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Die
vorliegende Erfindung betrifft die epitaktische Züchtung von
Halbleitermaterialien in einer Weise, die Kristalldefekte minimiert
und so die resultierende Leistung von Einrichtungen, die aus diesen Halbleitern
hergestellt sind, verbessert. Insbesondere betrifft die Erfindung
ein Verfahren zum Züchten epitaktischer
Siliciumcarbidschichten mit geringen Defekten durch Flüssigphasenepitaxie
(LPE).
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Siliciumcarbid
(SiC) ist ein idealer Halbleiter für die Herstellung von Einrichtungen
in festem Zustand für
viele Anwendungen, besonders jene, die hohe Kraftwerte erfordern.
Solche Anwendungen, wie Luft- und Raumfahrt, Turbinenmotoren, Energienetze
auf Raumbasis und viele andere, erfordern Schalter und Verstärker, die
starke Ströme
mit relativ geringem Spannungsabfall handhaben können. Fundamentale Eigenschaften
von Siliciumcarbid geben ihm die Möglichkeit, in solchen Anwendungen
Einrichtungen mit verbesserter Leistung zu liefern. Beispielsweise
liegt das gemessene elektrische Durchschlagfeld für Siliciumcarbid
im Bereich von 2 bis 4 × 106 Volt je Zentimeter (V/cm) in Abhängigkeit
von dem Dotierbereich, also bei einem Wert, der acht- bis zehnfach
größer als
jener von Silicium (Si) ist. So sollten aus Siliciumcarbid hergestellte
Energieeinrichtungen in der Lage sein, große Spannungen sowohl von Gleichstrom
(DC) als auch von Wechselstrom (AC) zu stützen. Erfolgreiches Arbeiten
mit solch hohen Spannungen erlaubt seinerseits, die Einrichtungen
zu verstärken
und bei großen
Energiewerten zu schalten.
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Außerdem können Siliciumcarbideinrichtungen
wegen ihres relativ breiten Bandabstandes bei Temperaturen bis zu
wenigstens etwa 500 °C
arbeiten.
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In
den letzten zehn Jahren wurden bei der Siliciumcarbidzüchtung und
-verarbeitung und bei Einrichtungen auf Siliciumcarbidbasis große Fortschritte gemacht.
Beispielsweise waren 1984 blaulichtemittierende Dioden in SiC nur
in extrem geringen Mengen verfügbar
(ein oder zwei auf einmal und nur mit sehr hohen Kosten, ungefähr $ 75,00
je Diode bei damaligen Strompreisen). Im Gegensatz hierzu lieferte bei
der Einreichung dieser Anmeldung die Erwerberin der vorliegenden
Erfindung, Cree Research, Inc., blaulichtemittierende Dioden an
gewerbliche Märkte in
Jahresmengen von Millionen und zu extrem niedrigen Kosten, d. h.
etwa 10 Cent je Diode bei den Preisen von 1994.
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Aus
Siliciumcarbid gebildete Hochenergieeinrichtungen müssen jedoch
noch ein ähnliches kommerzielles
Erscheinungsbild oder eine ähnliche Schlagkraft
trotz vieler Bewertung, Untersuchung und theoretischer und gestalterischer
Arbeit bekommen. Der beschränkende
Hauptfaktor, der derzeit eine umfangreichere Verwendung von Siliciumcarbid für Hochenergieeinrichtungen
verhindert, ist die relativ hohe Defektdichte in Siliciumcarbidsubstraten,
besonders eine hohe Dichte eines Defekttyps, der als "Mikroröhrchen" bezeichnet wird.
Wie die Fachwelt auf dem Halbleitergebiet gut versteht, beeinfluß die Qualität eines
Halbleiterkristalles oftmals die Qualität von daraus gefertigten Einrichtungen
signifikant. Außerdem
können
Defekte, die bei niedrigen Spannungen kein oder nur ein geringes
Problem darstellen und somit in Niedrigenergieeinrichtungen außer Acht gelassen
oder kompensiert werden können,
signifikante Probleme einschließlich
katastrophalen Versagens in Einrichtungen verursachen, die bei höheren Energiewerten
arbeiten.
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Die
Erwünschtheit
und Vorteile einer Verwendung des gleichen Halbleitermaterials sowohl
für das
Substrat als auch für
die aktiven Bereiche einer Einrichtung liegen für den Durchschnittsfachmann auf
der Hand. In dieser Hinsicht wurden die besonderen Vorteile von
SiC-Substrat und für
SiC-Einrichtungen überall
gründlich
angesprochen und werden hier nicht mehr wiederholt. Siehe zum Beispiel
die
US-Patentschriften Nr. 4
912 063 ,
4 912 064 und
4 866 005 .
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Von
allen verschiedenen Defekttypen sind Mikroröhrchen, die auch als Nadellöcher bezeichnet werden,
für fas
alle Einrichtungstypen allgemein katastrophal. Ein Mikroröhrchen ist
tatsächlich
ein rohrförmiger
Hohlraum mit einem Durchmesser im Bereich von wenigen Mikron bis
hoch zu 0,1 mm, der sich entlang der Wachstumsrichtung erstreckt.
Obwohl Silciumcarbidplättchen
typischerweise einige Bereiche haben, die keine Mikroröhrchen enthalten, liegt
ihre mittlere Dichte für
ein Siliciumcarbidplättchen,
selbst wenn es im übrigen äußerst hohe
Qualität
hat, zwischen etwa 100 und 400 cm-2 oder
selbst so hoch wie 1000 cm-2, d. h. gemessen
als die Anzahl in einem bestimmten Bereich der Substratoberfläche auftretend.
Siehe zum Beispiel Barreff et al., Züchtung von großen SiC-Einkristallen,
Journal of Crystal Growth, 128 (1993), Seiten 358 bis 362.
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Obwohl
die Erfinder nicht durch die Theorie gebunden sein wollen, scheint
es doch, daß mehrere verschiedene
Mechanismen für
die Mikroröhrchenbildung
verantwortlich sind. Einige dieser Mechanismen scheinen am Kern
die Bildung einer Überschraubungsverlagerung
zu bewirken, während
andere nicht mit solchen Verlagerungen verbunden sind. Die andere
Primärtype
von Linienabweichungen sind gemischte Verlagerungen, die primär in der Basisebene
liegen. Eine Primärquelle
für diese
Verlagerungen scheinen die großen
Spannungsfelder zu sein, die mit Überschraubungsverlagerungen
verbunden sind.
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Defekte,
wie Mikroröhrchen,
Narben, Einschlüsse,
Verlagerungen und Stapelungsfehler, die in einem Substrat gewöhnlich vorliegen,
schreiten in jeder epitaktischen Struktur, die auf dem Substrat
gezüchtet
wird, fort, und führen
zu Einrichtungsverschlechterung bei speziellen Energiewerten. Obwohl einige
theoretische Erklärungen
vielversprechend zu sein scheinen, sind die Mechanismen der Mikroröhrchenbildung
noch nicht vollständig
klar, und somit sind Methoden zu ihrer Steuerung derzeit noch nicht recht
zufriedenstellend.
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Einige
Forscher versuchten, das Problem durch Züchtung epitaktischer Schichten
auf anderen Substratebenen von Siliciumcarbid als der Basisebene
zu lösen.
Trotz einiger Erfolge haben jedoch p-n-Verbindungen, die auf Plättchenebenen
senkrecht zur Basisebene gezüchtet
wurden, weniger als die Hälfte
der elektrischen Feldstärke
von Verbindungen, die im wesentlichen parallel zur Basisebene gezüchtet sind.
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Obwohl
somit Siliciumcarbid ein ungeheures Potential für Energieeinrichtungen bietet,
werden solche Einrichtungen nicht gewerblich lebensfähig werden,
bis die Kristalleigenschaften von Siliciumcarbidstrukturen solch
hohe Energiewerte stützen
können.
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Daher
ist es ein Ziel der vorliegenden Erfindung, epitaktische Schichten
von Siliciumcarbid zu bekommen, die wesentlich verminderte Mikroröhrchendefekte
haben.
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Die
Erfindung löst
diese Aufgabe mit einem Verfahren zur Herstellung epitaktischer
Schichten von Siliciumcarbid nach Anspruch 1, die eine Mikroröhrchendichte
von zwischen 0 und 50 cm 2 an der Oberfläche aufweisen, indem man Masseeinkristalle von
Siliciumcarbid unter Verwendung einer Keimsublimationstechnik wachsen
läßt und ein
Substrat darauf erzeugt, welches eine Mikroröhrchendichte von 50 bis 400
cm-2 auf seiner Oberfläche hat, eine erste epitaktische
Schicht von Siliciumcarbid auf dem Substrat unter Verwendung einer
Flüssigphasen-Epitaxie-Technik
bildet, bis die Schicht eine ausreichende Dicke hat, um Mikroröhrchenfehlstellen
zu schließen, die
sich durch das Substrat in das Wachstum der ersten epitaktischen
Schicht fortgepflanzt haben, und danach eine zweite epitaktische
Schicht von Siliciumcarbid auf der ersten epitaktischen Schicht
durch chemische Abscheidung aus der Dampfphase bildet.
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Nach
einem anderen Aspekt, wie er in Anspruch 5 dargestellt ist, umfaßt die Erfindung
ein Verfahren zum Züchten
einer epitaktischen Schicht von Siliciumcarbid mit einer Mikroröhrchenfehlstellendichte
von 0 bis 50 cm-2 auf ihrer Oberfläche auf
einem Siliciumcarbidsubstrat mit einer Mikroröhrchendichte von 500 bis 400
cm-2 an seiner Oberfläche durch Flüssigphasen-Epitaxie
aus einer Schmelze von Siliciumcarbid in Silicium und einem Element, das
die Löslichkeit
von Siliciumcarbid in der Schmelze verbessert, wobei der Atomprozentsatz
jenes Elementes gegenüber
dem Atomprozentsatz von Silicium vorherrscht, und Mikroröhrchenfehlstellen
verschließt,
die sich durch das Substrat in die epitaktische Schicht fortgepflanzt
haben, indem man das Wachstum der epitaktischen Schicht fortsetzt,
bis diese eine Dicke erreicht hat, bei der in dem Substrat vorhandene
Mikroröhrchenfehlstellen
im wesentlichen nicht mehr in der epitaktischen Schicht reproduziert
werden.
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Nach
noch einem anderen Aspekt, wie er in Anspruch 10 wiedergegeben ist,
umfaßt
die Erfindung eine Siliciumcarbidstruktur, die aus einem Einkristallmassen-Siliciumcarbidsubstrat
mit einer Mikroröhrchendichte
zwischen etwa 50 und 400 je Quadratzentimeter auf seiner Oberfläche und
einer epitaktischen Siliciumcarbidschicht auf einer Oberfläche des
Siliciumcarbidsubstrates gebildet ist, wobei diese epitaktische
Schicht eine Mikroröhrchendichte
zwischen etwa 0 und 50 je Quadratzentimeter auf ihrer Oberfläche hat.
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Nunmehr
wird auf die beiliegende Zeichnung, welche bevorzugte und beispielhafte
Ausführungsformen
der Erfindung erläutert,
Bezug genommen, worin
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1 eine
optische Mikrophotographie der Oberfläche einer epitaktischen Schicht
ist, die nach der vorliegenden Erfindung gebildet wurde,
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2 eine
optische Mikrophotographie ist, die durch das Substrat genommen
ist, auf welchem die epitaktische Schicht von 1 gezüchtet wurde, und
die im Vergleich mit der großen
Anzahl von Fehlstellen in dem Substrat zeigt, daß diese nicht in der in 1 erläuterten
Oberfläche
reproduziert werden,
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3 eine
andere optische Mikrophotographie ähnlich 1 ist, die
die Oberfläche
einer epitaktischen Schicht nach der vorliegenden Erfindung erläutert,
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4 eine
andere Mikrophotographie entsprechend 2 und durch
das Substrat genommen ist, auf welchem die epitaktische Schicht
von 3 gezüchtet
wurde,
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5 eine
Querschnitts-Röntgenstrahlentopographie
des Siliciumcarbidsubstrates mit einer epitaktischen Schicht darauf
nach der vorliegenden Erfindung ist und
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6 ein
schematisches Diagramm eines Flüssigphasen-Epitaxie
(LPE)-Züchtungssystems ist,
welches bei dem Verfahren der vorliegenden Erfindung brauchbar ist.
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Bei
einer ersten Ausführungsform
umfaßt
die Erfindung ein Verfahren zur Erzeugung epitaktischer Schichten
von Siliciumcarbid, die im wesentlichen frei von Mikroröhrchenfehlstellen
sind, indem man zunächst
einen Massenkristall von Siliciumcarbid unter Verwendung einer Keimsublimationstechnik
züchtet.
Wie hier verwendet, bedeutet eine Keimsublimationstechnik eine andere
Sublimationstechnik als jene, die allgemein als die "Lely"- oder "Acheson"-Techniken bezeichnet
werden. Wie für
den Fachmann allgemein bekannt ist, ist die Lely-Technik eine keimlose
Züchtung
von Siliciumcarbid vom Sublimationstyp aus Siliciumcarbidpulver
in einem Ofen, gewöhnlich
von Graphit.
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Die
Acheson-Technik besteht allgemein darin, daß man einen Ofen mit geeigneten
Pulvermaterialien, wie Koks, Graphit und Kieselsäure, in einem geeigneten stöchiometrischen
Gemisch füllt.
Das gepackte feste Gemisch wird ausreichend erhitzt, um Siliciumcarbidkristalle
in der gepackten Mischung zu bilden. Beispiele in der Patentliteratur
sind etwa die
US-Patentschriften
Nr. 5 265 118 von Takenaka et al., erteilt am 23. November
1993, und
4 419 336 von
Kuriakose, erteilt am 6. Dezember 1983. Es wird jedoch verständlich sein,
daß diese
Literaturstellen einfach als Erläuterung
der aus jüngerer
Zeit stammenden Acheson-Techniken dienen.
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Im
Gegensatz dazu wird bei der Erfindung der Masseneinkristall unter
Verwendung der Technik gezüchtet,
die von Carter et al in der
US-Patentschrift Nr.
4 866 005 beschrieben ist, welche auf die Erwerberin der
vorliegenden Erfindung übertragen
wurde und deren Inhalt hier vollständig durch Bezugnahme (oder
im wesentlichen ähnlich
zu ihr) aufgenommen wird. Diese Technik erwies sich als derzeit
erfolgreichste Methode zur Züchtung
großer
Einkristalle von Siliciumcarbid einer erwünschten Polytype mit hoher
Qualität
(d. h. von Kristallen mit Durchmessern von 1 in oder mehr), die
brauchbar zur Erzeugung von Plättchen
für epitaktisches
Wachstum und die anderen erforderlichen Vorläufer für brauchbare gewerbliche Einrichtungen
und nicht nur von theoretischem oder labortechnischem Interesse
sind. Es wurde jedoch gefunden, daß, obwohl Kristalle, die nach der
Carter-Technik gebildet wurden, allgemein von viel höherer Qualität als jene
sind, die nach der vorbekannten Technik gebildet wurden, sie doch noch
anfällig
für Mikroröhrchenfehlstellen
sind. Wie oben angegeben, stellen diese Fehlstellen nur ein geringes
oder kein Problem für
bestimmte Niedrigenergieeinrichtungen dar, bieten aber signifikante
Probleme bei höheren
Energie-, Strom- und
Spannungswerten.
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Außerdem wurde
festgestellt, daß Züchtung durch
chemische Abscheidung aus der Dampfphase, die in der letzten Dekade
mehr und mehr erfolgreich wurde (siehe z. B. Davis et al.
US-Patentschriften Nr. 4 912 063 und
4 912 064 ) dazu neigt, die
Mikroröhrchenfehlstellen,
die in den Massen-Siliciumcarbidkristallen vorkommen, welche durch
Keimsublimation gezüchtet
sind, getreulich zu reproduzieren neigt.
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So
umfaßt
die Erfindung in der zweiten Stufe die Bildung einer ersten epitaktischen
Schicht von Siliciumcarbid auf dem Substrat unter Verwendung einer
Flüssigphasen-Epitaxie-Technik
und unter den geeigneten Wachstumsbedingungen, wie sie hier angegeben
sind, bis die Schicht eine ausreichende Dicke erreicht hat, um Mikroröhrchenfehlstellen
zu verschließen,
die sich durch das Substrat in das Wachstum der ersten epitaktischen
Schicht fortgepflanzt haben, so daß die Reproduktion von Mikroröhrchenfehlstellen
in dem Schmelzwachstum der ersten epitaktischen Schicht wesentlich
reduziert und gegebenenfalls vollständig ausgeschaltet wird. Die
allgemeinen Prinzipien der Flüssigphasen-Epitaxie
sind dem Fachmann auf dem Gebiet des Kristallzüchtens natürlich bekannt, und die speziellen
Bedingungen, die für
spezielle Ziele erforderlich sind, können von jenen Fachleuten und
ohne ungebührliches
Experimentieren bestimmt werden. Spezielle Hintergrundstechniken,
die bei Siliciumcarbid besonders erläuternd und brauchbar sind,
finden sich beispielsweise in Dmitriev et al., Silicon Carbide and
SiC-ALN Solid-Solution P-N Structures Grown by Liquid-Phase Epitaxy, Physica
B. 185 (1993), Seiten 440 bis 452, auf deren Inhalt hier vollständig Bezug
genommen wird.
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Als
eine Endstufe und zur Bildung des elektronisch aktiven Bereiches
für die
Einrichtungsbildung umfaßt
die letzte Stufe in dem Verfahren die Ausbildung einer zweiten epitaktischen
Schicht von Siliciumcarbid auf der ersten epitaktischen Schicht von
Siliciumcarbid durch chemische Abscheidung aus der Dampfphase.
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Obwohl
die Erfinder nicht durch irgendeine spezielle Theorie der Erfindung
gebunden sein wollen, wird doch hypothetisiert, daß die Dicke
und Geschwindigkeit des LPE-Wachstums im Gegensatz zu dem CVD-Wachstum
einen schnelleren und vollständigeren
Verschluß der
Mikroröhrchen
beim LPE-Wachstum als beim CVD-Wachstum fördert.
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Bei
bevorzugten Ausführungsformen
ist der Massen-Einkristall vom 6H-Polytyp und umfaßt die erste
epitaktische Schicht ähnlich
dem 6H-Polytyp. Bei anderen bevorzugten Ausführungsfor men ist der Massen-Einkristall
vom 4H-Polytyp und die epitaktische Schicht ähnlich dem 4H-Polytyp.
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Bei
einer Ausführungsform
der Erfindung umfaßt
die Stufe der Bildung der ersten epitaktischen Schicht die Ausbildung
der ersten Schicht mit einer ersten Leitfähigkeitstype und die Stufe
einer Bildung der zweiten epitaktischen Schicht die Ausbildung der zweiten
Schicht mit der entgegengesetzten Leiffähigkeitstype gegenüber der
ersten Schicht, um dabei eine p-n-Verbindung zwischen der ersten
und der zweiten epitaktischen Schicht zu bilden.
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Bei
einer anderen Ausführungsform
umfaßt das
Verfahren die Ausbildung sowohl der ersten als auch der zweiten
epitaktischen Schicht mit der gleichen Leiffähigkeitstype und die anschließende Bildung
einer dritten epitaktischen Schicht auf der zweiten Schicht, wobei
die dritte epitaktische Schicht die entgegengesetzte Leitfähigkeitstype
gegenüber
der ersten und zweiten Schicht hat, um dabei eine p-n-Verbindung
zwischen der zweiten und dritten epitaktischen Schicht zu bilden.
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Nach
einem anderen Aspekt wurde gemäß der vorliegenden
Erfindung bestimmt, daß das
erfolgreiche Lösungswachstum
von Siliciumcarbid durch Flüssigphasen-Epitaxie
durch die Anwesenheit eines anderen Elementes gefördert wird,
welches die Löslichkeit
von Siliciumcarbid in der Schmelze verbessert. Bei dieser Ausführungsform
umfaßt
das Verfahren unter Herstellung von epitaktischen Schichten, die
wesentlich verminderte Mikroröhrchendefekte
haben oder frei von ihnen sind, ein Züchten einer epitaktischen Schicht
von Siliciumcarbid auf einem Siliciumcarbidsubstrat durch Flüssigphasen-Epitaxie aus
einer Schmelze von Siliciumcarbid in Silicium und einem Element,
welches die Löslichkeit
von Siliciumcarbid in jener Schmelze verbessert, wobei der Atomprozentsatz
jenes Elementes gegenüber
dem Atomprozentsatz von Silicium vorherrscht. Das Verfahren umfaßt weiterhin
ein Verschließen
von Mikroröhrchendefekten,
die sich durch das Substrat in die epitaktische Schicht fortgepflanzt
haben, indem man die epitaktische Schicht weiterzüchtet, bis
sie eine Dicke erreicht hat, bei welcher in dem Substrat vorhandene
Mikroröhrchenfehlstellen
im wesentlichen nicht mehr in der epitaktischen Schicht reproduziert
werden und so die Anzahl von Fehlstellen darin wesentlich reduziert
wird.
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Bei
bevorzugten Ausführungsformen
umfaßt das
zusätzliche
Element in der Schmelze Germanium, so daß die epitaktische Schicht
in einer Schmelze von Silicium und Germanium gezüchtet wird. Stärker bevorzugt
liegt der Atomprozentsatz von Germanium in der Schmelze zwischen
etwa 70 und 90 %, wobei Atomprozentsätze von Germanium zwischen etwa
75 und 80 % am meisten bevorzugt sind.
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Von
einem funktionellen Standpunkt kann die Menge des anderen Elementes,
vorzugsweise von Germanium, als ein ausreichender Atomprozentsatz
von Silicium beschrieben werden, um eine geeignete Wachstumsgeschwindigkeit
zu begünstigen, doch
geringer als die Siliciummenge, die eine spontane Erzeugung von
Kristallen in der Schmelze ergeben würde. Das die Löslichkeit verbessernde
Element (vorzugsweise Germanium) sollte in einem ausreichenden Atomprozentsatz
vorliegen, um das Wachstum von Siliciumcarbid in der Schmelze zu
optimieren, doch in einem geringeren Atomprozentsatz als eine Menge,
die die Oberfläche
der wachsenden epitaktischen Schicht graphitisieren würde. Wie
dem Fachmann auf dem Gebiet dieser Kristallwachstumstechniken bekannt
ist, wird Graphit recht oft als der Behälter oder Aufhänger für epitaktisches
Wachstum verwendet. Zu viel Silicium in der Schmelze neigt dazu,
den Graphitaufhänger
zu ätzen,
wobei er Siliciumcarbid bildet, während ein zu hoher Prozentsatz eines
dritten Elementes, wie Germanium, dazu neigt, das Wachstum von Graphit
("Graphitisierung") auf der Oberfläche der
epitaktischen Schicht zu begünstigen.
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Wie
nachfolgend in dem experimentellen Abschnitt ausgeführt ist,
umfaßt
die Stufe eines Züchtens
der epitaktischen Schicht auf einem Siliciumcarbidsubstrat vorzugsweise
ein Züchten
der Schicht bei einer Lösungstemperatur
zwischen etwa 1600 und 1800 °C.
Wie oben auch erwähnt
wurde, scheint es so zu sein, daß die zusätzliche Dicke, die in der epitaktischen
Schicht durch LPE erzeugt werden kann, beim Verschließen der
Mikroröhrchendefekte brauchbar
ist. So besteht die bevorzugte Methode darin, die epitaktische Schicht
zu einer Dicke zwischen etwa 40 und 70 μ wachsen zu lassen, wobei eine
Dicke zwischen etwa 50 und 60 μ am
meisten bevorzugt ist, obwohl sich unter einigen Umständen Dicken
so niedrig wie 20 μ als
ausreichend erwiesen.
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Wie
bei der ersten Ausführungsform
kann das Verfahren weiterhin die Stufe einer Bildung einer anderen
epitaktischen Schicht von Siliciumcarbid auf einer ersten epitaktischen
Schicht unter Verwendung chemischer Abscheidung aus der Dampfphase
umfassen. Wie bei der ersten Ausführungsform kann die zweite
epitaktische Schicht aus der entgegengesetzten Leitfähigkeitstype
gegenüber
der ersten epitaktischen Schicht gemacht werden [übliche Dotiermittel für Siliciumcarbid
schließen
Stickstoff (N) für
die n-Type und Aluminium (Al) für
die p-Type ein], oder es können
gegebenenfalls beide epitaktischen Schichten aus der gleichen Leitfähigkeitstype
gebildet werden, worauf dann eine dritte Leitfähigkeitstypenschicht ausgebildet
wird, um die Verbindungsstruktur zu bekommen, die in so vielen Halbleitereinrichtungen
brauchbar ist.
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In
dem Produkt der Erfindung zeigt die epitaktische Schicht vorzugsweise
eine Röntgenstrahlen-Rockingkurve
mit einer vollen Breite von 25 Bogensekunden oder weniger bei halbem
Maximum hat. Wie dem Fachmann für
die Messung und Bewertung von Kristallstrukturen bekannt ist, repräsentiert die
Röntgenstrahlen-Rockingkurve
die Breite eines Röntgenstrahlenbeugungspeaks,
der durch einen bestimmten Kristall erzeugt wird. Breitere Peaks
neigen dazu, schlechtere Kristallqualität anzuzeigen, da sie eine starker
gestreute Beugung auffallender Röntgenstrahlen,
die auf den Kristall treffen, wiedergeben. Umgekehrt geben schmalere
Röntgenstrahlen-Rockingkurven
höhere
oder bessere Kristallqualität
wieder, da sie sich der idealen (aber praktisch unerreichbaren)
Situation, in welcher ein perfekter Kristall nur eine einzige einfallende
Wellenlänge
beugt, nähern.
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Diese
Struktur kann weiter beschrieben und der Wert der Erfindung weiter
verstanden werden, da das Substrat eine Röntgenstrahlen-Rockingkurve
mit einer vollen Breite von etwa 100 Bogensekunden oder weniger
bei halbem Maximum demonstrieren kann. Die Reduktion in der Röntgenstrahlen-Rockingkurve
zwischen dem Substrat und der epitaktischen Schicht demonstriert
die Vorteile der vorliegenden Erfindung. Wie in den obenbeschriebenen Ausführungsformen
des Verfahrens können
das Substrat und die epitaktische Schicht beide vom Polytyp 6H oder
4H sein. Außerdem
liegt eine bevorzugte Dicke der epitaktischen Schicht zwischen etwa
25 und 75 μ,
wobei die am meisten bevorzugte Dicke zwischen etwa 40 und 70 μ liegt.
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Bei
Anwendung der Technik der vorliegenden Erfindung kann eine Siliciumcarbidstruktur
erzeugt werden, in welcher die epitaktische Schicht im wesentlichen
rund ist und einen Durchmesser von wenigstens 1 in hat, gegebenenfalls
2 in oder mehr, während
sie noch die außerordentliche
Kristallqualität
demonstiert, die beispielhalber durch die schmale Röntgenstrahlen-Rockingkurve
wiedergegeben wird.
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Wie
bei allen obigen Ausführungsformen kann
die Strukur weiterhin eine zweite epitaktische Schicht mit der entgegengesetzten
Leitfähigkeitstype gegenüber der
ersten epitaktischen Schicht umfassen, so daß die epitaktischen Schichten
eine p-n-Verbindung bilden.
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Bei
noch einer anderen Ausführungsform umfaßt die Erfindung
eine Siliciumcarbidstruktur hoher Qualität, besonders für die Verwendung
in elektronischen Energieeinrichtungen, welche ein Einkristall-Massensiliciumcarbidsubstrat
mit einer Mikroröhrendichte
zwischen 50 und 400 je Quadratzentimeter auf seiner Oberfläche sowie
eine epitaktische Schicht von Siliciumcarbid auf dieser Oberfläche jenes
Substrates mit einer Mikroröhrendichte
umfaßt, die
auf 0 bis 50 je Quadratzentimeter auf ihrer Oberfläche reduziert
wurde.
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Wie
in den vorausgehenden Ausführungsformen
können
sowohl das Substrat als auch die epitaktische Schicht Polytypen
6H oder 4H sein, liegt die bevorzugte Dicke zwischen etwa 40 und
70 μ und können die
Substrate und epitaktischen Schichten mit Durchmessern von wenigstens
etwa 1 in und mit geeigneten epitaktischen Verbindungsschichten
darauf hergestellt werden.
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Die
Vorteile der Erfindung werden in der Zeichnung weiter erläutert. 1 ist
eine optische Mikrophotographie und ein begleitendes Schema, die
die Oberflächeneigenschaften
einer epitaktischen Schicht zeigen, welche gemäß der vorliegenden Erfindung
gezüchtet
wurde. Der Pfeil in dem schematischen Teil von 1 beginnt
an der Oberfläche
der epitaktischen Schicht, um den Punkt zu zeigen, von welchem die
Mikrophotographie aufgenommen wurde. Zu Vergleichszwecken zeigt 2,
in welcher der Pfeil anzeigt, daß die Mikrophotographie von
dem Substrat aufgenommen wurde, eine größere Anzahl von Fehlstellen
einschließlich
mehrerer großer
Mikroröhrendefekte
an der Oberseite, der unteren Mitte und dem linken Bodenabschnitt
von 2. Das Vorhandensein dieser Defekte in 2 und
ihre Beseitigung und Abwesenheit in 1 erläutern die
Vorteile der vorliegenden Erfindung.
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Die 3 und 4 sind
in gleichem Verhältnis
zueinander wie die 1 und 2. 4 zeigt
wiederum eine signifikante Anzahl großer Defekte im Substrat, während 3 eine
stark verbesserte Oberfläche
zeigt, aus welcher die in 4 sichtbaren
Mikroröhren
beseitigt wurden.
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5 ist
eine Querschnitts-Röntgenstrahlentopographie
des Siliciumcarbidsubstrates mit einer epitaktischen Schicht, die
durch LPE gemäß der vorliegenden
Erfindung, am Punkt des Pfeiles beginnend, gezüchtet wurde. Das gleichbleibende
Aussehen vom Substrat über
die epitaktische Schicht ist eine Erläuterung der Kristallwachstumsvorteile
der vorliegenen Erfindung.
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6 ist
eine schematische Querschnittsdarstellung einer Flüssigphasen-Epitaxie-Wachstumszelle, die
verwendet wird, um die epitaktischen Schichten der vorliegenden
Erfindung zu bilden. Die Zelle enthält eine Graphitheizeinrichtung 10,
einen Schmelztiegel 11, die Schmelze von Silicium und vorzugsweise
Germanium 12 und das Siliciumcarbidplättchen 13, auf welchem
Wachstum stattfindet. Vorzugsweise wird die Zelle von 6 in
Verbindung mit einer Tauchrotationstechnik unter Verwendung des rotierenden
Trägers 14 benutzt,
welcher das Siliciumcarbidplättchen 13 in
die Schmelze 12 eintaucht und dreht. Die Verwendung der
Zelle von 6 ist im folgenden Abschnitt
in weiteren Einzelheiten beschrieben.
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Experimentelles Verfahren
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Homoepitaktische
Schichten der Polytypen 6H und 4H werden auf entsprechenden Siliciumcarbidplättchen als
Substraten gezüchtet.
Die Plättchen haben
einen Durchmesser von 30 mm und werden durch eine Sublimationstechnik
gezüchtet,
wie beispielsweise die Technik, die von Carter et al. in der oben
eingeführten
US-Patentschrift Nr. 4 866 005 beschrieben
ist. Nach dem Abtrennen von dem Träger werden die Plättchen poliert
und geätzt,
um die Oberflächenschicht
zu entfernen, die durch mechanische Behandlung verletzt wurde.
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Danach
werden die Fehlstellen in der Kristallstruktur der Plättchen vor
dem Flüssigphasen-Epitaxie-Wachstum
untersucht. Die Plättchen
werden durch chemisches Ätzen
in geschmolzenem Kaliumhydroxid (KOH) während 5 min bei 500 °C gekennzeichnet.
Das Ätzverfahren
macht Kristallmakrodefekte, wie Mikroröhren, Polytyp, Einschlüsse und
Verlagerungen, die unter einem optischen Mikroskop klar sichtbar
in die Oberfläche
eindringen. Die Anzahl der Mikroröhren wird zusätzlich in
einem geätzten Plättchen mit
einem Abbildungs- und Digitalisierungssystem ausgezählt. Das
Digitalisierungssystem bestimmt genau die Stellen der Mikroröhren auf
den Plättchen.
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Die
Kristalldefektstellen und deren Dichte können auch durch Röntgenstrahlentopographie
bestimmt werden. Röntgenstrahlenbeugung
wird verwendet, um die Kristallqualität zu kennzeichnen, indem die
volle Breite der Röntgenstrahlen-Rockingkurve
gemessen wird. Differential-Röntgenstrahlendiffraktometrie
ergibt seinerseits Information über
die Röntgenstrahlenstreuungsintensitätsverteilung
nahe einer reziproken Gitterstelle. Rockingkurven sowohl der θ- und θ-2θ-Abtastungen werden
mit einem Doppelkristall-Röntgenstrahlenspektrometer
unter Verwendung von Kupfer Ka-Strahlung
und einem defektfreien Siliciumcarbid-Lely-Kritall mit (0001)-Ausrichtung
als Monochromator aufgezeichnet.
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Ein
Mikrokathodolumineszenzaufbau, der in einem Rasterelektronenmikroskop
(SEM) installiert ist, wird auch verwendet, um die Natur der Fehlstellen
zu untersuchen. Die Technik ist extrem hilfreich, um kleine Einschlüsse unterschiedlicher
Polytypen in Siliciumcarbid zu untersuchen und zu identifizieren. Schließlich wird
die Qualität
der Plättchenoberflächenbehandlung
vor dem epitaktischen Wachstum durch RHEED untersucht.
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Das
epitaktische Flüssigphasenwachstum wird
unter Verwendung einer Kohlenstofflösung in einer Silicium-Germanium-Schmelze
(SiGe) in einem Temperaturbereich zwischen etwa 1600 und 1800 °C durchgeführt. Die
Züchtung
erfolgt in einem durch Widerstandsheizung erhitzten Ofen, der Temperaturen
bis zu etwa 2500 °C
ergeben kann, wobei die Temperatur während des epitaktischen Wachstums durch
Wolfram/Ruthenium (W/Re)-Thermoelemente gemessen und überwacht
wird.
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Eine
Tauch-Rotationstechnik wird für
das Züchten
verwendet. Das Siliciumcarbidplättchen
wird in einem Graphithalter fixiert und zusammen mit dem Graphitschmelztiegel,
der etwa 30 g eines Gemisches von Silicium und Germanium (Si/Ge)
enthält,
in den Ofen eingeführt.
Nach dem Beladen wird die Züchtungskammer
30 min evakuiert, um Sauerstoff zu entfernen, und dann mit äußerst reinem
Helium (He) gefüllt.
Der Schmelztiegel mit der Beladung wird dann bis zum Schmelzpunkt
von Silicium (1403 °C) erhitzt.
Nach dem Schmelzen des Si/Ge-Gemisches wird das Siliciumcarbidplättchen relativ
nahe zu der Schmelzoberfläche
abwärts
bewegt. Das Plättchen wird
15 min in dieser nahen, aber nicht eingetauchten Position gehalten,
um thermische Spannungen, die sonst erzeugt werden könnten, wenn
das Plättchen
in die Schmelze eingetaucht würde,
zu reduzieren.
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Das
Plättchen
wird danach langsam in die Schmelze getaucht, deren Temperatur dann
auf die erwünschte
Wachtstumstemperatur gesteigert wird. Während des Wachstumszyklus wird
die Temperatur konstant gehalten, so daß Wachstum in dem Temperaturgradienten,
der in dem Schmelztiegel vorliegt, stattfindet. Die Temperatur der
Schmelzoberfläche wird
etwa 30 °C
niedriger als die am Boden des Schmelztiegel gehalten. Die Si/Ge-Schmelze
wird mit Kohlenstoff gesättigt
gehalten, der sich aus den Graphitschmelztiegelwänden löst. Die Wachstumszeit kann
im Bereich von etwa 30 bis 240 min (1/2 bis 4 h) variiert werden,
je nach der Wachstumstemperatur und der Zusammensetzung der Schmelze,
um die Dicke der epitaktischen Schicht in der Größenordnung zwischen etwa 10
und 50 μ zu
halten. Nchdem das epitaktische Wachstum abgeschlossen ist, wird die
Probe entfernt und der Ofen gekühlt.
Wenn Schmelztröpfchen
auf der Probe oder dem Substrathalter bleiben, werden sie durch
chemisches Ätzen
in einem Gemisch von Fluorwasserstoffsäure und Salpetersäure (HF-HNO3) entfernt, wonach die Probe in einem üblichen
RCA-Verfahren gereinigt wird.
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Nach
dem Züchten
werden die epitaktischen Schichten unter Verwendung verschiedener
Techniken gekennzeichnet, wie durch optische Mikroskopie mit Ultravioletterregung,
Winkelläppen,
Elektronenmikroskopie und RHEED. Wenn die epitaktischen Schichten
später
als Keim für
weiteres epitaktisches oder Massenwachstum verwendet werden sollen, wird
die Qualität
des Materials, das oben auf der LPE-Schicht aufgewachsen ist, durch
Bewertung der Oberflächenmorphologie
und Kristallstruktur bestimmt.
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Die
Kristallstruktur der gezüchteten
Schichten wird auch mit den gleichen Techniken untersucht, die zur
Untersuchung der Oberfläche
vor dem epitaktischen Wachstum verwendet wurden, wie Röntgenstrahlentopographie
und Röntgenstrahlenbeugung. Röntgenstrahlentopographie
wird verwendet, um das Tiefenprofil der Fehlstellenverteilung in
den Schichten zu bestimmen. Die Plättchen werden auch in geschmolzenem
KOH bei 500 °C
geätzt
und das Oberflächenbild
wiederum digitalisiert, um das Ausmaß zu bestimmen, in welchem
die Mikroröhrchen
und die anderen Fehlstellen reduziert wurden. Die Verteilung und
Dichte der Fehlstellen in der epitaktischen Schicht werden dann
mit der Verteilung und Dichte der Fehlstellen in dem Anfangsplättchen verglichen.
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Der
Grad, in welchem sich Fehlstellen von dem Plättchen in die epitaktische
Siliciumcarbidschicht fortpflanzen, wird durch Transmissionselektronenmikroskopie
(TEM) untersucht. TEM-Techniken in
Draufsicht wie auch im Querschnitt werden verwendet, um die Fehlstellenverteilung
an der Grenzfläche
zwischen Substrat und epitaktischer Schicht zu bestimmen, wie auch
um den Mechanismus der Mikroröhrenbildung
und -beendigung zu untersuchen. Mikrokathodolumineszenz und TEM
werden verwendet, um die Kristallstrukturqualität über den Mikroröhren zu
untersuchen.
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Vorergebnisse
zeigen, daß Wachstum,
Temperatur, Wachstumsgeschwindigkeit und Schichtdicke alle kritisch
sind, um die Mikroröhrenfortpflanzung
in der epitaktischen Siliciumcarbidschicht während des LPE-Wachstums zu
verhindern.
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In
der Zeichnung und Beschreibung wurden typische bevorzugte Ausführungsformen
der Erfindung beschrieben, und, obwohl spezielle Begriffe verwendet
wurden, wurden sie nur in einem allgemeinen und beschreibenden Sinne
und nicht zum Zwecke einer Beschränkung verwendet, wobei der
Gedanke der Erfindung in den folgenden Ansprüchen wiedergegeben ist.