JP3741283B2 - 熱処理装置及びそれを用いた熱処理方法 - Google Patents
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このような構成によると、短時間で被処理物を1200℃〜2,300℃に加熱することが可能となる。また、被処理物を均等に加熱することが可能となり、また、加熱ヒータからの熱を反射鏡で反射して被処理物側に集中させることができる。
このような構成によると、予備加熱室においても短時間で800℃以上、好ましくは1000℃以上に加熱することが可能となり、また、被処理物を効率良く加熱することができる。
2 加熱室
3 予備加熱室
4 前室
5 被処理物
5’ 密閉容器
5a 上容器
5b 下容器
6 ランプ
7 ゲートバルブ
8 テーブル
9 サセプタ
10 移動手段
11 加熱ヒータ
12 反射鏡
25 嵌合部
Claims (6)
- 被処理物を圧力10-2Pa以下の真空において1200℃〜2,300℃に加熱する加熱室と、
前記加熱室に連結され、前記加熱室に被処理物を移動するための移動手段が設けられている前室と、
前記前室に連結され、前記被処理物を10-2Pa以下の真空において予め800℃以上に加熱する予備加熱室と、を備えてなり、
前記被処理物を収納した容器を覆うように、前記加熱室の内部に加熱ヒータが設けられており、その加熱ヒータの周囲に反射鏡が配置されており、
前記容器は上容器と下容器とを嵌合してなり、前記被処理物はこの容器に収納された状態で前記加熱ヒータにより加熱されることを特徴とする、熱処理装置。 - 前記加熱室は、圧力10-5Pa以下の真空で前記被処理物を加熱するように構成されていることを特徴とする、請求項1に記載の熱処理装置。
- 前記加熱室は、前記圧力10-2Pa以下の真空とすることに代えて、圧力10-2Pa以下の真空に到達した後に不活性ガスを導入した希薄ガス雰囲気下において前記被処理物を加熱するように構成されていることを特徴とする、請求項1に記載の熱処理装置。
- 前記予備加熱室は、前記被処理物を圧力10-5Pa以下の真空において予め800℃以上に加熱するように構成されていることを特徴とする、請求項1から請求項3までの何れか一項に記載の熱処理装置。
- 前記予備加熱室の加熱手段が、ランプ式加熱手段である請求項1から請求項4までの何れか一項に記載の熱処理装置。
- 被処理物を1200℃〜2,300℃に加熱する加熱室と、前記加熱室に連結され、前記加熱室に被処理物を移動するための移動手段が設けられている前室と、前記前室に連結され、前記被処理物を予め所定の温度に加熱する予備加熱室と、を備えてなる熱処理装置による熱処理方法であって、
前記被処理物を予め圧力10-2Pa以下の真空の予備加熱室で800℃以上に加熱した後、予め1200℃〜2,300℃に加熱された圧力10-2Pa以下、又は予め圧力10-2Pa以下の真空に到達した後に不活性ガスを導入した希薄ガス雰囲気下の加熱室に移動することで、前記被処理物を1200℃〜2,300℃に加熱するものであり、
前記被処理物を収納した容器を覆うように、前記加熱室の内部に加熱ヒータが設けられており、その加熱ヒータの周囲に反射鏡が配置されており、
前記容器は上容器と下容器とを嵌合してなり、前記被処理物はこの容器に収納された状態で前記加熱ヒータにより加熱されることを特徴とする、熱処理方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003333266A JP3741283B2 (ja) | 2003-03-10 | 2003-09-25 | 熱処理装置及びそれを用いた熱処理方法 |
PCT/JP2004/003152 WO2004088734A1 (ja) | 2003-03-10 | 2004-03-10 | 熱処理方法と熱処理装置 |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003063271 | 2003-03-10 | ||
JP2003333266A JP3741283B2 (ja) | 2003-03-10 | 2003-09-25 | 熱処理装置及びそれを用いた熱処理方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005229385A Division JP4418879B2 (ja) | 2003-03-10 | 2005-08-08 | 熱処理装置及び熱処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004297034A JP2004297034A (ja) | 2004-10-21 |
JP3741283B2 true JP3741283B2 (ja) | 2006-02-01 |
Family
ID=33421478
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003333266A Expired - Fee Related JP3741283B2 (ja) | 2003-03-10 | 2003-09-25 | 熱処理装置及びそれを用いた熱処理方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3741283B2 (ja) |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4595363B2 (ja) * | 2004-03-23 | 2010-12-08 | 岩崎電気株式会社 | 高温加熱炉 |
JP4599363B2 (ja) | 2004-10-19 | 2010-12-15 | キヤノンアネルバ株式会社 | 基板加熱処理装置及び基板加熱処理に用いられる基板搬送用トレイ |
JP2006339396A (ja) * | 2005-06-02 | 2006-12-14 | Kwansei Gakuin | イオン注入アニール方法、半導体素子の製造方法、及び半導体素子 |
JP4907222B2 (ja) * | 2006-05-01 | 2012-03-28 | 三菱電機株式会社 | 半導体ウエハの加熱装置 |
JP5152887B2 (ja) * | 2006-07-07 | 2013-02-27 | 学校法人関西学院 | 単結晶炭化ケイ素基板の表面改質方法、単結晶炭化ケイ素薄膜の形成方法、イオン注入アニール方法及び単結晶炭化ケイ素基板、単結晶炭化ケイ素半導体基板 |
JP5207427B2 (ja) * | 2006-08-03 | 2013-06-12 | 学校法人関西学院 | 単結晶炭化ケイ素の液相生成方法、単結晶炭化ケイ素基板の液相エピタキシャル生成方法、単結晶炭化ケイ素基板の生成方法 |
JP2008166729A (ja) | 2006-12-08 | 2008-07-17 | Canon Anelva Corp | 基板加熱処理装置及び半導体製造方法 |
JP2008283143A (ja) * | 2007-05-14 | 2008-11-20 | Ulvac Japan Ltd | 処理装置、トランジスタ製造方法 |
US7666763B2 (en) | 2007-05-29 | 2010-02-23 | Canon Anelva Corporation | Nanosilicon semiconductor substrate manufacturing method and semiconductor circuit device using nanosilicon semiconductor substrate manufactured by the method |
TW200931537A (en) * | 2007-12-11 | 2009-07-16 | Centrotherm Thermal Solutions Gmbh & Co Kg | Method and arrangement for tempering SiC wafers |
JP5141227B2 (ja) * | 2007-12-12 | 2013-02-13 | 住友電気工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP5376477B2 (ja) * | 2012-08-24 | 2013-12-25 | 学校法人関西学院 | 単結晶炭化ケイ素基板 |
WO2014033826A1 (ja) * | 2012-08-28 | 2014-03-06 | 株式会社エコトロン | SiC半導体薄膜およびその作製方法 |
WO2015146162A1 (ja) * | 2014-03-24 | 2015-10-01 | キヤノンアネルバ株式会社 | 半導体基板の熱処理方法及び熱処理装置 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63153388A (ja) * | 1986-08-23 | 1988-06-25 | 東レ株式会社 | 熱処理炉 |
JP2744934B2 (ja) * | 1989-07-25 | 1998-04-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型処理装置 |
JP2759368B2 (ja) * | 1990-01-23 | 1998-05-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型熱処理装置 |
JPH0715352B2 (ja) * | 1990-06-30 | 1995-02-22 | 助川電気工業株式会社 | 真空加熱装置 |
JPH0573936U (ja) * | 1992-03-12 | 1993-10-08 | 国際電気株式会社 | 枚葉式cvd装置 |
JP3466673B2 (ja) * | 1993-09-24 | 2003-11-17 | 東海高熱工業株式会社 | 可動熱反射板付真空炉 |
JPH09263498A (ja) * | 1996-03-29 | 1997-10-07 | Denso Corp | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
JP3296998B2 (ja) * | 1997-05-23 | 2002-07-02 | 日本ピラー工業株式会社 | 単結晶SiCおよびその製造方法 |
JP3794816B2 (ja) * | 1998-03-09 | 2006-07-12 | 株式会社アルバック | 真空熱処理方法 |
JP2936479B1 (ja) * | 1998-08-06 | 1999-08-23 | 日本ピラー工業株式会社 | 単結晶SiCの育成方法及びその装置 |
JP4228444B2 (ja) * | 1998-12-25 | 2009-02-25 | 住友電気工業株式会社 | 炭化珪素系複合材料およびその製造方法 |
JP3551106B2 (ja) * | 1999-11-04 | 2004-08-04 | 日新電機株式会社 | 単結晶SiCの製造方法 |
JP4224908B2 (ja) * | 1999-11-29 | 2009-02-18 | 株式会社デンソー | 炭化珪素単結晶の製造方法 |
US6488778B1 (en) * | 2000-03-16 | 2002-12-03 | International Business Machines Corporation | Apparatus and method for controlling wafer environment between thermal clean and thermal processing |
JP3541789B2 (ja) * | 2000-07-31 | 2004-07-14 | 日新電機株式会社 | 単結晶SiCの育成方法 |
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EP1403404A4 (en) * | 2001-06-04 | 2007-08-01 | New Ind Res Organization | SINGLE CRYSTAL SILICON CARBIDE AND PROCESS FOR PRODUCING THE SAME |
-
2003
- 2003-09-25 JP JP2003333266A patent/JP3741283B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004297034A (ja) | 2004-10-21 |
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Date | Code | Title | Description |
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A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20050301 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20050317 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050418 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Written amendment |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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