、前記 エピタキシャル層の表面が約0ないし50/cm2のマイクロパイプ密度を有す る炭化ケイ素構造。
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