JP2006339396A - イオン注入アニール方法、半導体素子の製造方法、及び半導体素子 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 表面にドーパントをイオン注入した前記単結晶SiC基板5のイオン注入面に対し、他の単結晶SiC基板5のイオン注入面を近接又は密接させて配置するか(選択図(a))、多結晶SiC基板19を近接又は密接させて配置し(選択図(b))、1,600℃〜2,100℃(好ましくは1,700℃〜1,900℃)の高温に短時間で加熱して熱処理する。単結晶SiC基板5同士の距離、又は単結晶SiC基板5と多結晶SiC基板19との距離(隙間gの大きさ)は、ゼロ(密接)又は0.6mm以下とするのが好ましく、0.1mm以上0.3mm以下が更に好ましい。
【選択図】 図4
Description
厚み方向に複数組分(図4(a)では4組分)積層され、この積層された状態で密閉容器16の内部に収納される。そして、単結晶SiC基板5を上記のように組み合わせて積層させたものの上端と下端にそれぞれ1枚ずつ、前記多結晶SiC基板19を更に付加的に積層させて配置している(なお、多結晶SiC基板19は上端のみ又は下端のみに配置しても良い)。このように構成することで、密閉容器16のSiC分圧あるいはSi分圧を所定圧に制御することが可能となり、単結晶SiC基板5のイオンドープ層33表面からのSiの蒸発が防止されて、単結晶SiC基板5の表面粗れを防止できる。なお、必要に応じて、最上層の単結晶SiC基板5又は多結晶SiC基板19の上に重石を載置することとしても良い。
2 本加熱室
3 予備加熱室
4 前室
5 単結晶SiC基板
6 ハロゲンランプ
7 ゲートバルブ
8 テーブル
9 サセプタ
10 移動手段
11 加熱ヒータ
12 反射鏡
16 密閉容器
17 窓
18 赤外線放射温度計
19 多結晶SiC基板
21・22 段付き部
25 嵌合部
29 汚染物除去機構
31 SiC基板
32 SiC単結晶
50 スペーサ
Claims (10)
- 単結晶炭化ケイ素基板の表面に不純物の原子をイオン注入して高温アニールにより活性化するイオン注入アニール方法であって、
それぞれの表面に前記原子をイオン注入した少なくとも一対の前記単結晶炭化ケイ素基板を、そのイオン注入面同士を対向させるように密接又は近接させて密閉容器内に配置して熱処理する工程を含むことを特徴とする、イオン注入アニール方法。 - 単結晶炭化ケイ素基板の表面に不純物の原子をイオン注入して高温アニールにより活性化するイオン注入アニール方法であって、
表面に前記原子をイオン注入した前記単結晶炭化ケイ素基板のイオン注入面に対し、多結晶炭化ケイ素基板を密接又は近接させた状態で密閉容器内に配置して熱処理する工程を含むことを特徴とする、イオン注入アニール方法。 - 請求項1又は請求項2に記載のイオン注入アニール方法であって、
前記の熱処理は、前記単結晶炭化ケイ素基板のイオン注入面に対し、相手側の前記単結晶炭化ケイ素基板のイオン注入面又は前記多結晶炭化ケイ素基板を、密接させるか、0.6mm以下の距離で近接させるようにして前記密閉容器内に配置して行われることを特徴とする、イオン注入アニール方法。 - 請求項1から請求項3までの何れか一項に記載のイオン注入アニール方法であって、
前記の熱処理は1,600℃以上2,100℃以下の温度に加熱することで行われることを特徴とする、イオン注入アニール方法。 - 請求項1から請求項4までの何れか一項に記載のイオン注入アニール方法であって、
前記の熱処理は、前記単結晶炭化ケイ素基板と相手側の単結晶炭化ケイ素基板からなる一対の組、又は、前記単結晶炭化ケイ素基板と前記多結晶炭化ケイ素基板からなる一対の組を、厚み方向に複数組積層した状態で前記密閉容器内に配置されて行われることを特徴とする、イオン注入アニール方法。 - 請求項1、請求項3又は請求項4に記載のイオン注入アニール方法であって、
前記の熱処理は、前記単結晶炭化ケイ素基板と相手側の単結晶炭化ケイ素基板からなる一対の組を厚み方向に複数組積層した状態で行われるものとし、
更に、その積層方向の少なくとも一方の端部には多結晶炭化ケイ素基板が積層され、この多結晶炭化ケイ素基板を含んだ積層構造が前記密閉容器内に配置されて熱処理されることを特徴とする、イオン注入アニール方法。 - 請求項1から請求項6までの何れか一項に記載のイオン注入アニール方法であって、
前記の不純物は、アルミニウム、ボロン、又はリンを少なくとも含むことを特徴とする、イオン注入アニール方法。 - 請求項1から請求項7までの何れか一項に記載のイオン注入アニール方法であって、
前記の熱処理は、前記単結晶炭化ケイ素基板を密閉容器に収容して、予備加熱室と前室と本加熱室とを有する加熱炉において、前記単結晶炭化ケイ素基板を前記予備加熱室で真空下又は希薄ガス雰囲気下で800℃以上の温度に予熱した後、前記前室へ移動し、予め1,600℃以上2,100℃以下の温度に昇温してある前記本加熱室へ、真空下又は希薄ガス雰囲気下で前記前室から更に移動させることにより行われることを特徴とする、イオン注入アニール方法。 - 請求項1から請求項8までの何れか一項に記載のイオン注入アニール方法によりアニール処理する工程を含む、半導体素子製造方法。
- 請求項9に記載の半導体素子製造方法で製造された半導体素子。
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