RU2160227C2 - Монокристаллический карбид кремния и способ его получения - Google Patents
Монокристаллический карбид кремния и способ его получения Download PDFInfo
- Publication number
- RU2160227C2 RU2160227C2 RU99103350/12A RU99103350A RU2160227C2 RU 2160227 C2 RU2160227 C2 RU 2160227C2 RU 99103350/12 A RU99103350/12 A RU 99103350/12A RU 99103350 A RU99103350 A RU 99103350A RU 2160227 C2 RU2160227 C2 RU 2160227C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- sic
- crystal
- complex
- base
- polycrystalline
- Prior art date
Links
Images
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B1/00—Single-crystal growth directly from the solid state
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
- C30B29/36—Carbides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Изобретение предназначено для полупроводниковой техники и может быть использовано при получении полупроводниковых подложек для светоизлучающих диодов. На подложку - монокристаллический α-SiC- наносят методом термохимического осаждения из паровой фазы поликристаллический слой β-SiC. Температура осаждения 1300-1900°С. Комплекс монокристалл α-SiC-поликристалл β-SiC подвергают термообработке под давлением насыщенного пара SiC для превращения β-SiC в монокристалл. Температура термообработки 1800-2400°С. Монокристалл β-SiC ориентирован в том же направлении, что и кристаллографическая ось монокристалла α-SiC. Получают монокристалл большого размера, превосходящий по термостойкости, механической прочности, емкости, частоте, электрической прочности и стойкости к внешним воздействиям известные полупроводниковые материалы. 2 с. и 9 з.п.ф-лы, 3 ил.
Description
Изобретение относится к монокристаллическому карбиду кремния SiC и способу его получения, в частности к монокристаллическому SiC, используемому в качестве полупроводниковой подложки для светоизлучающего диода и электронного устройства или т.п., и к способу его получения.
Описание предшествующего уровня техники
SiC (карбид кремния) обладает исключительными свойствами: теплостойкостью и механической прочностью и высоким сопротивлением излучению. Кроме того, он позволяет легко контролировать валентность электронов и дырок посредством легирования какой-либо примесью. SiC имеет широкую запрещенную зону (например, монокристалл 6Н-SiC имеет запрещенную зону около 3,0 эВ, а монокристалл 4H-SiC имеет запрещенную зону около 3,26 эВ). Это позволяет обеспечить высокие показатели по емкости, частоте, электрической прочности диэлектрика и стойкости к окружающим условиям, которые недостижимы в существующих полупроводниковых материалах, таких как Si (кремний) и GaAs (арсенид галлия). Поэтому монокристаллический SiC заслуживает внимания как материал, который может стать полупроводниковым материалом для энергетических приборов следующего поколения.
SiC (карбид кремния) обладает исключительными свойствами: теплостойкостью и механической прочностью и высоким сопротивлением излучению. Кроме того, он позволяет легко контролировать валентность электронов и дырок посредством легирования какой-либо примесью. SiC имеет широкую запрещенную зону (например, монокристалл 6Н-SiC имеет запрещенную зону около 3,0 эВ, а монокристалл 4H-SiC имеет запрещенную зону около 3,26 эВ). Это позволяет обеспечить высокие показатели по емкости, частоте, электрической прочности диэлектрика и стойкости к окружающим условиям, которые недостижимы в существующих полупроводниковых материалах, таких как Si (кремний) и GaAs (арсенид галлия). Поэтому монокристаллический SiC заслуживает внимания как материал, который может стать полупроводниковым материалом для энергетических приборов следующего поколения.
Известен способ выращивания (получения) монокристаллического SiC такого типа методом сублимации и рекристаллизации с использованием затравочного кристалла, а также способ, при котором эпитаксиальное выращивание осуществляют в условиях высокой температуры на кремниевой подложке, используя метод химического осаждения из паровой фазы (метод ХОПФ), в результате чего получают монокристаллический кубический SiC (β-SiC).
Однако в этих известных методах скорость выращивания кристалла составляет всего 1 мкм/ч. Кроме того, недостатком метода сублимации и рекристаллизации является то, что в выращиваемом кристалле количество микроотверстий диаметром в несколько микрон, проходящих через кристалл в направлении роста, остается в пределах 100-1000 на см2. Такие микроотверстия называют микротрубчатыми дефектами, и они вызывают возникновение тока утечки при изготовлении полупроводникового устройства. Эти проблемы препятствуют практическому использованию монокристаллического SiC, имеющего более высокие характеристики, чем другие существующие полупроводниковые материалы, такие как SiC и GaAs.
Однако в этих известных методах скорость выращивания кристалла составляет всего 1 мкм/ч. Кроме того, недостатком метода сублимации и рекристаллизации является то, что в выращиваемом кристалле количество микроотверстий диаметром в несколько микрон, проходящих через кристалл в направлении роста, остается в пределах 100-1000 на см2. Такие микроотверстия называют микротрубчатыми дефектами, и они вызывают возникновение тока утечки при изготовлении полупроводникового устройства. Эти проблемы препятствуют практическому использованию монокристаллического SiC, имеющего более высокие характеристики, чем другие существующие полупроводниковые материалы, такие как SiC и GaAs.
При использовании высокотемпературного метода ХОПФ температура подложки достигает 1700-1900oC, чтобы обеспечить восстановительную атмосферу высокой чистоты. Поэтому данный метод трудно осуществим с точки зрения оборудования. Кроме того, эпитаксиальное выращивание ограничено по скорости.
РАСКРЫТИЕ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Учитывая перечисленные выше недостатки известного уровня техники, в основу настоящего технического решения поставлена задача получения качественного монокристаллического SiC с минимальным количеством дефектов кристаллической решетки и микротрубчатых дефектов, которая решается посредством проведения высокотемпературной термообработки. Еще одной задачей изобретения является создание способа, позволяющего настолько повысить скорость выращивания монокристаллического SiC, чтобы обеспечить возможность получения монокристалла достаточной площади и тем самым ускорить его практическое применение в качестве полупроводникового материала.
Учитывая перечисленные выше недостатки известного уровня техники, в основу настоящего технического решения поставлена задача получения качественного монокристаллического SiC с минимальным количеством дефектов кристаллической решетки и микротрубчатых дефектов, которая решается посредством проведения высокотемпературной термообработки. Еще одной задачей изобретения является создание способа, позволяющего настолько повысить скорость выращивания монокристаллического SiC, чтобы обеспечить возможность получения монокристалла достаточной площади и тем самым ускорить его практическое применение в качестве полупроводникового материала.
Предложенный монокристаллический SiC отличается тем, что комплекс, в котором поликристаллический слой, состоящий из атомов Si и C, сформирован на поверхности основы из монокристаллического SiC, подвергают термообработке, обеспечивающей превращение поликристаллов поликристаллического слоя в монокристалл и выращивание монокристалла, ориентированного в том же направлении, что и кристаллографическая ось монокристаллической основы.
Согласно изобретению комплекс, содержащий основу из монокристаллического SiC и поликристаллический слой, сформированный на поверхности основы, подвергают высокотемпературной термообработке, обеспечивающей фазовое превращение поликристаллов поликристаллического слоя, блокирование проникновения примесей извне между основой из монокристаллического SiC и поликристаллическим слоем, ориентацию кристалла в том же направлении, что и кристаллографическая ось монокристаллического SiC основы, и образование единого целого с монокристаллом основы, что позволяет выращивать качественный монокристалл большой площади с весьма ограниченным количеством дефектов кристаллической решетки и микротрубчатых дефектов. Тем самым обеспечивается возможность ускорить практическое применение монокристаллического SiC, который превосходит по емкости, частоте, электрической прочности диэлектрика и устойчивости к внешним воздействиям существующие полупроводниковые материалы, такие как Si (кремний) и GaAs (арсенид галлия), и может использоваться как полупроводниковый материал для энергетических приборов.
Предложенный способ получения монокристаллического SiC заключается в том, что наносят поликристаллический слой, состоящий из атомов Si и C, на поверхность основы из монокристаллического SiC, подвергают комплекс термообработке для превращения поликристаллов поликристаллического слоя в монокристалл, обеспечивая тем самым выращивание как единое целое монокристалла, ориентированного в том же направлении, что и кристаллографическая ось монокристаллического SiC основы.
Этот аспект изобретения обеспечивает такой же результат, как и первое изобретение, а именно облегчает выращивание качественного монокристаллического SiC с минимальным количеством дефектов кристаллической решетки и микротрубчатых дефектов с высокой эффективностью с точки зрения площади и количества, а это позволяет стабильно производить и поставлять в промышленных масштабах монокристаллический SiC, являющийся полупроводниковым материалом с очень высокими характеристиками.
В предложенном способе получения монокристаллического SiC поликристаллический слой, входящий в состав комплекса, является поликристаллическим слоем β-SiC, выращенным на поверхности основы из монокристаллического SiC методом термохимического осаждения из паровой фазы, и температура термохимического осаждения поликристаллического слоя β-SiC из паровой фазы составляет от 1300 до 1900oC. При этом получается монокристаллический SiC высокой чистоты и высокого качества, имеющий минимальное количество дефектов кристаллической решетки и микротрубчатых дефектов, а также блокируется проникновение и диффузия примесей между основой из монокристаллического SiC и поликристаллическим слоем на ее поверхности.
Перечень фигур чертежей
Фиг. 1 схематически изображает комплекс перед термообработкой для получения монокристаллического SiC согласно изобретению,
фиг. 2 изображает увеличенный вид основной части перед термообработкой для получения монокристаллического SiC,
фиг. 3 изображает увеличенный вид основной части монокристаллического SiC после термообработки.
Фиг. 1 схематически изображает комплекс перед термообработкой для получения монокристаллического SiC согласно изобретению,
фиг. 2 изображает увеличенный вид основной части перед термообработкой для получения монокристаллического SiC,
фиг. 3 изображает увеличенный вид основной части монокристаллического SiC после термообработки.
Подробное описание предпочтительных вариантов реализации изобретения
В дальнейшем описывается вариант реализации изобретения. На фиг.1 схематически показан комплекс M перед термообработкой монокристаллического SiC. Комплекс M формируют путем наращивания слоя 2 из поликристаллического кубического β-SiC на поверхность основы 1 из монокристаллического гексагонального α-SiC (типа 6Н или 4Н) методом термохимического осаждения из паровой фазы (в дальнейшем именуемого как метод термического ХОПФ) при температуре в интервале 1300-1900oC. Как ясно видно на микроснимке протравленного участка на фиг.2, на стадии наращивания слоя 2 поликристаллического β-SiC поликристаллы 4 поликристаллического слоя 2 β-SiC наращиваются на поверхности основы 1 из монокристаллического α-SiC, содержащего дефекты кристаллической решетки, при этом основа 1 из монокристаллического α-SiC и слой 2 из поликристаллического β-SiC контактируют друг с другом по граням кристаллов разной формы, так что ясно видна линейная межфазная граница 3.
В дальнейшем описывается вариант реализации изобретения. На фиг.1 схематически показан комплекс M перед термообработкой монокристаллического SiC. Комплекс M формируют путем наращивания слоя 2 из поликристаллического кубического β-SiC на поверхность основы 1 из монокристаллического гексагонального α-SiC (типа 6Н или 4Н) методом термохимического осаждения из паровой фазы (в дальнейшем именуемого как метод термического ХОПФ) при температуре в интервале 1300-1900oC. Как ясно видно на микроснимке протравленного участка на фиг.2, на стадии наращивания слоя 2 поликристаллического β-SiC поликристаллы 4 поликристаллического слоя 2 β-SiC наращиваются на поверхности основы 1 из монокристаллического α-SiC, содержащего дефекты кристаллической решетки, при этом основа 1 из монокристаллического α-SiC и слой 2 из поликристаллического β-SiC контактируют друг с другом по граням кристаллов разной формы, так что ясно видна линейная межфазная граница 3.
После этого весь комплекс M подвергают термообработке под давлением насыщенного пара SiC при температуре от 1900 до 2400oC, предпочтительно, 2000-2200oC. При этом поликристаллы 4 слоя 2 поликристаллического β-SiC претерпевают фазовое превращение в α-SiC, ориентированный в том же направлении, что и кристаллографическая ось монокристаллического α-SiC основы 1, и объединяются в единое целое с монокристаллом основы 1 монокристаллического SiC, в результате чего выращивается большой монокристалл 5.
Когда комплекс M, в котором поликристаллы 4 поликристаллического слоя 2 β-SiC сформированы на поверхности основы 1 монокристаллического α-SiC методом термического ХОПФ, подвергается термообработке, описанной выше, в поверхности межфазной границы 3 происходит рост кристалла, в основном твердофазный, при котором колебания кристаллической решетки, происходящие на поверхности межфазной границы 3, изменяют расположение атомов. В результате, как ясно показано на микроснимке протравленного участка на фиг.3, можно получить монокристаллический SiC высокого качества, практически лишенный дефектов кристаллической решетки и микротрубчатых дефектов (10 или меньше на 1 см2), с гарантированным большим размером в смысле площади.
В этом варианте в качестве основы из монокристаллического SiC использована основа 1 из монокристаллического α-SiC. Альтернативно можно использовать, например, спеченный элемент из α-SiC или спеченный элемент из монокристаллического β-SiC. Слой 2 из поликристаллического кубического β-SiC, который наращивается на поверхности основы 1 из монокристаллического α-SiC методом термического ХОПФ, используется в качестве поликристаллического слоя. Альтернативно можно использовать, например, слой из поликристаллического кубического α-SiC, спеченный элемент из SiC высокой чистоты или аморфный слой высокой чистоты (1014 атм/см3 или ниже), что также позволит получить монокристаллический SiC высокого качества, как и в описанном выше варианте.
В качестве монокристаллического α-SiC основы 1 можно использовать SiC типа 6Н или 4Н. При использовании SiC типа 6Н монокристалл, полученный в результате превращения поликристаллов слоя 2 из поликристаллического β-SiC в α-SiC в процессе термообработки, легко выращивается в той же форме, что и монокристалл типа 6Н. Когда используется основа 1 из монокристалла типа 4Н, происходит легкое превращение и выращивание монокристалла в той же форме, что и монокристалл типа 4Н.
Предпочтительно, чтобы температура термообработки комплекса M была в пределах 1900-2400oC, а время обработки составляло 1-3 часа. При температуре термообработки ниже 1900oC кинетическая энергия атомов не может передаваться большей части SiC, образующего межфазную границу. При температуре выше 2400oC образуется тепловая энергия, которая превосходит энергию разложения SiC, и происходит разложение самих монокристаллов SiC.
Промышленная применимость
Предложенный способ, согласно которому комплекс, содержащий поликристаллический слой, состоящий из атомов Si и C, сформированный на поверхности основы из монокристаллического SiC, подвергают термообработке, обеспечивающей выращивание как единое целое монокристалла большого размера, ориентированного в том же направлении, что и кристаллографическая ось монокристаллического SiC основы, позволяет получить монокристалл высокого качества, обладающий исключительной термостойкостью и механической прочностью и обеспечивающий высокие показатели по емкости, частоте, электрической прочности диэлектрика и стойкости к внешним воздействиям, которые недостижимы в известных полупроводниковых материалах, при этом обеспечивается высокая эффективность и стабильность в смысле площади и количества.
Предложенный способ, согласно которому комплекс, содержащий поликристаллический слой, состоящий из атомов Si и C, сформированный на поверхности основы из монокристаллического SiC, подвергают термообработке, обеспечивающей выращивание как единое целое монокристалла большого размера, ориентированного в том же направлении, что и кристаллографическая ось монокристаллического SiC основы, позволяет получить монокристалл высокого качества, обладающий исключительной термостойкостью и механической прочностью и обеспечивающий высокие показатели по емкости, частоте, электрической прочности диэлектрика и стойкости к внешним воздействиям, которые недостижимы в известных полупроводниковых материалах, при этом обеспечивается высокая эффективность и стабильность в смысле площади и количества.
Claims (11)
1. Монокристаллический SiC, отличающийся тем, что комплекс, содержащий поликристаллический слой, состоящий из атомов Si и C, сформированный на поверхности основы из монокристаллического SiC, подвергнут термообработке, обеспечивающей превращение поликристаллов поликристаллического слоя в монокристалл и выращивание монокристалла, ориентированного в том же направлении, что и кристаллографическая ось монокристаллической основы.
2. Монокристаллический SiC по п.1, отличающийся тем, что упомянутой основой из монокристаллического SiC, входящей в состав упомянутого комплекса, является монокристаллический α-SiC.
3. Монокристаллический SiC по п.1, отличающийся тем, что упомянутый поликристаллический слой, входящий в состав комплекса, является слоем поликристаллического β-SiC, выращенным на поверхности основы из монокристаллического SiC методом термохимического осаждения из паровой фазы.
4. Монокристаллический SiC по п.3, отличающийся тем, что температура термохимического осаждения из паровой фазы упомянутого слоя поликристаллического β-SiC составляет 1300 - 1900oC.
5. Способ получения монокристаллического SiC, отличающийся тем, что наносят поликристаллический слой, состоящий из атомов Si и C, на поверхность основы из монокристаллического SiC, и подвергают упомянутый комплекс термообработке для превращения поликристаллов упомянутого поликристаллического слоя в монокристалл, обеспечивая тем самым выращивание как единое целое монокристалла, ориентированного в том же направлении, что и кристаллографическая ось монокристаллической основы.
6. Способ получения монокристаллического SiC по п.5, отличающийся тем, что монокристаллический α-SiC используется в качестве упомянутой основы из монокристаллического SiC, входящей в состав упомянутого комплекса.
7. Способ получения монокристаллического SiC по п.5, отличающийся тем, что слой поликристаллического β-SiC, выращенный на поверхности упомянутой основы из монокристаллического SiC методом термохимического осаждения из паровой фазы, используется в качестве упомянутого поликристаллического слоя, входящего в состав упомянутого комплекса.
8. Способ получения монокристаллического SiC по п.7, отличающийся тем, что температура термохимического осаждения из паровой фазы упомянутого слоя поликристаллического β-SiC составляет 1300 - 1900oC.
9. Способ получения монокристаллического SiC по п.7, отличающийся тем, что термообработку упомянутого комплекса проводят при температуре, превосходящей температуру термохимического осаждения из паровой фазы при формировании упомянутого поликристаллического слоя, и при давлении насыщенного пара SiC.
10. Способ получения монокристаллического SiC по п.9, отличающийся тем, что температура термообработки упомянутого комплекса составляет 1900 - 2400oC.
11. Способ получения монокристаллического SiC по п.9, отличающийся тем, что температура термообработки упомянутого комплекса составляет 2000 - 2200oC.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9/170902 | 1997-05-23 | ||
JP17090297A JP3296998B2 (ja) | 1997-05-23 | 1997-05-23 | 単結晶SiCおよびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2160227C2 true RU2160227C2 (ru) | 2000-12-10 |
RU99103350A RU99103350A (ru) | 2000-12-20 |
Family
ID=15913459
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU99103350/12A RU2160227C2 (ru) | 1997-05-23 | 1998-05-20 | Монокристаллический карбид кремния и способ его получения |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6153165A (ru) |
EP (1) | EP0921214B1 (ru) |
JP (1) | JP3296998B2 (ru) |
DE (1) | DE69825397T2 (ru) |
RU (1) | RU2160227C2 (ru) |
WO (1) | WO1998053125A1 (ru) |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP3003027B2 (ja) * | 1997-06-25 | 2000-01-24 | 日本ピラー工業株式会社 | 単結晶SiCおよびその製造方法 |
CN1231003A (zh) * | 1997-06-27 | 1999-10-06 | 日本皮拉工业株式会社 | 单晶SiC及其制造方法 |
JP3043689B2 (ja) * | 1997-11-17 | 2000-05-22 | 日本ピラー工業株式会社 | 単結晶SiC及びその製造方法 |
JP4043003B2 (ja) * | 1998-02-09 | 2008-02-06 | 東海カーボン株式会社 | SiC成形体及びその製造方法 |
JP2884085B1 (ja) * | 1998-04-13 | 1999-04-19 | 日本ピラー工業株式会社 | 単結晶SiCおよびその製造方法 |
DE69916177T2 (de) | 1998-05-29 | 2005-04-14 | Denso Corp., Kariya | Verfahren zur Herstellung eines Siliziumkarbid-Einkristalls |
JP3248071B2 (ja) * | 1998-10-08 | 2002-01-21 | 日本ピラー工業株式会社 | 単結晶SiC |
US6436186B1 (en) | 1999-07-30 | 2002-08-20 | Nissin Electric Co., Ltd. | Material for raising single crystal SiC and method of preparing single crystal SiC |
JP3087070B1 (ja) * | 1999-08-24 | 2000-09-11 | 日本ピラー工業株式会社 | 半導体デバイス製作用単結晶SiC複合素材及びその製造方法 |
TW464977B (en) * | 2000-11-03 | 2001-11-21 | United Microelectronics Corp | Method for peeling off silicon carbide layer |
JP4716558B2 (ja) | 2000-12-12 | 2011-07-06 | 株式会社デンソー | 炭化珪素基板 |
US6706114B2 (en) | 2001-05-21 | 2004-03-16 | Cree, Inc. | Methods of fabricating silicon carbide crystals |
TWI229897B (en) * | 2002-07-11 | 2005-03-21 | Mitsui Shipbuilding Eng | Large-diameter sic wafer and manufacturing method thereof |
JP4418879B2 (ja) * | 2003-03-10 | 2010-02-24 | 学校法人関西学院 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
JP3741283B2 (ja) * | 2003-03-10 | 2006-02-01 | 学校法人関西学院 | 熱処理装置及びそれを用いた熱処理方法 |
JP5415853B2 (ja) * | 2009-07-10 | 2014-02-12 | 東京エレクトロン株式会社 | 表面処理方法 |
CN111416020A (zh) * | 2020-04-03 | 2020-07-14 | 晶科能源科技(海宁)有限公司 | 一种提高n型类单晶电池效率的方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4590130A (en) * | 1984-03-26 | 1986-05-20 | General Electric Company | Solid state zone recrystallization of semiconductor material on an insulator |
DE4234508C2 (de) * | 1992-10-13 | 1994-12-22 | Cs Halbleiter Solartech | Verfahren zur Herstellung eines Wafers mit einer monokristallinen Siliciumcarbidschicht |
JP3003027B2 (ja) * | 1997-06-25 | 2000-01-24 | 日本ピラー工業株式会社 | 単結晶SiCおよびその製造方法 |
CN1231003A (zh) * | 1997-06-27 | 1999-10-06 | 日本皮拉工业株式会社 | 单晶SiC及其制造方法 |
JP3043689B2 (ja) * | 1997-11-17 | 2000-05-22 | 日本ピラー工業株式会社 | 単結晶SiC及びその製造方法 |
JP2884085B1 (ja) * | 1998-04-13 | 1999-04-19 | 日本ピラー工業株式会社 | 単結晶SiCおよびその製造方法 |
-
1997
- 1997-05-23 JP JP17090297A patent/JP3296998B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-05-20 WO PCT/JP1998/002197 patent/WO1998053125A1/ja active IP Right Grant
- 1998-05-20 EP EP98921720A patent/EP0921214B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-05-20 US US09/147,456 patent/US6153165A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-05-20 DE DE1998625397 patent/DE69825397T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-05-20 RU RU99103350/12A patent/RU2160227C2/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0921214A1 (en) | 1999-06-09 |
EP0921214B1 (en) | 2004-08-04 |
DE69825397D1 (de) | 2004-09-09 |
US6153165A (en) | 2000-11-28 |
JPH10324600A (ja) | 1998-12-08 |
DE69825397T2 (de) | 2005-01-13 |
EP0921214A4 (en) | 2000-08-23 |
JP3296998B2 (ja) | 2002-07-02 |
WO1998053125A1 (fr) | 1998-11-26 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU2160227C2 (ru) | Монокристаллический карбид кремния и способ его получения | |
RU2160329C1 (ru) | МОНОКРИСТАЛЛ SiC И СПОСОБ ЕГО ПОЛУЧЕНИЯ | |
Kong et al. | Epitaxial growth of β‐SiC thin films on 6H α‐SiC substrates via chemical vapor deposition | |
TW526300B (en) | SiC single crystal and method for growing the same | |
US6053973A (en) | Single crystal SiC and a method of producing the same | |
JP3003027B2 (ja) | 単結晶SiCおよびその製造方法 | |
CN102037164A (zh) | 在低度偏轴碳化硅基片上的外延生长及利用其制造的半导体器件 | |
JP3254559B2 (ja) | 単結晶SiCおよびその製造方法 | |
US6187279B1 (en) | Single crystal SIC and method of producing the same | |
RU99103350A (ru) | Монокристаллический карбид кремния и способ его получения | |
JP3248071B2 (ja) | 単結晶SiC | |
JP2001181095A (ja) | SiC単結晶およびその成長方法 | |
JP3254557B2 (ja) | 単結晶SiCおよびその製造方法 | |
JP2917143B1 (ja) | 単結晶SiCおよびその製造方法 | |
JP2981879B2 (ja) | 単結晶SiCおよびその製造方法 | |
JP2896667B1 (ja) | 単結晶SiC及びその製造方法 | |
JP3043687B2 (ja) | 単結晶SiC及びその製造方法 | |
JP2936481B1 (ja) | 単結晶SiCおよびその製造方法 | |
JP2939615B2 (ja) | 単結晶SiC及びその製造方法 | |
JP2917149B1 (ja) | 単結晶SiCおよびその製造方法 | |
YOO et al. | Epitaxial growth of thick single crystalline cubic silicon carbide by sublimation method | |
JP2964080B1 (ja) | 単結晶SiCおよびその製造方法 | |
Yoo et al. | Polytype change of silicon carbide at high temperatures | |
JPH1160392A (ja) | SiC複合体およびその製造方法ならびに単結晶SiC | |
Kawai et al. | 6H-SiC Homoepitaxial Growth and Optical Property of Boron-and Nitrogen-Doped Donor-Acceptor Pair (DAP) Emission of 1º-Off Substrate by Closed-Space Sublimation Method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20050521 |