JPH10324600A - 単結晶SiCおよびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
イプ欠陥の非常に少ない良質の単結晶を効率よく、かつ
面積的にも十分な大きさを確保して製造することができ
るようにする。 【解決手段】 α−SiC単結晶基材1の表面に熱CV
D法でβ−SiC層2を形成した後、その複合体Mを1
900〜2400℃の高い温度で熱処理してβ−SiC
層2の多結晶体をα−SiCに転化させるとともにα−
SiC単結晶基材1の結晶軸と同方位に配向させてα−
SiC単結晶基材1の単結晶と一体の単結晶を界面3に
大きく育成させる。
Description
びその製造方法に関するもので、詳しくは、発光ダイオ
ードや電子デバイスの基板ウエハなどとして用いられる
単結晶SiCおよびその製造方法に関するものである。
械的強度に優れているだけでなく、放射線にも強く、さ
らに不純物の添加によって電子や正孔の価電子制御が容
易である上、広い禁制帯幅を持つ(因みに、6H型のS
iC単結晶で約3.0eV、4H型のSiC単結晶で
3.26eV)ために、Si(シリコン)やGaAs
(ガリウムヒ素)などの既存の半導体材料では実現する
ことができない大容量、高周波、耐圧、附環境性を実現
することが可能で、次世代のパワーデバイス用半導体材
料として注目され、かつ期待されている。
(製造)方法として、従来、種結晶を用いた昇華再結晶
法によってSiC単結晶を成長させる方法と、高温度で
の場合はシリコン基板上に化学気相成長法(CVD法)
を用いてエピタキシャル成長させることにより立方晶の
SiC単結晶(β−SiC)を成長させる方法とが知ら
れている。
た従来の製造方法は共に結晶成長速度が1μm/hr.
と非常に低いだけでなく、昇華再結晶法にあっては、マ
イクロパイプ欠陥と呼ばれ半導体デバイスを作製した際
の漏れ電流等の原因となる結晶の成長方向に貫通する直
径数ミクロンのピンホールが100〜1000/cm2
程度成長結晶中に存在するという問題があり、このこと
が既述のようにSiやGaAsなどの既存の半導体材料
に比べて多くの優れた特徴を有しながらも、その実用化
を阻止する要因になっている。
1700〜1900℃と高い上に、高純度の還元性雰囲
気を作ることが必要であって、設備的に非常に困難であ
り、さらに、エピタキシャル成長のため成長速度にも自
ずと限界があるという問題があった。
で、高温熱処理を施すことにより格子欠陥およびマイク
ロパイプ欠陥の非常に少ない良質の単結晶SiCと、こ
の単結晶SiCの成長速度を上げて該単結晶を面積的に
十分に確保でき、半導体材料としての実用化を可能とす
る製造方法を提供することを目的としている。
に、請求項1記載の発明に係る単結晶SiCは、α−S
iC単結晶基材の表面に熱化学的蒸着法でβ−SiC層
を形成してなる複合体を熱処理することにより、上記β
−SiC層の多結晶体をα−SiCに転化させるととも
に上記α−SiC単結晶基材の結晶軸と同方位に配向さ
せて単結晶を一体に成長させていることを特徴とするも
ので、α−SiC単結晶基材とその表面に熱化学的蒸着
法で形成され多結晶体に成長されたβ−SiC層とを高
い温度で熱処理することによって、β−SiC層の多結
晶体がα−SiCに転化すると共に、その結晶がα−S
iC単結晶基材の結晶軸と同方位に配向し該基材の単結
晶と一体化して格子欠陥およびマイクロパイプ欠陥の非
常に少ない良質な単結晶を面積的に大きく育成させるこ
とが可能である。
iCは、請求項1記載の発明の構成のうち、上記β−S
iC層が、1300〜1900℃範囲の熱化学的蒸着法
によりα−SiC単結晶基材の表面に形成されたもので
あり、このβ−SiCの多結晶体がα−SiCに転化さ
れて単結晶に成長されるために、不純物原子の拡散が抑
えられ、α−SiC単結晶基材よりも不純物や格子欠陥
などのない高純度の単結晶を得ることが可能である。
SiCの製造方法は、α−SiC単結晶基材の表面に熱
化学的蒸着法でβ−SiC層を形成した後、その複合体
を熱処理して上記β−SiC層の多結晶体をα−SiC
に転化させるとともに上記α−SiC単結晶基材の結晶
軸と同方位に配向して単結晶を一体化し育成することを
特徴とするものであって、請求項1記載の発明でいうと
ころの格子欠陥およびマイクロパイプ欠陥の非常に少な
い良質な単結晶SiCを容易に、かつ効率よく成長させ
て面積的に十分な大きさを確保し、単結晶SiCを工業
的規模で安定に製造し供給することが可能である。
結晶SiCの製造方法は、請求項3記載の発明における
複合体の熱処理温度を熱化学的蒸着の温度よりも高温、
具体的には請求項5に記載のように、1900〜240
0℃で、かつSiC飽和蒸気圧中で行なうものであり、
良質の単結晶SiCを設備的にも非常に容易に製造する
ことが可能である。
にもとづいて説明する。図1は本発明に係る単結晶Si
Cの熱処理前の状態を示す模式図であり、同図におい
て、1は六方晶系(6H型、4H型)のα−SiC単結
晶基材で、その表面に1300〜1900℃の範囲の熱
CVD法により立方晶系のβ−SiC層2を成膜するこ
とにより、図2の顕微鏡による断面エッチング写真で明
示されているように、格子欠陥を含むα−SiC単結晶
の表面にβ−SiCの多結晶体4を成長させて、結晶形
態が互いに異なる結晶面で接して直線状に明瞭な界面3
を有する複合体Mが形成されている。
〜2400℃、好ましくは2000〜2200℃の範囲
の温度で、かつSiC飽和蒸気圧中で熱処理することに
より、上記β−SiC層2の多結晶体4はα−SiCに
転化すると共に上記α−SiC単結晶基材1の結晶軸と
同方位に配向して基材1の単結晶と一体化し大きな単結
晶5が育成される。
CVD法によりβ−SiCの多結晶体が成長された複合
体Mに熱処理を施すことにより、上記界面3にある種の
固相エピタキシャル成長を生じさせて図3の顕微鏡によ
る断面エッチング写真で明示されているように、格子欠
陥及びマイクロパイプ欠陥がほとんどない(1cm2あ
たり10以下の)良質な単結晶SiCを面積的にも十分
な大きさに確保する状態で製造することができる。
て、6H型のものを使用するときは、熱処理に伴ってβ
−SiC層2の多結晶体からα−SiCに転化される単
結晶が6H型の単結晶と同じ形態で育成されやすく、ま
た、4H型の単結晶基材1を使用するときは、熱処理に
伴ってその4H型の単結晶と同じ形態の単結晶が転化育
成されやすいことになる。
1900〜2400℃、処理時間が1〜3時間であるこ
とが好ましい。熱処理温度が1900℃未満であると、
原子の運動エネルギーを界面を形成する多くのSiCに
与えることができない。また、2400℃を超えると、
SiCの分解エネルギーをはるかに超える熱エネルギー
が供給され、SiCの結晶そのものが分解される。
れば、α−SiC単結晶基材とその表面に熱化学的蒸着
法で形成されたβ−SiC層とを高い温度で熱処理する
ことで、不純物のないβ−SiC層の多結晶体を固相成
長によって格子欠陥のないα−SiC単結晶からなるエ
ピタキシャル層に転化させ、その結晶をα−SiC単結
晶基材の結晶軸と同方位に配向させ該基材の単結晶と一
体化させて格子欠陥およびマイクロパイプ欠陥の非常に
少ない良質な単結晶となっている。これによって、Si
(シリコン)やGaAs(ガリウムヒ素)などの既存の
半導体材料に比べて大容量、高周波、耐圧、耐環境性に
優れパワーデバイス用半導体材料として期待されている
単結晶SiCの実用化を可能とすることができるという
効果を奏する。
請求項1記載の発明で得られる単結晶SiCを不純物や
格子欠陥などがより一層少ない高純度の単結晶とするこ
とができる。
求項1記載の発明でいうところの格子欠陥およびマイク
ロパイプ欠陥の非常に少ない良質な単結晶SiCを容易
に、かつ効率よく成長させて面積的にも量的にも十分に
確保し、半導体材料として工業的規模で安定よく供給す
ることができるという効果を奏する。
の発明によれば、良質の単結晶SiCを設備的にも非常
に容易に製造することができる。
示す模式図である。
による断面エッチング写真である。
による断面エッチング写真である。
Claims (5)
- 【請求項1】 α−SiC単結晶基材の表面に熱化学的
蒸着法でβ−SiC層を形成してなる複合体を熱処理す
ることにより、上記β−SiC層の多結晶体をα−Si
Cに転化させるとともに上記α−SiC単結晶基材の結
晶軸と同方位に配向させて単結晶を一体に成長させてい
ることを特徴とする単結晶SiC。 - 【請求項2】 上記β−SiC層が、1300〜190
0℃範囲の熱化学的蒸着法によりα−SiC単結晶基材
の表面に形成されたものである請求項1に記載の単結晶
SiC。 - 【請求項3】 α−SiC単結晶基材の表面に熱化学的
蒸着法でβ−SiC層を形成した後、その複合体を熱処
理して上記β−SiC層の多結晶体をα−SiCに転化
させるとともに上記α−SiC単結晶基材の結晶軸と同
方位に配向して単結晶を一体化し育成することを特徴と
する単結晶SiCの製造方法。 - 【請求項4】 上記熱処理温度が、熱化学的蒸着の温度
よりも高温で、かつSiC飽和蒸気圧中で行なわれる請
求項3に記載の単結晶SiCの製造方法。 - 【請求項5】 上記熱処理温度が、1900〜2400
℃である請求項4に記載の単結晶SiCの製造方法。
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