JP2964080B1 - 単結晶ＳｉＣおよびその製造方法 - Google Patents
単結晶ＳｉＣおよびその製造方法Info
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- JP2964080B1 JP2964080B1 JP19729498A JP19729498A JP2964080B1 JP 2964080 B1 JP2964080 B1 JP 2964080B1 JP 19729498 A JP19729498 A JP 19729498A JP 19729498 A JP19729498 A JP 19729498A JP 2964080 B1 JP2964080 B1 JP 2964080B1
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Abstract
【要約】
【課題】 格子欠陥およびマイクロパイプ欠陥の非常に
少ない高品位の単結晶を非常に生産性よく製造すること
ができるようにする。 【解決手段】 α−ＳｉＣ単結晶基板１とＳｉ原子及び
Ｃ原子により構成されるβ−ＳｉＣ多結晶板２とを両者
の対向面１ａ，２ａ間に微小隙間３を形成するように互
いに平行に対峙させた状態で、それら両板１，２を不活
性ガス雰囲気、かつ、ＳｉＣ飽和蒸気圧の雰囲気下で、
α−ＳｉＣ単結晶基板１側が低温に保たれるような温度
勾配を持たせて熱処理することにより、β−ＳｉＣ多結
晶板２を構成するＳｉ及びＣ原子を微小隙間３内に昇華
拡散させて低温のα−ＳｉＣ単結晶基板１上で再結晶さ
せ、α−ＳｉＣ単結晶基板１の結晶軸と同方位に配向さ
れた単結晶を一体に成長させる。
少ない高品位の単結晶を非常に生産性よく製造すること
ができるようにする。 【解決手段】 α−ＳｉＣ単結晶基板１とＳｉ原子及び
Ｃ原子により構成されるβ−ＳｉＣ多結晶板２とを両者
の対向面１ａ，２ａ間に微小隙間３を形成するように互
いに平行に対峙させた状態で、それら両板１，２を不活
性ガス雰囲気、かつ、ＳｉＣ飽和蒸気圧の雰囲気下で、
α−ＳｉＣ単結晶基板１側が低温に保たれるような温度
勾配を持たせて熱処理することにより、β−ＳｉＣ多結
晶板２を構成するＳｉ及びＣ原子を微小隙間３内に昇華
拡散させて低温のα−ＳｉＣ単結晶基板１上で再結晶さ
せ、α−ＳｉＣ単結晶基板１の結晶軸と同方位に配向さ
れた単結晶を一体に成長させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、単結晶ＳｉＣおよ
びその製造方法に関するもので、詳しくは、発光ダイオ
ードやＸ線光学素子、高温半導体電子素子の基板ウエハ
などとして用いられる単結晶ＳｉＣおよびその製造方法
に関するものである。
びその製造方法に関するもので、詳しくは、発光ダイオ
ードやＸ線光学素子、高温半導体電子素子の基板ウエハ
などとして用いられる単結晶ＳｉＣおよびその製造方法
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＳｉＣ（炭化珪素）は、耐熱性および機
械的強度に優れているだけでなく、放射線にも強く、さ
らに不純物の添加によって電子や正孔の価電子制御が容
易である上、広い禁制帯幅を持つ（因みに、６Ｈ型のＳ
ｉＣ単結晶で約３．０ｅＶ、４Ｈ型のＳｉＣ単結晶で
３．２６ｅＶ）ために、Ｓｉ（シリコン）やＧａＡｓ
（ガリウムヒ素）などの既存の半導体材料では実現する
ことができない高温、高周波、耐電圧、耐環境性を実現
することが可能で、次世代のパワーデバイス用半導体材
料として注目され、かつ期待されている。
械的強度に優れているだけでなく、放射線にも強く、さ
らに不純物の添加によって電子や正孔の価電子制御が容
易である上、広い禁制帯幅を持つ（因みに、６Ｈ型のＳ
ｉＣ単結晶で約３．０ｅＶ、４Ｈ型のＳｉＣ単結晶で
３．２６ｅＶ）ために、Ｓｉ（シリコン）やＧａＡｓ
（ガリウムヒ素）などの既存の半導体材料では実現する
ことができない高温、高周波、耐電圧、耐環境性を実現
することが可能で、次世代のパワーデバイス用半導体材
料として注目され、かつ期待されている。
【０００３】この種のＳｉＣ単結晶の成長（製造）方法
として、従来、黒鉛るつぼ内で原料のＳｉＣ粉末を昇華
させ、その昇華ガスをるつぼ内の低温部に再結晶させる
昇華再結晶法（レーリー法）や、黒鉛るつぼ内の低温側
に種結晶を配置し、原料となるＳｉＣから昇華したガス
を閉鎖空間内で拡散輸送させて低温に設定されている種
結晶上に再結晶させる改良型昇華再結晶法（改良レーリ
ー法）、さらにＳｉ（シリコン）基板上に化学気相成長
法（ＣＶＤ法）を用いてエピタキシャル成長させること
により立方晶のＳｉＣ単結晶（β−ＳｉＣ）を成長させ
るエピタキシャル方法等が知られている。
として、従来、黒鉛るつぼ内で原料のＳｉＣ粉末を昇華
させ、その昇華ガスをるつぼ内の低温部に再結晶させる
昇華再結晶法（レーリー法）や、黒鉛るつぼ内の低温側
に種結晶を配置し、原料となるＳｉＣから昇華したガス
を閉鎖空間内で拡散輸送させて低温に設定されている種
結晶上に再結晶させる改良型昇華再結晶法（改良レーリ
ー法）、さらにＳｉ（シリコン）基板上に化学気相成長
法（ＣＶＤ法）を用いてエピタキシャル成長させること
により立方晶のＳｉＣ単結晶（β−ＳｉＣ）を成長させ
るエピタキシャル方法等が知られている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
た従来の製造方法のうち、昇華再結晶法や改良型昇華再
結晶法にあっては、単結晶の大口径化に困難を伴うばか
りでなく、結晶成長の過程で同一結晶内に二つ以上のポ
リタイプ（結晶多形）が混在して、そのポリタイプ界面
に結晶欠陥が導入されやすい。近年では、改良型昇華再
結晶法の研究開発の進歩によって、結晶成長速度の進展
および単結晶の大型単結晶成長が可能になってきている
ものの、マイクロパイプ欠陥と呼ばれ半導体デバイスを
作製した際の漏れ電流等の原因となる結晶の成長方向に
貫通する直径数ミクロンのピンホールが１００〜１００
０／ｃｍ2 程度成長結晶中に残存しやすくて、品質的に
は未だ十分なものが得られないという問題がある。ま
た、エピタキシャル方法は、基板温度が高い上に、基板
が高温なため再蒸発量も多く、高純度の還元性雰囲気を
作ることも必要で設備的に非常に困難であり、さらに、
エピタキシャル成長のため結晶成長速度にも自ずと限界
があって、単結晶ＳｉＣの生産性が非常に悪いという問
題があり、このことが既述のようにＳｉやＧａＡｓなど
の既存の半導体材料に比べて多くの優れた特徴を有しな
がらも、その実用化を阻止する要因になっている。
た従来の製造方法のうち、昇華再結晶法や改良型昇華再
結晶法にあっては、単結晶の大口径化に困難を伴うばか
りでなく、結晶成長の過程で同一結晶内に二つ以上のポ
リタイプ（結晶多形）が混在して、そのポリタイプ界面
に結晶欠陥が導入されやすい。近年では、改良型昇華再
結晶法の研究開発の進歩によって、結晶成長速度の進展
および単結晶の大型単結晶成長が可能になってきている
ものの、マイクロパイプ欠陥と呼ばれ半導体デバイスを
作製した際の漏れ電流等の原因となる結晶の成長方向に
貫通する直径数ミクロンのピンホールが１００〜１００
０／ｃｍ2 程度成長結晶中に残存しやすくて、品質的に
は未だ十分なものが得られないという問題がある。ま
た、エピタキシャル方法は、基板温度が高い上に、基板
が高温なため再蒸発量も多く、高純度の還元性雰囲気を
作ることも必要で設備的に非常に困難であり、さらに、
エピタキシャル成長のため結晶成長速度にも自ずと限界
があって、単結晶ＳｉＣの生産性が非常に悪いという問
題があり、このことが既述のようにＳｉやＧａＡｓなど
の既存の半導体材料に比べて多くの優れた特徴を有しな
がらも、その実用化を阻止する要因になっている。
【０００５】本発明は上記実情に鑑みてなされたもの
で、マイクロパイプ欠陥等の非常に少ない高品質かつ大
型の単結晶ＳｉＣと、このような高品質、大型の単結晶
を非常に生産性よく製造することができ、半導体材料と
しての実用化を可能とする単結晶ＳｉＣの製造方法を提
供することを目的としている。
で、マイクロパイプ欠陥等の非常に少ない高品質かつ大
型の単結晶ＳｉＣと、このような高品質、大型の単結晶
を非常に生産性よく製造することができ、半導体材料と
しての実用化を可能とする単結晶ＳｉＣの製造方法を提
供することを目的としている。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に記載の発明に係る単結晶ＳｉＣは、種結
晶となるＳｉＣ単結晶基板とＳｉ原子及びＣ原子により
構成された板材とを１００μｍ以下の微小隙間を隔てて
互いに平行に対峙させた状態で、大気圧以下の不活性ガ
ス雰囲気、かつ、ＳｉＣ飽和蒸気雰囲気下で、上記Ｓｉ
Ｃ単結晶基板側が上記板材よりも低温に保たれるような
温度勾配を持たせて熱処理することにより、上記板材を
構成するＳｉ原子及びＣ原子を上記微小隙間に昇華拡散
させるとともに、種結晶となる低温側の上記ＳｉＣ単結
晶基板上で再結晶させて該ＳｉＣ単結晶基板の結晶軸と
同方位に配向された単結晶が一体に成長されていること
を特徴とするものであり、また、請求項５に記載の発明
に係る単結晶ＳｉＣの製造方法は、種結晶となるＳｉＣ
単結晶基板とＳｉ原子及びＣ原子により構成された板材
とを両者の対向面間に１００μｍ以下の微小隙間を形成
するように互いに平行に対峙させた後、それらＳｉＣ単
結晶基板及び板材を大気圧以下の不活性ガス雰囲気、か
つ、ＳｉＣ飽和蒸気雰囲気下で、上記ＳｉＣ単結晶基板
側が上記板材よりも低温に保たれるような温度勾配を持
たせて熱処理することにより、上記板材を構成するＳｉ
原子及びＣ原子を上記微小隙間に昇華拡散させ、この昇
華拡散されたＳｉ原子及びＣ原子を種結晶となる低温側
の上記ＳｉＣ単結晶基板上で再結晶させて該ＳｉＣ単結
晶基板の結晶軸と同方位に配向された単結晶を一体に育
成することを特徴とするものである。
に、請求項１に記載の発明に係る単結晶ＳｉＣは、種結
晶となるＳｉＣ単結晶基板とＳｉ原子及びＣ原子により
構成された板材とを１００μｍ以下の微小隙間を隔てて
互いに平行に対峙させた状態で、大気圧以下の不活性ガ
ス雰囲気、かつ、ＳｉＣ飽和蒸気雰囲気下で、上記Ｓｉ
Ｃ単結晶基板側が上記板材よりも低温に保たれるような
温度勾配を持たせて熱処理することにより、上記板材を
構成するＳｉ原子及びＣ原子を上記微小隙間に昇華拡散
させるとともに、種結晶となる低温側の上記ＳｉＣ単結
晶基板上で再結晶させて該ＳｉＣ単結晶基板の結晶軸と
同方位に配向された単結晶が一体に成長されていること
を特徴とするものであり、また、請求項５に記載の発明
に係る単結晶ＳｉＣの製造方法は、種結晶となるＳｉＣ
単結晶基板とＳｉ原子及びＣ原子により構成された板材
とを両者の対向面間に１００μｍ以下の微小隙間を形成
するように互いに平行に対峙させた後、それらＳｉＣ単
結晶基板及び板材を大気圧以下の不活性ガス雰囲気、か
つ、ＳｉＣ飽和蒸気雰囲気下で、上記ＳｉＣ単結晶基板
側が上記板材よりも低温に保たれるような温度勾配を持
たせて熱処理することにより、上記板材を構成するＳｉ
原子及びＣ原子を上記微小隙間に昇華拡散させ、この昇
華拡散されたＳｉ原子及びＣ原子を種結晶となる低温側
の上記ＳｉＣ単結晶基板上で再結晶させて該ＳｉＣ単結
晶基板の結晶軸と同方位に配向された単結晶を一体に育
成することを特徴とするものである。
【０００７】上記のような構成要件を有する請求項１及
び請求項５に記載の発明によれば、種結晶となるＳｉＣ
単結晶基板とＳｉ原子及びＣ原子により構成された板材
とが１００μｍ以下の微小隙間を隔てて互いに平行に対
峙された状態で熱処理するといった超近接昇華法の採用
により、微小隙間を通じての伝熱作用によって両板全域
の昇温速度を全体的に早めて熱処理効率の向上を図りつ
つ、系外から対峙する両板間への不純物の侵入を防ぐこ
とが可能である。また、熱処理時にはＳｉＣ単結晶基板
側が上記板材よりも低温に保たれるような温度勾配を持
たせることによって、上記微小隙間に面する板材側から
微小隙間に昇華される該板材を構成するＳｉ原子及びＣ
原子は大きな運動エネルギーを持って拡散され、それら
原子間配列を変えて低温側のＳｉＣ単結晶基板上で単結
晶に再結晶されるといったように、板材側から上記微小
隙間へのＳｉ原子及びＣ原子の昇華拡散とそれら原子間
配列の変換を伴う低温側ＳｉＣ単結晶基板上での再結晶
との繰り返しにより、板材を構成するＳｉ原子およびＣ
原子の単結晶化率が向上されることになり、種結晶とな
るＳｉＣ単結晶基板上にその結晶軸と同方位に配向され
た良質の単結晶を一体に成長させることが可能である。
び請求項５に記載の発明によれば、種結晶となるＳｉＣ
単結晶基板とＳｉ原子及びＣ原子により構成された板材
とが１００μｍ以下の微小隙間を隔てて互いに平行に対
峙された状態で熱処理するといった超近接昇華法の採用
により、微小隙間を通じての伝熱作用によって両板全域
の昇温速度を全体的に早めて熱処理効率の向上を図りつ
つ、系外から対峙する両板間への不純物の侵入を防ぐこ
とが可能である。また、熱処理時にはＳｉＣ単結晶基板
側が上記板材よりも低温に保たれるような温度勾配を持
たせることによって、上記微小隙間に面する板材側から
微小隙間に昇華される該板材を構成するＳｉ原子及びＣ
原子は大きな運動エネルギーを持って拡散され、それら
原子間配列を変えて低温側のＳｉＣ単結晶基板上で単結
晶に再結晶されるといったように、板材側から上記微小
隙間へのＳｉ原子及びＣ原子の昇華拡散とそれら原子間
配列の変換を伴う低温側ＳｉＣ単結晶基板上での再結晶
との繰り返しにより、板材を構成するＳｉ原子およびＣ
原子の単結晶化率が向上されることになり、種結晶とな
るＳｉＣ単結晶基板上にその結晶軸と同方位に配向され
た良質の単結晶を一体に成長させることが可能である。
【０００８】上記請求項１に記載の発明に係る単結晶Ｓ
ｉＣ及び請求項５に記載の発明に係る単結晶ＳｉＣの製
造方法において、ＳｉＣ単結晶基板と対峙される板材と
しては、請求項２及び請求項６に記載のように、ＳｉＣ
多結晶板、ＳｉＣアモルファスもしくは高純度焼結体の
いずれを使用する場合も、上記と同様に、微小隙間内で
のＳｉ原子とＣ原子との昇華再結晶の繰り返しによって
高品質な単結晶ＳｉＣを生産性よく得ることが可能であ
る。
ｉＣ及び請求項５に記載の発明に係る単結晶ＳｉＣの製
造方法において、ＳｉＣ単結晶基板と対峙される板材と
しては、請求項２及び請求項６に記載のように、ＳｉＣ
多結晶板、ＳｉＣアモルファスもしくは高純度焼結体の
いずれを使用する場合も、上記と同様に、微小隙間内で
のＳｉ原子とＣ原子との昇華再結晶の繰り返しによって
高品質な単結晶ＳｉＣを生産性よく得ることが可能であ
る。
【０００９】また、上記請求項２に記載の発明に係る単
結晶ＳｉＣ及び請求項６に記載の発明に係る単結晶Ｓｉ
Ｃの製造方法において、ＳｉＣ多結晶板として、請求項
３及び請求項７に記載のように、熱化学蒸着法により板
状に製作されたものを使用することにより、ＳｉＣ多結
晶板自体として不純物の少ない高純度なものを用いて、
ＳｉＣ単結晶基板とＳｉＣ多結晶板との間に結晶粒界な
どを形成しないで、品質の一層高い単結晶ＳｉＣを得る
ことができる。
結晶ＳｉＣ及び請求項６に記載の発明に係る単結晶Ｓｉ
Ｃの製造方法において、ＳｉＣ多結晶板として、請求項
３及び請求項７に記載のように、熱化学蒸着法により板
状に製作されたものを使用することにより、ＳｉＣ多結
晶板自体として不純物の少ない高純度なものを用いて、
ＳｉＣ単結晶基板とＳｉＣ多結晶板との間に結晶粒界な
どを形成しないで、品質の一層高い単結晶ＳｉＣを得る
ことができる。
【００１０】また、上記請求項１ないし３のいずれかに
記載の発明に係る単結晶ＳｉＣ及び請求項５ないし７の
いずれかに記載の発明に係る単結晶ＳｉＣの製造方法に
おいて、上記ＳｉＣ単結晶基板の上記板材と対向する結
晶面として、アチソン法により作られたＳｉＣ単結晶塊
からＳｉＣ単結晶基板を切り出したときの（０００１）
面を（１１- 2 ０）面方向に約１．５〜１０°傾斜させ
て研磨した面を使用することによって、結晶面の熱エッ
チングなどによる欠陥の発生がなくなり、ＳｉＣ単結晶
の品質を一層高めることができる。
記載の発明に係る単結晶ＳｉＣ及び請求項５ないし７の
いずれかに記載の発明に係る単結晶ＳｉＣの製造方法に
おいて、上記ＳｉＣ単結晶基板の上記板材と対向する結
晶面として、アチソン法により作られたＳｉＣ単結晶塊
からＳｉＣ単結晶基板を切り出したときの（０００１）
面を（１１- 2 ０）面方向に約１．５〜１０°傾斜させ
て研磨した面を使用することによって、結晶面の熱エッ
チングなどによる欠陥の発生がなくなり、ＳｉＣ単結晶
の品質を一層高めることができる。
【００１１】また、上記請求項５ないし８のいずれかに
記載の発明に係る単結晶ＳｉＣの製造方法において、上
記ＳｉＣ単結晶基板とＳｉ原子及びＣ原子により構成さ
れた板材との対向面間の微小隙間として、請求項９に記
載のように、１０μｍ以下に保持させて熱処理すること
が好ましい。それは、高温側の板より蒸発したＳｉ，
Ｃ，ＳｉＣ，ＳｉＣ2 等の単原子、２〜３原子分子が飛
程中に相互に衝突し合体してクラスターを形成した後に
ＳｉＣ単結晶基板の表面に付着すると、下地のＳｉＣ単
結晶基板表面に倣って再配列し難く、異常成長核とな
り、エピタキシャル成長を阻害する確率が高くなる。し
たがって、高温側の板から蒸発した原子、分子がＳｉＣ
単結晶基板の表面に到達する迄の間に互いに衝突する確
率を極力低減することが望ましく、両板の対向面間の微
小隙間は、蒸発原子、分子の平均自由工程（約１０μ
ｍ）以下であることが望ましい。実用上は高温度下での
熱変形等を考慮して１００μｍ以下の適当な微小隙間に
設定することにより、高品質なＳｉＣ単結晶層を種結晶
の上面全域に形成し、その高品質再結晶面を種結晶とし
て用いることができるからである。
記載の発明に係る単結晶ＳｉＣの製造方法において、上
記ＳｉＣ単結晶基板とＳｉ原子及びＣ原子により構成さ
れた板材との対向面間の微小隙間として、請求項９に記
載のように、１０μｍ以下に保持させて熱処理すること
が好ましい。それは、高温側の板より蒸発したＳｉ，
Ｃ，ＳｉＣ，ＳｉＣ2 等の単原子、２〜３原子分子が飛
程中に相互に衝突し合体してクラスターを形成した後に
ＳｉＣ単結晶基板の表面に付着すると、下地のＳｉＣ単
結晶基板表面に倣って再配列し難く、異常成長核とな
り、エピタキシャル成長を阻害する確率が高くなる。し
たがって、高温側の板から蒸発した原子、分子がＳｉＣ
単結晶基板の表面に到達する迄の間に互いに衝突する確
率を極力低減することが望ましく、両板の対向面間の微
小隙間は、蒸発原子、分子の平均自由工程（約１０μ
ｍ）以下であることが望ましい。実用上は高温度下での
熱変形等を考慮して１００μｍ以下の適当な微小隙間に
設定することにより、高品質なＳｉＣ単結晶層を種結晶
の上面全域に形成し、その高品質再結晶面を種結晶とし
て用いることができるからである。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
にもとづいて説明する。図１は本発明に係る単結晶Ｓｉ
Ｃの製造方法の実施の形態による熱処理前の状態を示す
模式図であり、この実施の形態で種結晶として使用する
六方晶系（６Ｈ型）のα−ＳｉＣ単結晶基板１として
は、図３に示すように、アチソン法により作られたα−
ＳｉＣ単結晶塊１´から多数の板状ＳｉＣ単結晶片１Ａ
を切出したとき、その切出された板状ＳｉＣ単結晶片１
ＡのＣ軸方向の（０００１）面を図４に明示するよう
に、（１１- 2 ０）面方向に１．５〜１０°の角度
（θ）範囲、具体的には３．５°傾斜させて研磨加工し
てＲＭＳ１０００オングストローム以下、好ましくは５
０オングストローム以下の表面粗度を持つ平滑な結晶面
１ａに調整されたものを用いる。
にもとづいて説明する。図１は本発明に係る単結晶Ｓｉ
Ｃの製造方法の実施の形態による熱処理前の状態を示す
模式図であり、この実施の形態で種結晶として使用する
六方晶系（６Ｈ型）のα−ＳｉＣ単結晶基板１として
は、図３に示すように、アチソン法により作られたα−
ＳｉＣ単結晶塊１´から多数の板状ＳｉＣ単結晶片１Ａ
を切出したとき、その切出された板状ＳｉＣ単結晶片１
ＡのＣ軸方向の（０００１）面を図４に明示するよう
に、（１１- 2 ０）面方向に１．５〜１０°の角度
（θ）範囲、具体的には３．５°傾斜させて研磨加工し
てＲＭＳ１０００オングストローム以下、好ましくは５
０オングストローム以下の表面粗度を持つ平滑な結晶面
１ａに調整されたものを用いる。
【００１３】また、Ｓｉ原子及びＣ原子により構成され
る板材の一例としては、１３００〜１９００℃範囲の熱
化学蒸着法（以下、熱ＣＶＤ法という）により別途製作
される立方晶系のβ−ＳｉＣ多結晶板２を用いる。この
β−ＳｉＣ多結晶板２は、図示省略する焼結黒鉛の上に
熱ＣＶＤ法によって（１１１）面が高配向となる約１ｍ
ｍ厚さの膜を作製した後、上記黒鉛の焼却除去によって
単離させた０．８ｍｍ厚さの平板状材の両面２ａ，２ａ
をスリガラス状に研磨することでＰＶ、即ち、Ｒｍａ
ｘ．０．３〜１０μｍ範囲、好ましくは０．５μｍの粗
面に形成されているものである。
る板材の一例としては、１３００〜１９００℃範囲の熱
化学蒸着法（以下、熱ＣＶＤ法という）により別途製作
される立方晶系のβ−ＳｉＣ多結晶板２を用いる。この
β−ＳｉＣ多結晶板２は、図示省略する焼結黒鉛の上に
熱ＣＶＤ法によって（１１１）面が高配向となる約１ｍ
ｍ厚さの膜を作製した後、上記黒鉛の焼却除去によって
単離させた０．８ｍｍ厚さの平板状材の両面２ａ，２ａ
をスリガラス状に研磨することでＰＶ、即ち、Ｒｍａ
ｘ．０．３〜１０μｍ範囲、好ましくは０．５μｍの粗
面に形成されているものである。
【００１４】上記α−ＳｉＣ単結晶基板１をカーボン板
５上に載置するとともに、このα−ＳｉＣ単結晶基板１
より外周辺のカーボン板５上に設けたスペーサ６を介し
て上記平板状のβ−ＳｉＣ多結晶板２を上記α−ＳｉＣ
単結晶基板１上に載置して互いに平行に対峙させること
により、上記α−ＳｉＣ単結晶基板１の平滑な結晶面１
ａとこれに対向する上記β−ＳｉＣ多結晶板２の粗表面
２ａとの間に１００μｍ以下、好ましくは１０μｍ以下
の微少隙間３を形成させる。
５上に載置するとともに、このα−ＳｉＣ単結晶基板１
より外周辺のカーボン板５上に設けたスペーサ６を介し
て上記平板状のβ−ＳｉＣ多結晶板２を上記α−ＳｉＣ
単結晶基板１上に載置して互いに平行に対峙させること
により、上記α−ＳｉＣ単結晶基板１の平滑な結晶面１
ａとこれに対向する上記β−ＳｉＣ多結晶板２の粗表面
２ａとの間に１００μｍ以下、好ましくは１０μｍ以下
の微少隙間３を形成させる。
【００１５】この状態で、上記α−ＳｉＣ単結晶基板１
及びβ−ＳｉＣ多結晶板２をカーボン製抵抗発熱炉（図
示省略する）内に上記カーボン板５が水平姿勢となるよ
うに挿入することにより、熱処理時には下側に位置する
上記α−ＳｉＣ単結晶基板１側がβ−ＳｉＣ多結晶板２
よりも低温に保たれるように配置し、その周囲にＳｉＣ
塊４…を配置充填するとともに、Ａｒなどの不活性ガス
気流を１atom程度注入して炉の中心温度が２０００〜２
３００℃に達するまで１０時間かけて平均速度で昇温さ
せ、かつ、その２０００〜２３００℃で５時間程度保持
させるといったように、不活性ガス雰囲気、かつ、Ｓｉ
Ｃ飽和蒸気雰囲気下で熱処理を施すことにより、微小隙
間３に面するβ−ＳｉＣ多結晶板２側から昇華されて微
小隙間３内に放出されたＳｉ原子及びＣ原子は大きな運
動エネルギーを持って拡散されるとともに、それらＳｉ
原子及びＣ原子の配列が変えられて低温側のα−ＳｉＣ
単結晶基板１上で単結晶に再結晶される。
及びβ−ＳｉＣ多結晶板２をカーボン製抵抗発熱炉（図
示省略する）内に上記カーボン板５が水平姿勢となるよ
うに挿入することにより、熱処理時には下側に位置する
上記α−ＳｉＣ単結晶基板１側がβ−ＳｉＣ多結晶板２
よりも低温に保たれるように配置し、その周囲にＳｉＣ
塊４…を配置充填するとともに、Ａｒなどの不活性ガス
気流を１atom程度注入して炉の中心温度が２０００〜２
３００℃に達するまで１０時間かけて平均速度で昇温さ
せ、かつ、その２０００〜２３００℃で５時間程度保持
させるといったように、不活性ガス雰囲気、かつ、Ｓｉ
Ｃ飽和蒸気雰囲気下で熱処理を施すことにより、微小隙
間３に面するβ−ＳｉＣ多結晶板２側から昇華されて微
小隙間３内に放出されたＳｉ原子及びＣ原子は大きな運
動エネルギーを持って拡散されるとともに、それらＳｉ
原子及びＣ原子の配列が変えられて低温側のα−ＳｉＣ
単結晶基板１上で単結晶に再結晶される。
【００１６】ここで、上記α−ＳｉＣ単結晶基板１とβ
−ＳｉＣ多結晶板２との対向面間の微小隙間３を１００
μｍ以下、特に、高温側のβ−ＳｉＣ多結晶板２から蒸
発したＳｉ，Ｃ，ＳｉＣ，ＳｉＣ2 等の単原子、２〜３
原子分子の平均自由工程（約１０μｍ）以下に設定する
ことによって、それら蒸発原子、分子がα−ＳｉＣ単結
晶基板１の結晶面１ａに到達する迄の間に互いに衝突す
る確率を低減して再配列しやすい条件とすることが可能
となり、これによって、高品質なＳｉＣ単結晶層を種結
晶の上面全域に形成することになる。
−ＳｉＣ多結晶板２との対向面間の微小隙間３を１００
μｍ以下、特に、高温側のβ−ＳｉＣ多結晶板２から蒸
発したＳｉ，Ｃ，ＳｉＣ，ＳｉＣ2 等の単原子、２〜３
原子分子の平均自由工程（約１０μｍ）以下に設定する
ことによって、それら蒸発原子、分子がα−ＳｉＣ単結
晶基板１の結晶面１ａに到達する迄の間に互いに衝突す
る確率を低減して再配列しやすい条件とすることが可能
となり、これによって、高品質なＳｉＣ単結晶層を種結
晶の上面全域に形成することになる。
【００１７】上記のように、β−ＳｉＣ多結晶板２から
微小隙間３内にＳｉ原子及びＣ原子が次々と昇華放出さ
れることと、それら昇華放出されたＳｉ原子及びＣ原子
の拡散運動エネルギーによって格子振動が起こり、この
格子振動により原子間配列が変換されて低温側のα−Ｓ
ｉＣ単結晶基板１上で単結晶に再結晶されることとの繰
り返しにより、熱処理の進行に伴いβ−ＳｉＣ多結晶板
２が次第に薄肉化されつつ、それを構成するＳｉ原子お
よびＣ原子の単結晶化率が向上されることになり、その
結果、図２に示すように、種結晶となるα−ＳｉＣ単結
晶基板１上にその結晶軸と同方位に配向された良質の単
結晶部分２´を一体に成長させることが可能である。
微小隙間３内にＳｉ原子及びＣ原子が次々と昇華放出さ
れることと、それら昇華放出されたＳｉ原子及びＣ原子
の拡散運動エネルギーによって格子振動が起こり、この
格子振動により原子間配列が変換されて低温側のα−Ｓ
ｉＣ単結晶基板１上で単結晶に再結晶されることとの繰
り返しにより、熱処理の進行に伴いβ−ＳｉＣ多結晶板
２が次第に薄肉化されつつ、それを構成するＳｉ原子お
よびＣ原子の単結晶化率が向上されることになり、その
結果、図２に示すように、種結晶となるα−ＳｉＣ単結
晶基板１上にその結晶軸と同方位に配向された良質の単
結晶部分２´を一体に成長させることが可能である。
【００１８】また、上記のような熱処理によるβ−Ｓｉ
Ｃ多結晶板２の昇華、再結晶時において、互いに平行に
対峙された上記α−ＳｉＣ単結晶基板１とβ−ＳｉＣ多
結晶板２との間に形成されている微小隙間３は常にほぼ
一定の大きさに保持されることになるので、この微小隙
間３を通しての伝熱作用により、両板１，２全域の必要
熱処理温度までの昇温速度を全体的に早めて熱処理効率
の向上を図りつつ、系外から対峙する両板１，２間への
不純物の侵入を防いで、一体に成長された単結晶部分２
´内に不純物が入り込むことによる品質の低下も防止す
ることが可能である。
Ｃ多結晶板２の昇華、再結晶時において、互いに平行に
対峙された上記α−ＳｉＣ単結晶基板１とβ−ＳｉＣ多
結晶板２との間に形成されている微小隙間３は常にほぼ
一定の大きさに保持されることになるので、この微小隙
間３を通しての伝熱作用により、両板１，２全域の必要
熱処理温度までの昇温速度を全体的に早めて熱処理効率
の向上を図りつつ、系外から対峙する両板１，２間への
不純物の侵入を防いで、一体に成長された単結晶部分２
´内に不純物が入り込むことによる品質の低下も防止す
ることが可能である。
【００１９】以上のように、対峙された両板１，２全域
の所定熱処理温度への昇温速度が早くなることと、β−
ＳｉＣ多結晶板２のＳｉ及びＣ原子を順次、α−ＳｉＣ
単結晶基板１上に昇華再結晶（気相成長）させて良質の
単結晶部分２´を成長させることの相乗作用によって、
少ない熱エネルギーでβ−ＳｉＣ多結晶板２の全域を効
率よく単結晶化して、格子欠陥およびマイクロパイプ欠
陥の非常に少ない高品質な単結晶ＳｉＣを生産性よく製
造することができる。
の所定熱処理温度への昇温速度が早くなることと、β−
ＳｉＣ多結晶板２のＳｉ及びＣ原子を順次、α−ＳｉＣ
単結晶基板１上に昇華再結晶（気相成長）させて良質の
単結晶部分２´を成長させることの相乗作用によって、
少ない熱エネルギーでβ−ＳｉＣ多結晶板２の全域を効
率よく単結晶化して、格子欠陥およびマイクロパイプ欠
陥の非常に少ない高品質な単結晶ＳｉＣを生産性よく製
造することができる。
【００２０】特に、上記実施の形態では、上記α−Ｓｉ
Ｃ単結晶基板１の結晶面１ａとして、アチソン法により
作られたＳｉＣ単結晶塊１´から切り出された板状Ｓｉ
Ｃ単結晶片１ＡのＣ軸方向の（０００１）面を（１１-
2 ０）面方向に３．５°の角度（θ）で傾斜させて研磨
加工した面を使用しており、これによって、結晶面１ａ
の熱エッチングなどによる欠陥の発生がなくなり、Ｓｉ
Ｃ単結晶の品質を一層高めることができる。
Ｃ単結晶基板１の結晶面１ａとして、アチソン法により
作られたＳｉＣ単結晶塊１´から切り出された板状Ｓｉ
Ｃ単結晶片１ＡのＣ軸方向の（０００１）面を（１１-
2 ０）面方向に３．５°の角度（θ）で傾斜させて研磨
加工した面を使用しており、これによって、結晶面１ａ
の熱エッチングなどによる欠陥の発生がなくなり、Ｓｉ
Ｃ単結晶の品質を一層高めることができる。
【００２１】なお、上記実施の形態では、上記α−Ｓｉ
Ｃ単結晶基板１として６Ｈ型のものを用いたが、４Ｈ型
のものを使用してもよい。
Ｃ単結晶基板１として６Ｈ型のものを用いたが、４Ｈ型
のものを使用してもよい。
【００２２】また、上記実施の形態では、Ｓｉ原子及び
Ｃ原子により構成される板材として、β−ＳｉＣ多結晶
板２を用いたもので説明したが、これに代えて、高純度
（１０14atm ／ｃｍ3 以下）のＳｉＣアモルファス板、
高純度ＳｉＣ焼結体を使用しても、上記と同様な高品位
の単結晶ＳｉＣを得ることが可能である。
Ｃ原子により構成される板材として、β−ＳｉＣ多結晶
板２を用いたもので説明したが、これに代えて、高純度
（１０14atm ／ｃｍ3 以下）のＳｉＣアモルファス板、
高純度ＳｉＣ焼結体を使用しても、上記と同様な高品位
の単結晶ＳｉＣを得ることが可能である。
【００２３】なお、本明細書の中で、（１１- 2 ０）面
と記載したものは、日本工業規格Ｘ０２０８号に定めら
れている文字以外の文字に相当するものであり、正式に
は次の通りである。
と記載したものは、日本工業規格Ｘ０２０８号に定めら
れている文字以外の文字に相当するものであり、正式に
は次の通りである。
【００２４】
【外１】
【００２５】
【発明の効果】以上のように、請求項１及び請求項５に
記載の発明によれば、種結晶となるＳｉＣ単結晶基板と
Ｓｉ原子及びＣ原子により構成された板材とを微小隙間
を隔てて互いに平行に対峙させた状態で熱処理するとい
った超近接昇華法の採用により、微小隙間を通じての伝
熱作用によって両板全域の昇温速度を全体的に早めて熱
処理効率の向上を図り得るとともに、系外から対峙する
両板間への不純物の侵入を防ぐことができる。また、Ｓ
ｉＣ単結晶基板側を上記板材よりも低温に保つような温
度勾配を持たせて熱処理することによって、板材側から
微小隙間に昇華されるＳｉ原子及びＣ原子に大きな運動
エネルギーを与えてこれら原子を拡散させ、低温側のＳ
ｉＣ単結晶基板上に所定の原子配列を持つ単結晶を順次
再結晶させるといったように、板材側のＳｉ原子及びＣ
原子の昇華拡散とそれら原子間配列を変換させて低温側
ＳｉＣ単結晶基板上で再結晶させることの繰り返しによ
り、板材を構成するＳｉ原子およびＣ原子の単結晶化率
の向上を図ることができる。したがって、Ｓｉ原子とＣ
原子により構成される板材を少ない熱エネルギーで効率
よく単結晶化して、不純物の導入、格子欠陥およびマイ
クロパイプ欠陥の非常に少ない高品質な単結晶ＳｉＣを
非常に生産性よく得ることができ、これによって、Ｓｉ
（シリコン）やＧａＡｓ（ガリウムヒ素）などの既存の
半導体材料に比べて高温、高周波、耐電圧、耐環境性に
優れパワーデバイス用半導体材料として期待されている
単結晶ＳｉＣの実用化を促進することができるという効
果を奏する。
記載の発明によれば、種結晶となるＳｉＣ単結晶基板と
Ｓｉ原子及びＣ原子により構成された板材とを微小隙間
を隔てて互いに平行に対峙させた状態で熱処理するとい
った超近接昇華法の採用により、微小隙間を通じての伝
熱作用によって両板全域の昇温速度を全体的に早めて熱
処理効率の向上を図り得るとともに、系外から対峙する
両板間への不純物の侵入を防ぐことができる。また、Ｓ
ｉＣ単結晶基板側を上記板材よりも低温に保つような温
度勾配を持たせて熱処理することによって、板材側から
微小隙間に昇華されるＳｉ原子及びＣ原子に大きな運動
エネルギーを与えてこれら原子を拡散させ、低温側のＳ
ｉＣ単結晶基板上に所定の原子配列を持つ単結晶を順次
再結晶させるといったように、板材側のＳｉ原子及びＣ
原子の昇華拡散とそれら原子間配列を変換させて低温側
ＳｉＣ単結晶基板上で再結晶させることの繰り返しによ
り、板材を構成するＳｉ原子およびＣ原子の単結晶化率
の向上を図ることができる。したがって、Ｓｉ原子とＣ
原子により構成される板材を少ない熱エネルギーで効率
よく単結晶化して、不純物の導入、格子欠陥およびマイ
クロパイプ欠陥の非常に少ない高品質な単結晶ＳｉＣを
非常に生産性よく得ることができ、これによって、Ｓｉ
（シリコン）やＧａＡｓ（ガリウムヒ素）などの既存の
半導体材料に比べて高温、高周波、耐電圧、耐環境性に
優れパワーデバイス用半導体材料として期待されている
単結晶ＳｉＣの実用化を促進することができるという効
果を奏する。
【００２６】特に、Ｓｉ原子及びＣ原子により構成され
る板材として、熱ＣＶＤ法により板状に製作されたもの
を使用する場合は、多結晶板自体として不純物の少ない
高純度なものの使用が可能となり、ＳｉＣ単結晶基板と
多結晶板との間に結晶粒界などを形成しないで、品質の
一層高い単結晶ＳｉＣを得ることができる。
る板材として、熱ＣＶＤ法により板状に製作されたもの
を使用する場合は、多結晶板自体として不純物の少ない
高純度なものの使用が可能となり、ＳｉＣ単結晶基板と
多結晶板との間に結晶粒界などを形成しないで、品質の
一層高い単結晶ＳｉＣを得ることができる。
【００２７】また、上記ＳｉＣ単結晶基板の板材と対向
する結晶面として、アチソン法により作られたＳｉＣ単
結晶塊からＳｉＣ単結晶基板を切り出したときの（００
０１）面を（１１- 2 ０）面方向に約１．５〜１０°傾
斜させて研磨した面を使用する場合は、結晶面の熱エッ
チングなどによる欠陥の発生がなくなり、ＳｉＣ単結晶
の品質を一層高めることができる。
する結晶面として、アチソン法により作られたＳｉＣ単
結晶塊からＳｉＣ単結晶基板を切り出したときの（００
０１）面を（１１- 2 ０）面方向に約１．５〜１０°傾
斜させて研磨した面を使用する場合は、結晶面の熱エッ
チングなどによる欠陥の発生がなくなり、ＳｉＣ単結晶
の品質を一層高めることができる。
【００２８】さらに、上記ＳｉＣ単結晶基板とＳｉ原子
及びＣ原子により構成された板材との対向面間の微小隙
間を、望ましくは１０μｍ以下に保持させて熱処理する
ことによって、高温側の板より蒸発したＳｉ，Ｃ，Ｓｉ
Ｃ，ＳｉＣ2 等の単原子、２〜３原子分子がＳｉＣ単結
晶基板の表面に到達する迄の間に互いに衝突する確率を
極力低減することが可能であり、これによって、原子、
分子のＳｉＣ単結晶基板表面での再配列を容易にして高
品質なＳｉＣ単結晶層を種結晶の上面全域に形成し、そ
の高品質再結晶面を種結晶として用い異常成長核のない
高品質な単結晶ＳｉＣを得ることができる。
及びＣ原子により構成された板材との対向面間の微小隙
間を、望ましくは１０μｍ以下に保持させて熱処理する
ことによって、高温側の板より蒸発したＳｉ，Ｃ，Ｓｉ
Ｃ，ＳｉＣ2 等の単原子、２〜３原子分子がＳｉＣ単結
晶基板の表面に到達する迄の間に互いに衝突する確率を
極力低減することが可能であり、これによって、原子、
分子のＳｉＣ単結晶基板表面での再配列を容易にして高
品質なＳｉＣ単結晶層を種結晶の上面全域に形成し、そ
の高品質再結晶面を種結晶として用い異常成長核のない
高品質な単結晶ＳｉＣを得ることができる。
【図１】本発明に係る単結晶ＳｉＣの製造方法の実施の
形態による熱処理前の状態を示す模式図である。
形態による熱処理前の状態を示す模式図である。
【図２】同上実施の形態による熱処理後の状態を示す模
式図である。
式図である。
【図３】同上実施の形態による単結晶ＳｉＣの製造方法
に使用するα−ＳｉＣ単結晶基板の作製に際して作られ
たα−ＳｉＣ単結晶塊の概略斜視図である。
に使用するα−ＳｉＣ単結晶基板の作製に際して作られ
たα−ＳｉＣ単結晶塊の概略斜視図である。
【図４】同上実施の形態による単結晶ＳｉＣの製造方法
に使用するα−ＳｉＣ単結晶基板を示す概略斜視図であ
る。
に使用するα−ＳｉＣ単結晶基板を示す概略斜視図であ
る。
１ α−ＳｉＣ単結晶基板 ２ β−ＳｉＣ多結晶板（Ｓｉ原子とＣ原子により構成
される板材の一例） ３ 微小隙間
される板材の一例） ３ 微小隙間
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 平本 雅信 兵庫県三田市下内神字打場541番地の１ 日本ピラー工業株式会社三田工場内 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) C30B 1/00 - 35/00 ＣＡ（ＳＴＮ)
Claims (10)
- 【請求項１】 種結晶となるＳｉＣ単結晶基板とＳｉ原
子及びＣ原子により構成された板材とを１００μｍ以下
の微小隙間を隔てて互いに平行に対峙させた状態で、大
気圧以下の不活性ガス雰囲気、かつ、ＳｉＣ飽和蒸気雰
囲気下で、上記ＳｉＣ単結晶基板側が上記板材よりも低
温に保たれるような温度勾配を持たせて熱処理すること
により、上記板材を構成するＳｉ原子及びＣ原子を上記
微小隙間に昇華拡散させるとともに、種結晶となる低温
側の上記ＳｉＣ単結晶基板上で再結晶させて該ＳｉＣ単
結晶基板の結晶軸と同方位に配向された単結晶が一体に
成長されていることを特徴とする単結晶ＳｉＣ。 - 【請求項２】 上記板材が、ＳｉＣ多結晶板、ＳｉＣア
モルファスもしくは高純度ＳｉＣ焼結体の中から選択さ
れた一種である請求項１に記載の単結晶ＳｉＣ。 - 【請求項３】 上記ＳｉＣ多結晶板として、熱化学蒸着
法により板状に製作されたものを使用している請求項２
に記載の単結晶ＳｉＣ。 - 【請求項４】 上記ＳｉＣ単結晶基板の上記板材と対向
する結晶面として、 アチソン法により作られたＳｉＣ単結晶塊からＳｉＣ単
結晶基板を切り出したときの（０００１）面を（１１-
2 ０）面方向に約１．５〜１０°傾斜させて研磨した面
を使用している請求項１ないし３のいずれかに記載の単
結晶ＳｉＣ。 - 【請求項５】 種結晶となるＳｉＣ単結晶基板とＳｉ原
子及びＣ原子により構成された板材とを両者の対向面間
に１００μｍ以下の微小隙間を形成するように互いに平
行に対峙させた後、 それらＳｉＣ単結晶基板及び板材を大気圧以下の不活性
ガス雰囲気、かつ、ＳｉＣ飽和蒸気雰囲気下で、上記Ｓ
ｉＣ単結晶基板側が上記板材よりも低温に保たれるよう
な温度勾配を持たせて熱処理することにより、上記板材
を構成するＳｉ原子及びＣ原子を上記微小隙間に昇華拡
散させ、 この昇華拡散されたＳｉ原子及びＣ原子を種結晶となる
低温側の上記ＳｉＣ単結晶基板上で再結晶させて該Ｓｉ
Ｃ単結晶基板の結晶軸と同方位に配向された単結晶を一
体に育成することを特徴とする単結晶ＳｉＣの製造方
法。 - 【請求項６】 上記板材として、ＳｉＣ多結晶板、Ｓｉ
Ｃアモルファスもしくは高純度ＳｉＣ焼結体の中から選
択された一種を使用する請求項５に記載の単結晶ＳｉＣ
の製造方法。 - 【請求項７】 上記ＳｉＣ多結晶板として、熱化学蒸着
法により板状に製作されたものを使用する請求項６に記
載の単結晶ＳｉＣの製造方法。 - 【請求項８】 上記ＳｉＣ単結晶基板の上記板材と対向
する結晶面として、 アチソン法により作られたＳｉＣ単結晶塊からＳｉＣ単
結晶基板を切り出したときの（０００１）面を（１１-
2 ０）面方向に約１．５〜１０°傾斜させて研磨した面
を使用する請求項５ないし７のいずれかに記載の単結晶
ＳｉＣの製造方法。 - 【請求項９】 上記ＳｉＣ単結晶基板と上記板材との対
向面間隔を１０μｍ以下に保持させて熱処理が行なわれ
る請求項５ないし８のいずれかに記載の単結晶ＳｉＣの
製造方法。の微小隙間を隔てて互いに平行に対峙さ - 【請求項１０】 上記熱処理温度は、２０００〜２３０
０℃の範囲に設定されている請求項５ないし９のいずれ
かに記載の単結晶ＳｉＣの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19729498A JP2964080B1 (ja) | 1998-07-13 | 1998-07-13 | 単結晶ＳｉＣおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19729498A JP2964080B1 (ja) | 1998-07-13 | 1998-07-13 | 単結晶ＳｉＣおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2964080B1 true JP2964080B1 (ja) | 1999-10-18 |
| JP2000034197A JP2000034197A (ja) | 2000-02-02 |
Family
ID=16372077
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19729498A Expired - Fee Related JP2964080B1 (ja) | 1998-07-13 | 1998-07-13 | 単結晶ＳｉＣおよびその製造方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2964080B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106245110A (zh) * | 2016-08-30 | 2016-12-21 | 河北同光晶体有限公司 | 一种减少SiC晶体生长中缺陷产生的方法 |
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|---|---|---|---|---|
| JP2007112661A (ja) * | 2005-10-20 | 2007-05-10 | Bridgestone Corp | 炭化ケイ素単結晶の製造方法及び製造装置 |
-
1998
- 1998-07-13 JP JP19729498A patent/JP2964080B1/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106245110A (zh) * | 2016-08-30 | 2016-12-21 | 河北同光晶体有限公司 | 一种减少SiC晶体生长中缺陷产生的方法 |
| CN106245110B (zh) * | 2016-08-30 | 2018-12-28 | 河北同光晶体有限公司 | 一种减少SiC晶体生长中缺陷产生的方法 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2000034197A (ja) | 2000-02-02 |
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|---|---|---|---|
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