JP2939615B2 - 単結晶ＳｉＣ及びその製造方法 - Google Patents
単結晶ＳｉＣ及びその製造方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、単結晶ＳｉＣ及び
その製造方法に関するもので、詳しくは、発光ダイオー
ドや高温半導体電子素子、パワーデバイスの半導体基板
ウエハなどとして用いられる単結晶ＳｉＣ及びその製造
方法に関するものである。
その製造方法に関するもので、詳しくは、発光ダイオー
ドや高温半導体電子素子、パワーデバイスの半導体基板
ウエハなどとして用いられる単結晶ＳｉＣ及びその製造
方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＳｉＣ（炭化珪素）は、耐熱性および機
械的強度に優れているだけでなく、放射線にも強く、さ
らに不純物の添加によって電子や正孔の価電子制御が容
易である上、広い禁制帯幅を持つ（因みに、６Ｈ型のＳ
ｉＣ単結晶で約３．０ｅＶ、４Ｈ型のＳｉＣ単結晶で
３．２６ｅＶ）ために、Ｓｉ（シリコン）やＧａＡｓ
（ガリウムヒ素）などの既存の半導体材料では実現する
ことができない大容量、高周波、耐圧、耐環境性を実現
することが可能で、次世代のパワーデバイス用半導体材
料として注目され、かつ期待されている。
械的強度に優れているだけでなく、放射線にも強く、さ
らに不純物の添加によって電子や正孔の価電子制御が容
易である上、広い禁制帯幅を持つ（因みに、６Ｈ型のＳ
ｉＣ単結晶で約３．０ｅＶ、４Ｈ型のＳｉＣ単結晶で
３．２６ｅＶ）ために、Ｓｉ（シリコン）やＧａＡｓ
（ガリウムヒ素）などの既存の半導体材料では実現する
ことができない大容量、高周波、耐圧、耐環境性を実現
することが可能で、次世代のパワーデバイス用半導体材
料として注目され、かつ期待されている。
【０００３】ところで、この種の単結晶ＳｉＣの成長
（製造）方法として、従来、ＳｉＣ研磨材の工業的製法
として一般的に知られているもので、種結晶基材をそれ
の外周から高周波電極で加熱することにより種結晶基材
の中心部で多くの核発生を起こして、種結晶基材の中心
部を中心として複数の渦巻き状の結晶成長を進行させる
アチソン法と、このアチソン法で作られた粉状のＳｉＣ
を原料として用い、単一の結晶核上に結晶を成長させる
昇華再結晶法などが知られている。
（製造）方法として、従来、ＳｉＣ研磨材の工業的製法
として一般的に知られているもので、種結晶基材をそれ
の外周から高周波電極で加熱することにより種結晶基材
の中心部で多くの核発生を起こして、種結晶基材の中心
部を中心として複数の渦巻き状の結晶成長を進行させる
アチソン法と、このアチソン法で作られた粉状のＳｉＣ
を原料として用い、単一の結晶核上に結晶を成長させる
昇華再結晶法などが知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の製造方法のうちアチソン法は、種結晶基材を長
時間かけて加熱することで単結晶がゆっくりと成長する
ものであって、結晶成長速度が１μｍ／ｈｒ．程度と非
常に低いだけでなく、このアチソン法で作られた粉状の
ＳｉＣを原料とする昇華再結晶法にあっては、昇華原料
自体が不純物を含んでおり、この不純物が成長する結晶
内に入り込んでマイクロパイプ欠陥と呼ばれ半導体デバ
イスを作製した際の漏れ電流等の原因となる結晶の成長
方向に貫通する直径数ミクロンのピンホールが１００〜
１０００／ｃｍ2 程度成長結晶中に残存しやすく、品質
的に十分なものが得られないという問題があり、このこ
とが既述のようにＳｉやＧａＡｓなどの既存の半導体材
料に比べて多くの優れた特徴を有しながらも、その実用
化及び適用性の拡大を阻止する要因になっている。
た従来の製造方法のうちアチソン法は、種結晶基材を長
時間かけて加熱することで単結晶がゆっくりと成長する
ものであって、結晶成長速度が１μｍ／ｈｒ．程度と非
常に低いだけでなく、このアチソン法で作られた粉状の
ＳｉＣを原料とする昇華再結晶法にあっては、昇華原料
自体が不純物を含んでおり、この不純物が成長する結晶
内に入り込んでマイクロパイプ欠陥と呼ばれ半導体デバ
イスを作製した際の漏れ電流等の原因となる結晶の成長
方向に貫通する直径数ミクロンのピンホールが１００〜
１０００／ｃｍ2 程度成長結晶中に残存しやすく、品質
的に十分なものが得られないという問題があり、このこ
とが既述のようにＳｉやＧａＡｓなどの既存の半導体材
料に比べて多くの優れた特徴を有しながらも、その実用
化及び適用性の拡大を阻止する要因になっている。
【０００５】本出願人らは、上記したアチソン法や昇華
再結晶法による技術的課題を解消する手段として、α−
ＳｉＣ単結晶基材の表面に熱化学的蒸着法によりβ−Ｓ
ｉＣ層を形成した後、その複合体を熱処理することによ
りβ−ＳｉＣ層の多結晶体をα−ＳｉＣに相変位（転
化）させてα−ＳｉＣ単結晶基材の結晶軸と同方位に配
向して単結晶を一体化し育成するようにした単結晶Ｓｉ
Ｃの製造方法を既に提案している。
再結晶法による技術的課題を解消する手段として、α−
ＳｉＣ単結晶基材の表面に熱化学的蒸着法によりβ−Ｓ
ｉＣ層を形成した後、その複合体を熱処理することによ
りβ−ＳｉＣ層の多結晶体をα−ＳｉＣに相変位（転
化）させてα−ＳｉＣ単結晶基材の結晶軸と同方位に配
向して単結晶を一体化し育成するようにした単結晶Ｓｉ
Ｃの製造方法を既に提案している。
【０００６】本出願人らが既に提案した上記の単結晶Ｓ
ｉＣ製造方法によれば、従来のアチソン法や昇華再結晶
法に比べて、結晶成長速度が速く、また、結晶核の発生
や不純物の拡散によるマイクロパイプ欠陥の発生も非常
に少なくすることができるものの、高純度の単結晶と得
るためには、α−ＳｉＣ単結晶基材とその表面に熱化学
的蒸着法により形成され多結晶体に成長されたβ−Ｓｉ
Ｃ層とを２１００〜２３００℃の非常に高い温度で長時
間かけて熱処理することが必要であり、そのため、Ｓｉ
原子とＣ原子の結合が高温度熱処理時の熱エネルギーに
より生じる格子振動に耐えられなくなって切れるなど分
解し、これによって、格子歪みや原子の空孔によるＳｉ
Ｃ格子の欠陥を招きやすく、良質な単結晶の成長には未
だ改善の余地があった。
ｉＣ製造方法によれば、従来のアチソン法や昇華再結晶
法に比べて、結晶成長速度が速く、また、結晶核の発生
や不純物の拡散によるマイクロパイプ欠陥の発生も非常
に少なくすることができるものの、高純度の単結晶と得
るためには、α−ＳｉＣ単結晶基材とその表面に熱化学
的蒸着法により形成され多結晶体に成長されたβ−Ｓｉ
Ｃ層とを２１００〜２３００℃の非常に高い温度で長時
間かけて熱処理することが必要であり、そのため、Ｓｉ
原子とＣ原子の結合が高温度熱処理時の熱エネルギーに
より生じる格子振動に耐えられなくなって切れるなど分
解し、これによって、格子歪みや原子の空孔によるＳｉ
Ｃ格子の欠陥を招きやすく、良質な単結晶の成長には未
だ改善の余地があった。
【０００７】本発明は上記実情に鑑みてなされたもの
で、マイクロパイプ欠陥はもとより格子歪みや格子欠陥
のない非常に良質の単結晶に効率よく成長させることが
でき、半導体材料としての実用化及び適用性の拡大を促
進可能とする単結晶ＳｉＣおよびその製造方法を提供す
ることを目的としている。
で、マイクロパイプ欠陥はもとより格子歪みや格子欠陥
のない非常に良質の単結晶に効率よく成長させることが
でき、半導体材料としての実用化及び適用性の拡大を促
進可能とする単結晶ＳｉＣおよびその製造方法を提供す
ることを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に記載の発明に係る単結晶ＳｉＣは、α−
ＳｉＣ単結晶基材の表面に硼素を含んだ層を介して熱化
学的蒸着法でβ−ＳｉＣ層を形成してなる複合体を熱処
理することにより、上記β−ＳｉＣ層の多結晶体をα−
ＳｉＣに転化させるとともに上記α−ＳｉＣ単結晶基材
の結晶軸と同方位に配向させて単結晶を一体に成長させ
ていることを特徴とするものであり、また、請求項４に
記載の単結晶ＳｉＣの製造方法は、α−ＳｉＣ単結晶基
材の表面に硼素を含んだ層を形成した後、その硼素含有
層の表面に熱化学的蒸着法によりβ−ＳｉＣ層を形成
し、次に、その複合体を熱処理して上記β−ＳｉＣ層の
多結晶体をα−ＳｉＣに転化させるとともに上記α−Ｓ
ｉＣ単結晶基材の結晶軸と同方位に配向して単結晶を一
体化し育成することを特徴とするものである。
に、請求項１に記載の発明に係る単結晶ＳｉＣは、α−
ＳｉＣ単結晶基材の表面に硼素を含んだ層を介して熱化
学的蒸着法でβ−ＳｉＣ層を形成してなる複合体を熱処
理することにより、上記β−ＳｉＣ層の多結晶体をα−
ＳｉＣに転化させるとともに上記α−ＳｉＣ単結晶基材
の結晶軸と同方位に配向させて単結晶を一体に成長させ
ていることを特徴とするものであり、また、請求項４に
記載の単結晶ＳｉＣの製造方法は、α−ＳｉＣ単結晶基
材の表面に硼素を含んだ層を形成した後、その硼素含有
層の表面に熱化学的蒸着法によりβ−ＳｉＣ層を形成
し、次に、その複合体を熱処理して上記β−ＳｉＣ層の
多結晶体をα−ＳｉＣに転化させるとともに上記α−Ｓ
ｉＣ単結晶基材の結晶軸と同方位に配向して単結晶を一
体化し育成することを特徴とするものである。
【０００９】すなわち、請求項１に記載の発明及び請求
項４に記載の発明はいずれも、α−ＳｉＣ単結晶基材の
表面とその表面に熱化学的蒸着法で形成されるβ−Ｓｉ
Ｃ層との界面に硼素含有層が介在されており、この硼素
含有層によりその層表面近くのＳｉＣ格子に歪みを発生
させているとともに、ＳｉＣ格子の中に存在する硼素原
子がＳｉＣ格子の格子間隔と原子間距離が異なる結合部
分を構成して局部的な歪みを与えている。このような状
況にある複合体を熱処理すると、該熱処理時に加えられ
る熱エネルギーにより硼素原子が振動し、その振動がＳ
ｉ原子やＣ原子の移動を誘発し、さらにその原子移動が
上記のＳｉＣ格子の歪み発生領域から他の領域に及び、
歪みを含んだＳｉＣ格子の原子配列を安定化させようと
するＳｉ原子とＣ原子の移動が格子全域に亘って誘発さ
れることになる。このような作用により、ＳｉＣ格子の
歪みを解消しつつ、ＳｉＣ格子が最も安定なＳｉ原子と
Ｃ原子の位置への再配列が促進される。つまり、歪みを
含んでいたＳｉＣ格子が歪みのない単結晶に再配列さ
れ、したがって、マイクロパイプ欠陥はもとより歪みや
原子の空孔によるＳｉＣ格子の欠陥のない良質の単結晶
ＳｉＣを効率よく得ることが可能である。
項４に記載の発明はいずれも、α−ＳｉＣ単結晶基材の
表面とその表面に熱化学的蒸着法で形成されるβ−Ｓｉ
Ｃ層との界面に硼素含有層が介在されており、この硼素
含有層によりその層表面近くのＳｉＣ格子に歪みを発生
させているとともに、ＳｉＣ格子の中に存在する硼素原
子がＳｉＣ格子の格子間隔と原子間距離が異なる結合部
分を構成して局部的な歪みを与えている。このような状
況にある複合体を熱処理すると、該熱処理時に加えられ
る熱エネルギーにより硼素原子が振動し、その振動がＳ
ｉ原子やＣ原子の移動を誘発し、さらにその原子移動が
上記のＳｉＣ格子の歪み発生領域から他の領域に及び、
歪みを含んだＳｉＣ格子の原子配列を安定化させようと
するＳｉ原子とＣ原子の移動が格子全域に亘って誘発さ
れることになる。このような作用により、ＳｉＣ格子の
歪みを解消しつつ、ＳｉＣ格子が最も安定なＳｉ原子と
Ｃ原子の位置への再配列が促進される。つまり、歪みを
含んでいたＳｉＣ格子が歪みのない単結晶に再配列さ
れ、したがって、マイクロパイプ欠陥はもとより歪みや
原子の空孔によるＳｉＣ格子の欠陥のない良質の単結晶
ＳｉＣを効率よく得ることが可能である。
【００１０】ここで、上記硼素含有層としては、請求項
２及び請求項５に記載のように、硼素を含んだβ−Ｓｉ
Ｃの熱化学的蒸着法によりα−ＳｉＣ単結晶基材の表面
に形成されたもの、または、請求項３及び請求項６に記
載のように、α−ＳｉＣ単結晶ＳｉＣ基材の表面への硼
素イオンの注入によりそのα−ＳｉＣ単結晶基材の表面
に形成されたもの、のいずれであってもよい。
２及び請求項５に記載のように、硼素を含んだβ−Ｓｉ
Ｃの熱化学的蒸着法によりα−ＳｉＣ単結晶基材の表面
に形成されたもの、または、請求項３及び請求項６に記
載のように、α−ＳｉＣ単結晶ＳｉＣ基材の表面への硼
素イオンの注入によりそのα−ＳｉＣ単結晶基材の表面
に形成されたもの、のいずれであってもよい。
【００１１】また、上記請求項４に記載の発明に係る単
結晶ＳｉＣの製造方法において、請求項７に記載のよう
に、上記α−ＳｉＣ単結晶基材として、矩形状のα−Ｓ
ｉＣ単結晶の複数枚を密着状態に並設したものを用いる
ことにより、面積的にも体積的にも十分な大きさを確保
し、かつ、上述したような良質の単結晶ＳｉＣを工業的
規模で安定に製造することができる。
結晶ＳｉＣの製造方法において、請求項７に記載のよう
に、上記α−ＳｉＣ単結晶基材として、矩形状のα−Ｓ
ｉＣ単結晶の複数枚を密着状態に並設したものを用いる
ことにより、面積的にも体積的にも十分な大きさを確保
し、かつ、上述したような良質の単結晶ＳｉＣを工業的
規模で安定に製造することができる。
【００１２】さらに、請求項４に記載の発明に係る単結
晶ＳｉＣの製造方法において、請求項８に記載のよう
に、上記α−ＳｉＣ単結晶基材の表面に硼素含有層を介
して熱化学的蒸着法によりβ−ＳｉＣ層を形成すると
き、上記α−ＳｉＣ単結晶基材の表面の外周縁よりも外
方へ突出する多結晶体部分をカーボンまたはシリコン製
のダミー部材で支持させ、β−ＳｉＣ層の形成後、ダミ
ー部材を除去し、かつ、そのダミー部材が除去された複
合体を上記α−ＳｉＣ単結晶基材以外は非接触状態で支
持させて熱処理を行なうという方法を採用することによ
って、大きな面積のβ−ＳｉＣ層の多結晶体をα−Ｓｉ
Ｃ単結晶基材の結晶方位面に沿わせて安定よく形成する
ことができるとともに、その後の熱処理時に突出する多
結晶体部分の結晶成長がダミー部材によって妨げられる
こともなく、α−ＳｉＣ単結晶のうち外方へ突出するほ
どに大きい多結晶体対応部分に格子乱れ等による不良部
分が発生することを抑え、硼素含有層の存在によるＳｉ
Ｃ格子歪みの解消およびＳｉＣ格子の原子配列の促進と
相俟って、高品質化を図りつつ大面積化を促進すること
ができる。
晶ＳｉＣの製造方法において、請求項８に記載のよう
に、上記α−ＳｉＣ単結晶基材の表面に硼素含有層を介
して熱化学的蒸着法によりβ−ＳｉＣ層を形成すると
き、上記α−ＳｉＣ単結晶基材の表面の外周縁よりも外
方へ突出する多結晶体部分をカーボンまたはシリコン製
のダミー部材で支持させ、β−ＳｉＣ層の形成後、ダミ
ー部材を除去し、かつ、そのダミー部材が除去された複
合体を上記α−ＳｉＣ単結晶基材以外は非接触状態で支
持させて熱処理を行なうという方法を採用することによ
って、大きな面積のβ−ＳｉＣ層の多結晶体をα−Ｓｉ
Ｃ単結晶基材の結晶方位面に沿わせて安定よく形成する
ことができるとともに、その後の熱処理時に突出する多
結晶体部分の結晶成長がダミー部材によって妨げられる
こともなく、α−ＳｉＣ単結晶のうち外方へ突出するほ
どに大きい多結晶体対応部分に格子乱れ等による不良部
分が発生することを抑え、硼素含有層の存在によるＳｉ
Ｃ格子歪みの解消およびＳｉＣ格子の原子配列の促進と
相俟って、高品質化を図りつつ大面積化を促進すること
ができる。
【００１３】さらにまた、上記請求項４に記載の発明に
係る単結晶ＳｉＣの製造方法において、請求項９に記載
のように、一体成長された単結晶ＳｉＣの上記突出部分
を含む表面に、該表面の外周縁よりも更に外周に突出す
る状態で硼素含有層を介して熱化学的蒸着法によりβ−
ＳｉＣ層を形成する工程と、この工程で得られた複合体
に対する熱処理工程とを少なくとも１回以上繰り返すこ
とによって、より一層の大面積化とともに、厚肉化を図
ることができ、また、熱処理の繰り返しによって単結晶
化が不完全な部分があっても、その部分の再々熱処理に
より単結晶化を促進し、大面積かつ厚肉で高品質の単結
晶ＳｉＣを得ることができる。
係る単結晶ＳｉＣの製造方法において、請求項９に記載
のように、一体成長された単結晶ＳｉＣの上記突出部分
を含む表面に、該表面の外周縁よりも更に外周に突出す
る状態で硼素含有層を介して熱化学的蒸着法によりβ−
ＳｉＣ層を形成する工程と、この工程で得られた複合体
に対する熱処理工程とを少なくとも１回以上繰り返すこ
とによって、より一層の大面積化とともに、厚肉化を図
ることができ、また、熱処理の繰り返しによって単結晶
化が不完全な部分があっても、その部分の再々熱処理に
より単結晶化を促進し、大面積かつ厚肉で高品質の単結
晶ＳｉＣを得ることができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
にもとづいて説明する。図１〜図３は本発明に係る単結
晶ＳｉＣの製造方法の一例を製造工程順に説明する模式
図であり、図１は第１成膜工程を示し、アチソン法によ
り縦×横が１０ｍｍ×１０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍの平板
状に製作された六方晶系（６Ｈ型、４Ｈ型）のα−Ｓｉ
Ｃ単結晶基材１の表面１ａに、１２００〜１５００℃の
温度範囲（好ましくは１４００℃）の水素気流中で熱化
学的蒸着法により硼素を含んだ立方晶系β−ＳｉＣを形
成させて厚さ１０μｍの硼素含有層２を成膜する。この
硼素含有層２の成膜時においては、初期５分間に亘って
蒸着部に向けてＳｉＣｌ4１モル、ＣＣｌ4 ０．３モル
に対してＢＣｌ3 ０．０５モルの反応ガスを供給する。
にもとづいて説明する。図１〜図３は本発明に係る単結
晶ＳｉＣの製造方法の一例を製造工程順に説明する模式
図であり、図１は第１成膜工程を示し、アチソン法によ
り縦×横が１０ｍｍ×１０ｍｍ、厚さ０．５ｍｍの平板
状に製作された六方晶系（６Ｈ型、４Ｈ型）のα−Ｓｉ
Ｃ単結晶基材１の表面１ａに、１２００〜１５００℃の
温度範囲（好ましくは１４００℃）の水素気流中で熱化
学的蒸着法により硼素を含んだ立方晶系β−ＳｉＣを形
成させて厚さ１０μｍの硼素含有層２を成膜する。この
硼素含有層２の成膜時においては、初期５分間に亘って
蒸着部に向けてＳｉＣｌ4１モル、ＣＣｌ4 ０．３モル
に対してＢＣｌ3 ０．０５モルの反応ガスを供給する。
【００１５】上記硼素含有層２の成膜後は、ＢＣｌ3 の
供給を断ち、ＳｉＣｌ4 、ＣＣｌ4及びＨ2 を蒸着部に
向けて供給しながら、熱化学的蒸着法により硼素を含ま
ない高純度立方晶系β−ＳｉＣを用いて厚さが約５００
μｍのβ−ＳｉＣ層３を成膜することにより（第２成膜
工程）、図２に示すような複合体Ｍを得る。
供給を断ち、ＳｉＣｌ4 、ＣＣｌ4及びＨ2 を蒸着部に
向けて供給しながら、熱化学的蒸着法により硼素を含ま
ない高純度立方晶系β−ＳｉＣを用いて厚さが約５００
μｍのβ−ＳｉＣ層３を成膜することにより（第２成膜
工程）、図２に示すような複合体Ｍを得る。
【００１６】しかる後、上記複合体Ｍの全体を、Ａｒお
よびＳｉＣの飽和蒸気雰囲気中で、１９００〜２４００
℃、好ましくは２０００〜２２００℃の範囲の温度で熱
処理することにより、上記β−ＳｉＣ層３の多結晶体及
び硼素含有層２のβ−ＳｉＣ多結晶体をα−ＳｉＣに転
化すると共に上記α−ＳｉＣ単結晶基材１の結晶軸と同
方位に配向して基材１の単結晶と一体化させて図３に示
すような大きな単結晶ＳｉＣ４が育成される。
よびＳｉＣの飽和蒸気雰囲気中で、１９００〜２４００
℃、好ましくは２０００〜２２００℃の範囲の温度で熱
処理することにより、上記β−ＳｉＣ層３の多結晶体及
び硼素含有層２のβ−ＳｉＣ多結晶体をα−ＳｉＣに転
化すると共に上記α−ＳｉＣ単結晶基材１の結晶軸と同
方位に配向して基材１の単結晶と一体化させて図３に示
すような大きな単結晶ＳｉＣ４が育成される。
【００１７】上記のようにα−ＳｉＣ単結晶基材１の表
面に硼素含有層２を介して熱化学的蒸着法によりβ−Ｓ
ｉＣ層３が形成された複合体Ｍに熱処理を施すことによ
り、熱処理時に加えられる熱エネルギーにより硼素含有
層２内の硼素原子が振動し、その振動がβ−ＳｉＣ層３
のＳｉ原子やＣ原子の移動を誘発し、さらにその原子移
動が、例えば硼素ＢとＣとの化合によるＢ４Ｃのような
硼素化合物の存在によって歪みを発生しているＳｉＣ格
子の歪み発生領域から他の領域に及び、歪みを含んだＳ
ｉＣ格子の原子配列を安定化させようとするＳｉ原子と
Ｃ原子の移動が格子全域に亘って誘発され、このような
作用により、ＳｉＣ格子の歪みを解消しつつ、ＳｉＣ格
子が最も安定なＳｉ原子とＣ原子の位置への再配列が促
進される。すなわち、歪みを含んでいたＳｉＣ格子が歪
みのない単結晶に再配列され、ほぼ全面に亘ってマイク
ロパイプ欠陥はもとより歪みや原子の空孔によるＳｉＣ
格子の欠陥のない良質の単結晶ＳｉＣ４を効率よく得る
ことが可能である。
面に硼素含有層２を介して熱化学的蒸着法によりβ−Ｓ
ｉＣ層３が形成された複合体Ｍに熱処理を施すことによ
り、熱処理時に加えられる熱エネルギーにより硼素含有
層２内の硼素原子が振動し、その振動がβ−ＳｉＣ層３
のＳｉ原子やＣ原子の移動を誘発し、さらにその原子移
動が、例えば硼素ＢとＣとの化合によるＢ４Ｃのような
硼素化合物の存在によって歪みを発生しているＳｉＣ格
子の歪み発生領域から他の領域に及び、歪みを含んだＳ
ｉＣ格子の原子配列を安定化させようとするＳｉ原子と
Ｃ原子の移動が格子全域に亘って誘発され、このような
作用により、ＳｉＣ格子の歪みを解消しつつ、ＳｉＣ格
子が最も安定なＳｉ原子とＣ原子の位置への再配列が促
進される。すなわち、歪みを含んでいたＳｉＣ格子が歪
みのない単結晶に再配列され、ほぼ全面に亘ってマイク
ロパイプ欠陥はもとより歪みや原子の空孔によるＳｉＣ
格子の欠陥のない良質の単結晶ＳｉＣ４を効率よく得る
ことが可能である。
【００１８】図４は本発明に係る単結晶ＳｉＣの製造方
法の他の例を説明する模式図であり、この例では、上記
α−ＳｉＣ単結晶基材１として、矩形状に整えて加工さ
れたα−ＳｉＣ単結晶１Ａの複数枚を密着状態（隙間な
く）に並設したものを使用し、その表面に上記と同様に
硼素含有層２を介して熱化学的蒸着法により高純度β−
ＳｉＣを用いたβ−ＳｉＣ層３を成膜した後、その複合
体Ｍを上記と同様に熱処理する方法であり、この場合
は、面積的にも体積的にも十分な大きさを有し、かつ、
上述と同様に良質の単結晶ＳｉＣ４を工業的規模で安定
に製造することができる。
法の他の例を説明する模式図であり、この例では、上記
α−ＳｉＣ単結晶基材１として、矩形状に整えて加工さ
れたα−ＳｉＣ単結晶１Ａの複数枚を密着状態（隙間な
く）に並設したものを使用し、その表面に上記と同様に
硼素含有層２を介して熱化学的蒸着法により高純度β−
ＳｉＣを用いたβ−ＳｉＣ層３を成膜した後、その複合
体Ｍを上記と同様に熱処理する方法であり、この場合
は、面積的にも体積的にも十分な大きさを有し、かつ、
上述と同様に良質の単結晶ＳｉＣ４を工業的規模で安定
に製造することができる。
【００１９】また、図５〜図８は本発明に係る単結晶Ｓ
ｉＣの製造方法のもう一つの例を製造工程順に説明する
模式図であり、図５に示すβ−ＳｉＣ層３の成膜工程に
おいて、その表面に上記硼素含有層２を成膜しているα
−ＳｉＣ単結晶基材１をカーボン製またはシリコン製の
サセプター（ダミー部材）５に形成した凹部５ｂ内に両
者の表面２ａ，５ａが面一になるように嵌合保持させた
上で、熱化学的蒸着法によりβ−ＳｉＣ層３をその外周
縁３ｅが上記α−ＳｉＣ単結晶基材１の外周縁部１ｅよ
りも外方へ突出し、その突出するβ−ＳｉＣ層部分３ａ
が上記サセプター５の表面５ａに支持される状態に成膜
する。
ｉＣの製造方法のもう一つの例を製造工程順に説明する
模式図であり、図５に示すβ−ＳｉＣ層３の成膜工程に
おいて、その表面に上記硼素含有層２を成膜しているα
−ＳｉＣ単結晶基材１をカーボン製またはシリコン製の
サセプター（ダミー部材）５に形成した凹部５ｂ内に両
者の表面２ａ，５ａが面一になるように嵌合保持させた
上で、熱化学的蒸着法によりβ−ＳｉＣ層３をその外周
縁３ｅが上記α−ＳｉＣ単結晶基材１の外周縁部１ｅよ
りも外方へ突出し、その突出するβ−ＳｉＣ層部分３ａ
が上記サセプター５の表面５ａに支持される状態に成膜
する。
【００２０】上記の成膜工程終了後にサセプター５を消
却または酸溶解（エッチング）により除去することで図
６に示すような複合体Ｍを得る。続いて、その複合体Ｍ
におけるα−ＳｉＣ単結晶基材１および硼素含有層２を
図７に示すように、別個に準備したカーボン製サセプタ
ー６に形成の凹部６ｂ内に嵌合保持させることにより上
記突出β−ＳｉＣ層部分３ａは非接触状態にして複合体
Ｍを支持させた上、該複合体Ｍを上記と同様に熱処理す
ることによって、単結晶ＳｉＣ４を一体成長させる。
却または酸溶解（エッチング）により除去することで図
６に示すような複合体Ｍを得る。続いて、その複合体Ｍ
におけるα−ＳｉＣ単結晶基材１および硼素含有層２を
図７に示すように、別個に準備したカーボン製サセプタ
ー６に形成の凹部６ｂ内に嵌合保持させることにより上
記突出β−ＳｉＣ層部分３ａは非接触状態にして複合体
Ｍを支持させた上、該複合体Ｍを上記と同様に熱処理す
ることによって、単結晶ＳｉＣ４を一体成長させる。
【００２１】このようにして一体成長された単結晶Ｓｉ
Ｃ４のうち、上記突出β−ＳｉＣ層部分３ａに対応する
突出単結晶部分４ａの外周部を切断し端部を除去するこ
とにより、最終製品として、図８に示すような略Ｔ字状
の単結晶ＳｉＣ４´を製造する。さらに、高品質な単結
晶ＳｉＣ４´を得るためには、突出単結晶部分４ａの中
間部を切断し、その外周側縁部を除去することが好まし
い。
Ｃ４のうち、上記突出β−ＳｉＣ層部分３ａに対応する
突出単結晶部分４ａの外周部を切断し端部を除去するこ
とにより、最終製品として、図８に示すような略Ｔ字状
の単結晶ＳｉＣ４´を製造する。さらに、高品質な単結
晶ＳｉＣ４´を得るためには、突出単結晶部分４ａの中
間部を切断し、その外周側縁部を除去することが好まし
い。
【００２２】以上の工程を経て製造された単結晶ＳｉＣ
４´は、小面積のα−ＳｉＣ単結晶基板１を使用しなが
ら、大きな面積を有しているとともに、結晶中に不純物
が入り込んだり、マイクロパイプ欠陥や結晶粒界などを
発生したりすることがなく、また、硼素含有層２の存在
によるＳｉＣ格子歪みの解消およびＳｉＣ格子の原子配
列の促進と相俟って、高純度、高品質である。
４´は、小面積のα−ＳｉＣ単結晶基板１を使用しなが
ら、大きな面積を有しているとともに、結晶中に不純物
が入り込んだり、マイクロパイプ欠陥や結晶粒界などを
発生したりすることがなく、また、硼素含有層２の存在
によるＳｉＣ格子歪みの解消およびＳｉＣ格子の原子配
列の促進と相俟って、高純度、高品質である。
【００２３】さらに、上記図５〜図８に示した製造方法
では、一回の成膜工程、熱処理工程および中間部分の切
断除去工程により所定の単結晶ＳｉＣ４´を製造するも
のについて説明したが、図９に示すように、その製造さ
れた単結晶ＳｉＣ４´の上記突出単結晶部分４ａを含む
表面４ｆに硼素含有層２´を形成するとともに、該表面
２´ｆの外周縁よりも更に外方へ突出させる状態で熱化
学的蒸着法によりβ−ＳｉＣ多結晶膜３´を形成する成
膜工程と、その成膜工程で得られた複合体Ｍ´に対する
既述と同一条件での熱処理工程と、切断除去工程とをも
う一回もしくは複数回繰り返すことで、大面積かつ厚肉
の単結晶ＳｉＣを製造してもよい。この場合は、熱処理
の繰り返しによって、単結晶化が不完全な状態の部分が
あったとしても、その部分が再々熱処理されて単結晶化
が促進され、これによって、大面積かつ厚肉の単結晶Ｓ
ｉＣ製品の品質を一層高めることができる。
では、一回の成膜工程、熱処理工程および中間部分の切
断除去工程により所定の単結晶ＳｉＣ４´を製造するも
のについて説明したが、図９に示すように、その製造さ
れた単結晶ＳｉＣ４´の上記突出単結晶部分４ａを含む
表面４ｆに硼素含有層２´を形成するとともに、該表面
２´ｆの外周縁よりも更に外方へ突出させる状態で熱化
学的蒸着法によりβ−ＳｉＣ多結晶膜３´を形成する成
膜工程と、その成膜工程で得られた複合体Ｍ´に対する
既述と同一条件での熱処理工程と、切断除去工程とをも
う一回もしくは複数回繰り返すことで、大面積かつ厚肉
の単結晶ＳｉＣを製造してもよい。この場合は、熱処理
の繰り返しによって、単結晶化が不完全な状態の部分が
あったとしても、その部分が再々熱処理されて単結晶化
が促進され、これによって、大面積かつ厚肉の単結晶Ｓ
ｉＣ製品の品質を一層高めることができる。
【００２４】なお、上記α−ＳｉＣ単結晶基材１として
６Ｈ型のものを使用するときは、熱処理に伴ってβ−Ｓ
ｉＣ層２の多結晶体からα−ＳｉＣに転化される単結晶
が６Ｈ型の単結晶と同じ形態で育成されやすく、また、
４Ｈ型の単結晶基材１を使用するときは、熱処理に伴っ
てその４Ｈ型の単結晶と同じ形態の単結晶が転化育成さ
れやすいことになる。
６Ｈ型のものを使用するときは、熱処理に伴ってβ−Ｓ
ｉＣ層２の多結晶体からα−ＳｉＣに転化される単結晶
が６Ｈ型の単結晶と同じ形態で育成されやすく、また、
４Ｈ型の単結晶基材１を使用するときは、熱処理に伴っ
てその４Ｈ型の単結晶と同じ形態の単結晶が転化育成さ
れやすいことになる。
【００２５】また、上記の各製造方法例では、上記硼素
含有層２が硼素を含んだβ−ＳｉＣの熱化学的蒸着法に
よりα−ＳｉＣ単結晶基材１の表面に形成されるものに
ついて説明したが、α−ＳｉＣ単結晶基材１の表面１ａ
への硼素イオンの注入によって形成しても、また、スパ
ッタリングによりα−ＳｉＣ単結晶基材１の表面１ａに
形成してもよく、いずれにしても、数原子層以上の厚さ
があればよい。
含有層２が硼素を含んだβ−ＳｉＣの熱化学的蒸着法に
よりα−ＳｉＣ単結晶基材１の表面に形成されるものに
ついて説明したが、α−ＳｉＣ単結晶基材１の表面１ａ
への硼素イオンの注入によって形成しても、また、スパ
ッタリングによりα−ＳｉＣ単結晶基材１の表面１ａに
形成してもよく、いずれにしても、数原子層以上の厚さ
があればよい。
【００２６】
【発明の効果】以上のように、請求項１に記載の発明お
よび請求項４に記載の発明によれば、α−ＳｉＣ単結晶
基材の表面とその表面に熱化学的蒸着法で形成されるβ
−ＳｉＣ層との界面に硼素含有層を介在させることで、
硼素含有層の表面近くのＳｉＣ格子に歪みを発生させる
とともに、ＳｉＣ格子の中に存在する硼素原子によって
ＳｉＣ格子の格子間隔と原子間距離が異なる結合部分を
構成して局部的な歪みを与えておき、このような状況で
熱処理することにより、該熱処理時に加えられる熱エネ
ルギーをもって格子振動を誘発し、その振動によりＳｉ
Ｃ格子の歪み発生領域から他の領域の格子全域に亘って
ＳｉＣ格子の原子配列を安定化させようとする原子配列
組替え作用を活発化することが可能となる。このような
作用により、ＳｉＣ格子の歪みを解消しつつ、ＳｉＣ格
子が最も安定なＳｉ原子とＣ原子の位置への再配列を促
進することができ、したがって、マイクロパイプ欠陥は
もとより歪みや原子の空孔によるＳｉＣ格子の欠陥のな
い良質の単結晶ＳｉＣを非常に効率よく得ることができ
るという効果を奏する。これによって、Ｓｉ（シリコ
ン）やＧａＡｓ（ガリウムヒ素）などの既存の半導体材
料に比べて大容量、高周波、耐圧、耐環境性に優れパワ
ーデバイス用半導体材料として期待されている単結晶Ｓ
ｉＣの実用化及び適用性の拡大が可能となる。
よび請求項４に記載の発明によれば、α−ＳｉＣ単結晶
基材の表面とその表面に熱化学的蒸着法で形成されるβ
−ＳｉＣ層との界面に硼素含有層を介在させることで、
硼素含有層の表面近くのＳｉＣ格子に歪みを発生させる
とともに、ＳｉＣ格子の中に存在する硼素原子によって
ＳｉＣ格子の格子間隔と原子間距離が異なる結合部分を
構成して局部的な歪みを与えておき、このような状況で
熱処理することにより、該熱処理時に加えられる熱エネ
ルギーをもって格子振動を誘発し、その振動によりＳｉ
Ｃ格子の歪み発生領域から他の領域の格子全域に亘って
ＳｉＣ格子の原子配列を安定化させようとする原子配列
組替え作用を活発化することが可能となる。このような
作用により、ＳｉＣ格子の歪みを解消しつつ、ＳｉＣ格
子が最も安定なＳｉ原子とＣ原子の位置への再配列を促
進することができ、したがって、マイクロパイプ欠陥は
もとより歪みや原子の空孔によるＳｉＣ格子の欠陥のな
い良質の単結晶ＳｉＣを非常に効率よく得ることができ
るという効果を奏する。これによって、Ｓｉ（シリコ
ン）やＧａＡｓ（ガリウムヒ素）などの既存の半導体材
料に比べて大容量、高周波、耐圧、耐環境性に優れパワ
ーデバイス用半導体材料として期待されている単結晶Ｓ
ｉＣの実用化及び適用性の拡大が可能となる。
【００２７】特に、請求項７、８または９に記載の発明
によれば、上記請求項１及び請求項４に記載の発明で得
られる良質の単結晶ＳｉＣを大面積化あるいは大面積化
と厚肉化することができ、一層その適用性の拡充を図る
ことができる。
によれば、上記請求項１及び請求項４に記載の発明で得
られる良質の単結晶ＳｉＣを大面積化あるいは大面積化
と厚肉化することができ、一層その適用性の拡充を図る
ことができる。
【図１】本発明に係る単結晶ＳｉＣの製造方法の一例を
説明する製造工程のうち第１成膜工程が終了した状態を
示す模式図である。
説明する製造工程のうち第１成膜工程が終了した状態を
示す模式図である。
【図２】同上製造工程のうち第２成膜工程が終了した状
態を示す模式図である。
態を示す模式図である。
【図３】製造された単結晶ＳｉＣを示す模式図である。
【図４】本発明に係る単結晶ＳｉＣの製造方法の他の例
を説明する製造工程のうち第２成膜工程が終了した状態
を示す模式図である。
を説明する製造工程のうち第２成膜工程が終了した状態
を示す模式図である。
【図５】本発明に係る単結晶ＳｉＣの製造方法のもう一
つの例を説明する製造工程のうち第２成膜工程が終了し
た状態を示す模式図である。
つの例を説明する製造工程のうち第２成膜工程が終了し
た状態を示す模式図である。
【図６】同上製造工程のうちサセプター除去後の状態を
示す模式図である。
示す模式図である。
【図７】同上製造工程のうち熱処理工程が終了した状態
を示す模式図である。
を示す模式図である。
【図８】最終的に製造された単結晶ＳｉＣを示す模式図
である。
である。
【図９】図５〜図８に示す製造方法によって得られた単
結晶ＳｉＣを更に大きく、かつ厚肉化するときの第２成
膜工程の終了状態を示す模式図である。
結晶ＳｉＣを更に大きく、かつ厚肉化するときの第２成
膜工程の終了状態を示す模式図である。
１ α−ＳｉＣ単結晶基材 １Ａ 矩形状のα−ＳｉＣ単結晶 １ａ 表面 ２ 硼素含有層 ３ β−ＳｉＣ層 ４，４´ 単結晶ＳｉＣ ５ サセプター（ダミー部材） Ｍ 複合体
フロントページの続き (56)参考文献 特表 平10−507734（ＪＰ，Ａ) Ｃｈｅｍ． ａｂｓｔｒ．， Ｖｏ ｌ．78，Ｎｏ．18，７ Ｍａｙ 1973 （Ｃｏｌｕｍｂｕｓ，ＯＨ ＵＳＡ）, ｐａｇｅ 337，ｃｏｌｕｍｎ２，ｔｈ ｅ ａｂｓｔｒａｃｔ Ｎｏ．116269 ｊ，Ｂｅｒｍａｎ，Ｉ．ｅｔ ａｌ．, ’Ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ ｏｆ ａｎｎｅ ａｌｉｎｇ ｏｎ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍ ｓ ｏｆ ｂｅｔａ ＳｉＣ，’Ｕ. Ｓ．Ａｉｒ Ｆｏｒｃｅ Ｃａｍｂｒｉ ｄｇｅ Ｒｅｓ．Ｌａｂ．，Ｐｈｙｓ. Ｓｃｉ．Ｒｅｓ．Ｐａｐ．1972，Ｎｏ. 516，11 ｐｐ．（Ｅｎｇ）. Ｃｈｅｍ． ａｂｓｔｒ．， Ｖｏ ｌ．81，Ｎｏ．24，16 Ｄｅｃ 1974 （Ｃｏｌｕｍｂｕｓ，ＯＨ ＵＳＡ）, ｐａｇｅ 462，ｃｏｌｕｍｎ１，ｔｈ ｅ ａｂｓｔｒａｃｔ Ｎｏ．160152 ｂ，Ｂｅｒｍａｎ，Ｉ．ｅｔ ａｌ．, ’Ａｎｎｅａｌｉｎｇ ｏｆ ｓｐｕｔ ｔｅｒｄ β−ｓｉｌｉｃｏｎ ｃａｒ ｂｉｄｅ，’ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｃａｒ ｂｉｄｅ， Ｐｒｏｃ． Ｉｎｔ．Ｃｏ ｎｆ． ３ｒｄ 1973（Ｐｕｂ. 1974），42−50（Ｅｎｇ) (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C30B 28/00 - 35/00 ＣＡ（ＳＴＮ)
Claims (9)
- 【請求項１】 α−ＳｉＣ単結晶基材の表面に硼素を含
んだ層を介して熱化学的蒸着法でβ−ＳｉＣ層を形成し
てなる複合体を熱処理することにより、上記β−ＳｉＣ
層の多結晶体をα−ＳｉＣに転化させるとともに上記α
−ＳｉＣ単結晶基材の結晶軸と同方位に配向させて単結
晶を一体に成長させていることを特徴とする単結晶Ｓｉ
Ｃ。 - 【請求項２】 上記硼素含有層が、硼素を含んだβ−Ｓ
ｉＣの熱化学的蒸着法によりα−ＳｉＣ単結晶基材の表
面に形成されたものである請求項１に記載の単結晶Ｓｉ
Ｃ。 - 【請求項３】 上記硼素含有層が、α−ＳｉＣ単結晶基
材の表面への硼素イオンの注入によりそのα−ＳｉＣ単
結晶基材の表面に形成されたものである請求項１に記載
の単結晶ＳｉＣ。 - 【請求項４】 α−ＳｉＣ単結晶基材の表面に硼素を含
んだ層を形成した後、その硼素含有層の表面に熱化学的
蒸着法によりβ−ＳｉＣ層を形成し、次に、その複合体
を熱処理して上記β−ＳｉＣ層の多結晶体をα−ＳｉＣ
に転化させるとともに上記α−ＳｉＣ単結晶基材の結晶
軸と同方位に配向して単結晶を一体化し育成することを
特徴とする単結晶ＳｉＣの製造方法。 - 【請求項５】 上記硼素含有層が、硼素を含んだβ−Ｓ
ｉＣの熱化学的蒸着法によりα−ＳｉＣ単結晶基材の表
面に形成されるものである請求項４に記載の単結晶Ｓｉ
Ｃの製造方法。 - 【請求項６】 上記硼素含有層が、α−ＳｉＣ単結晶基
材の表面への硼素イオンの注入によりそのα−ＳｉＣ単
結晶基材の表面に形成されるものである請求項４に記載
の単結晶ＳｉＣの製造方法。 - 【請求項７】 上記α−ＳｉＣ単結晶基材が、矩形状の
α−ＳｉＣ単結晶の複数枚を密着状態に並設されてなる
ものである請求項４ないし６のいずれかに記載の単結晶
ＳｉＣの製造方法。 - 【請求項８】 上記α−ＳｉＣ単結晶基材の表面に硼素
含有層を介して熱化学的蒸着法によりβ−ＳｉＣ層を形
成するとき、上記α−ＳｉＣ単結晶基材の表面の外周縁
よりも外方へ突出する多結晶体部分をカーボンまたはシ
リコン製のダミー部材で支持させ、β−ＳｉＣ層の形成
後、ダミー部材を除去し、かつ、そのダミー部材が除去
された複合体を上記α−ＳｉＣ単結晶基材以外は非接触
状態で支持させて熱処理を行なう請求項４ないし６のい
ずれかに記載の単結晶ＳｉＣの製造方法。 - 【請求項９】 一体成長された単結晶ＳｉＣの上記突出
部分を含む表面に、 該表面の外周縁よりも更に外周に突出する状態で硼素含
有層を介して熱化学的蒸着法によりβ−ＳｉＣ層を形成
する工程と、この工程で得られた複合体に対する熱処理
工程とを少なくとも１回以上繰り返す請求項８に記載の
単結晶ＳｉＣの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2327098A JP2939615B2 (ja) | 1998-02-04 | 1998-02-04 | 単結晶ＳｉＣ及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2327098A JP2939615B2 (ja) | 1998-02-04 | 1998-02-04 | 単結晶ＳｉＣ及びその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11228295A JPH11228295A (ja) | 1999-08-24 |
| JP2939615B2 true JP2939615B2 (ja) | 1999-08-25 |
Family
ID=12105924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2327098A Expired - Fee Related JP2939615B2 (ja) | 1998-02-04 | 1998-02-04 | 単結晶ＳｉＣ及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2939615B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8168515B2 (en) | 2009-05-11 | 2012-05-01 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method for manufacturing semiconductor substrate |
| CN117529584A (zh) * | 2021-10-22 | 2024-02-06 | 日本碍子株式会社 | SiC基板和SiC复合基板 |
-
1998
- 1998-02-04 JP JP2327098A patent/JP2939615B2/ja not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| Ｃｈｅｍ． ａｂｓｔｒ．， Ｖｏｌ．７８，Ｎｏ．１８，７ Ｍａｙ １９７３（Ｃｏｌｕｍｂｕｓ，ＯＨ ＵＳＡ），ｐａｇｅ ３３７，ｃｏｌｕｍｎ２，ｔｈｅ ａｂｓｔｒａｃｔ Ｎｏ．１１６２６９ｊ，Ｂｅｒｍａｎ，Ｉ．ｅｔ ａｌ．，’Ｉｎｆｌｕｅｎｃｅ ｏｆ ａｎｎｅａｌｉｎｇ ｏｎ ｔｈｉｎ ｆｉｌｍｓ ｏｆ ｂｅｔａ ＳｉＣ，’Ｕ．Ｓ．Ａｉｒ Ｆｏｒｃｅ Ｃａｍｂｒｉｄｇｅ Ｒｅｓ．Ｌａｂ．，Ｐｈｙｓ．Ｓｃｉ．Ｒｅｓ．Ｐａｐ．１９７２，Ｎｏ．５１６，１１ ｐｐ．（Ｅｎｇ）． |
| Ｃｈｅｍ． ａｂｓｔｒ．， Ｖｏｌ．８１，Ｎｏ．２４，１６ Ｄｅｃ １９７４（Ｃｏｌｕｍｂｕｓ，ＯＨ ＵＳＡ），ｐａｇｅ ４６２，ｃｏｌｕｍｎ１，ｔｈｅ ａｂｓｔｒａｃｔ Ｎｏ．１６０１５２ｂ，Ｂｅｒｍａｎ，Ｉ．ｅｔ ａｌ．，’Ａｎｎｅａｌｉｎｇ ｏｆ ｓｐｕｔｔｅｒｄ β−ｓｉｌｉｃｏｎ ｃａｒｂｉｄｅ，’ Ｓｉｌｉｃｏｎ Ｃａｒｂｉｄｅ， Ｐｒｏｃ． Ｉｎｔ．Ｃｏｎｆ． ３ｒｄ １９７３（Ｐｕｂ．１９７４），４２−５０（Ｅｎｇ） |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11228295A (ja) | 1999-08-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |