JP3043687B2 - 単結晶ＳｉＣ及びその製造方法 - Google Patents
単結晶ＳｉＣ及びその製造方法Info
- Publication number
- JP3043687B2 JP3043687B2 JP31512497A JP31512497A JP3043687B2 JP 3043687 B2 JP3043687 B2 JP 3043687B2 JP 31512497 A JP31512497 A JP 31512497A JP 31512497 A JP31512497 A JP 31512497A JP 3043687 B2 JP3043687 B2 JP 3043687B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sic
- crystal
- single crystal
- layer
- producing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、単結晶ＳｉＣおよ
びその製造方法に関するもので、詳しくは、発光ダイオ
ードや電子デバイスの基板ウエハなどとして用いられる
単結晶ＳｉＣ及びその製造方法に関するものである。
びその製造方法に関するもので、詳しくは、発光ダイオ
ードや電子デバイスの基板ウエハなどとして用いられる
単結晶ＳｉＣ及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＳｉＣ（炭化珪素）は、耐熱性および機
械的強度に優れているだけでなく、放射線にも強く、さ
らに不純物の添加によって電子や正孔の価電子制御が容
易である上、広い禁制帯幅を持つ（因みに、６Ｈ型のＳ
ｉＣ単結晶で約３．０ｅＶ、４Ｈ型のＳｉＣ単結晶で
３．２６ｅＶ）ために、Ｓｉ（シリコン）やＧａＡｓ
（ガリウムヒ素）などの既存の半導体材料では実現する
ことができない大容量、高周波、耐圧、耐環境性を実現
することが可能で、次世代のパワーデバイス用半導体材
料として注目され、かつ期待されている。
械的強度に優れているだけでなく、放射線にも強く、さ
らに不純物の添加によって電子や正孔の価電子制御が容
易である上、広い禁制帯幅を持つ（因みに、６Ｈ型のＳ
ｉＣ単結晶で約３．０ｅＶ、４Ｈ型のＳｉＣ単結晶で
３．２６ｅＶ）ために、Ｓｉ（シリコン）やＧａＡｓ
（ガリウムヒ素）などの既存の半導体材料では実現する
ことができない大容量、高周波、耐圧、耐環境性を実現
することが可能で、次世代のパワーデバイス用半導体材
料として注目され、かつ期待されている。
【０００３】ところで、この種のＳｉＣ単結晶の成長
（製造）方法として、従来、種結晶を用いた昇華再結晶
法によってＳｉＣ単結晶を成長させる方法と、高温度で
の場合はシリコン基板上に化学気相成長法（ＣＶＤ法）
を用いてエピタキシャル成長させることにより立方晶の
ＳｉＣ単結晶（β−ＳｉＣ）を成長させる方法とが知ら
れている。
（製造）方法として、従来、種結晶を用いた昇華再結晶
法によってＳｉＣ単結晶を成長させる方法と、高温度で
の場合はシリコン基板上に化学気相成長法（ＣＶＤ法）
を用いてエピタキシャル成長させることにより立方晶の
ＳｉＣ単結晶（β−ＳｉＣ）を成長させる方法とが知ら
れている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の製造方法は共に結晶成長速度が１μｍ／ｈｒ．
と非常に低いだけでなく、昇華再結晶法にあっては、マ
イクロパイプ欠陥と呼ばれ半導体デバイスを作製した際
の漏れ電流等の原因となる結晶の成長方向に貫通する直
径数ミクロンのピンホールが１００〜１０００／ｃｍ2
程度成長結晶中に多数存在し、このことが既述のように
ＳｉやＧａＡｓなどの既存の半導体材料に比べて多くの
優れた特徴を有しながらも、結晶品質が不十分であるこ
とから、その実用化を阻止する要因になっている。
た従来の製造方法は共に結晶成長速度が１μｍ／ｈｒ．
と非常に低いだけでなく、昇華再結晶法にあっては、マ
イクロパイプ欠陥と呼ばれ半導体デバイスを作製した際
の漏れ電流等の原因となる結晶の成長方向に貫通する直
径数ミクロンのピンホールが１００〜１０００／ｃｍ2
程度成長結晶中に多数存在し、このことが既述のように
ＳｉやＧａＡｓなどの既存の半導体材料に比べて多くの
優れた特徴を有しながらも、結晶品質が不十分であるこ
とから、その実用化を阻止する要因になっている。
【０００５】また、高温ＣＶＤ法によるエピタキシャル
成長の場合は、基板温度が１７００〜１８００℃と高い
上に、高純度の還元性雰囲気を作ることが必要であっ
て、このような条件に耐える構造材がほとんどなく、設
備的に非常に困難であり、さらに、エピタキシャル成長
のため成長速度にも自ずと限界があるという問題があっ
た。
成長の場合は、基板温度が１７００〜１８００℃と高い
上に、高純度の還元性雰囲気を作ることが必要であっ
て、このような条件に耐える構造材がほとんどなく、設
備的に非常に困難であり、さらに、エピタキシャル成長
のため成長速度にも自ずと限界があるという問題があっ
た。
【０００６】本発明は上記実情に鑑みてなされたもの
で、結晶成長に要する熱エネルギーが少なくてすみなが
ら、マイクロパイプ欠陥および結晶粒界のほとんどない
大型かつ高品質の単結晶を効率良く育成でき、半導体材
料としての実用化を促進することができる単結晶ＳｉＣ
及びその製造方法を提供することを目的としている。
で、結晶成長に要する熱エネルギーが少なくてすみなが
ら、マイクロパイプ欠陥および結晶粒界のほとんどない
大型かつ高品質の単結晶を効率良く育成でき、半導体材
料としての実用化を促進することができる単結晶ＳｉＣ
及びその製造方法を提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１記載の発明に係る単結晶ＳｉＣは、α−Ｓ
ｉＣ単結晶基材の表面に熱化学的蒸着法でα−２Ｈ−Ｓ
ｉＣ層を形成してなる複合体を熱処理することにより、
上記α−２Ｈ−ＳｉＣ層をα−ＳｉＣに転化させ、か
つ、上記α−ＳｉＣ単結晶基材の結晶軸と同方位に配向
させて単結晶を一体に成長させていることを特徴とする
ものであり、α−ＳｉＣ単結晶基材の表面に該α−Ｓｉ
Ｃ単結晶基材の結晶構造に近い規則性を持つ結晶構造の
α−２Ｈ−ＳｉＣ層を熱化学的蒸着法で形成させること
により、この熱化学的蒸着時にα−２Ｈ−ＳｉＣ層の一
部をα−６Ｈ（または４Ｈ）−ＳｉＣに相変態させた
上、その複合体を熱処理することによって、この熱処理
時における熱エネルギー（熱×時間）が小さいものであ
りながら、α−２Ｈ−ＳｉＣ層の全体をα−６Ｈ（また
は４Ｈ）−ＳｉＣに素早く転化（相変態）させると共
に、α−ＳｉＣ単結晶基材の結晶軸と同方位に配向させ
て該基材の単結晶と一体化した大型の単結晶ＳｉＣが育
成される。このように育成された単結晶ＳｉＣはマイク
ロパイプ欠陥および結晶粒界がほとんどなく、高品質な
単結晶ＳｉＣを得ることが可能である。
に、請求項１記載の発明に係る単結晶ＳｉＣは、α−Ｓ
ｉＣ単結晶基材の表面に熱化学的蒸着法でα−２Ｈ−Ｓ
ｉＣ層を形成してなる複合体を熱処理することにより、
上記α−２Ｈ−ＳｉＣ層をα−ＳｉＣに転化させ、か
つ、上記α−ＳｉＣ単結晶基材の結晶軸と同方位に配向
させて単結晶を一体に成長させていることを特徴とする
ものであり、α−ＳｉＣ単結晶基材の表面に該α−Ｓｉ
Ｃ単結晶基材の結晶構造に近い規則性を持つ結晶構造の
α−２Ｈ−ＳｉＣ層を熱化学的蒸着法で形成させること
により、この熱化学的蒸着時にα−２Ｈ−ＳｉＣ層の一
部をα−６Ｈ（または４Ｈ）−ＳｉＣに相変態させた
上、その複合体を熱処理することによって、この熱処理
時における熱エネルギー（熱×時間）が小さいものであ
りながら、α−２Ｈ−ＳｉＣ層の全体をα−６Ｈ（また
は４Ｈ）−ＳｉＣに素早く転化（相変態）させると共
に、α−ＳｉＣ単結晶基材の結晶軸と同方位に配向させ
て該基材の単結晶と一体化した大型の単結晶ＳｉＣが育
成される。このように育成された単結晶ＳｉＣはマイク
ロパイプ欠陥および結晶粒界がほとんどなく、高品質な
単結晶ＳｉＣを得ることが可能である。
【０００８】また、請求項２記載の発明に係る単結晶Ｓ
ｉＣは、請求項１記載の発明の構成のうち、上記α−２
Ｈ−ＳｉＣ層が、１３００〜１５００℃範囲の熱化学的
蒸着法によりα−ＳｉＣ単結晶基材の表面に形成された
ものであり、このα−２Ｈ−ＳｉＣ層の一部が比較的低
温かつ短時間の熱化学的蒸着で素早くα−ＳｉＣに転化
されて単結晶に成長されるために、不純物原子の拡散が
抑えられ、α−ＳｉＣ単結晶基材よりも不純物や格子欠
陥などのない高純度の単結晶を得ることが可能である。
ｉＣは、請求項１記載の発明の構成のうち、上記α−２
Ｈ−ＳｉＣ層が、１３００〜１５００℃範囲の熱化学的
蒸着法によりα−ＳｉＣ単結晶基材の表面に形成された
ものであり、このα−２Ｈ−ＳｉＣ層の一部が比較的低
温かつ短時間の熱化学的蒸着で素早くα−ＳｉＣに転化
されて単結晶に成長されるために、不純物原子の拡散が
抑えられ、α−ＳｉＣ単結晶基材よりも不純物や格子欠
陥などのない高純度の単結晶を得ることが可能である。
【０００９】さらに、請求項３記載の発明に係る単結晶
ＳｉＣの製造方法は、α−ＳｉＣ単結晶基材の表面に熱
化学的蒸着法でα−２Ｈ−ＳｉＣ層を形成した後、その
複合体を熱処理して上記α−２Ｈ−ＳｉＣ層をα−Ｓｉ
Ｃに転化させ、かつ、上記α−ＳｉＣ単結晶基材の結晶
軸と同方位に配向して単結晶を一体化し育成することを
特徴とするものであって、請求項１記載の発明でいうと
ころのマイクロパイプ欠陥および結晶粒界のほとんどな
い大型かつ高品質な単結晶ＳｉＣを容易かつ効率よく成
長させ、半導体材料としての実用化の促進に寄与する単
結晶ＳｉＣを工業的規模で安定に製造し供給することが
可能である。
ＳｉＣの製造方法は、α−ＳｉＣ単結晶基材の表面に熱
化学的蒸着法でα−２Ｈ−ＳｉＣ層を形成した後、その
複合体を熱処理して上記α−２Ｈ−ＳｉＣ層をα−Ｓｉ
Ｃに転化させ、かつ、上記α−ＳｉＣ単結晶基材の結晶
軸と同方位に配向して単結晶を一体化し育成することを
特徴とするものであって、請求項１記載の発明でいうと
ころのマイクロパイプ欠陥および結晶粒界のほとんどな
い大型かつ高品質な単結晶ＳｉＣを容易かつ効率よく成
長させ、半導体材料としての実用化の促進に寄与する単
結晶ＳｉＣを工業的規模で安定に製造し供給することが
可能である。
【００１０】さらにまた、請求項４記載の発明に係る単
結晶ＳｉＣの製造方法は、請求項３記載の発明における
複合体の熱処理温度を熱化学的蒸着の温度よりも高温、
具体的には請求項５に記載のように、１６００〜２４０
０℃で、かつＳｉＣ飽和蒸気圧中で行なうものであり、
高品質の単結晶ＳｉＣを設備的にも非常に容易に製造す
ることが可能である。
結晶ＳｉＣの製造方法は、請求項３記載の発明における
複合体の熱処理温度を熱化学的蒸着の温度よりも高温、
具体的には請求項５に記載のように、１６００〜２４０
０℃で、かつＳｉＣ飽和蒸気圧中で行なうものであり、
高品質の単結晶ＳｉＣを設備的にも非常に容易に製造す
ることが可能である。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
にもとづいて説明する。図１は本発明に係る単結晶Ｓｉ
Ｃの熱処理前の状態を示す模式図であり、同図におい
て、１は六方晶系（６Ｈ型または４Ｈ型）のα−ＳｉＣ
単結晶基材で、その表面に１３００〜１５００℃の範囲
の熱ＣＶＤ法によりα−２Ｈ−ＳｉＣ層２を成膜するこ
とにより、格子欠陥を含むα−ＳｉＣ単結晶基材１の表
面にα−２Ｈ−ＳｉＣ層２の一部の相変態によりα−６
Ｈ（または４Ｈ）−ＳｉＣ単結晶体が成長された複合体
Ｍが形成される。
にもとづいて説明する。図１は本発明に係る単結晶Ｓｉ
Ｃの熱処理前の状態を示す模式図であり、同図におい
て、１は六方晶系（６Ｈ型または４Ｈ型）のα−ＳｉＣ
単結晶基材で、その表面に１３００〜１５００℃の範囲
の熱ＣＶＤ法によりα−２Ｈ−ＳｉＣ層２を成膜するこ
とにより、格子欠陥を含むα−ＳｉＣ単結晶基材１の表
面にα−２Ｈ−ＳｉＣ層２の一部の相変態によりα−６
Ｈ（または４Ｈ）−ＳｉＣ単結晶体が成長された複合体
Ｍが形成される。
【００１２】この後、上記複合体Ｍの全体を、１６００
〜２４００℃、好ましくは２０００〜２２００℃の温度
範囲、具体的には２０００℃×５時間もしくは２２００
℃×４時間で、かつＳｉＣ飽和蒸気圧中で熱処理するこ
とにより、一部が既に上記α−６Ｈ（または４Ｈ）−Ｓ
ｉＣ単結晶体に成長している上記α−２Ｈ−ＳｉＣ層２
の全体がα−６Ｈ（または４Ｈ）−ＳｉＣに転化すると
共に上記α−ＳｉＣ単結晶基材１の結晶軸と同方位に配
向して該基材１の単結晶と一体化し図２に示すような大
型の単結晶ＳｉＣ５が育成される。
〜２４００℃、好ましくは２０００〜２２００℃の温度
範囲、具体的には２０００℃×５時間もしくは２２００
℃×４時間で、かつＳｉＣ飽和蒸気圧中で熱処理するこ
とにより、一部が既に上記α−６Ｈ（または４Ｈ）−Ｓ
ｉＣ単結晶体に成長している上記α−２Ｈ−ＳｉＣ層２
の全体がα−６Ｈ（または４Ｈ）−ＳｉＣに転化すると
共に上記α−ＳｉＣ単結晶基材１の結晶軸と同方位に配
向して該基材１の単結晶と一体化し図２に示すような大
型の単結晶ＳｉＣ５が育成される。
【００１３】上記のようにα−ＳｉＣ単結晶基材１の表
面に該α−ＳｉＣ単結晶基材１の結晶構造に近い規則性
を持つ結晶構造のα−２Ｈ−ＳｉＣ層２を熱化学的蒸着
法で形成させてその結晶の一部がα−６Ｈ（または４
Ｈ）−ＳｉＣ単結晶体に成長された複合体Ｍに熱処理を
施すことにより、α−ＳｉＣ単結晶基材１の表面にβ−
ＳｉＣ（３Ｃ−ＳｉＣ）層を熱化学的蒸着法で形成させ
た複合体を熱処理する場合に比べて、この熱処理時に上
述のような小さい熱エネルギーを付与するだけで、マイ
クロパイプ欠陥および結晶粒界がほとんどない（１cm2
あたり１０以下）高品質で、かつ、大型の単結晶ＳｉＣ
を効率よく製造することができる。
面に該α−ＳｉＣ単結晶基材１の結晶構造に近い規則性
を持つ結晶構造のα−２Ｈ−ＳｉＣ層２を熱化学的蒸着
法で形成させてその結晶の一部がα−６Ｈ（または４
Ｈ）−ＳｉＣ単結晶体に成長された複合体Ｍに熱処理を
施すことにより、α−ＳｉＣ単結晶基材１の表面にβ−
ＳｉＣ（３Ｃ−ＳｉＣ）層を熱化学的蒸着法で形成させ
た複合体を熱処理する場合に比べて、この熱処理時に上
述のような小さい熱エネルギーを付与するだけで、マイ
クロパイプ欠陥および結晶粒界がほとんどない（１cm2
あたり１０以下）高品質で、かつ、大型の単結晶ＳｉＣ
を効率よく製造することができる。
【００１４】
【発明の効果】以上のように、請求項１記載の発明によ
れば、α−ＳｉＣ単結晶基材にそれの結晶構造に近い規
則性を持つ結晶構造のα−２Ｈ−ＳｉＣ層を熱化学的蒸
着法で形成させてα−２Ｈ−ＳｉＣ層の一部をα−６Ｈ
（または４Ｈ）−ＳｉＣに相変態させたうえ、その複合
体を熱処理することで、結晶成長に要する熱エネルギー
（熱×時間）が小さくすむものでありながら、α−２Ｈ
−ＳｉＣ層の全体をα−６Ｈ（または４Ｈ）−ＳｉＣに
素早く転化（相変態）させると共に、α−ＳｉＣ単結晶
基材の結晶軸と同方位に配向させ該基材の単結晶と一体
化した大型で、かつマイクロパイプ欠陥および結晶粒界
がほとんどない高品質な単結晶ＳｉＣを効率よく得るこ
とができる。これによって、Ｓｉ（シリコン）やＧａＡ
ｓ（ガリウムヒ素）などの既存の半導体材料に比べて大
容量、高周波、耐圧、耐環境性に優れパワーデバイス用
半導体材料として期待されている単結晶ＳｉＣの実用化
を促進することができるという効果を奏する。
れば、α−ＳｉＣ単結晶基材にそれの結晶構造に近い規
則性を持つ結晶構造のα−２Ｈ−ＳｉＣ層を熱化学的蒸
着法で形成させてα−２Ｈ−ＳｉＣ層の一部をα−６Ｈ
（または４Ｈ）−ＳｉＣに相変態させたうえ、その複合
体を熱処理することで、結晶成長に要する熱エネルギー
（熱×時間）が小さくすむものでありながら、α−２Ｈ
−ＳｉＣ層の全体をα−６Ｈ（または４Ｈ）−ＳｉＣに
素早く転化（相変態）させると共に、α−ＳｉＣ単結晶
基材の結晶軸と同方位に配向させ該基材の単結晶と一体
化した大型で、かつマイクロパイプ欠陥および結晶粒界
がほとんどない高品質な単結晶ＳｉＣを効率よく得るこ
とができる。これによって、Ｓｉ（シリコン）やＧａＡ
ｓ（ガリウムヒ素）などの既存の半導体材料に比べて大
容量、高周波、耐圧、耐環境性に優れパワーデバイス用
半導体材料として期待されている単結晶ＳｉＣの実用化
を促進することができるという効果を奏する。
【００１５】また、請求項２記載の発明によれば、上記
請求項１記載の発明で得られる単結晶ＳｉＣを不純物や
格子欠陥などがより一層少ない高純度の単結晶とするこ
とができる。
請求項１記載の発明で得られる単結晶ＳｉＣを不純物や
格子欠陥などがより一層少ない高純度の単結晶とするこ
とができる。
【００１６】さらに、請求項３記載の発明によれば、請
求項１記載の発明でいうところのマイクロパイプ欠陥お
よび結晶粒界の極めて少ない高品質な単結晶ＳｉＣを容
易に、かつ効率よく成長させ、半導体材料として工業的
規模で安定よく供給することができるという効果を奏す
る。
求項１記載の発明でいうところのマイクロパイプ欠陥お
よび結晶粒界の極めて少ない高品質な単結晶ＳｉＣを容
易に、かつ効率よく成長させ、半導体材料として工業的
規模で安定よく供給することができるという効果を奏す
る。
【００１７】さらにまた、請求項４および請求項５記載
の発明によれば、高品質の単結晶ＳｉＣを設備的にも非
常に容易に製造することができる。
の発明によれば、高品質の単結晶ＳｉＣを設備的にも非
常に容易に製造することができる。
【図１】本発明に係る単結晶ＳｉＣの熱処理前の状態を
示す模式図である。
示す模式図である。
【図２】本発明に係る単結晶ＳｉＣの熱処理後の状態を
示す模式図である。
示す模式図である。
１ α−ＳｉＣ単結晶基材 ２ α−２Ｈ−ＳｉＣ層 ５ 単結晶ＳｉＣ Ｍ 複合体
フロントページの続き (56)参考文献 特開 昭50−47900（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−183897（ＪＰ，Ａ) 特開 平４−12096（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−182297（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−324599（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−188163（ＪＰ，Ａ) 米国特許4912064（ＵＳ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C30B 1/00 - 35/00 ＣＡ（ＳＴＮ) 特許ファイル（ＰＡＴＯＬＩＳ) ＥＰＡＴ（ＱＵＥＳＴＥＬ)
Claims (5)
- 【請求項１】 α−ＳｉＣ単結晶基材の表面に熱化学的
蒸着法でα−２Ｈ−ＳｉＣ層を形成してなる複合体を熱
処理することにより、上記α−２Ｈ−ＳｉＣ層をα−Ｓ
ｉＣに転化させ、かつ、上記α−ＳｉＣ単結晶基材の結
晶軸と同方位に配向させて単結晶を一体に成長させてい
ることを特徴とする単結晶ＳｉＣ。 - 【請求項２】 上記α−２Ｈ−ＳｉＣ層が、１３００〜
１５００℃範囲の熱化学的蒸着法によりα−ＳｉＣ単結
晶基材の表面に形成されたものである請求項１に記載の
単結晶ＳｉＣ。 - 【請求項３】 α−ＳｉＣ単結晶基材の表面に熱化学的
蒸着法でα−２Ｈ−ＳｉＣ層を形成した後、 その複合体を熱処理して上記α−２Ｈ−ＳｉＣ層をα−
ＳｉＣに転化させ、かつ、上記α−ＳｉＣ単結晶基材の
結晶軸と同方位に配向して単結晶を一体化し育成するこ
とを特徴とする単結晶ＳｉＣの製造方法。 - 【請求項４】 上記熱処理温度が、熱化学的蒸着温度よ
りも高温で、かつ、ＳｉＣ飽和蒸気圧中で行なわれる請
求項３に記載の単結晶ＳｉＣの製造方法。 - 【請求項５】 上記熱処理温度が、１６００〜２４００
℃である請求項４に記載の単結晶ＳｉＣの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31512497A JP3043687B2 (ja) | 1997-11-17 | 1997-11-17 | 単結晶ＳｉＣ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31512497A JP3043687B2 (ja) | 1997-11-17 | 1997-11-17 | 単結晶ＳｉＣ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11147792A JPH11147792A (ja) | 1999-06-02 |
| JP3043687B2 true JP3043687B2 (ja) | 2000-05-22 |
Family
ID=18061702
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31512497A Expired - Fee Related JP3043687B2 (ja) | 1997-11-17 | 1997-11-17 | 単結晶ＳｉＣ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3043687B2 (ja) |
-
1997
- 1997-11-17 JP JP31512497A patent/JP3043687B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11147792A (ja) | 1999-06-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6153166A (en) | Single crystal SIC and a method of producing the same | |
| US6053973A (en) | Single crystal SiC and a method of producing the same | |
| JP3296998B2 (ja) | 単結晶ＳｉＣおよびその製造方法 | |
| JP3254559B2 (ja) | 単結晶ＳｉＣおよびその製造方法 | |
| JP3003027B2 (ja) | 単結晶ＳｉＣおよびその製造方法 | |
| US6187279B1 (en) | Single crystal SIC and method of producing the same | |
| JP3248071B2 (ja) | 単結晶ＳｉＣ | |
| JP3043675B2 (ja) | 単結晶ＳｉＣ及びその製造方法 | |
| EP1130137B1 (en) | Material for raising single crystal sic and method of preparing single crystal sic | |
| JP3254557B2 (ja) | 単結晶ＳｉＣおよびその製造方法 | |
| JP3043690B2 (ja) | 単結晶ＳｉＣおよびその製造方法 | |
| JP2896667B1 (ja) | 単結晶ＳｉＣ及びその製造方法 | |
| JP3043687B2 (ja) | 単結晶ＳｉＣ及びその製造方法 | |
| JP2917143B1 (ja) | 単結晶ＳｉＣおよびその製造方法 | |
| JP3043688B2 (ja) | 単結晶ＳｉＣ及びその製造方法 | |
| JP3087030B2 (ja) | ＳｉＣ複合体およびその製造方法ならびに単結晶ＳｉＣ | |
| JP2936481B1 (ja) | 単結晶ＳｉＣおよびその製造方法 | |
| JP2917149B1 (ja) | 単結晶ＳｉＣおよびその製造方法 | |
| JP2939615B2 (ja) | 単結晶ＳｉＣ及びその製造方法 | |
| JP2964080B1 (ja) | 単結晶ＳｉＣおよびその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |