JP3296998B2 - 単結晶ＳｉＣおよびその製造方法 - Google Patents
単結晶ＳｉＣおよびその製造方法Info
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- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、単結晶ＳｉＣおよ
びその製造方法に関するもので、詳しくは、発光ダイオ
ードや電子デバイスの基板ウエハなどとして用いられる
単結晶ＳｉＣおよびその製造方法に関するものである。
びその製造方法に関するもので、詳しくは、発光ダイオ
ードや電子デバイスの基板ウエハなどとして用いられる
単結晶ＳｉＣおよびその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＳｉＣ（炭化珪素）は、耐熱性および機
械的強度に優れているだけでなく、放射線にも強く、さ
らに不純物の添加によって電子や正孔の価電子制御が容
易である上、広い禁制帯幅を持つ（因みに、６Ｈ型のＳ
ｉＣ単結晶で約３．０ｅＶ、４Ｈ型のＳｉＣ単結晶で
３．２６ｅＶ）ために、Ｓｉ（シリコン）やＧａＡｓ
（ガリウムヒ素）などの既存の半導体材料では実現する
ことができない大容量、高周波、耐圧、附環境性を実現
することが可能で、次世代のパワーデバイス用半導体材
料として注目され、かつ期待されている。
械的強度に優れているだけでなく、放射線にも強く、さ
らに不純物の添加によって電子や正孔の価電子制御が容
易である上、広い禁制帯幅を持つ（因みに、６Ｈ型のＳ
ｉＣ単結晶で約３．０ｅＶ、４Ｈ型のＳｉＣ単結晶で
３．２６ｅＶ）ために、Ｓｉ（シリコン）やＧａＡｓ
（ガリウムヒ素）などの既存の半導体材料では実現する
ことができない大容量、高周波、耐圧、附環境性を実現
することが可能で、次世代のパワーデバイス用半導体材
料として注目され、かつ期待されている。
【０００３】ところで、この種のＳｉＣ単結晶の成長
（製造）方法として、従来、種結晶を用いた昇華再結晶
法によってＳｉＣ単結晶を成長させる方法と、高温度で
の場合はシリコン基板上に化学気相成長法（ＣＶＤ法）
を用いてエピタキシャル成長させることにより立方晶の
ＳｉＣ単結晶（β−ＳｉＣ）を成長させる方法とが知ら
れている。
（製造）方法として、従来、種結晶を用いた昇華再結晶
法によってＳｉＣ単結晶を成長させる方法と、高温度で
の場合はシリコン基板上に化学気相成長法（ＣＶＤ法）
を用いてエピタキシャル成長させることにより立方晶の
ＳｉＣ単結晶（β−ＳｉＣ）を成長させる方法とが知ら
れている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の製造方法は共に結晶成長速度が１μｍ／ｈｒ．
と非常に低いだけでなく、昇華再結晶法にあっては、マ
イクロパイプ欠陥と呼ばれ半導体デバイスを作製した際
の漏れ電流等の原因となる結晶の成長方向に貫通する直
径数ミクロンのピンホールが１００〜１０００／ｃｍ２
程度成長結晶中に存在するという問題があり、このこと
が既述のようにＳｉやＧａＡｓなどの既存の半導体材料
に比べて多くの優れた特徴を有しながらも、その実用化
を阻止する要因になっている。
た従来の製造方法は共に結晶成長速度が１μｍ／ｈｒ．
と非常に低いだけでなく、昇華再結晶法にあっては、マ
イクロパイプ欠陥と呼ばれ半導体デバイスを作製した際
の漏れ電流等の原因となる結晶の成長方向に貫通する直
径数ミクロンのピンホールが１００〜１０００／ｃｍ２
程度成長結晶中に存在するという問題があり、このこと
が既述のようにＳｉやＧａＡｓなどの既存の半導体材料
に比べて多くの優れた特徴を有しながらも、その実用化
を阻止する要因になっている。
【０００５】また、高温ＣＶＤ法の場合は、基板温度が
１７００〜１９００℃と高い上に、高純度の還元性雰囲
気を作ることが必要であって、設備的に非常に困難であ
り、さらに、エピタキシャル成長のため成長速度にも自
ずと限界があるという問題があった。
１７００〜１９００℃と高い上に、高純度の還元性雰囲
気を作ることが必要であって、設備的に非常に困難であ
り、さらに、エピタキシャル成長のため成長速度にも自
ずと限界があるという問題があった。
【０００６】本発明は上記実情に鑑みてなされたもの
で、高温熱処理を施すことにより格子欠陥およびマイク
ロパイプ欠陥の非常に少ない良質の単結晶ＳｉＣと、こ
の単結晶ＳｉＣの成長速度を上げて該単結晶を面積的に
十分に確保でき、半導体材料としての実用化を可能とす
る製造方法を提供することを目的としている。
で、高温熱処理を施すことにより格子欠陥およびマイク
ロパイプ欠陥の非常に少ない良質の単結晶ＳｉＣと、こ
の単結晶ＳｉＣの成長速度を上げて該単結晶を面積的に
十分に確保でき、半導体材料としての実用化を可能とす
る製造方法を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の発明に係る単結晶ＳｉＣは、α−Ｓ
ｉＣ単結晶基材の表面に熱化学的蒸着法でβ−ＳｉＣ層
を形成してなる複合体を熱処理することにより、上記β
−ＳｉＣ層の多結晶体をα−ＳｉＣに転化させるととも
に上記α−ＳｉＣ単結晶基材の結晶軸と同方位に配向さ
せて単結晶を一体に成長させていることを特徴とするも
ので、α−ＳｉＣ単結晶基材とその表面に熱化学的蒸着
法で形成され多結晶体に成長されたβ−ＳｉＣ層とを高
い温度で熱処理することによって、β−ＳｉＣ層の多結
晶体がα−ＳｉＣに転化すると共に、その結晶がα−Ｓ
ｉＣ単結晶基材の結晶軸と同方位に配向し該基材の単結
晶と一体化して格子欠陥およびマイクロパイプ欠陥の非
常に少ない良質な単結晶を面積的に大きく育成させるこ
とが可能である。
に、請求項１記載の発明に係る単結晶ＳｉＣは、α−Ｓ
ｉＣ単結晶基材の表面に熱化学的蒸着法でβ−ＳｉＣ層
を形成してなる複合体を熱処理することにより、上記β
−ＳｉＣ層の多結晶体をα−ＳｉＣに転化させるととも
に上記α−ＳｉＣ単結晶基材の結晶軸と同方位に配向さ
せて単結晶を一体に成長させていることを特徴とするも
ので、α−ＳｉＣ単結晶基材とその表面に熱化学的蒸着
法で形成され多結晶体に成長されたβ−ＳｉＣ層とを高
い温度で熱処理することによって、β−ＳｉＣ層の多結
晶体がα−ＳｉＣに転化すると共に、その結晶がα−Ｓ
ｉＣ単結晶基材の結晶軸と同方位に配向し該基材の単結
晶と一体化して格子欠陥およびマイクロパイプ欠陥の非
常に少ない良質な単結晶を面積的に大きく育成させるこ
とが可能である。
【０００８】また、請求項２記載の発明に係る単結晶Ｓ
ｉＣは、請求項１記載の発明の構成のうち、上記β−Ｓ
ｉＣ層が、１３００〜１９００℃範囲の熱化学的蒸着法
によりα−ＳｉＣ単結晶基材の表面に形成されたもので
あり、このβ−ＳｉＣの多結晶体がα−ＳｉＣに転化さ
れて単結晶に成長されるために、不純物原子の拡散が抑
えられ、α−ＳｉＣ単結晶基材よりも不純物や格子欠陥
などのない高純度の単結晶を得ることが可能である。
ｉＣは、請求項１記載の発明の構成のうち、上記β−Ｓ
ｉＣ層が、１３００〜１９００℃範囲の熱化学的蒸着法
によりα−ＳｉＣ単結晶基材の表面に形成されたもので
あり、このβ−ＳｉＣの多結晶体がα−ＳｉＣに転化さ
れて単結晶に成長されるために、不純物原子の拡散が抑
えられ、α−ＳｉＣ単結晶基材よりも不純物や格子欠陥
などのない高純度の単結晶を得ることが可能である。
【０００９】さらに、請求項３記載の発明に係る単結晶
ＳｉＣの製造方法は、α−ＳｉＣ単結晶基材の表面に熱
化学的蒸着法でβ−ＳｉＣ層を形成した後、その複合体
を熱処理して上記β−ＳｉＣ層の多結晶体をα−ＳｉＣ
に転化させるとともに上記α−ＳｉＣ単結晶基材の結晶
軸と同方位に配向して単結晶を一体化し育成することを
特徴とするものであって、請求項１記載の発明でいうと
ころの格子欠陥およびマイクロパイプ欠陥の非常に少な
い良質な単結晶ＳｉＣを容易に、かつ効率よく成長させ
て面積的に十分な大きさを確保し、単結晶ＳｉＣを工業
的規模で安定に製造し供給することが可能である。
ＳｉＣの製造方法は、α−ＳｉＣ単結晶基材の表面に熱
化学的蒸着法でβ−ＳｉＣ層を形成した後、その複合体
を熱処理して上記β−ＳｉＣ層の多結晶体をα−ＳｉＣ
に転化させるとともに上記α−ＳｉＣ単結晶基材の結晶
軸と同方位に配向して単結晶を一体化し育成することを
特徴とするものであって、請求項１記載の発明でいうと
ころの格子欠陥およびマイクロパイプ欠陥の非常に少な
い良質な単結晶ＳｉＣを容易に、かつ効率よく成長させ
て面積的に十分な大きさを確保し、単結晶ＳｉＣを工業
的規模で安定に製造し供給することが可能である。
【００１０】さらにまた、請求項４記載の発明に係る単
結晶ＳｉＣの製造方法は、請求項３記載の発明における
複合体の熱処理温度を熱化学的蒸着の温度よりも高温、
具体的には請求項５に記載のように、１９００〜２４０
０℃で、かつＳｉＣ飽和蒸気圧中で行なうものであり、
良質の単結晶ＳｉＣを設備的にも非常に容易に製造する
ことが可能である。
結晶ＳｉＣの製造方法は、請求項３記載の発明における
複合体の熱処理温度を熱化学的蒸着の温度よりも高温、
具体的には請求項５に記載のように、１９００〜２４０
０℃で、かつＳｉＣ飽和蒸気圧中で行なうものであり、
良質の単結晶ＳｉＣを設備的にも非常に容易に製造する
ことが可能である。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
にもとづいて説明する。図１は本発明に係る単結晶Ｓｉ
Ｃの熱処理前の状態を示す模式図であり、同図におい
て、１は六方晶系（６Ｈ型、４Ｈ型）のα−ＳｉＣ単結
晶基材で、その表面に１３００〜１９００℃の範囲の熱
ＣＶＤ法により立方晶系のβ−ＳｉＣ層２を成膜するこ
とにより、図２の顕微鏡による断面エッチング写真で明
示されているように、格子欠陥を含むα−ＳｉＣ単結晶
の表面にβ−ＳｉＣの多結晶体４を成長させて、結晶形
態が互いに異なる結晶面で接して直線状に明瞭な界面３
を有する複合体Ｍが形成されている。
にもとづいて説明する。図１は本発明に係る単結晶Ｓｉ
Ｃの熱処理前の状態を示す模式図であり、同図におい
て、１は六方晶系（６Ｈ型、４Ｈ型）のα−ＳｉＣ単結
晶基材で、その表面に１３００〜１９００℃の範囲の熱
ＣＶＤ法により立方晶系のβ−ＳｉＣ層２を成膜するこ
とにより、図２の顕微鏡による断面エッチング写真で明
示されているように、格子欠陥を含むα−ＳｉＣ単結晶
の表面にβ−ＳｉＣの多結晶体４を成長させて、結晶形
態が互いに異なる結晶面で接して直線状に明瞭な界面３
を有する複合体Ｍが形成されている。
【００１２】この後、上記複合体Ｍの全体を、１９００
〜２４００℃、好ましくは２０００〜２２００℃の範囲
の温度で、かつＳｉＣ飽和蒸気圧中で熱処理することに
より、上記β−ＳｉＣ層２の多結晶体４はα−ＳｉＣに
転化すると共に上記α−ＳｉＣ単結晶基材１の結晶軸と
同方位に配向して基材１の単結晶と一体化し大きな単結
晶５が育成される。
〜２４００℃、好ましくは２０００〜２２００℃の範囲
の温度で、かつＳｉＣ飽和蒸気圧中で熱処理することに
より、上記β−ＳｉＣ層２の多結晶体４はα−ＳｉＣに
転化すると共に上記α−ＳｉＣ単結晶基材１の結晶軸と
同方位に配向して基材１の単結晶と一体化し大きな単結
晶５が育成される。
【００１３】上記のようにα−ＳｉＣ単結晶の表面に熱
ＣＶＤ法によりβ−ＳｉＣの多結晶体が成長された複合
体Ｍに熱処理を施すことにより、上記界面３にある種の
固相エピタキシャル成長を生じさせて図３の顕微鏡によ
る断面エッチング写真で明示されているように、格子欠
陥及びマイクロパイプ欠陥がほとんどない（１ｃｍ２あ
たり１０以下の）良質な単結晶ＳｉＣを面積的にも十分
な大きさに確保する状態で製造することができる。
ＣＶＤ法によりβ−ＳｉＣの多結晶体が成長された複合
体Ｍに熱処理を施すことにより、上記界面３にある種の
固相エピタキシャル成長を生じさせて図３の顕微鏡によ
る断面エッチング写真で明示されているように、格子欠
陥及びマイクロパイプ欠陥がほとんどない（１ｃｍ２あ
たり１０以下の）良質な単結晶ＳｉＣを面積的にも十分
な大きさに確保する状態で製造することができる。
【００１４】なお、上記α−ＳｉＣ単結晶基材１とし
て、６Ｈ型のものを使用するときは、熱処理に伴ってβ
−ＳｉＣ層２の多結晶体からα−ＳｉＣに転化される単
結晶が６Ｈ型の単結晶と同じ形態で育成されやすく、ま
た、４Ｈ型の単結晶基材１を使用するときは、熱処理に
伴ってその４Ｈ型の単結晶と同じ形態の単結晶が転化育
成されやすいことになる。
て、６Ｈ型のものを使用するときは、熱処理に伴ってβ
−ＳｉＣ層２の多結晶体からα−ＳｉＣに転化される単
結晶が６Ｈ型の単結晶と同じ形態で育成されやすく、ま
た、４Ｈ型の単結晶基材１を使用するときは、熱処理に
伴ってその４Ｈ型の単結晶と同じ形態の単結晶が転化育
成されやすいことになる。
【００１５】また、上記熱処理の条件としては、温度が
１９００〜２４００℃、処理時間が１〜３時間であるこ
とが好ましい。熱処理温度が１９００℃未満であると、
原子の運動エネルギーを界面を形成する多くのＳｉＣに
与えることができない。また、２４００℃を超えると、
ＳｉＣの分解エネルギーをはるかに超える熱エネルギー
が供給され、ＳｉＣの結晶そのものが分解される。
１９００〜２４００℃、処理時間が１〜３時間であるこ
とが好ましい。熱処理温度が１９００℃未満であると、
原子の運動エネルギーを界面を形成する多くのＳｉＣに
与えることができない。また、２４００℃を超えると、
ＳｉＣの分解エネルギーをはるかに超える熱エネルギー
が供給され、ＳｉＣの結晶そのものが分解される。
【００１６】
【発明の効果】以上のように、請求項１記載の発明によ
れば、α−ＳｉＣ単結晶基材とその表面に熱化学的蒸着
法で形成されたβ−ＳｉＣ層とを高い温度で熱処理する
ことで、不純物のないβ−ＳｉＣ層の多結晶体を固相成
長によって格子欠陥のないα−ＳｉＣ単結晶からなるエ
ピタキシャル層に転化させ、その結晶をα−ＳｉＣ単結
晶基材の結晶軸と同方位に配向させ該基材の単結晶と一
体化させて格子欠陥およびマイクロパイプ欠陥の非常に
少ない良質な単結晶となっている。これによって、Ｓｉ
（シリコン）やＧａＡｓ（ガリウムヒ素）などの既存の
半導体材料に比べて大容量、高周波、耐圧、耐環境性に
優れパワーデバイス用半導体材料として期待されている
単結晶ＳｉＣの実用化を可能とすることができるという
効果を奏する。
れば、α−ＳｉＣ単結晶基材とその表面に熱化学的蒸着
法で形成されたβ−ＳｉＣ層とを高い温度で熱処理する
ことで、不純物のないβ−ＳｉＣ層の多結晶体を固相成
長によって格子欠陥のないα−ＳｉＣ単結晶からなるエ
ピタキシャル層に転化させ、その結晶をα−ＳｉＣ単結
晶基材の結晶軸と同方位に配向させ該基材の単結晶と一
体化させて格子欠陥およびマイクロパイプ欠陥の非常に
少ない良質な単結晶となっている。これによって、Ｓｉ
（シリコン）やＧａＡｓ（ガリウムヒ素）などの既存の
半導体材料に比べて大容量、高周波、耐圧、耐環境性に
優れパワーデバイス用半導体材料として期待されている
単結晶ＳｉＣの実用化を可能とすることができるという
効果を奏する。
【００１７】また、請求項２記載の発明によれば、上記
請求項１記載の発明で得られる単結晶ＳｉＣを不純物や
格子欠陥などがより一層少ない高純度の単結晶とするこ
とができる。
請求項１記載の発明で得られる単結晶ＳｉＣを不純物や
格子欠陥などがより一層少ない高純度の単結晶とするこ
とができる。
【００１８】さらに、請求項３記載の発明によれば、請
求項１記載の発明でいうところの格子欠陥およびマイク
ロパイプ欠陥の非常に少ない良質な単結晶ＳｉＣを容易
に、かつ効率よく成長させて面積的にも量的にも十分に
確保し、半導体材料として工業的規模で安定よく供給す
ることができるという効果を奏する。
求項１記載の発明でいうところの格子欠陥およびマイク
ロパイプ欠陥の非常に少ない良質な単結晶ＳｉＣを容易
に、かつ効率よく成長させて面積的にも量的にも十分に
確保し、半導体材料として工業的規模で安定よく供給す
ることができるという効果を奏する。
【００１９】さらにまた、請求項４および請求項５記載
の発明によれば、良質の単結晶ＳｉＣを設備的にも非常
に容易に製造することができる。
の発明によれば、良質の単結晶ＳｉＣを設備的にも非常
に容易に製造することができる。
【図１】本発明に係る単結晶ＳｉＣの熱処理前の状態を
示す模式図である。
示す模式図である。
【図２】本発明に係る単結晶ＳｉＣの熱処理前の顕微鏡
による断面エッチング写真である。
による断面エッチング写真である。
【図３】本発明に係る単結晶ＳｉＣの熱処理後の顕微鏡
による断面エッチング写真である。
による断面エッチング写真である。
１ α−ＳｉＣ単結晶基材 ２ β−ＳｉＣ層 ３ 界面 ４ 多結晶体 ５ 単結晶 Ｍ 複合体
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭57−92591（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−12097（ＪＰ，Ａ) 国際公開99／538（ＷＯ，Ａ１) Ｂｅｒｍａｎ Ｉ．ｅｔ ａｌ．，Ａ ｎｎｅａｌｉｎｇ ｏｆ ｓｐｕｔｔｅ ｒｅｄ β−ｓｉｌｉｃｏｎ ｃａｒｂ ｉｄｅ，Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ａｂｓｔｒ ａｃｔｓ，1974年12月16日，Ｖｏｌ. 81，Ｎｏ．24，ｐ．462，ｃｏｌｕｍｎ １，ａｂｓｔｒａｃｔ Ｎｏ．160152 ｂ Ｂｅｒｍａｎ Ｉ．ｅｔ ａｌ．，Ｉ ｎｆｌｕｅｎｃｅ ｏｆ ａｎｎｅａｌ ｉｎｇ ｏｎ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍｓ ｏｆ ｂｅｔａ ＳｉＣ，Ｃｈｅｍｉｃ ａｌ Ａｂｓｔｒａｃｔｓ，1973年 ５ 月 ７日，Ｖｏｌ．78，Ｎｏ．18，ｐ. 337，ｃｏｌｕｍｎ ２，ａｂｓｔｒａ ｃｔ Ｎｏ．116269ｊ Ｋｅｉｊｉ Ｍａｔｓｕｈｉｒｏ ｅ ｔ ａｌ．，ＤＩＲＥＣＴ ＢＯＮＤＩ ＮＧ ＯＦ ＤＥＮＳＥ ＳｉＣ ＣＥ ＲＡＭＩＣ ＢＹ ＣＯＮＴＲＯＬ Ｌ ＥＤ ＧＲＡＩＮ ＧＲＯＷＴＨ ＭＥ ＣＨＡＮＩＳＭ，Ｐｒｏ．１ｓｔ Ｊｐ ａｎ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｓ ＡＭＰＥ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ，日本, 1989年11月28日，ｐ．1430 − 1435 日本結晶成長学会「結晶ハンドブッ ク）編集委員会 編，結晶成長ハンドブ ック，日本，共立出版株式会社，1995年 ９月 １日，初版，ｐ．343 − 459 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C30B 1/00 - 35/00 H01L 21/208 ＥＰＡＴ（ＱＵＥＳＴＥＬ)
Claims (5)
- 【請求項１】 α−ＳｉＣ単結晶基材の表面に熱化学的
蒸着法でβ−ＳｉＣ層を形成してなる複合体を熱処理す
ることにより、上記β−ＳｉＣ層の多結晶体をα−Ｓｉ
Ｃに転化させるとともに上記α−ＳｉＣ単結晶基材の結
晶軸と同方位に配向させて単結晶を一体に成長させてい
ることを特徴とする単結晶ＳｉＣ。 - 【請求項２】 上記β−ＳｉＣ層が、１３００〜１９０
０℃範囲の熱化学的蒸着法によりα−ＳｉＣ単結晶基材
の表面に形成されたものである請求項１に記載の単結晶
ＳｉＣ。 - 【請求項３】 α−ＳｉＣ単結晶基材の表面に熱化学的
蒸着法でβ−ＳｉＣ層を形成した後、その複合体を熱処
理して上記β−ＳｉＣ層の多結晶体をα−ＳｉＣに転化
させるとともに上記α−ＳｉＣ単結晶基材の結晶軸と同
方位に配向して単結晶を一体化し育成することを特徴と
する単結晶ＳｉＣの製造方法。 - 【請求項４】 上記熱処理温度が、熱化学的蒸着の温度
よりも高温で、かつＳｉＣ飽和蒸気圧中で行なわれる請
求項３に記載の単結晶ＳｉＣの製造方法。 - 【請求項５】 上記熱処理温度が、１９００〜２４００
℃である請求項４に記載の単結晶ＳｉＣの製造方法。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17090297A JP3296998B2 (ja) | 1997-05-23 | 1997-05-23 | 単結晶ＳｉＣおよびその製造方法 |
| RU99103350/12A RU2160227C2 (ru) | 1997-05-23 | 1998-05-20 | Монокристаллический карбид кремния и способ его получения |
| US09/147,456 US6153165A (en) | 1997-05-23 | 1998-05-20 | Single crystal and method of producing the same |
| DE1998625397 DE69825397T2 (de) | 1997-05-23 | 1998-05-20 | Einkristalliner siliziumkarbid und verfahren zu dessen herstellung |
| EP98921720A EP0921214B1 (en) | 1997-05-23 | 1998-05-20 | Single crystal silicon carbide and process for preparing the same |
| PCT/JP1998/002197 WO1998053125A1 (fr) | 1997-05-23 | 1998-05-20 | Carbure de silicium monocrystallin et son procede de preparation |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17090297A JP3296998B2 (ja) | 1997-05-23 | 1997-05-23 | 単結晶ＳｉＣおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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