JP2002179498A - 炭化珪素単結晶の製造方法 - Google Patents
炭化珪素単結晶の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 マイクロパイプを有する炭化珪素基板におい
て、より実用的なマイクロパイプの閉塞技術を提供する
こと。 【解決手段】 ＳｉＣ基板温度が１８００℃程の高温で
は、ＳｉＣ基板１０からＳｉＣの昇華が発生する。そし
て、ＳｉＣ基板裏面より基板表面の温度が低くなってい
ることから、温度が高い基板裏面近傍１２ｂから昇華し
たガスが中空であるマイクロパイプ欠陥１１を通して、
温度の低い基板表面近傍１２ａに移動する。そして、基
板表面側はＣＶＤ法によりエピタキシャル成長が進行し
ており、基板裏面近傍１２ｂから昇華したＳｉＣの昇華
ガスは、基板表面近傍１２ａにて再結晶化し、マイクロ
パイプ欠陥１１が閉塞する。
て、より実用的なマイクロパイプの閉塞技術を提供する
こと。 【解決手段】 ＳｉＣ基板温度が１８００℃程の高温で
は、ＳｉＣ基板１０からＳｉＣの昇華が発生する。そし
て、ＳｉＣ基板裏面より基板表面の温度が低くなってい
ることから、温度が高い基板裏面近傍１２ｂから昇華し
たガスが中空であるマイクロパイプ欠陥１１を通して、
温度の低い基板表面近傍１２ａに移動する。そして、基
板表面側はＣＶＤ法によりエピタキシャル成長が進行し
ており、基板裏面近傍１２ｂから昇華したＳｉＣの昇華
ガスは、基板表面近傍１２ａにて再結晶化し、マイクロ
パイプ欠陥１１が閉塞する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、炭化珪素（Ｓｉ
Ｃ）基板の製造方法に関し、特に、結晶欠陥であるマイ
クロパイプの継承を抑制する方法に関する。
Ｃ）基板の製造方法に関し、特に、結晶欠陥であるマイ
クロパイプの継承を抑制する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＳｉＣ単結晶は、一般的には昇華
法によって製造されるが、マイクロパイプ欠陥（中空貫
通欠陥）と呼ばれる直径サブμｍ乃至数μｍの中空貫通
孔が結晶中に１００から１０００個／ｃｍ2程度ある。
法によって製造されるが、マイクロパイプ欠陥（中空貫
通欠陥）と呼ばれる直径サブμｍ乃至数μｍの中空貫通
孔が結晶中に１００から１０００個／ｃｍ2程度ある。
【０００３】パワーデバイスや高周波デバイスを作製す
る場合、この単結晶を基板として、デバイスを形成する
領域であるエピタキシャル膜をデバイスに適した構造に
なるように成長させるが、この欠陥が基板中に存在する
と、その上に成長させたエピタキシャル膜にもその欠陥
が継承され、エピタキシャル膜にもマイクロパイプ欠陥
が同数形成される。そして、この欠陥があるエピタキシ
ャル膜にデバイスを作製すると、デバイスの漏れ電流を
増加させ、逆方向耐圧を低下させることが報告されてい
る。このため、デバイスを作製するにはこの欠陥を低減
させることが極めて重要である。
る場合、この単結晶を基板として、デバイスを形成する
領域であるエピタキシャル膜をデバイスに適した構造に
なるように成長させるが、この欠陥が基板中に存在する
と、その上に成長させたエピタキシャル膜にもその欠陥
が継承され、エピタキシャル膜にもマイクロパイプ欠陥
が同数形成される。そして、この欠陥があるエピタキシ
ャル膜にデバイスを作製すると、デバイスの漏れ電流を
増加させ、逆方向耐圧を低下させることが報告されてい
る。このため、デバイスを作製するにはこの欠陥を低減
させることが極めて重要である。
【０００４】デバイスを作製する領域であるエピタキシ
ャル膜のマイクロパイプ欠陥を低減させる方法として、
これまで、基板となるＳｉＣ単結晶のマイクロパイプ欠
陥をなくすことが提案されていた。これには、米国特許
第５６７９１５３号や特開平１０−３２４６００号公報
や特開２０００−４４３９８号公報、さらには、第４７
回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 第１分冊
Ｐ．４０７講演Ｎｏ．２９Ｐ−ＹＦ−６「厚膜４Ｈ−Ｓ
ｉＣエピタキシャル成長におけるの転位の挙動」
（（財）電力中央研究所 鎌田ら；２０００年３月発
行）に示される方法が提案されている。
ャル膜のマイクロパイプ欠陥を低減させる方法として、
これまで、基板となるＳｉＣ単結晶のマイクロパイプ欠
陥をなくすことが提案されていた。これには、米国特許
第５６７９１５３号や特開平１０−３２４６００号公報
や特開２０００−４４３９８号公報、さらには、第４７
回応用物理学関係連合講演会 講演予稿集 第１分冊
Ｐ．４０７講演Ｎｏ．２９Ｐ−ＹＦ−６「厚膜４Ｈ−Ｓ
ｉＣエピタキシャル成長におけるの転位の挙動」
（（財）電力中央研究所 鎌田ら；２０００年３月発
行）に示される方法が提案されている。
【０００５】米国特許第５６７９１５３号に示される方
法は、シリコン中のＳｉＣ溶融を用いた液相エピタキシ
ー技術によって結晶成長させると、エピタキシャル成長
途中でマイクロパイプ欠陥が閉塞させていくことを利用
して、マイクロパイプを有する種結晶上にマイクロパイ
プ欠陥を低減させたエピタキシャル膜を成長させてい
る。
法は、シリコン中のＳｉＣ溶融を用いた液相エピタキシ
ー技術によって結晶成長させると、エピタキシャル成長
途中でマイクロパイプ欠陥が閉塞させていくことを利用
して、マイクロパイプを有する種結晶上にマイクロパイ
プ欠陥を低減させたエピタキシャル膜を成長させてい
る。
【０００６】次に、特開平１０−３２４６００号公報に
示される方法は、α（六方晶）−ＳｉＣ単結晶基板（種
結晶）の表面に熱化学的蒸着（ＣＶＤ）法によりβ（立
方晶）−ＳｉＣもしくはα−ＳｉＣの多結晶膜の成膜
と、それによって得られた複合体に対する熱処理とを複
数繰り返すことにより、複数層のβ−ＳｉＣもしくはα
−ＳｉＣの多結晶膜をα−ＳｉＣ単結晶基板（種結晶）
の結晶軸と同一方向に配向（ある種の固相エピタキシャ
ル成長）させることによって、種結晶上にマイクロパイ
プ欠陥の少ないＳｉＣ単結晶を成長させている。
示される方法は、α（六方晶）−ＳｉＣ単結晶基板（種
結晶）の表面に熱化学的蒸着（ＣＶＤ）法によりβ（立
方晶）−ＳｉＣもしくはα−ＳｉＣの多結晶膜の成膜
と、それによって得られた複合体に対する熱処理とを複
数繰り返すことにより、複数層のβ−ＳｉＣもしくはα
−ＳｉＣの多結晶膜をα−ＳｉＣ単結晶基板（種結晶）
の結晶軸と同一方向に配向（ある種の固相エピタキシャ
ル成長）させることによって、種結晶上にマイクロパイ
プ欠陥の少ないＳｉＣ単結晶を成長させている。
【０００７】また、特開２０００−４４３９８号公報に
示される方法は、マイクロパイプを有する単結晶基板の
表面に被覆材料を被覆した後、熱処理を行ない、ＳｉＣ
単結晶に存在するマイクロパイプ欠陥をＳｉＣ単結晶の
内部で閉塞させ、マイクロパイプ欠陥の少なくとも一部
が塞がれた結晶を形成する。
示される方法は、マイクロパイプを有する単結晶基板の
表面に被覆材料を被覆した後、熱処理を行ない、ＳｉＣ
単結晶に存在するマイクロパイプ欠陥をＳｉＣ単結晶の
内部で閉塞させ、マイクロパイプ欠陥の少なくとも一部
が塞がれた結晶を形成する。
【０００８】そして、上述の第４７回応用物理学関係連
合講演会 講演予稿集によると、基板上のエピタキシャ
ル膜を１６μｍ／ｈにて６５μｍで厚く形成した結果、
マイクロパイプが閉塞したことが報告されている。
合講演会 講演予稿集によると、基板上のエピタキシャ
ル膜を１６μｍ／ｈにて６５μｍで厚く形成した結果、
マイクロパイプが閉塞したことが報告されている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】上記第１の方法では、
マイクロパイプ欠陥がない部分を得るためには、液相エ
ピタキシー法により２０〜７５μｍ以上の厚いエピタキ
シャル膜を成長させなければならない。さらに、その上
にデバイスを作製するエピタキシャル膜をＣＶＤ法によ
り成長させなければならず、工程が多いという問題があ
る。
マイクロパイプ欠陥がない部分を得るためには、液相エ
ピタキシー法により２０〜７５μｍ以上の厚いエピタキ
シャル膜を成長させなければならない。さらに、その上
にデバイスを作製するエピタキシャル膜をＣＶＤ法によ
り成長させなければならず、工程が多いという問題があ
る。
【００１０】上記第２の方法では、単結晶基板上に多結
晶膜を形成するため、結晶粒界を内在したＳｉＣ複合体
が得られる。この複合体を熱処理し、種結晶上に固相エ
ピタキシャル成長させると、多結晶中の結晶粒界におけ
る内部歪みを原因とした結晶欠陥が導入される危惧があ
る。こうした欠陥はキャリアのトラップ源となるため、
電子デバイス用基板としては適さないという問題があ
る。また、実用基板の厚さにするため、成膜工程と熱処
理工程と表面平滑工程を数回繰り返す必要があるため、
工程が多く、製造コストが高くなるという問題がある。
晶膜を形成するため、結晶粒界を内在したＳｉＣ複合体
が得られる。この複合体を熱処理し、種結晶上に固相エ
ピタキシャル成長させると、多結晶中の結晶粒界におけ
る内部歪みを原因とした結晶欠陥が導入される危惧があ
る。こうした欠陥はキャリアのトラップ源となるため、
電子デバイス用基板としては適さないという問題があ
る。また、実用基板の厚さにするため、成膜工程と熱処
理工程と表面平滑工程を数回繰り返す必要があるため、
工程が多く、製造コストが高くなるという問題がある。
【００１１】上記第３の方法では、被覆材料を被覆する
工程と熱処理工程と被覆材料の除去も含む表面平滑工程
が最低必要であり、工程が多いという問題がある。
工程と熱処理工程と被覆材料の除去も含む表面平滑工程
が最低必要であり、工程が多いという問題がある。
【００１２】上記第４の方法では、エピタキシャル膜を
厚く形成することでマイクロパイプが閉塞するものの、
通常、デバイス制作のために基板上に形成するエピタキ
シャル膜は、せいぜい２０〜３０μｍ程度であり、エピ
タキシャル膜が薄い状態でもマイクロパイプを閉塞した
いという要望があり、また、成長レートが１６μｍ／ｈ
程度と遅く、マイクロパイプを閉塞するのに４時間以上
の長時間も成長させなければならず、デバイス用、ある
いはバルク用としてエピタキシャル膜を形成する方法と
しては商業的に適したものではない。
厚く形成することでマイクロパイプが閉塞するものの、
通常、デバイス制作のために基板上に形成するエピタキ
シャル膜は、せいぜい２０〜３０μｍ程度であり、エピ
タキシャル膜が薄い状態でもマイクロパイプを閉塞した
いという要望があり、また、成長レートが１６μｍ／ｈ
程度と遅く、マイクロパイプを閉塞するのに４時間以上
の長時間も成長させなければならず、デバイス用、ある
いはバルク用としてエピタキシャル膜を形成する方法と
しては商業的に適したものではない。
【００１３】本発明は上記問題に鑑みてなされ、マイク
ロパイプを有する炭化珪素基板において、より実用的な
マイクロパイプの閉塞技術を提供することを目的とす
る。
ロパイプを有する炭化珪素基板において、より実用的な
マイクロパイプの閉塞技術を提供することを目的とす
る。
【００１４】
【課題を解決すための手段】上記課題を解決するための
第１の発明は、マイクロパイプを有する炭化珪素基板に
エピタキシャル膜を形成する際、エピタキシャル膜が形
成される側の炭化珪素基板の表面と、この表面とは反対
側の炭化珪素基板の裏面とに温度差を設け、表面側を低
温としている。
第１の発明は、マイクロパイプを有する炭化珪素基板に
エピタキシャル膜を形成する際、エピタキシャル膜が形
成される側の炭化珪素基板の表面と、この表面とは反対
側の炭化珪素基板の裏面とに温度差を設け、表面側を低
温としている。
【００１５】炭化珪素基板表面の温度を裏面の温度より
も低くすることで、温度が高い裏面近傍（マイクロパイ
プあるいは裏面）から発生するＳｉＣの昇華ガスが、マ
イクロパイプを通して表面側に向かって流れ、温度が低
い表面近くで再結晶化する。その際、マイクロパイプの
内側に再結晶化するため、マイクロパイプの内径を小さ
くし、最終的には塞ぐことができる。
も低くすることで、温度が高い裏面近傍（マイクロパイ
プあるいは裏面）から発生するＳｉＣの昇華ガスが、マ
イクロパイプを通して表面側に向かって流れ、温度が低
い表面近くで再結晶化する。その際、マイクロパイプの
内側に再結晶化するため、マイクロパイプの内径を小さ
くし、最終的には塞ぐことができる。
【００１６】尚、請求項２に記載のように、炭化珪素基
板の温度を１６５０℃以上にすることで、基板からの昇
華が生じやすくなり、マイクロパイプの閉塞が促進す
る。
板の温度を１６５０℃以上にすることで、基板からの昇
華が生じやすくなり、マイクロパイプの閉塞が促進す
る。
【００１７】さらに、請求項３に記載のように、炭化珪
素基板の温度を１７５０℃以上とすることにより、基板
からの昇華が促進し、マイクロパイプの閉塞が容易とな
る。ただし、基板の温度が１９００℃を超えると、今度
は昇華が促進するため、マイクロパイプを閉塞するため
の再結晶化と昇華とのバランスが均等化し、マイクロパ
イプの閉塞が抑制されてしまう。よって、炭化珪素基板
の温度は高くても１９００℃までとすることが好まし
い。
素基板の温度を１７５０℃以上とすることにより、基板
からの昇華が促進し、マイクロパイプの閉塞が容易とな
る。ただし、基板の温度が１９００℃を超えると、今度
は昇華が促進するため、マイクロパイプを閉塞するため
の再結晶化と昇華とのバランスが均等化し、マイクロパ
イプの閉塞が抑制されてしまう。よって、炭化珪素基板
の温度は高くても１９００℃までとすることが好まし
い。
【００１８】また、請求項４に記載のように、水素やヘ
リウムガスは熱伝導が高く、ガスの当たる炭化珪素基板
表面の温度を効果的に下げることができ、炭化珪素基板
の表面と裏面との温度差を十分付けることができる。こ
れにより、炭化珪素基板裏面近傍から昇華ガスを表面に
移動させることを促進できる。
リウムガスは熱伝導が高く、ガスの当たる炭化珪素基板
表面の温度を効果的に下げることができ、炭化珪素基板
の表面と裏面との温度差を十分付けることができる。こ
れにより、炭化珪素基板裏面近傍から昇華ガスを表面に
移動させることを促進できる。
【００１９】また、請求項５に記載のように、ガス流速
を１ｍ／ｓ以上とすることにより、ガスの当たる炭化珪
素基板表面の温度を効果的に下げることができ、炭化珪
素基板の表面と裏面との温度差を十分付けることができ
る。これにより、炭化珪素基板裏面近傍から昇華ガスを
表面に移動させることを促進できる。
を１ｍ／ｓ以上とすることにより、ガスの当たる炭化珪
素基板表面の温度を効果的に下げることができ、炭化珪
素基板の表面と裏面との温度差を十分付けることができ
る。これにより、炭化珪素基板裏面近傍から昇華ガスを
表面に移動させることを促進できる。
【００２０】また、請求項６に記載のように、炭化珪素
基板の表面と裏面との温度差を５℃以上とすることによ
り、裏面側で昇華したガスが表面側に移動し、表面近傍
で再結晶化することを促進できる。これにより、容易に
マイクロパイプをふさぐことができる。
基板の表面と裏面との温度差を５℃以上とすることによ
り、裏面側で昇華したガスが表面側に移動し、表面近傍
で再結晶化することを促進できる。これにより、容易に
マイクロパイプをふさぐことができる。
【００２１】また、請求項７に記載のように、エピタキ
シャル膜の成長速度を２０μｍ／ｈ以上にすることによ
り、マイクロパイプ上への炭化珪素膜の横方向の成長速
度も増加させることができ、マイクロパイプを短時間で
ふさぐことができる。
シャル膜の成長速度を２０μｍ／ｈ以上にすることによ
り、マイクロパイプ上への炭化珪素膜の横方向の成長速
度も増加させることができ、マイクロパイプを短時間で
ふさぐことができる。
【００２２】また、請求項８に記載のように、炭化珪素
基板の厚さを３００μｍ以上にすることにより、基板の
厚さ方向に温度差をつけることができ、ガスがあたる基
板表面の温度を効果的に下げることができ、基板の表面
と裏面との温度差を十分つけることができる。これによ
り、裏面からの昇華ガスを表面に移動させることを促進
できる。
基板の厚さを３００μｍ以上にすることにより、基板の
厚さ方向に温度差をつけることができ、ガスがあたる基
板表面の温度を効果的に下げることができ、基板の表面
と裏面との温度差を十分つけることができる。これによ
り、裏面からの昇華ガスを表面に移動させることを促進
できる。
【００２３】また、請求項９に記載のように、炭素を含
むガスと珪素を含むガスの流れ方向が、マイクロパイプ
の開口部を有する炭化珪素基板表面に対して、ほぼ垂直
になるようにすることにより、裏面からマイクロパイプ
を通して昇華してきたガスを表面に出ることを防ぐた
め、その昇華ガスが開口部近傍で再結晶化を促進するこ
とができる。これにより、容易にマイクロパイプをふさ
ぐことができる。
むガスと珪素を含むガスの流れ方向が、マイクロパイプ
の開口部を有する炭化珪素基板表面に対して、ほぼ垂直
になるようにすることにより、裏面からマイクロパイプ
を通して昇華してきたガスを表面に出ることを防ぐた
め、その昇華ガスが開口部近傍で再結晶化を促進するこ
とができる。これにより、容易にマイクロパイプをふさ
ぐことができる。
【００２４】また、請求項１０に記載のように、炭化珪
素基板温度を１６５０℃以上にすることにより、炭化珪
素基板からの昇華が生じやすくなり、、容易にマイクロ
パイプをふさぐことができる。
素基板温度を１６５０℃以上にすることにより、炭化珪
素基板からの昇華が生じやすくなり、、容易にマイクロ
パイプをふさぐことができる。
【００２５】尚、請求項１１に記載のように、望ましく
は基板温度を１７５０〜１９００℃の範囲にすることに
より、炭化珪素基板からの昇華が促進され、容易にマイ
クロパイプをふさぐことができる。１９００℃以下とす
るのは、それ以上にすると再結晶化に対し昇華が促進さ
れることとなり、１９００℃以上にすることは好ましく
ない。
は基板温度を１７５０〜１９００℃の範囲にすることに
より、炭化珪素基板からの昇華が促進され、容易にマイ
クロパイプをふさぐことができる。１９００℃以下とす
るのは、それ以上にすると再結晶化に対し昇華が促進さ
れることとなり、１９００℃以上にすることは好ましく
ない。
【００２６】さらに、請求項１２に記載のように、マイ
クロパイプは基板表面から基板裏面まで貫通しており、
前記基板の裏面と接触する接触部材と密着するように保
持されることにより、裏面近傍のマイクロパイプからの
昇華ガスが表面に移動しやすくなり、その昇華ガスが開
口部近傍で再結晶化を促進することができる。これによ
り、容易にマイクロパイプをふさぐことができる。
クロパイプは基板表面から基板裏面まで貫通しており、
前記基板の裏面と接触する接触部材と密着するように保
持されることにより、裏面近傍のマイクロパイプからの
昇華ガスが表面に移動しやすくなり、その昇華ガスが開
口部近傍で再結晶化を促進することができる。これによ
り、容易にマイクロパイプをふさぐことができる。
【００２７】また、請求項１３に記載のように、炭化珪
素基板裏面に接する雰囲気の圧力を表面に接する雰囲気
の圧力に対し、高くなるように基板を保持することによ
り、裏面近傍のマイクロパイプからの昇華ガスが表面に
移動しやすくなり、その昇華ガスが開口部近傍で再結晶
化を促進することができる。これにより、容易にマイク
ロパイプをふさぐことができる。
素基板裏面に接する雰囲気の圧力を表面に接する雰囲気
の圧力に対し、高くなるように基板を保持することによ
り、裏面近傍のマイクロパイプからの昇華ガスが表面に
移動しやすくなり、その昇華ガスが開口部近傍で再結晶
化を促進することができる。これにより、容易にマイク
ロパイプをふさぐことができる。
【００２８】また、請求項１４に記載のように、エピタ
キシャル成長時の圧力を減圧することにより、マイクロ
パイプを通して基板裏面の近傍の圧力も低くなり、炭化
珪素の昇華を促進させる。これにより、容易にマイクロ
パイプをふさぐことができる。
キシャル成長時の圧力を減圧することにより、マイクロ
パイプを通して基板裏面の近傍の圧力も低くなり、炭化
珪素の昇華を促進させる。これにより、容易にマイクロ
パイプをふさぐことができる。
【００２９】また、請求項１５に記載のように、炭化珪
素基板において、マイクロパイプの開口部を広くさせる
ことにより、広がった開口部に多くのステップを形成
し、そのステップを核に炭化珪素膜の横方向成長が進む
ため、容易にマイクロパイプをふさぐことができる。
素基板において、マイクロパイプの開口部を広くさせる
ことにより、広がった開口部に多くのステップを形成
し、そのステップを核に炭化珪素膜の横方向成長が進む
ため、容易にマイクロパイプをふさぐことができる。
【００３０】尚、請求項１６に記載のように、水素中で
ＳｉＣ基板を１６５０℃以上に加熱することにより、炭
化珪素基板の表面がエッチングされ、特に欠陥近傍のエ
ッチングが促進されるため、マイクロパイプの開口部を
広げられる。引き続き、炭素を含むガスと珪素を含むガ
スを供給することにより、炭化珪素膜をエピタキシャル
成長させることができる。
ＳｉＣ基板を１６５０℃以上に加熱することにより、炭
化珪素基板の表面がエッチングされ、特に欠陥近傍のエ
ッチングが促進されるため、マイクロパイプの開口部を
広げられる。引き続き、炭素を含むガスと珪素を含むガ
スを供給することにより、炭化珪素膜をエピタキシャル
成長させることができる。
【００３１】また、請求項１７に記載のように、塩素を
含むガスを炭化珪素基板の表面にあてることで、炭化珪
素基板の表面がエッチングされ、特に欠陥近傍のエッチ
ングが促進されるため、マイクロパイプの開口部を広げ
られる。引き続き、炭素を含むガスと珪素を含むガスを
供給することにより、炭化珪素膜をエピタキシャル成長
させることができる。
含むガスを炭化珪素基板の表面にあてることで、炭化珪
素基板の表面がエッチングされ、特に欠陥近傍のエッチ
ングが促進されるため、マイクロパイプの開口部を広げ
られる。引き続き、炭素を含むガスと珪素を含むガスを
供給することにより、炭化珪素膜をエピタキシャル成長
させることができる。
【００３２】また、請求項１８に記載のように、炭化珪
素基板をＫＯＨエッチングすることで、欠陥近傍のエッ
チングが促進されるため、マイクロパイプの開口部を広
げられる。
素基板をＫＯＨエッチングすることで、欠陥近傍のエッ
チングが促進されるため、マイクロパイプの開口部を広
げられる。
【００３３】尚、請求項１９に記載のように、マイクロ
パイプの開口部を広げた径を広げる前の径に対して、２
倍以上にすることにより、開口部にガスが十分供給する
ことができ、開口部での成長を促進することができる。
広がった開口部に多くのステップを形成し、そのステッ
プを核に炭化珪素膜の横方向成長が進むため、容易にマ
イクロパイプをふさぐことができる。
パイプの開口部を広げた径を広げる前の径に対して、２
倍以上にすることにより、開口部にガスが十分供給する
ことができ、開口部での成長を促進することができる。
広がった開口部に多くのステップを形成し、そのステッ
プを核に炭化珪素膜の横方向成長が進むため、容易にマ
イクロパイプをふさぐことができる。
【００３４】また、請求項２０に記載のように、開口部
が表面に向かって広がっているマイクロパイプを有する
炭化珪素基板の上に炭化珪素エピタキシャル膜を形成す
ることにより、マイクロパイプ上では炭化珪素エピタキ
シャル膜が開口していない基板が得られ、マイクロパイ
プの少ない高品位な炭化珪素単結晶基板を作製できる。
そして、この炭化珪素単結晶基板ではマイクロパイプが
炭化珪素基板にて終端しており、デバイス制作において
は、マイクロパイプの位置を考慮することなくエピタキ
シャル膜の膜厚を考慮すればよいため、デバイス制作に
おいて有利と言える。尚、請求項２１に記載のように、
マイクロパイプの広がった開口部表面での径がマイクロ
パイプ開口部底部での径の２倍以上の大きさとすること
が望ましい。
が表面に向かって広がっているマイクロパイプを有する
炭化珪素基板の上に炭化珪素エピタキシャル膜を形成す
ることにより、マイクロパイプ上では炭化珪素エピタキ
シャル膜が開口していない基板が得られ、マイクロパイ
プの少ない高品位な炭化珪素単結晶基板を作製できる。
そして、この炭化珪素単結晶基板ではマイクロパイプが
炭化珪素基板にて終端しており、デバイス制作において
は、マイクロパイプの位置を考慮することなくエピタキ
シャル膜の膜厚を考慮すればよいため、デバイス制作に
おいて有利と言える。尚、請求項２１に記載のように、
マイクロパイプの広がった開口部表面での径がマイクロ
パイプ開口部底部での径の２倍以上の大きさとすること
が望ましい。
【００３５】また、請求項２２に記載のように、マイク
ロパイプの終点が炭化珪素基板とエピタキシャル膜との
間に位置する導電性領域中であると、その基板にデバイ
スを作製した場合、空乏層が拡がるような電圧が印加さ
れる際、エピタキシャル膜から拡がってくる空乏層が導
電性領域によりその拡がりが抑えられ、空乏層がマイク
ロパイプまでに到達することを防止できる。よって、空
乏層がマイクロパイプに到達することで生じるマイクロ
パイプでの電界集中を抑制し、マイクロパイプに起因す
るブレイクダウンすることを防ぐことができる。
ロパイプの終点が炭化珪素基板とエピタキシャル膜との
間に位置する導電性領域中であると、その基板にデバイ
スを作製した場合、空乏層が拡がるような電圧が印加さ
れる際、エピタキシャル膜から拡がってくる空乏層が導
電性領域によりその拡がりが抑えられ、空乏層がマイク
ロパイプまでに到達することを防止できる。よって、空
乏層がマイクロパイプに到達することで生じるマイクロ
パイプでの電界集中を抑制し、マイクロパイプに起因す
るブレイクダウンすることを防ぐことができる。
【００３６】尚、導電性領域とは、所定のエピタキシャ
ル膜に対して不純物濃度が高い領域のことを言う。
ル膜に対して不純物濃度が高い領域のことを言う。
【００３７】尚、請求項２３に記載のように、導電性領
域が導電性基板であってもよく、請求項２４に記載のよ
うに、導電性領域がエピタキシャル膜中に存在していて
も良い。
域が導電性基板であってもよく、請求項２４に記載のよ
うに、導電性領域がエピタキシャル膜中に存在していて
も良い。
【００３８】あるいは請求項２５に記載のように、導電
性領域が低抵抗エピタキシャル膜であって、その上に形
成される高抵抗エピタキシャル膜から拡がってくる空乏
層を低抵抗エピタキシャル膜にてその拡がりを抑えるこ
とができ、この場合にも空乏層がマイクロパイプに到達
することを防止し、マイクロパイプに起因したブレイク
ダウンを防ぐすることができる。
性領域が低抵抗エピタキシャル膜であって、その上に形
成される高抵抗エピタキシャル膜から拡がってくる空乏
層を低抵抗エピタキシャル膜にてその拡がりを抑えるこ
とができ、この場合にも空乏層がマイクロパイプに到達
することを防止し、マイクロパイプに起因したブレイク
ダウンを防ぐすることができる。
【００３９】
【発明の実施の形態】以下、本発明を適用した実施形態
を図面を用いて具体的に説明する。本実施形態は、例え
ば昇華法などにより形成された炭化珪素単結晶基板（Ｓ
ｉＣ単結晶基板）に、電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦ
ＥＴなど）や接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥ
Ｔ）、あるいはショットキーバリアダイオードなどのデ
バイスを形成するためのエピタキシャル成長基板を製造
する方法に適用したものである。
を図面を用いて具体的に説明する。本実施形態は、例え
ば昇華法などにより形成された炭化珪素単結晶基板（Ｓ
ｉＣ単結晶基板）に、電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦ
ＥＴなど）や接合型電界効果トランジスタ（ＪＦＥ
Ｔ）、あるいはショットキーバリアダイオードなどのデ
バイスを形成するためのエピタキシャル成長基板を製造
する方法に適用したものである。
【００４０】（第１実施形態）図１に、ＳｉＣ単結晶基
板１０上にエピタキシャル膜を成長させるＣＶＤ（Ｃｈ
ｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装
置の概略図を示す。ＳｉＣ単結晶基板１０は、カーボン
で作製された円筒形のサセプタ３０の中に設置されてい
る。このサセプタ３０は、加熱されたサセプタからの熱
を外部に出さないようにするため、その周りを断熱材３
１で囲まれている。そして、これら全体を石英でできた
反応管３２で囲んでいる。その外周には、コイル３３が
あり、高周波誘導加熱により、サセプタ３０が加熱され
る。
板１０上にエピタキシャル膜を成長させるＣＶＤ（Ｃｈ
ｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）装
置の概略図を示す。ＳｉＣ単結晶基板１０は、カーボン
で作製された円筒形のサセプタ３０の中に設置されてい
る。このサセプタ３０は、加熱されたサセプタからの熱
を外部に出さないようにするため、その周りを断熱材３
１で囲まれている。そして、これら全体を石英でできた
反応管３２で囲んでいる。その外周には、コイル３３が
あり、高周波誘導加熱により、サセプタ３０が加熱され
る。
【００４１】ガスは水素、ＳｉＨ4、Ｃ3Ｈ8のそれぞれ
の配管を通して供給され、ガス導入管３４の直前でガス
が混合された後、ガス導入管３４から反応管３２内に導
入される。排気は、ガス排気管３５を通して、図示しな
いロータリーポンプによって排気される。
の配管を通して供給され、ガス導入管３４の直前でガス
が混合された後、ガス導入管３４から反応管３２内に導
入される。排気は、ガス排気管３５を通して、図示しな
いロータリーポンプによって排気される。
【００４２】以下、図２，３を用いて、本装置を使用し
てエピタキシャル成長を行った例について説明する。
てエピタキシャル成長を行った例について説明する。
【００４３】まず、ＳｉＣ単結晶基板として、（０００
１）面から３．５°傾いた面を持ち、厚さ７００μｍの
６Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板１０を用意する（図２
（ａ））。このとき、マイクロパイプ欠陥１１は、＜０
００１＞軸方向に伸びているため、ＳｉＣ基板１０の表
面に対して傾くことになる。この基板１０をサセプタ３
０に設置し、ＣＶＤ装置の反応管３２内に入れる。
１）面から３．５°傾いた面を持ち、厚さ７００μｍの
６Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板１０を用意する（図２
（ａ））。このとき、マイクロパイプ欠陥１１は、＜０
００１＞軸方向に伸びているため、ＳｉＣ基板１０の表
面に対して傾くことになる。この基板１０をサセプタ３
０に設置し、ＣＶＤ装置の反応管３２内に入れる。
【００４４】そして、たとえば２００Ｔｏｒｒの減圧下
でキャリアガス１３ａとして水素を流しながら、１８０
０℃まで基板１０を加熱する（図２（ｂ））。この時、
基板１０の裏面はサセプタに接しているが、基板１０の
表面は水素にさらされている。しかも、２００Ｔｏｒｒ
の減圧下で、水素の流速は１ｍ／ｓ以上と速い。このた
め、基板１０の表面から熱が奪われやすく、表面温度が
低くなっている。
でキャリアガス１３ａとして水素を流しながら、１８０
０℃まで基板１０を加熱する（図２（ｂ））。この時、
基板１０の裏面はサセプタに接しているが、基板１０の
表面は水素にさらされている。しかも、２００Ｔｏｒｒ
の減圧下で、水素の流速は１ｍ／ｓ以上と速い。このた
め、基板１０の表面から熱が奪われやすく、表面温度が
低くなっている。
【００４５】尚、基板温度は、パイロメータを用い、サ
セプタ３０の温度を測定し、サセプタ３０の温度をＳｉ
Ｃ基板１０の温度と見なす。
セプタ３０の温度を測定し、サセプタ３０の温度をＳｉ
Ｃ基板１０の温度と見なす。
【００４６】基板１０の温度が１８００℃に達した後、
水素ガスに対して原料ガスであるＳｉＨ4ガスとＣ3Ｈ8
ガスを加えた混合ガス１３ｂを流すことにより、基板１
０の表面にＳｉＣのエピタキシャル膜を成長させる。
尚、水素の流量は、１０リットル／ｍｉｎである。
水素ガスに対して原料ガスであるＳｉＨ4ガスとＣ3Ｈ8
ガスを加えた混合ガス１３ｂを流すことにより、基板１
０の表面にＳｉＣのエピタキシャル膜を成長させる。
尚、水素の流量は、１０リットル／ｍｉｎである。
【００４７】１８００℃程の高温では、ＳｉＣ基板１０
からＳｉＣの昇華が発生しており、Ｓｉ2Ｃ，ＳｉＣ2な
どの昇華ガス１０ａが発生し、しかも基板裏面より基板
表面の温度が低くなっていることから、温度が高い基板
裏面近傍１２ｂから昇華したガスが中空であるマイクロ
パイプ欠陥１１を通して、温度の低い基板表面近傍１２
ａに移動する。
からＳｉＣの昇華が発生しており、Ｓｉ2Ｃ，ＳｉＣ2な
どの昇華ガス１０ａが発生し、しかも基板裏面より基板
表面の温度が低くなっていることから、温度が高い基板
裏面近傍１２ｂから昇華したガスが中空であるマイクロ
パイプ欠陥１１を通して、温度の低い基板表面近傍１２
ａに移動する。
【００４８】一方、基板１０の表面では、水素とともに
原料ガスが流れており、原料ガスの熱分解により、基板
１０の表面にはＳｉ原子とＣ原子が多く存在するので、
基板１０の裏面近傍にて発生した昇華ガス１０ａは表面
からＳｉＣ基板１０の外側へ拡散しにくくなり、基板１
０の表面近傍のマクロパイプ欠陥１１の内壁に再結晶化
する（図２（ｃ））。
原料ガスが流れており、原料ガスの熱分解により、基板
１０の表面にはＳｉ原子とＣ原子が多く存在するので、
基板１０の裏面近傍にて発生した昇華ガス１０ａは表面
からＳｉＣ基板１０の外側へ拡散しにくくなり、基板１
０の表面近傍のマクロパイプ欠陥１１の内壁に再結晶化
する（図２（ｃ））。
【００４９】また、エピタキシャル膜１４は、ＳｉＣ基
板１０の厚さ方向に対してほぼ垂直（＜０００１＞軸に
対して垂直）なａ軸方向にも成長するのでり、マイクロ
パイプ欠陥１１において、再結晶化した領域上にも成長
することになる。
板１０の厚さ方向に対してほぼ垂直（＜０００１＞軸に
対して垂直）なａ軸方向にも成長するのでり、マイクロ
パイプ欠陥１１において、再結晶化した領域上にも成長
することになる。
【００５０】そして、時間とともに、マイクロパイプ欠
陥１１の内壁に再結晶化する結晶が多くなり、遂にはマ
イクロパイプ欠陥１１が閉塞してしまうとともに、エピ
タキシャル膜１４がその上に成長してしまうため、エピ
タキシャル膜１４にはマイクロパイプ欠陥１１が形成さ
れなくなる（図３（ａ））（ｂ））。
陥１１の内壁に再結晶化する結晶が多くなり、遂にはマ
イクロパイプ欠陥１１が閉塞してしまうとともに、エピ
タキシャル膜１４がその上に成長してしまうため、エピ
タキシャル膜１４にはマイクロパイプ欠陥１１が形成さ
れなくなる（図３（ａ））（ｂ））。
【００５１】このように、本実施形態では、ＳｉＣ基板
１０の裏面側に対し、表面側を、エピタキシャル成長さ
せる反応ガスを所定の流速にて流すことにより冷却し、
基板１０の裏面近傍で生じる昇華ガスが、マイクロパイ
プ欠陥１１の表面側にて再結晶化するという現象を利用
することでマイクロパイプ欠陥１１を閉塞することがで
きた。
１０の裏面側に対し、表面側を、エピタキシャル成長さ
せる反応ガスを所定の流速にて流すことにより冷却し、
基板１０の裏面近傍で生じる昇華ガスが、マイクロパイ
プ欠陥１１の表面側にて再結晶化するという現象を利用
することでマイクロパイプ欠陥１１を閉塞することがで
きた。
【００５２】ＳｉＣ基板１０も７００μｍと厚く、基板
１０の表面側と裏面側との温度差が付けやすい。
１０の表面側と裏面側との温度差が付けやすい。
【００５３】しかも、流速が速いことにより、成長速度
が５０μｍ／ｈと高い。そして、エピタキシャル膜の膜
厚が１０μｍであっても、マイクロパイプ欠陥１１はエ
ピタキシャル膜に継承されることなく、ＳｉＣ基板１０
の表面にて閉塞させることができた。
が５０μｍ／ｈと高い。そして、エピタキシャル膜の膜
厚が１０μｍであっても、マイクロパイプ欠陥１１はエ
ピタキシャル膜に継承されることなく、ＳｉＣ基板１０
の表面にて閉塞させることができた。
【００５４】なお、ガスの流れ方向と基板の設置向き
は、図１に示した例には限らず、基板表面を下に向けて
も構わず、さらに、ガスを上下方向に流し、基板表面を
その流れに対しほぼ平行にさせるようにしても構わな
い。
は、図１に示した例には限らず、基板表面を下に向けて
も構わず、さらに、ガスを上下方向に流し、基板表面を
その流れに対しほぼ平行にさせるようにしても構わな
い。
【００５５】（第２実施形態）図４に、第２実施形態に
用いるＳｉＣ単結晶基板１０上にエピタキシャル膜を成
長させるＣＶＤ装置の概略図を示す。ＳｉＣ単結晶基板
１０は、カーボンで作製された円筒形のサセプタ３０の
中に設置されている。この装置では、ＳｉＣ基板１０の
表面は、下方に向くように設置する。ＳｉＣ基板１０は
カーボン製の台座３６に貼付され固定される。尚、台座
３６は図示していないが、サセプタ３０に固定されてい
る。台座３０はＳｉＣ基板１０の固定だけでなく、基板
１０の加熱及び均熱化の役目も果たす。
用いるＳｉＣ単結晶基板１０上にエピタキシャル膜を成
長させるＣＶＤ装置の概略図を示す。ＳｉＣ単結晶基板
１０は、カーボンで作製された円筒形のサセプタ３０の
中に設置されている。この装置では、ＳｉＣ基板１０の
表面は、下方に向くように設置する。ＳｉＣ基板１０は
カーボン製の台座３６に貼付され固定される。尚、台座
３６は図示していないが、サセプタ３０に固定されてい
る。台座３０はＳｉＣ基板１０の固定だけでなく、基板
１０の加熱及び均熱化の役目も果たす。
【００５６】サセプタ３０の回りには、加熱されたサセ
プタからの熱を外部に出さないようにするため、断熱材
３１で囲まれている。そして、これら全体を石英ででき
た反応管３２で囲んでいる。その外には、コイル３３が
あり、高周波誘導加熱により、サセプタ３０が加熱され
る。
プタからの熱を外部に出さないようにするため、断熱材
３１で囲まれている。そして、これら全体を石英ででき
た反応管３２で囲んでいる。その外には、コイル３３が
あり、高周波誘導加熱により、サセプタ３０が加熱され
る。
【００５７】ガスは水素、ＳｉＨ4、Ｃ3Ｈ8のそれぞれ
の配管を通して供給され、ガス導入管３４の直前でガス
が混合された後、ガス導入管３４から反応管３２の下か
ら導入される。排気は、反応管３２の上方にあるガス排
気管３５を通して、図示しないロータリーポンプにより
排気される。
の配管を通して供給され、ガス導入管３４の直前でガス
が混合された後、ガス導入管３４から反応管３２の下か
ら導入される。排気は、反応管３２の上方にあるガス排
気管３５を通して、図示しないロータリーポンプにより
排気される。
【００５８】以下、図５，６を用いて、本装置を使用し
てエピタキシャル成長を行った例について説明する。成
長条件は第１実施形態と同様でる。
てエピタキシャル成長を行った例について説明する。成
長条件は第１実施形態と同様でる。
【００５９】まず、（０００１）面から８°傾いた面を
持つ厚さ３００μｍの４Ｈ−ＳｉＣ基板を用意する。こ
の基板をサセプタ３０に設置し、ＣＶＤ装置の反応管３
２内に入れる（図５（ａ））。
持つ厚さ３００μｍの４Ｈ−ＳｉＣ基板を用意する。こ
の基板をサセプタ３０に設置し、ＣＶＤ装置の反応管３
２内に入れる（図５（ａ））。
【００６０】そして、たとえば２００Ｔｏｒｒの減圧下
でキャリアガスの水素を流しながら、１８００℃まで基
板１０を加熱する（図５（ｂ））。この時、基板裏面は
サセプタに接しているが、基板表面は水素にさらされて
いる。しかも、水素は、２００Ｔｏｒｒの減圧下で、流
速は１ｍ／ｓ以上と速い。このため、基板表面から熱が
奪われやすく、表面温度が低くなっている。
でキャリアガスの水素を流しながら、１８００℃まで基
板１０を加熱する（図５（ｂ））。この時、基板裏面は
サセプタに接しているが、基板表面は水素にさらされて
いる。しかも、水素は、２００Ｔｏｒｒの減圧下で、流
速は１ｍ／ｓ以上と速い。このため、基板表面から熱が
奪われやすく、表面温度が低くなっている。
【００６１】基板１０の温度が１８００℃に達した後、
原料ガスであるＳｉＨ4ガスとＣ3Ｈ 8ガスを流すことに
より、基板表面にＳｉＣのエピタキシャル膜１４を成長
させる。
原料ガスであるＳｉＨ4ガスとＣ3Ｈ 8ガスを流すことに
より、基板表面にＳｉＣのエピタキシャル膜１４を成長
させる。
【００６２】１８００℃程の高温では、ＳｉＣ基板から
ＳｉＣの昇華が発生しており、しかも基板１０の裏面よ
り基板表面の温度が低くなっていることから、温度が高
い基板裏面近傍１２ｂから昇華したガス１０ａが中空で
あるマイクロパイプ欠陥１１を通して、温度の低い基板
表面近傍１２ａに移動する。
ＳｉＣの昇華が発生しており、しかも基板１０の裏面よ
り基板表面の温度が低くなっていることから、温度が高
い基板裏面近傍１２ｂから昇華したガス１０ａが中空で
あるマイクロパイプ欠陥１１を通して、温度の低い基板
表面近傍１２ａに移動する。
【００６３】一方、基板１０の表面では、水素と原料ガ
スが基板に向かって流れてくるため、昇華ガス１０ａは
表面から外に出られず、表面近傍のマイクロパイプ欠陥
１１の内壁に再結晶化が促進される。そして、時間とと
もに、マイクロパイプ欠陥１１の内壁に再結晶化する結
晶が多くなり、遂にはマイクロパイプ欠陥１１が閉塞し
てしまうとともに、エピタキシャル膜がその上に成長し
てしまうため、エピタキシャル膜にはマイクロパイプ欠
陥１１が形成されなくなる（図６（ａ））（ｂ））。
スが基板に向かって流れてくるため、昇華ガス１０ａは
表面から外に出られず、表面近傍のマイクロパイプ欠陥
１１の内壁に再結晶化が促進される。そして、時間とと
もに、マイクロパイプ欠陥１１の内壁に再結晶化する結
晶が多くなり、遂にはマイクロパイプ欠陥１１が閉塞し
てしまうとともに、エピタキシャル膜がその上に成長し
てしまうため、エピタキシャル膜にはマイクロパイプ欠
陥１１が形成されなくなる（図６（ａ））（ｂ））。
【００６４】なお、ガスの流れ方向と基板の設置向き
は、図４に示した例には限らず、ガスを上方から流し、
基板表面を上に向けても構わない。
は、図４に示した例には限らず、ガスを上方から流し、
基板表面を上に向けても構わない。
【００６５】（第３実施形態）本実施形態では、上述の
第２実施形態と同様に、図４に示したＣＶＤ装置を使用
してエピタキシャル成長を行った他の例について図７，
８を用いて説明する。
第２実施形態と同様に、図４に示したＣＶＤ装置を使用
してエピタキシャル成長を行った他の例について図７，
８を用いて説明する。
【００６６】まず、（０００１）面から３．５°傾いた
面を持つ６Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板を用意する。この基板
をサセプタ３０に設置し、ＣＶＤ装置の反応管３２内に
入れる（図７（ａ））。
面を持つ６Ｈ−ＳｉＣ単結晶基板を用意する。この基板
をサセプタ３０に設置し、ＣＶＤ装置の反応管３２内に
入れる（図７（ａ））。
【００６７】そして、たとえば２００Ｔｏｒｒの減圧下
でキャリアガスの水素を流しながら、１８００℃まで基
板１０を加熱し、この温度で１０分程度保持する。この
時、基板表面は１８００℃近くの高温で水素に１０分程
度さらされることにより、欠陥が選択的にエッチングさ
れ、図７（ｂ）に示すように、表面にあるマイクロパイ
プ欠陥１１の開口部１２ｃが広がる。
でキャリアガスの水素を流しながら、１８００℃まで基
板１０を加熱し、この温度で１０分程度保持する。この
時、基板表面は１８００℃近くの高温で水素に１０分程
度さらされることにより、欠陥が選択的にエッチングさ
れ、図７（ｂ）に示すように、表面にあるマイクロパイ
プ欠陥１１の開口部１２ｃが広がる。
【００６８】その後、原料ガスであるＳｉＨ4ガスとＣ3
Ｈ8ガスを流すことにより、基板表面にＳｉＣのエピタ
キシャル膜１４を成長させると、広がった開口部では、
成長の核となるステップが多く形成されることと、表面
の面方位からよりａ面に近づくことの相乗効果により、
表面の面より成長速度が速い横方向への成長が進行しつ
つエピタキシャル膜が成長する。その結果、開口部１２
でのエピタキシャル膜の厚さがより厚くなり、遂にはマ
イクロパイプ欠陥１１が閉塞してしまうとともに、エピ
タキシャル膜がその上に成長してしまうため、エピタキ
シャル膜にはマイクロパイプ欠陥１１が継承されなくな
る（図８（ａ），（ｂ））。
Ｈ8ガスを流すことにより、基板表面にＳｉＣのエピタ
キシャル膜１４を成長させると、広がった開口部では、
成長の核となるステップが多く形成されることと、表面
の面方位からよりａ面に近づくことの相乗効果により、
表面の面より成長速度が速い横方向への成長が進行しつ
つエピタキシャル膜が成長する。その結果、開口部１２
でのエピタキシャル膜の厚さがより厚くなり、遂にはマ
イクロパイプ欠陥１１が閉塞してしまうとともに、エピ
タキシャル膜がその上に成長してしまうため、エピタキ
シャル膜にはマイクロパイプ欠陥１１が継承されなくな
る（図８（ａ），（ｂ））。
【００６９】また、本実施形態においても、第２実施形
態と同様に、ＳｉＣの昇華ガスによってマイクロパイプ
欠陥１１の閉塞が促進する。
態と同様に、ＳｉＣの昇華ガスによってマイクロパイプ
欠陥１１の閉塞が促進する。
【００７０】なお、マイクロパイプ欠陥１１の表面に開
口部を作る方法としては、水素の代わりに塩素を含むガ
スを成長する前に流しても同様な効果は得られる。塩素
の場合には基板温度を高い状態にする必要はない。水素
を用いる場合には、１６５０℃以上まで昇温させること
が望ましい。それは、低い温度では水素ガスによるエッ
チング効果が現れにくく、マイクロパイプ欠陥１１の表
面に開口部を設けるために時間がかかるためである。
口部を作る方法としては、水素の代わりに塩素を含むガ
スを成長する前に流しても同様な効果は得られる。塩素
の場合には基板温度を高い状態にする必要はない。水素
を用いる場合には、１６５０℃以上まで昇温させること
が望ましい。それは、低い温度では水素ガスによるエッ
チング効果が現れにくく、マイクロパイプ欠陥１１の表
面に開口部を設けるために時間がかかるためである。
【００７１】また、５００℃前後の溶融ＫＯＨ中でＳｉ
Ｃ単結晶基板をエッチングした後、その基板をＣＶＤ装
置内に入れ、ＳｉＣエピタキシャル成長を行っても同様
な効果は得られる。
Ｃ単結晶基板をエッチングした後、その基板をＣＶＤ装
置内に入れ、ＳｉＣエピタキシャル成長を行っても同様
な効果は得られる。
【００７２】（他の実施形態）以上、本発明の実施形態
について説明してきたが、他の例として、図９に示すよ
うに、デバイスの製作を考慮した場合、マイクロパイプ
欠陥の閉塞は必ずしもＳｉＣ基板１０内部である必要は
ない。本実施形態では、デバイスの耐圧とマイクロパイ
プ欠陥との関係からマイクロパイプ欠陥の閉塞位置につ
いて説明する。
について説明してきたが、他の例として、図９に示すよ
うに、デバイスの製作を考慮した場合、マイクロパイプ
欠陥の閉塞は必ずしもＳｉＣ基板１０内部である必要は
ない。本実施形態では、デバイスの耐圧とマイクロパイ
プ欠陥との関係からマイクロパイプ欠陥の閉塞位置につ
いて説明する。
【００７３】マイクロパイプ欠陥に空乏層が達すると、
その時点でブレイクダウンが生じ、デバイスとして所望
の耐圧が得られなくなるため、空乏層がマイクロパイプ
欠陥に達しないようにすることが望まれる。
その時点でブレイクダウンが生じ、デバイスとして所望
の耐圧が得られなくなるため、空乏層がマイクロパイプ
欠陥に達しないようにすることが望まれる。
【００７４】図９では、ＳｉＣ基板２０として、高濃度
（例えば１０19〜１０20／ｃｍ3）の不純物が添加され
たｎ+型の低抵抗基板２０に対して、上述の製造方法に
より、高抵抗なｎ-型エピタキシャル膜１４を形成した
状態を示す。
（例えば１０19〜１０20／ｃｍ3）の不純物が添加され
たｎ+型の低抵抗基板２０に対して、上述の製造方法に
より、高抵抗なｎ-型エピタキシャル膜１４を形成した
状態を示す。
【００７５】図９（ａ）では、低抵抗基板２０に対し
て、不純物濃度の低いｎ-型エピタキシャル層１４を形
成したものである。この場合、ｎ-型エピタキシャル層
１４上あるいはその内部に、デバイスとして機能させる
べく、ｐ型領域を形成した場合、この基板に形成された
ｐｎ接合に対し、逆バイアスが印加された際に、空乏層
はｎ-型エピタキシャル層１４を突き抜け、ＳｉＣ基板
２０まで達する場合が想定される。ＳｉＣ基板２０の不
純物濃度が高いため、空乏層はＳｉＣ基板２０内ではほ
とんど拡がらない。
て、不純物濃度の低いｎ-型エピタキシャル層１４を形
成したものである。この場合、ｎ-型エピタキシャル層
１４上あるいはその内部に、デバイスとして機能させる
べく、ｐ型領域を形成した場合、この基板に形成された
ｐｎ接合に対し、逆バイアスが印加された際に、空乏層
はｎ-型エピタキシャル層１４を突き抜け、ＳｉＣ基板
２０まで達する場合が想定される。ＳｉＣ基板２０の不
純物濃度が高いため、空乏層はＳｉＣ基板２０内ではほ
とんど拡がらない。
【００７６】よって、マイクロパイプ欠陥１１が、Ｓｉ
Ｃ基板２０内部にて閉塞していれば、空乏層がマイクロ
パイプ欠陥１１に到達せず、マイクロパイプ欠陥に起因
したブレイクダウンを生じさせることを防止する。
Ｃ基板２０内部にて閉塞していれば、空乏層がマイクロ
パイプ欠陥１１に到達せず、マイクロパイプ欠陥に起因
したブレイクダウンを生じさせることを防止する。
【００７７】また、図９（ｂ）では、低抵抗基板２０上
に、同じく低抵抗なｎ+型エピタキシャル膜２１を形成
し、その上に、高抵抗なｎ-型エピタキシャル層２２を
形成したものである。この構造を作製する方法の一つと
して、 ｎ+型エピタキシャル膜２１を１７５０℃以下の
温度で形成する方法がある。この場合も、図９（ａ）に
示したものと同様に、低抵抗領域内にてマイクロパイプ
欠陥１１が閉塞していれば、マイクロパイプ欠陥１１が
耐圧に影響しないため、好ましい。
に、同じく低抵抗なｎ+型エピタキシャル膜２１を形成
し、その上に、高抵抗なｎ-型エピタキシャル層２２を
形成したものである。この構造を作製する方法の一つと
して、 ｎ+型エピタキシャル膜２１を１７５０℃以下の
温度で形成する方法がある。この場合も、図９（ａ）に
示したものと同様に、低抵抗領域内にてマイクロパイプ
欠陥１１が閉塞していれば、マイクロパイプ欠陥１１が
耐圧に影響しないため、好ましい。
【００７８】つまり、導電性のある低抵抗領域内にてマ
イクロパイプ欠陥が閉塞することが望ましい。尚、「導
電性のある」というのは導体として機能できる程度に不
純物が高濃度に添加された低抵抗領域のことを言う。
イクロパイプ欠陥が閉塞することが望ましい。尚、「導
電性のある」というのは導体として機能できる程度に不
純物が高濃度に添加された低抵抗領域のことを言う。
【００７９】また、図４に示したＣＶＤ装置において、
ＳｉＣ基板１０を保持する構造の変形例を図１０に示
す。
ＳｉＣ基板１０を保持する構造の変形例を図１０に示
す。
【００８０】図１０（ａ）に示すように、サセプタ３０
の側面から基板保持部３７が突出し、ＳｉＣ基板１０が
保持されている。ＳｉＣ基板１０の裏面にはカーボンか
らなる均熱部３８が載置され、ＳｉＣ基板１０の裏面と
均熱部３８は密着することになる。ＳｉＣ基板１０は均
熱部３８により全体にほぼ等しい温度に熱せられる。
の側面から基板保持部３７が突出し、ＳｉＣ基板１０が
保持されている。ＳｉＣ基板１０の裏面にはカーボンか
らなる均熱部３８が載置され、ＳｉＣ基板１０の裏面と
均熱部３８は密着することになる。ＳｉＣ基板１０は均
熱部３８により全体にほぼ等しい温度に熱せられる。
【００８１】このように、均熱部３８を密着させること
によって、マイクロパイプ欠陥がＳｉＣ基板１０を貫通
していたとしても、マイクロパイプ欠陥はＳｉＣ基板１
０の裏面側にて閉じられることとなり、エピタキシャル
膜形成の際にＳｉＣ基板１０の裏面近傍から発生する昇
華ガスは、ＳｉＣ基板１０の表面側に移動しやすくな
り、マイクロパイプ欠陥の閉塞が促進される。
によって、マイクロパイプ欠陥がＳｉＣ基板１０を貫通
していたとしても、マイクロパイプ欠陥はＳｉＣ基板１
０の裏面側にて閉じられることとなり、エピタキシャル
膜形成の際にＳｉＣ基板１０の裏面近傍から発生する昇
華ガスは、ＳｉＣ基板１０の表面側に移動しやすくな
り、マイクロパイプ欠陥の閉塞が促進される。
【００８２】また、図１０（ｂ）に示すように、均熱部
３８はＳｉＣ基板１０には接しず、空間が存在し、基板
保持部３７に接している。基板保持部３７はＳｉＣ基板
１０の周囲全体を保持し、均熱部３８とＳｉＣ基板１０
とで閉空間を形成している。よって、ＳｉＣ基板１０の
裏面側は、この閉空間による圧力が加わり、一方、Ｓｉ
Ｃ基板１０の表面側は、裏面側よりも低圧となる例えば
２００Ｔｏｒｒ程度の減圧雰囲気となる。
３８はＳｉＣ基板１０には接しず、空間が存在し、基板
保持部３７に接している。基板保持部３７はＳｉＣ基板
１０の周囲全体を保持し、均熱部３８とＳｉＣ基板１０
とで閉空間を形成している。よって、ＳｉＣ基板１０の
裏面側は、この閉空間による圧力が加わり、一方、Ｓｉ
Ｃ基板１０の表面側は、裏面側よりも低圧となる例えば
２００Ｔｏｒｒ程度の減圧雰囲気となる。
【００８３】なお、均熱部３８は、基板保持部３７に接
しなくて、均熱部３８とＳｉＣ基板１０とで数ｍｍ以下
の狭い空間を形成させてもよい。
しなくて、均熱部３８とＳｉＣ基板１０とで数ｍｍ以下
の狭い空間を形成させてもよい。
【００８４】従って、マイクロパイプ欠陥１１におい
て、ＳｉＣ基板１０の表面側に印加される低圧により、
ＳｉＣ基板１０の裏面近傍から生じた昇華ガスが、Ｓｉ
Ｃ基板１０の表面側に移動しやすくなり、ＳｉＣ基板１
０の表面側での再結晶化を促進する。
て、ＳｉＣ基板１０の表面側に印加される低圧により、
ＳｉＣ基板１０の裏面近傍から生じた昇華ガスが、Ｓｉ
Ｃ基板１０の表面側に移動しやすくなり、ＳｉＣ基板１
０の表面側での再結晶化を促進する。
【００８５】このように、ＳｉＣ基板１０の裏面側と表
面側とに温度差を加えることでマイクロパイプ欠陥の閉
塞を行う際に、ＳｉＣ基板１０の裏面側と表面側とに圧
力差を設け、裏面側に対し表面側に印加される圧力を低
圧とすることで、マイクロパイプ欠陥の閉塞を促進させ
ることができる。
面側とに温度差を加えることでマイクロパイプ欠陥の閉
塞を行う際に、ＳｉＣ基板１０の裏面側と表面側とに圧
力差を設け、裏面側に対し表面側に印加される圧力を低
圧とすることで、マイクロパイプ欠陥の閉塞を促進させ
ることができる。
【００８６】尚、図示しないが、基板保持部３７は、Ｓ
ｉＣ基板１０と接する領域以外の部分では開口してお
り、サセプタ３０の下側より流入してきたガスはサセプ
タ上側から排出されるようになっている。
ｉＣ基板１０と接する領域以外の部分では開口してお
り、サセプタ３０の下側より流入してきたガスはサセプ
タ上側から排出されるようになっている。
【００８７】その他、本発明を実施する上で留意する点
について以下説明する。
について以下説明する。
【００８８】まず、ＳｉＣ基板の温度は、１６５０℃以
上が好ましく、この温度条件でＳｉＣ基板からの昇華が
発生しやすくなる。より昇華が促進するためには１７５
０℃以上、好ましくは１８００℃以上の温度が望まれ
る。
上が好ましく、この温度条件でＳｉＣ基板からの昇華が
発生しやすくなる。より昇華が促進するためには１７５
０℃以上、好ましくは１８００℃以上の温度が望まれ
る。
【００８９】また、ＳｉＣ基板の温度が１９００℃を超
えると、再結晶化よりも昇華が促進されることになり、
マイクロパイプ欠陥を塞ぐことができなくなる可能性が
あるため、１９００℃以下の温度とすることが望まし
い。
えると、再結晶化よりも昇華が促進されることになり、
マイクロパイプ欠陥を塞ぐことができなくなる可能性が
あるため、１９００℃以下の温度とすることが望まし
い。
【００９０】ただし、成長レート、成長雰囲気などの条
件によっては、１９００℃以上、例えば昇華法における
種結晶基板の温度である２２５０℃近傍まで熱すること
も可能であると考える。
件によっては、１９００℃以上、例えば昇華法における
種結晶基板の温度である２２５０℃近傍まで熱すること
も可能であると考える。
【００９１】また、ＳｉＣ基板の表面を冷却する点か
ら、キャリアガスあるいはエピタキシャル成長させるた
めのガスの流速は１ｍ／ｓ以上であることが望ましい。
ら、キャリアガスあるいはエピタキシャル成長させるた
めのガスの流速は１ｍ／ｓ以上であることが望ましい。
【００９２】また、ＳｉＣ基板の裏面と表面との温度差
は５℃以上あることが望ましい。こうすることで、マイ
クロパイプ欠陥を介してＳｉＣ基板の表面側に、ＳｉＣ
基板の裏面近傍より昇華したガスが移動し再結晶化しや
すくなる。
は５℃以上あることが望ましい。こうすることで、マイ
クロパイプ欠陥を介してＳｉＣ基板の表面側に、ＳｉＣ
基板の裏面近傍より昇華したガスが移動し再結晶化しや
すくなる。
【００９３】また、ＳｉＣ基板の厚さを３００μｍ以上
とすることにより、ＳｉＣ基板の裏面側と表面側との温
度差を生じさせやすくなる。
とすることにより、ＳｉＣ基板の裏面側と表面側との温
度差を生じさせやすくなる。
【００９４】また、ＳｉＣ基板表面に形成するエピタキ
シャル膜の成長速度を２０μｍ／ｈ以上、望ましくは３
０μｍ／ｈ以上とすることにより、基板の厚さ方向に対
してほぼ垂直な横方向への成長（ａ面成長）も増大する
こととなり、エピタキシャル膜にマイクロパイプ欠陥が
継承することを防止できる。
シャル膜の成長速度を２０μｍ／ｈ以上、望ましくは３
０μｍ／ｈ以上とすることにより、基板の厚さ方向に対
してほぼ垂直な横方向への成長（ａ面成長）も増大する
こととなり、エピタキシャル膜にマイクロパイプ欠陥が
継承することを防止できる。
【００９５】尚、本発明はデバイス用の基板を用意する
ためのものだけにとどまらず、エピタキシャル成長の成
長スピードが速いメリットを生かし、バルク成長として
用いても良い。この場合、マイクロパイプ欠陥のないＳ
ｉＣ単結晶を得ることができる。
ためのものだけにとどまらず、エピタキシャル成長の成
長スピードが速いメリットを生かし、バルク成長として
用いても良い。この場合、マイクロパイプ欠陥のないＳ
ｉＣ単結晶を得ることができる。
【００９６】また、原料ガスとして、ＳｉＨ4ガスとＣ3
Ｈ8ガスを用いた例を示したが、それ以外にＳｉ2Ｈ6ガ
スやＣ2Ｈ4ガス等の水素化物や塩素化物、ＳｉＣの昇華
ガス、Ｓｉ蒸気を用いてもよい。さらに、成長方法もＣ
ＶＤに限らず、分子線エピタキシャル成長法や昇華法な
どの気相成長法を用いてもよい。
Ｈ8ガスを用いた例を示したが、それ以外にＳｉ2Ｈ6ガ
スやＣ2Ｈ4ガス等の水素化物や塩素化物、ＳｉＣの昇華
ガス、Ｓｉ蒸気を用いてもよい。さらに、成長方法もＣ
ＶＤに限らず、分子線エピタキシャル成長法や昇華法な
どの気相成長法を用いてもよい。
【図１】第１実施形態におけるＳｉＣエピタキシャル膜
を成長させるＣＶＤ装置の概略図である。
を成長させるＣＶＤ装置の概略図である。
【図２】第１実施形態におけるエピタキシャル成長工程
を示す図である。
を示す図である。
【図３】第１実施形態におけるエピタキシャル成長工程
を示す図である。
を示す図である。
【図４】第２実施形態におけるＳｉＣエピタキシャル膜
を成長させるＣＶＤ装置の概略図である。
を成長させるＣＶＤ装置の概略図である。
【図５】第２実施形態におけるエピタキシャル成長工程
を示す図である。
を示す図である。
【図６】第２実施形態におけるエピタキシャル成長工程
を示す図である。
を示す図である。
【図７】第３実施形態におけるエピタキシャル成長工程
を示す図である。
を示す図である。
【図８】第３実施形態エピタキシャル成長工程を示す図
である。
である。
【図９】（ａ）は、ＳｉＣエピタキシャル成長基板の断
面図である。（ｂ）は、他の実施形態のＳｉＣエピタキ
シャル成長基板の断面図である。
面図である。（ｂ）は、他の実施形態のＳｉＣエピタキ
シャル成長基板の断面図である。
【図１０】（ａ）は、第２実施形態のＣＶＤ装置の一部
の変形例を示す図である。（ｂ）は、第２実施形態のＣ
ＶＤ装置の一部の変形例を示す図である。
の変形例を示す図である。（ｂ）は、第２実施形態のＣ
ＶＤ装置の一部の変形例を示す図である。
１０ ＳｉＣ基板、 １０ａ 昇華ガス、 １１ マイクロパイプ欠陥、 １４ エピタキシャル膜、 ３０ サセプタ、 ３１ 断熱材、 ３３ コイル、 ３４ ガス導入管、 ３５ ガス排気管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 廣瀬 富佐雄 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内 (72)発明者 恩田 正一 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 株式会 社デンソー内 Ｆターム(参考） 4G077 AA03 BE08 DB01 DB02 ED06 EH09 EH10
Claims (25)
- 【請求項１】 マイクロパイプを有する炭化珪素基板の
厚さ方向に、前記基板の表面の温度をその反対の裏面の
温度に対して低くなるように温度差を作り、前記表面に
少なくとも炭素を含むガスと珪素を含むガスを供給し、
前記炭化珪素基板の表面に炭化珪素膜をエピタキシャル
成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方
法。 - 【請求項２】 前記基板の温度は、１６５０℃以上とす
ることを特徴とする請求項１記載の炭化珪素単結晶の製
造方法。 - 【請求項３】 前記基板の温度は、１７５０℃〜１９０
０℃までの範囲とすることを特徴とする請求２記載の炭
化珪素単結晶の製造方法。 - 【請求項４】 前記温度差は、水素またはヘリウムを含
んだガスを前記基板表面に供給することにより、生じさ
せることを特徴とする請求項２または３記載の炭化珪素
単結晶の製造方法。 - 【請求項５】 炭素を含むガスと珪素を含むガスの前記
基板直前でのガス流速を１ｍ／ｓ以上とすることを特徴
とする請求項２ないし４記載の炭化珪素単結晶の製造方
法。 - 【請求項６】 前記温度差は、５℃以上とすることを特
徴とする請求項１乃至５のいずれかに記載の炭化珪素単
結晶の製造方法。 - 【請求項７】 前記炭化珪素膜には、成長速度が２０μ
ｍ／ｈ以上でエピタキシャル成長を行った膜を含むこと
を特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の炭化珪
素単結晶の製造方法。 - 【請求項８】 前記基板の厚さを３００μｍ以上とする
ことを特徴とする請求項１乃至７のいずれかに記載の炭
化珪素単結晶の製造方法。 - 【請求項９】 マイクロパイプを有する炭化珪素基板上
に炭化珪素膜のエピタキシャル成長を行う方法におい
て、 前記基板を保持手段により保持し、炭素を含むガスと珪
素を含むガスの流れ方向を、前記マイクロパイプの開口
部を有する前記基板の表面に対して、ほぼ垂直とし、前
記炭化珪素基板の表面に前記炭化珪素膜をエピタキシャ
ル成長させることを特徴とする炭化珪素単結晶の製造方
法。 - 【請求項１０】 前記基板の表面温度は、１６５０℃以
上とすることを特徴とする請求項９記載の炭化珪素単結
晶の製造方法。 - 【請求項１１】 前記基板の表面温度は、１７５０℃〜
１９００℃までの範囲とすることを特徴とする請求１０
記載の炭化珪素単結晶の製造方法。 - 【請求項１２】 前記マイクロパイプは基板表面から基
板裏面まで貫通しており、前記基板の裏面と接触する接
触部材と密着するように保持されていることを特徴とす
る請求項９乃至１１のいずれかに記載の炭化珪素単結晶
の製造方法。 - 【請求項１３】 前記マイクロパイプは基板表面から基
板裏面まで貫通しており、前記裏面に接する雰囲気の圧
力は、前記表面に接する雰囲気の圧力に対し、高くなる
ように前記基板が保持されていることを特徴とする請求
項９乃至１１のいずれかに記載の炭化珪素単結晶の製造
方法。 - 【請求項１４】 前記炭化珪素膜をエピタキシャル成長
させる圧力が減圧であることを特徴とする請求項９乃至
１３のいずれかに記載の炭化珪素単結晶の製造方法。 - 【請求項１５】 マイクロパイプを有する炭化珪素基板
の表面にある前記マイクロパイプの開口部を広くする開
口部改良工程と、 前記基板の表面上に少なくとも炭素を含むガスと珪素を
含むガスを供給し、炭化珪素膜をエピタキシャル成長さ
せる成膜工程とを備えることを特徴とする炭化珪素単結
晶の製造方法。 - 【請求項１６】 前記開口部改良工程は、前記炭化珪素
基板の表面に水素を含むキャリアガスを流しながら、前
記基板を１６５０℃以上に加熱させるものである請求項
１５記載の炭化珪素単結晶の製造方法。 - 【請求項１７】 前記開口部改良工程は、前記炭化珪素
基板の表面に塩素を含むガスを供給させるものである請
求項１５記載の炭化珪素単結晶の製造方法。 - 【請求項１８】 前記開口部改良工程は、前記炭化珪素
基板をＫＯＨを用いてエッチングさせるものである請求
項１５記載の炭化珪素単結晶の製造方法。 - 【請求項１９】 前記マイクロパイプの開口部は、前記
開口部改良工程の前後において、その径が２倍以上とな
るように広げることを特徴とする請求項１５乃至１８記
載のいずれかに炭化珪素単結晶の製造方法。 - 【請求項２０】 開口部が表面に向かって広がっている
マイクロパイプを有する炭化珪素基板と、 前記基板表面上に形成された炭化珪素エピタキシャル膜
とから構成され、前記マイクロパイプは前記基板にて終
端していることを特徴とする炭化珪素基板。 - 【請求項２１】 前記基板の開口部において、開口部の
表面で広がった径が開口部底部における径に対して、２
倍以上であることを特徴とする請求項２０記載の炭化珪
素単結晶の製造方法。 - 【請求項２２】 マイクロパイプを有する導電性炭化珪
素基板と、 前記基板表面上に形成された炭化珪素エピタキシャル膜
とから構成された炭化珪素基板において、 前記マイクロパイプ上において、炭化珪素エピタキシャ
ル膜は前記マイクロパイプを覆っており、前記マイクロ
パイプの終点が前記導電性炭化珪素基板と前記エピタキ
シャル膜との間に配置された導電性領域中であることを
特徴とする炭化珪素基板。 - 【請求項２３】 前記導電性領域は、前記導電性基板で
あることを特徴とする請求項２２記載の炭化珪素基板。 - 【請求項２４】 前記導電性領域は、前記導電性エピタ
キシャル膜であることを特徴とする請求項２２記載の炭
化珪素基板。 - 【請求項２５】 前記導電性領域は、低抵抗エピタキシ
ャル膜であり、前記低抵抗エピタキシャル膜上に高抵抗
エピタキシャル膜が形成されていることを特徴とする請
求項２２記載の炭化珪素基板。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000377485A JP4716558B2 (ja) | 2000-12-12 | 2000-12-12 | 炭化珪素基板 |
| US10/006,135 US6746787B2 (en) | 2000-12-12 | 2001-12-10 | Manufacturing method of silicon carbide single crystals |
| DE60141268T DE60141268D1 (de) | 2000-12-12 | 2001-12-12 | Verfahren zur Herstellung von Siliziumkarbid Einkristallen |
| EP01129641A EP1215311B1 (en) | 2000-12-12 | 2001-12-12 | Manufacturing method of silicon carbide single crystals |
| US10/832,396 US7147714B2 (en) | 2000-12-12 | 2004-04-27 | Manufacturing method of silicon carbide single crystals |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000377485A JP4716558B2 (ja) | 2000-12-12 | 2000-12-12 | 炭化珪素基板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002179498A true JP2002179498A (ja) | 2002-06-26 |
| JP4716558B2 JP4716558B2 (ja) | 2011-07-06 |
Family
ID=18846200
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000377485A Expired - Fee Related JP4716558B2 (ja) | 2000-12-12 | 2000-12-12 | 炭化珪素基板 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
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| EP (1) | EP1215311B1 (ja) |
| JP (1) | JP4716558B2 (ja) |
| DE (1) | DE60141268D1 (ja) |
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